1.一種快速熱氧化方法制備的相變二氧化釩薄膜，其特征在于：包括導(dǎo)氣直管、隔熱蓋、內(nèi)罐、支撐罐、均熱罐和加熱圈，所述均熱罐和所述加熱圈安裝在所述支撐罐內(nèi)且三者的豎直中心線在同一直線上，所述加熱圈處于所述均熱罐和所述支撐罐之間，所述內(nèi)罐插入到所述均熱罐內(nèi)且其上端通過其上擋圈安裝在所述支撐罐外，所述隔熱蓋安裝在所述支撐罐上且其中心線與所述內(nèi)罐的中心線處于同一豎直直線上，所述導(dǎo)氣直管穿過所述隔熱蓋并固定安裝在所述內(nèi)罐上端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速熱氧化方法制備的相變二氧化釩薄膜，其特征在于：所述導(dǎo)氣直管下端距離所述內(nèi)罐底部的距離是硅片上所需二氧化硅層厚度的2倍到3倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種快速熱氧化方法制備的相變二氧化釩薄膜，其特征在于：所述加熱圈采用高阻值電阻繞制而成。