本發(fā)明主要的技術(shù)領(lǐng)域是低溫共燒陶瓷技術(shù)制造出微波介電陶瓷材料及其制造方法。

背景技術(shù)：

一般低溫共燒陶瓷(Low temperature co-fired ceramic,LTCC)方法，包括有陶瓷加低熔點氧化物如氧化硼(B₂O₃)或五氧化二釩(V₂O₅)為主，依靠低熔點氧化物先產(chǎn)生熔融而降低燒結(jié)溫度。另一種方法則是陶瓷加玻璃產(chǎn)生液相燒結(jié)反應(yīng)降低燒結(jié)溫度。

由于Ba₅Nb₄O₁₅在高溫1380℃燒結(jié)時，Srivastave,A.M.在《J.Solid State Chem》1997年134卷發(fā)表，可獲得介電常數(shù)εr＝41、品質(zhì)因子Q×f＝57000GHz和頻率溫度系數(shù)τf＝50ppm/℃的微波介電特性，然而，由于燒結(jié)溫度過高，因此電極材料需要用到銀鈀電極。

為了達(dá)到在低溫下能夠跟銀共燒，Kim.D.W.等人在《Journal of the European Ceramic Society》2003年23卷發(fā)表利用B₂O₃添加進(jìn)入(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆后，可降低燒結(jié)溫度至900℃，并且品質(zhì)因子Q×f＝28000GHz，同時溫度頻率系數(shù)接近于零。

然而，若添加B₂O₃等低熔點氧化物，由于B₂O₃容易與水、甲醇、乙醇以及常用的粘結(jié)劑如PVA(聚乙烯醇)和PVB(聚乙烯醇縮丁醛)等反應(yīng)，產(chǎn)生出凝膠作用，造成在積層陶瓷電容(Multi-layer Ceramic Capacitor,MLCC)工藝中，薄帶制造過程粉體分散不均而使得燒結(jié)密度變化大。另外B₂O₃在水跟酒精中的溶解度大，容易在工藝后段粉體過濾干燥階段，因B₂O₃成分流失，導(dǎo)致B₂O₃降低，從而導(dǎo)致燒結(jié)密度降低與介電特性損耗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服前述現(xiàn)有技術(shù)中的缺陷，本發(fā)明的一目的即是提供一種高穩(wěn)定性、符合低溫共燒陶瓷工藝溫度、燒結(jié)致密的低溫?zé)Y(jié)微波介電陶瓷材料。

本發(fā)明的另一目的是提供一種軟性電低溫?zé)Y(jié)微波介電陶瓷材料的制造方法，以 制造出本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)微波介電陶瓷材料。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種低溫?zé)Y(jié)微波介電陶瓷材料，其是由ywt％[(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆]陶瓷材料與z wt％CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料所組成，所采用的技術(shù)是將CuO-B₂O₃-SiO₂粉末混合并且在1250-1450℃熔融后，得到CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃，則CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃具有高穩(wěn)定性，不會與水、甲醇、乙醇、PVA和PVB反應(yīng)，并且不會溶解在水和酒精之中，且可與陶瓷粉體達(dá)到有效燒結(jié)致密的效果。

本發(fā)明在制造低溫?zé)Y(jié)微波介電陶瓷材料時，其步驟包括制備CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料、制備Ba₅Nb₄O₁₅材料、制備BaNb₂O₆材料、將制備好的所述Ba₅Nb₄O₁₅、BaNb₂O₆和CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料進(jìn)行濕式混合，并予以燒結(jié)。本發(fā)明較佳實施例中，Ba₅Nb₄O₁₅、BaNb₂O₆和CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料是在室溫下添加如水、酒精、分散劑等進(jìn)行濕式混合，材料比例x范圍介于0≤x≤0.3、1％≤z≤15％、y+z＝100％，混合2小時之后過濾干燥。

其中，所述Ba₅Nb₄O₁₅、BaNb₂O₆和CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料混合后的燒結(jié)溫度為大于等于700℃且小于等于1050℃。

其中，所述Ba₅Nb₄O₁₅、BaNb₂O₆和CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料混合后的燒結(jié)是在大氣氣氛條件中與貴金屬電極(銀)共燒。

其中，所述Ba₅Nb₄O₁₅、BaNb₂O₆和CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料混合后的燒結(jié)是在氮氫氣氛條件中與卑金屬(Base metal)電極(銅)共燒。該卑金屬電極材料為銅。

其中，所述CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料是以5-15wt％CuO、30-75wt％B₂O₃和0-10wt％SiO₂的粉末混合后，于1250-1450℃下熔融2-10小時而得到的。

其中，所述Ba₅Nb₄O₁₅的材料是依照其化學(xué)劑量比稱取BaO和Nb₂O₅的材料，并且在900℃至1200℃下進(jìn)行4-10小時的煅燒，得到產(chǎn)物后再進(jìn)行磨粉。

其中，所述BaNb₂O₆的材料是依照其化學(xué)劑量比稱取BaO和Nb₂O₅的材料，并且在900℃至1200℃下進(jìn)行4-10小時的煅燒，得到產(chǎn)物后再進(jìn)行磨粉。

本發(fā)明于低溫?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度為大于等于700℃且小于等于1050℃)，燒結(jié)時間0.5-4小時，具有介電常數(shù)范圍于36-43，并有低介電損耗、高品質(zhì)因子、低溫度頻率系數(shù)與低電容系數(shù)等優(yōu)異特性，且材料可在大氣氣氛條件時與貴金屬電極(銀)，以及在氮氫氣氛條件時與卑金屬電極(銅)共燒。

在效果方面，本發(fā)明利用CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料添加進(jìn)入(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷粉體后，由于CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料具有高穩(wěn)定性，不會與水、酒精跟粘結(jié)劑等高分子材料產(chǎn)生反應(yīng)，因此不會有凝膠作用發(fā)生。另外，本發(fā)明的玻璃系統(tǒng)只與(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷粉體產(chǎn)生液相燒結(jié)特性，使得材料系統(tǒng)符合低溫共燒陶瓷工藝溫度，可在范圍700-1050℃溫度條件時燒結(jié)致密，并且不與Ba₅Nb₄O₁₅和BaNb₂O₆產(chǎn)生二次相的反應(yīng)，因此本發(fā)明的系統(tǒng)可有效地在大氣氣氛環(huán)境與貴金屬電極(銀)共燒，以及在還原氣氛條件與卑電極(銅)共燒，并且應(yīng)用在微波介電元件上。

具體實施方式

本發(fā)明所采用的具體實施例，將通過以下的實施例作進(jìn)一步的說明。

本發(fā)明采用比例5-15wt％CuO、30-75wt％B₂O₃和0-10wt％SiO₂的粉末混合后，于溫度1250-1450℃下熔融2-10小時而得到CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料，其中所述wt％定義為重量百分比。

本發(fā)明制備了Ba₅Nb₄O₁₅的材料，依照其化學(xué)劑量比稱取BaO和Nb₂O₅的材料，并且在900℃至1200℃下進(jìn)行4-10小時的煅燒，得到產(chǎn)物后再進(jìn)行磨粉。

本發(fā)明制備BaNb₂O₆的材料，依照其化學(xué)劑量比稱取BaO和Nb₂O₅的材料，并且在900℃至1200℃下進(jìn)行4-10小時的煅燒，得到產(chǎn)物后再進(jìn)行磨粉。

本發(fā)明的低溫?zé)Y(jié)微波介電陶瓷材料是由y wt％[(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆]+zwt％CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料所組成。將Ba₅Nb₄O₁₅、BaNb₂O₆和CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料在室溫下混合，并添加如水、酒精、分散劑等進(jìn)行濕式混合，材料比例x范圍介于0≤x≤0.3、1％≤z≤15％、y+z＝100％，混合2小時之后過濾干燥?；旌虾蟛牧嫌诘蜏?zé)Y(jié)(燒結(jié)溫度為大于等于700℃且小于等于1050℃)，并可與銀共燒，燒結(jié)時間0.5-4小時，具有介電常數(shù)范圍于36-43，且同時具有高品質(zhì)因子和接近零的溫度頻率系數(shù)的微波介電材料。

本發(fā)明新發(fā)明的材料主要為(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料，而國內(nèi)外文獻(xiàn)期刊與專利搜索后，只有利用陶瓷材料混合低熔點陶瓷材料，并無利用陶瓷材料混合玻璃材料的相關(guān)技術(shù)申請。由于玻璃材料具有高穩(wěn)定性，不易水解于水或酒精中，且不易與粘結(jié)劑等起反應(yīng)作用，另外在材料燒結(jié)時，玻璃材料只具有產(chǎn)生液相燒結(jié)作用，使陶瓷材料易于低溫下燒結(jié)致密，并且玻 璃材料也不與陶瓷材料反應(yīng)產(chǎn)生其他二次相出現(xiàn)，因此本發(fā)明具有高創(chuàng)新性。

此外，根據(jù)不同的陶瓷材料成分與不同的玻璃材料成份混合燒結(jié)后，分成比較例與實施例，各自的介電性質(zhì)如下：

(一)當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)，結(jié)果如表1，

表1：(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃的燒結(jié)特性

而其比較例與實施例如下：

比較例1

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合0wt％或0.5wt％(以陶瓷材料的總質(zhì)量為100％計算)的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)燒結(jié)不致密，介電常數(shù)因陶瓷孔隙多而介電常數(shù)值無法提高只達(dá)到25或31，另外品質(zhì)因子也因為孔隙多導(dǎo)致高頻下的微波訊號在孔隙中產(chǎn)生損耗，因此品質(zhì)因子低，只達(dá)到2657和6833GHz。

實施例1

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為37-43、品質(zhì)因子為19533GHz至24788GHz、溫度頻率系數(shù)為44至48ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-81至-90ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)9.7×10¹¹至3.3×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例2

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.05時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為37-40、品質(zhì)因子為22131GHz至24786GHz、溫度頻率系數(shù)為31至35ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-63至-69ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.3×10¹²至6.5×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例3

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.1時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為36-38、品質(zhì)因子為18473GHz至24357GHz、溫度頻率系數(shù)為11至13ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-28至-31ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)1.7×10¹²至3.3×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例4

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.15時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為37-39、品質(zhì)因子為19442GHz至23578GHz、溫度頻率系數(shù)為-2至3ppm/℃、 溫度電容系數(shù)為-2至1ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.1×10¹²至4.1×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例5

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.2時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為36-40、品質(zhì)因子為20335GHz至26324GHz、溫度頻率系數(shù)為-12至-16ppm/℃、溫度電容系數(shù)為25至31ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.3×10¹²至4.1×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒和與銅共燒。

實施例6

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.3時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于750℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為36-38、品質(zhì)因子為18482GHz至25165GHz、溫度頻率系數(shù)為-21至-26ppm/℃、溫度電容系數(shù)為41至43ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)3.2×10¹²至5.1×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

(二)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃的燒結(jié)特性，結(jié)果如表2，

表2：(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃的燒結(jié)特性

而其比較例與實施例如下：

比較例2

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合0wt％或0.5wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)燒結(jié)不致密，介電常數(shù)因陶瓷孔隙多而介電常數(shù)值無法提高只達(dá)到28或33，另外品質(zhì)因子也因為孔隙多導(dǎo)致高頻下的微波訊號在孔隙中產(chǎn)生損耗，因此品質(zhì)因子低，只達(dá)到3430和8900GHz。

實施例7

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為38-43、品質(zhì)因子為18642GHz至27763GHz、溫度頻率系數(shù)為45至49ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-83至-91ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)9.8×10¹¹至3.1×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例8

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.05時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為38-41、品質(zhì)因子為17624GHz至25321GHz、溫度頻率系數(shù)為32至36ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-64至-67ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.7×10¹²至6.2×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例9

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.1時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為39-40、品質(zhì)因子為19899GHz至26431GHz、溫度頻率系數(shù)為11至14ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-28至-32ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)1.8×10¹²至3.5×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例10

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.15時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為38-39、品質(zhì)因子為18732GHz至22232GHz、溫度頻率系數(shù)為3至-1ppm/℃、溫度電容系數(shù)為1至-5ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)1.5×10¹²至4.3×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例11

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.2時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為37-39、品質(zhì)因子為19232GHz至27312GHz、溫度頻率系數(shù)為-13至-17ppm/℃、溫度電容系數(shù)為27至32ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.2×10¹²至5.7×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例12

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.3時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于900℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為36-38、品質(zhì)因子為18768GHz至26321GHz、溫度頻率系數(shù)為-21至-24ppm/℃、溫度電容系數(shù)為42至45ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)3.6×10¹²至5.3×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

(三)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃的燒結(jié)特性，結(jié)果如表3，

表3：(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃的燒結(jié)特性

而其比較例與實施例如下：

比較例3

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料混合0wt％或0.5wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)燒結(jié)不致密，介電常數(shù)因陶瓷孔隙多而介電常數(shù)值 無法提高只達(dá)到29或32，另外品質(zhì)因子也因為孔隙多導(dǎo)致高頻下的微波訊號在孔隙中產(chǎn)生損耗，因此品質(zhì)因子低，只達(dá)到3512和8989GHz。

實施例13

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為39-42、品質(zhì)因子為19563GHz至27865GHz、溫度頻率系數(shù)為44至48ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-82至-92ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)1.2×10¹²至3.2×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例14

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.05時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為37-40、品質(zhì)因子為22312GHz至25365GHz、溫度頻率系數(shù)為33至35ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-63至-66ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.8×10¹²至6.1×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例15

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.1時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為39-41、品質(zhì)因子為20761GHz至26842GHz、溫度頻率系數(shù)為12至15ppm/℃、溫度電容系數(shù)為-25至-32ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.1×10¹²至3.7×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例16

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.15時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為39-40、品質(zhì)因子為19638GHz至23476GHz、溫度頻率系數(shù)為3至-2ppm/℃、溫度電容系數(shù)為2至-2ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)1.9×10¹²至3.5×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例17

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.2時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常 數(shù)值范圍為37-38、品質(zhì)因子為19431GHz至21543GHz、溫度頻率系數(shù)為-14至-18ppm/℃、溫度電容系數(shù)為25至32ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)2.6×10¹²至4.9×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。

實施例18

當(dāng)(1-x)Ba₅Nb₄O₁₅-xBaNb₂O₆陶瓷材料在x等于0.3時，混合1wt％至10wt％的CuO-B₂O₃-SiO₂玻璃材料于1040℃燒結(jié)時，可發(fā)現(xiàn)陶瓷經(jīng)燒結(jié)后達(dá)到致密，介電常數(shù)值范圍為36-38、品質(zhì)因子為19567GHz至25358GHz、溫度頻率系數(shù)為-20至-22ppm/℃、溫度電容系數(shù)為43至46ppm/℃、絕緣阻抗達(dá)3.3×10¹²至5.2×10¹²Ω，材料并適用于與銀共燒跟與銅共燒。