1.一種高HfC含量C/HfC-SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
第一步，復(fù)合材料預(yù)制體制備，
對(duì)碳纖維預(yù)制體進(jìn)行致密化，得到氣孔率為30～50vol％的復(fù)合材料預(yù)制體；
第二步，料漿制備，
A1.1、將碳先驅(qū)體和聚乙二醇溶解在溶劑中，得到混合溶液；
A1.2、在混合溶液中加入硅鉿合金粉并球磨均勻后得到料漿，所述碳先驅(qū)體與硅鉿合金粉的質(zhì)量比為1.5～2：1；
第三步，真空壓力浸漬，
采用先真空浸漬后壓力浸漬的方法，將第一步致密化的復(fù)合材料預(yù)制體浸漬在第二步制備的料漿中；
第四步，固化裂解；
第五步，重復(fù)第三、四步，直到裂解后的復(fù)合材料密度達(dá)到1.3～1.5g/cm3；
第六步，反應(yīng)熔滲RMI。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高HfC含量C/HfC-SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述第四步中裂解工藝為：
A4.1、以(100±5)℃/h的速率升溫到200±10℃，保溫0.5～1小時(shí)；
A4.2、以(25～50)℃/h的速率升溫到400±10℃，保溫1～2小時(shí)；
A4.3、以(25～50)℃/h的速率升溫到600±10℃，保溫1～2小時(shí)；
A4.4、以(50～100)℃的速率升溫到900±10℃，保溫2～3小時(shí)后，自然降溫到室溫。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高HfC含量C/HfC-SiC復(fù)合材料的制備方法， 其特征在于：所述步驟A1.1中碳先驅(qū)體與聚乙二醇的質(zhì)量比為25～35：1。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高HfC含量C/HfC-SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述碳先驅(qū)體為呋喃樹脂或酚醛樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高HfC含量C/HfC-SiC復(fù)合材料的制備方法，其特征在于：所述A1.2中料漿粘度為100～200mP.s。