1.一種氧化物介電體，其是含鉍(Bi)和鈮(Nb)的氧化物，所述氧化物可包含不可避免的雜質(zhì)，
所述氧化物介電體含有燒綠石型晶體結(jié)構(gòu)的第一晶體相以及β-BiNbO4型晶體結(jié)構(gòu)的第二晶體相，
所述氧化物介電體的所述第一晶體相的含量、以及所述第二晶體相的含量被進行了調(diào)整，
所述第一晶體相在25℃以上120℃以下的溫度范圍內(nèi)伴隨所述氧化物的溫度上升而相對介電常數(shù)降低，所述第二晶體相在所述溫度范圍內(nèi)伴隨所述氧化物的溫度上升而相對介電常數(shù)上升。
2.一種氧化物介電體，其是含鉍(Bi)和鈮(Nb)的氧化物，所述氧化物可包含不可避免的雜質(zhì)，
所述氧化物介電體含有燒綠石型晶體結(jié)構(gòu)的第一晶體相以及β-BiNbO4型晶體結(jié)構(gòu)的第二晶體相，
所述第一晶體相的含量為1時，所述第二晶體相的含量為1.43以上4.67以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物介電體，還含有Bi3NbO7型晶體結(jié)構(gòu)的第三晶體相以及非晶相，
所述第一晶體相的含量與所述第二晶體相的含量之和超過所述氧化物全體的40％。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的氧化物介電體，其中，相對介電常數(shù)為54以上140以下。
5.一種固態(tài)電子裝置，其具備根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的氧化物介電體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固態(tài)電子裝置，其中，所述固態(tài)電子裝置是選自電容器、半導體裝置、以及微電氣機械系統(tǒng)中的一種。
7.一種氧化物介電體的制造方法，包含加熱工序，
在所述加熱工序中，將以含鉍(Bi)的前體以及含鈮(Nb)的前體為溶質(zhì)的前體溶液作為起始材料的前體在含氧氛圍中加熱，由此調(diào)整燒綠石型晶體結(jié)構(gòu)的第一晶體相的含量、以及β-BiNbO4型晶體結(jié)構(gòu)的第二晶體相的含量，
所述燒綠石型晶體結(jié)構(gòu)的第一晶體相在25℃以上120℃以下的溫度范圍內(nèi)伴隨由所述前體所形成的含鉍(Bi)和鈮(Nb)的氧化物的溫度上升而相對介電常數(shù)降低，
所述β-BiNbO4型晶體結(jié)構(gòu)的第二晶體相在所述溫度范圍內(nèi)伴隨所述氧化物的溫度上升而相對介電常數(shù)上升，
所述氧化物可包含不可避免的雜質(zhì)。
8.一種氧化物介電體的制造方法，包含加熱工序，
在所述加熱工序中，將以含鉍(Bi)的前體以及含鈮(Nb)的前體為溶質(zhì)的前體溶液作為起始材料的前體在含氧氛圍中加熱，由此形成含有燒綠石型晶體結(jié)構(gòu)的第一晶體相和β-BiNbO4型晶體結(jié)構(gòu)的第二晶體相的含鉍(Bi)和鈮(Nb)的氧化物時，進行調(diào)整使得當燒綠石型晶體結(jié)構(gòu)的第一晶體相的含量為1時β-BiNbO4型晶體結(jié)構(gòu)的第二晶體相的含量成為1.43以上4.67以下，
所述氧化物可包含不可避免的雜質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的氧化物介電體的制造方法，其中，
通過所述加熱工序進行調(diào)整，以使得所述氧化物還含有Bi3NbO7型晶體結(jié)構(gòu)的第三晶體相和非晶相，并且所述第一晶體相的含量和所述第二晶體相的含量之和超過所述氧化物全體的40％。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的氧化物介電體的制造方法，其中，
在形成所述氧化物介電體的層之前，在含氧氛圍中在80℃以上150℃以下對所述前體的層進行了加熱的狀態(tài)下實施壓紋加工，由此形成所述前體的壓紋結(jié)構(gòu)。
11.一種固態(tài)電子裝置的制造方法，制造具備根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項所述的氧化物介電體的固態(tài)電子裝置。