1.一種致密鋯英石磚，其特征在于：按照重量比包括以下組分：31％-33％的石英微粉、65％-68％的氧化鋯微粉、0-0.5％有機結(jié)合劑和添加劑余量，各組分所取數(shù)量之和等于100％，所述石英微粉的平均粒徑D50≤10μm，氧化鋯微粉的平均粒徑D50≤10μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的致密鋯英石磚，其特征在于：所述添加劑包括氧化鈦、氧化釔、氧化鑭、氧化鈰、硅溶膠或水玻璃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的致密鋯英石磚，其特征在于：所述添加劑包括0-1.0％的氧化鈦、0-0.3％的氧化釔、氧化鑭或氧化鈰、0-1.5％的硅溶膠或0-1.5％的水玻璃，添加劑還包括0-0.3％的減水劑。
4.一種致密鋯英石磚的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
S1：將采購的高純度石英砂和高純度氧化鋯分別進行煅燒，得到煅燒石英砂和煅燒氧化鋯，所述高純度石英砂中SiO2的含量≥99.5％，高純度氧化鋯中ZrO2的含量≥99.5％；
S2：將煅燒石英砂和煅燒氧化鋯分別通過球磨粉碎得到石英泥漿和氧化鋯泥漿；
S3：將石英泥漿和氧化鋯泥漿分別通過烘干，得到對應(yīng)的烘干料，再將烘干料分別打粉；打粉后分別過篩，得到石英微粉和氧化鋯微粉；
S4：按照配方比例要求取石英微粉、氧化鋯微粉、有機結(jié)合劑和添加劑，進行混磨，得到混合泥漿；
S5:將上述混合泥漿進行烘干，得到烘干料并打粉，打粉后過篩，得到高純合成鋯英石原料；
S6：將上述高純合成鋯英石原料進行高溫煅燒，得到高純合成鋯英石煅燒料；
S7：將高純合成鋯英石煅燒料進行球磨粉碎、烘干，得到烘干料并打粉處理，得到合成高純鋯英石微粉；
S8：將上述合成高純鋯英石微粉靜壓成型得到致密鋯英石磚生胚；
S9：將上述致密鋯英石磚生胚進行高溫燒結(jié)，得到半成品磚；
S10:將上述半成品磚進行冷加工，得到致密鋯英石磚成品。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的致密鋯英石磚的制備方法，其特征在于：所述步驟S1中煅燒溫度為1360-1400℃。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的致密鋯英石磚的制備方法，其特征在于：所述步驟S6中煅燒溫度為1350℃-1650℃，煅燒的保溫時間不少于9h；所述步驟S9中高溫燒結(jié)的溫度為1580℃-1680℃，煅燒的保溫時間不少于12h。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的致密鋯英石磚的制備方法，其特征在于：步驟S7中，合成高純鋯英石微粉的平均粒徑D50≤8μm；球磨粉碎時需加入≤0.3％的氧化鑭、氧化釔或氧化鈰，加入0.2％的結(jié)合劑，加入≤0.2％的減水劑。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的致密鋯英石磚的制備方法，其特征在于：所述步驟S3、S5和S7的烘干料的水分≤0.4％，步驟S3、S5和S7打粉后需要過30目篩。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的致密鋯英石磚的制備方法，其特征在于：所述步驟S7開始前需要對高純合成鋯英石煅燒料進行物相檢測，ZrSiO4的物相含量≥90％視為合格，可以進行步驟S7,否則進行重燒處理；步驟S10的致密鋯英石磚成品需要進行物相檢測，ZrSiO4物相含量≥95％，視為合格；所述物相檢測為采用X射線衍射儀進行定量檢測。