用于晶體硅擴散的勻流板及其晶體硅擴散工藝爐本發(fā)明涉及晶體硅擴散裝置，具體是指用于晶體硅擴散的勻流板及其晶體硅擴散工藝爐。

背景技術：
在晶體硅太陽能電池生產工藝中，目前所普遍采用的是POCL3液態(tài)源擴散制作PN結，其原理是，在一個爐體內放置晶體硅，通入工藝氣體進行擴散。在擴散過程中，工藝氣體通過一個罩杯從爐管尾進入爐內，尾氣和未反應的氣體通過尾氣管從爐口抽出。利用該方法進行擴散，工藝簡單，成本較低，因而成為目前晶體硅太陽能電池生產制作PN結的主要方法。由于從爐尾進入的工藝氣體溫度較低（室溫），工藝氣體在進入爐內（溫度800度左右）后會先下沉，經加熱后再上升分散進入硅片中心區(qū)域。這樣使得爐尾及靠近爐尾區(qū)域的方阻均勻性受到一定的影響。為了使整個爐管的硅片有較好的方阻均勻性，通常采用的方法是在進氣口添加一個勻流管。但是勻流管存在諸多維護和安全上，成本上的問題。為了進一步改善擴散方阻的均勻性?，F(xiàn)有技術的技術方案：目前業(yè)內所采用的勻流管結構延伸進爐內，勻流管延伸進爐內的一端封閉，其側壁處開有開口指向爐頂?shù)某鰵饪?。其通過使用勻流管將溫度低的工藝氣體往上通入到爐體頂部中，這樣使得低溫的工藝氣體在下沉的過程中加熱進行擴散?，F(xiàn)有技術的缺點：缺點1：由于爐尾進氣管通道內的溫度要遠低于爐內。因此工藝氣體在爐內反應生產的P2O5及容易在出氣口和勻流管壁上沉積，實踐證明，在用過一段時間之后，勻流管靠近進氣端的外壁上都會沉積很厚的一層P2O5沉淀。在P2O5沉淀的長期腐蝕作用下，勻流管壁就會被腐蝕穿，最后導致勻流管斷裂?，F(xiàn)有設計勻流管的使用壽命一般只有1-2個月。這就變相地加大了勻流管的使用成本以及設備的維護時間。缺點2：工藝氣體進入爐體內之后，僅僅通過勻流管的上揚作用，再依靠氣體自身在管內均勻分布的方法不能很好的達到勻流的左右。上述爐尾區(qū)域是指工藝氣體進入的區(qū)域。

技術實現(xiàn)要素：
本發(fā)明的目的在于提供用于晶體硅擴散的勻流板及其晶體硅擴散工藝爐，本方案不在進氣口增加勻流管，工藝氣體通過勻流板再進入爐內，這樣不但能解決爐尾區(qū)域氣體流向問題導致的方阻均勻性問題，對擴散方塊電阻的均勻性起到了很好的改善作用，P2O5不會造成勻流板損壞，還不存在多次維護和安全上的問題。本發(fā)明的目的主要通過以下技術方案實現(xiàn)：用于晶體硅擴散的勻流板，包括勻流板本體，勻流板本體按照區(qū)域劃分為爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域，爐頂板區(qū)域內開有若干勻流通孔，爐底板區(qū)域為密封板體。實現(xiàn)原理為：利用勻流板替代勻流管，在勻流板本體上設置分流的勻流通孔，且勻流通孔只位于爐頂板區(qū)域，即將勻流板本體安裝進工藝爐爐體內后，勻流通孔位于工藝爐爐體上部區(qū)域，這樣可以造成工藝氣體經過勻流通孔后得到上揚，這樣工藝氣體可以像設置勻流管時一樣先流通到多晶硅上方，工藝氣體在多晶硅上方開設下沉，被加熱后進行擴散，由于勻流板本體在安裝時才有密封安裝在工藝爐爐體的內壁上，因此P2O5不會對勻流板本體造成的腐蝕。其不存在多次維護的問題，維護成本大大降低。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域的面積相等。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域均為半圓形或矩形。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域以勻流板本體的軸線對稱設置。優(yōu)選的，勻流通孔的大小一致均勻的分布在爐頂板區(qū)域內。優(yōu)選的，勻流通孔的大小從爐頂板區(qū)域指向爐底板區(qū)域方向由大變小、且同一高度的勻流通孔大小一致的均勻分布在爐頂板區(qū)域內。本發(fā)明的技術方案，還包括在上述勻流板本體的基礎上建立的晶體硅擴散工藝爐，包括工藝爐爐體和上述勻流板本體，勻流板本體橫擋在工藝爐爐體內，且勻流板本體的邊緣與工藝爐爐體內壁密封連接，且爐頂板區(qū)域位于工藝爐爐體上部區(qū)域，爐底板區(qū)域位于工藝爐爐體下部區(qū)域，工藝爐爐體一端設置有進氣管，工藝爐爐體內設置有硅片放置區(qū)域，勻流板本體位于進氣管與有硅片放置區(qū)域之間。進氣管的軸線與勻流板本體表面垂直。工藝爐爐體內還設置有尾氣管，尾氣管的進氣端位于硅片放置區(qū)域遠離勻流板本體的一側，且尾氣管沿著工藝爐爐體底部內壁敷設。優(yōu)選的，尾氣管的進氣端位于工藝爐爐體內距離勻流通孔最遠的點上。上述工藝爐爐體的工作過程為：工藝氣體從進氣管內進入到工藝爐爐體內，工藝氣體在勻流板本體與進氣管之間的區(qū)域內聚集后，通過勻流通孔上揚到工藝爐爐體內上部區(qū)域，在多晶硅上方聚集，由于工藝氣體為室溫氣體，因此進入到工藝爐爐體后的工藝氣體會產生下沉現(xiàn)象，因此工藝氣體從多晶硅上方往多晶硅下方流動，最后到達工藝爐爐體內底部區(qū)域，由尾氣管的進氣端位于硅片放置區(qū)域遠離勻流板本體的一側、且尾氣管沿著工藝爐爐體底部內壁敷設，因此可加劇工藝氣體由多晶硅上方往多晶硅下方流動的趨勢。這樣可致使擴散均勻，得到的多晶硅的方阻均勻。本發(fā)明的有益效果為：1.在改善爐體內氣流均勻性的同時，降低更換成本和維護時間，達到降本增效的效果。2.降低因勻流管被腐蝕斷裂而造成的方塊電阻異常等風險。3.進一步起到勻流氣體的作用，改善擴散后方塊電阻的均勻性。附圖說明圖1為實施例1勻流板本體的示意圖。圖2為實施例2勻流板本體的示意圖。圖3為工藝爐爐體的示意圖。圖4為選取5片多晶硅做實驗的多晶硅位置示意圖。圖5為同一片多晶硅內風阻測試點的位置示意圖。具體實施方式下面結合實施例及附圖對本發(fā)明作進一步的詳細說明，但本發(fā)明的實施方式不限于此。實施例1：如圖1和圖3所示。用于晶體硅擴散的勻流板，其特征在于：包括勻流板本體1，勻流板本體1按照區(qū)域劃分為爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域，爐頂板區(qū)域內開有若干勻流通孔2，爐底板區(qū)域為密封板體。實現(xiàn)原理為：利用勻流板替代勻流管，在勻流板本體1上設置分流的勻流通孔2，且勻流通孔2只位于爐頂板區(qū)域，即將勻流板本體1安裝進工藝爐爐體3內后，勻流通孔2位于工藝爐爐體3上部區(qū)域，這樣可以造成工藝氣體經過勻流通孔2后得到上揚，這樣工藝氣體可以像設置勻流管時一樣先流通到多晶硅上方，工藝氣體在多晶硅上方開設下沉，被加熱后進行擴散，由于勻流板本體1在安裝時才有密封安裝在工藝爐爐體3的內壁上，因此P2O5不會對勻流板本體1造成的腐蝕。其不存在多次維護的問題，維護成本大大降低。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域的面積相等。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域均為半圓形。優(yōu)選的，爐頂板區(qū)域和爐底板區(qū)域以勻流板本體1的軸線對稱設置。優(yōu)選的，勻流通孔2的大小一致均勻的分布在爐頂板區(qū)域內。本發(fā)明的技術方案，還包括在上述勻流板本體1的基礎上建立的晶體硅擴散工藝爐，包括工藝爐爐體3和上述勻流板本體1，勻流板本體1橫擋在工藝爐爐體3內，且勻流板本體1的邊緣與工藝爐爐體3內壁密封連接，且爐頂板區(qū)域位于工藝爐爐體3上部區(qū)域，爐底板區(qū)域位于工藝爐爐體3下部區(qū)域，工藝爐爐體3一端設置有進氣管6，工藝爐爐體3內設置有硅片放置區(qū)域，勻流板本體1位于進氣管6與有硅片放置區(qū)域之間。進氣管6的軸線與勻流板本體1表面垂直。工藝爐爐體3內還設置有尾氣管7，尾氣管7的進氣端位于硅片放置區(qū)域遠離勻流板本體1的一側，且尾氣管7沿著工藝爐爐體3底部內壁敷設。優(yōu)選的，尾氣管7的進氣端位于工藝爐爐體3內距離勻流通孔2最遠的點上。上述工藝爐爐體3的工作過程為：工藝氣體從進氣管6內進入到工藝爐爐體3內，工藝氣體在勻流板本體1與進氣管6之間的區(qū)域內聚集后，通過勻流通孔2上揚到工藝爐爐體3內上部區(qū)域，在多晶硅上方聚集，由于工藝氣體為室溫氣體，因此進入到工藝爐爐體3后的工藝氣體會產生下沉現(xiàn)象，因此工藝氣體從多晶硅上方往多晶硅4下方流動，最后到達工藝爐爐體3內底部區(qū)域，由尾氣管7的進氣端位于硅片放置區(qū)域遠離勻流板本體1的一側、且尾氣管7沿著工藝爐爐體3底部內壁敷設，因此可加劇工藝氣體由多晶硅上方往多晶硅下方流動的趨勢。這樣可致使擴散均勻，得到的多晶硅的方阻均勻。工藝爐爐體3的另一端設置有爐門5，爐門5可以開啟或關閉。方便進行裝料和卸料。實施例2如圖2所示。本實施例與實施例1的區(qū)別在于：勻流通孔2的大小從爐頂板區(qū)域指向爐底板區(qū)域方向由大變小、且同一高度的勻流通孔2大小一致的均勻分布在爐頂板區(qū)域內。上述實施例中，勻流通孔2的大小不是均一的，越靠近工藝爐爐體3頂部的地方孔洞越大。優(yōu)選以百分之十的比例變化，即從工藝爐爐體3頂部到工藝爐爐體3底部方向相鄰的勻流通孔2之間的大小比為百分之十。實施例3本實施例在實施例1和實施例2的基礎上：勻流通孔2的孔軸線與工藝爐爐體3的軸線呈30度-80度的夾角。勻流通孔2上揚指向工藝爐爐體3頂部。這樣可進一步的造成氣流上揚。優(yōu)選80度和60度或80度至60度之間的數(shù)據(jù)做實驗。圖中的箭頭表示為工藝氣體的流向。數(shù)據(jù)說明：如圖4和圖5所示，圖4中，在工藝爐爐體內部存在500片多晶硅4，500片多晶硅4中等間距的選取5片用于測定方阻數(shù)據(jù)，如圖3所示，5片用于測定方阻數(shù)據(jù)的多晶硅4分別是：片1A、片2B、片3C、片4D、片5E；如圖5，圖5為同一個多晶硅4中選取5個測試點用于測試片內的方阻數(shù)據(jù)，這5個測試點分別是：點1A1、點2B1、點3C1、點4D1、點5E1；實施例3的數(shù)據(jù)是在實施例2的基礎上完成的。點1A1、點2B1、點4D1、點5E1為邊緣點；點3C1為中間點。根據(jù)上述3個實施例分別做出試驗后，得到方阻參數(shù)為：片1方阻表：片2方阻表：片3方阻表：片4方阻表：片5方阻表：根據(jù)上述方阻表計算得出的不均勻性表：傳統(tǒng)技術得到的片間不均勻性和片內不均勻性均在10%以上，本發(fā)明相比傳統(tǒng)技術而言，具備顯著的進步性。如上表，實施例3的數(shù)據(jù)效果最佳，優(yōu)選實施例3作為技術實現(xiàn)手段。如上則可較好的實現(xiàn)本發(fā)明。