專(zhuān)利名稱(chēng)：多晶硅還原爐的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及多晶硅生產(chǎn)中的配套設(shè)備，具體涉及一種多晶硅還原爐。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的多晶硅還原爐(即將四氯化硅轉(zhuǎn)為三氯氫硅轉(zhuǎn)化爐)多采用單噴頭加料方式(將氫氣四氯化硅以一定比例混合后由一根噴頭進(jìn)入氫化爐)，這種單噴頭加料方式往往會(huì)造成進(jìn)料擴(kuò)散面積小，噴料不均勻，而且還與碳棒接觸時(shí)間短，使得加熱碳棒加熱不均勻不充分，從而導(dǎo)致收率較低。

實(shí)用新型內(nèi)容鑒于上述不足之處，本實(shí)用新型的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能產(chǎn)生湍流，使得噴料均勻擴(kuò)散能使加熱碳棒加熱均勻而充分，且氫化轉(zhuǎn)化率大大提高收率也大大提高的多晶硅還原爐。為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采取了以下技術(shù)方案一種多晶硅還原爐，包括有爐罩、底盤(pán)、加熱碳棒、進(jìn)料管和出料管，所述爐罩安裝在底盤(pán)上，底盤(pán)上安裝有至少三組的加熱碳棒，所述爐罩內(nèi)還設(shè)有與進(jìn)料管相連通的噴頭，且噴頭至少為三個(gè)呈并列分布在進(jìn)料管上，所述出料管安裝在底盤(pán)上，所述噴頭末端安裝有葉片式湍流發(fā)生器。所述葉片式湍流發(fā)生器由殼體、內(nèi)芯和葉片組成，所述內(nèi)芯設(shè)置在殼體軸心部，所述葉片寬端連接在殼體內(nèi)周面上，窄端連接在內(nèi)芯外周面上，且均勻排列于殼體內(nèi)周面和內(nèi)芯外周面，所述的葉片與水平面夾角呈30度。本實(shí)用新型的有益效果在于本實(shí)用新型采用多噴頭并組合葉片式湍流發(fā)生器的結(jié)構(gòu)，使其能產(chǎn)生湍流的進(jìn)料方式，使得進(jìn)料充分?jǐn)U散，再配合多組加熱碳棒，使得進(jìn)料與碳棒接觸時(shí)間長(zhǎng)、加熱均勻而充分，大大提高氫化轉(zhuǎn)化率。

圖1是本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是葉片式湍流發(fā)生器結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是圖2的主視剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是圖2的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是圖2的葉片結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.爐罩；2.底盤(pán)；3.加熱碳棒；4.進(jìn)料管；5.出料管；6.噴頭； 7.葉片式湍流發(fā)生器；8.殼體；9.內(nèi)芯；10.葉片。
具體實(shí)施方式
下面我們將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說(shuō)明如圖1所示，一種多晶硅還原爐，包括有爐罩1、底盤(pán)2、加熱碳棒3、進(jìn)料管4和出料管5，其中，爐罩1安裝在底盤(pán)2上，底盤(pán)2上安裝有至少三組的加熱碳棒3，爐罩1內(nèi)還設(shè)有進(jìn)料管4相連通的噴頭6，且噴頭6至少為三個(gè)呈并列分布在進(jìn)料管4上，噴頭末端安裝有葉片式湍流發(fā)生器7，葉片式湍流發(fā)生器7由殼體8、內(nèi)芯9和葉片10組成，內(nèi)芯9設(shè)置在殼體8軸心部，葉片10寬端連接在殼體8內(nèi)周面上，窄端連接在內(nèi)芯9外周面上，且均勻排列于殼體8內(nèi)周面和內(nèi)芯9外周面，葉片10與水平面夾角呈30度。物料經(jīng)葉片式湍流發(fā)生器7后形成湍流噴出，這樣便能使進(jìn)入爐內(nèi)的進(jìn)料能充分的擴(kuò)散開(kāi)來(lái)，從而與加熱碳棒3有充分的接觸面，使得加熱更加均勻而充分。出料管5安裝在底盤(pán)上。
權(quán)利要求1.一種多晶硅還原爐，包括有爐罩(1)、底盤(pán)(2)、加熱碳棒(3)、進(jìn)料管(4)和出料管 (5)，所述爐罩(1)安裝在底盤(pán)(2)上，底盤(pán)(2)上安裝有至少三組的加熱碳棒(3)，所述爐罩 (1)內(nèi)還設(shè)有與進(jìn)料管(4)相連通的噴頭(6)，且噴頭(6)至少為三個(gè)呈并列分布在進(jìn)料管 (4)上，所述出料管(5)安裝在底盤(pán)(2)上，其特征在于所述噴頭末端安裝有葉片式湍流發(fā)生器(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅還原爐，其特征在于所述葉片式湍流發(fā)生器(7)由殼體(8)、內(nèi)芯(9)和葉片(10)組成，所述內(nèi)芯(9)設(shè)置在殼體(8)軸心部，所述葉片(10)寬端連接在殼體(8)內(nèi)周面上，窄端連接在內(nèi)芯(9)外周面上，且均勻排列于殼體(8)內(nèi)周面和內(nèi)芯(9)外周面，所述的葉片(10)與水平面夾角呈30度。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種多晶硅還原爐，包括有爐罩、底盤(pán)、加熱碳棒、進(jìn)料管和出料管，其中，爐罩安裝在底盤(pán)上，底盤(pán)上安裝有至少三組的加熱碳棒，爐罩內(nèi)還設(shè)有進(jìn)料管相連通的噴頭，且噴頭至少為三個(gè)呈并列分布在進(jìn)料管上，所述噴頭末端安裝有葉片式湍流發(fā)生器。出料管安裝在底盤(pán)上。本實(shí)用新型中物料經(jīng)葉片式湍流發(fā)生器后形成湍流噴出，這樣便能使進(jìn)入爐內(nèi)的進(jìn)料能充分的擴(kuò)散開(kāi)來(lái)，從而與加熱碳棒有充分的接觸面，使得加熱更加均勻而充分，大大提高氫化轉(zhuǎn)化率。
文檔編號(hào)C01B33/03GK201962074SQ20112004877
公開(kāi)日2011年9月7日 申請(qǐng)日期2011年2月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月28日
發(fā)明者劉勝春, 江元升, 王明云, 王毅勃, 羅明樹(shù), 蔣玉梅, 趙振元 申請(qǐng)人:信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計(jì)研究院科技工程股份有限公司