專利名稱：多晶硅還原爐的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種多晶硅還原爐，主要是用三氯氫硅和氫氣在加熱的硅芯上進行化 學氣相沉積生產多晶硅的還原爐。
背景技術：
目前，國內外生產多晶硅的主要工藝技術是“改良西門子法”用氯氣和氫氣合成 氯化氫，氯化氫和硅粉在一定溫度下合成三氯氫硅，然后對三氯氫硅進行分離精餾提純，提 純后的高純三氯氫硅與氫氣按比例混合后通入多晶硅還原爐內，在一定的溫度和壓力下， 在通電高溫硅芯上進行沉積反應生成多晶硅，反應溫度控制在1080攝氏度左右，最終生成 棒狀多晶硅產品，同時生成四氯化硅、二氯二氫硅、氯化氫等副產物。多晶硅還原爐是“改良西門子法”生產多晶硅的主要設備，由底盤、含夾套冷卻水 的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、 爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成，爐體主體 采用不銹鋼材質，以減少設備材質對產品的污染。
發(fā)明內容本發(fā)明的目的是提供一種多晶硅還原爐，該多晶硅還原爐單爐產量比現(xiàn)有的多晶 硅還原爐單爐產量有大幅度提升。本發(fā)明多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡 孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水 進水管、底盤冷卻水出水管、連接硅芯與電極的石墨夾頭及其他附屬部件組成，爐體主體采 用不銹鋼材質，以減少設備材質對產品的污染，每對電極分正、負極均勻的設置在底盤上， 混和氣進氣管分為數(shù)個噴口均勻的設置在底盤上，準備生產時，在底盤上的各對電極上安 裝好連接硅芯與電極的石墨夾頭并安裝好硅芯，再把含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體吊 裝安裝在底盤上，進行氣密性試驗，確認不漏氣后，通過電極對硅芯通電加熱，控制溫度至 1080攝氏度，通入三氯氫硅和氫氣的混合氣，在高溫硅芯上進行化學氣相沉積反應生成棒 狀多晶硅產品，其特征是在還原爐底盤上均勻布置60對電極。該種還原爐每批次產量較現(xiàn)有的還原爐有大幅度的提升，每公斤多晶硅的電耗相 應降低，多晶硅的綜合生產成本和能耗也相應降低。

以下附圖結合說明書具體的說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些附圖中所展示出 的具體形態(tài)。圖1為該多晶硅還原爐主視圖。圖2為60對電極多晶硅還原爐底盤俯視圖。
具體實施方式
本發(fā)明涉及的多晶硅還原爐主視圖如圖1所示，1為含夾套冷卻水的鐘罩式雙層 爐體，2為視鏡孔，3為底盤，4為底盤冷卻水進水管，5為底盤冷卻水出水管，6為混和氣進氣 管，7為進氣管噴口，8為混和氣尾氣出氣管，9為爐體冷卻水進水管，10為爐體冷卻水出水 管，11為連接硅芯與電極的石墨夾頭，12為電極，13為硅芯，14為夾套冷卻水導流板，準備 生產時，在底盤3上的各對電極12上安裝好連接硅芯與電極的石墨夾頭11并安裝好硅芯 13，再把含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體1吊裝安裝在底盤3上，進行氣密性試驗，確認不 漏氣后，通過電極12對硅芯13通電加熱，控制溫度至1080攝氏度，通過進氣管噴口 7噴出 的三氯氫硅和氫氣的混合氣在高溫通電硅芯13上進行化學氣相沉積反應，最終生成棒狀 多晶娃廣品。本發(fā)明涉及的多晶硅還原爐底盤俯視圖如圖2所示，7為進氣管噴口，8為混和氣 尾氣出氣管，12為電極，在還原爐底盤上分別均勻布置60對電極。
權利要求多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質，以減少設備材質對產品的污染，每對電極分正、負極均勻的設置在底盤上，混和氣進氣管分為數(shù)個噴口分布設置在底盤上，其特征是在還原爐底盤上均勻布置60對電極。
專利摘要多晶硅還原爐主要由底盤、含夾套冷卻水的鐘罩式雙層爐體、電極、視鏡孔、混和氣進氣管、混和氣尾氣出氣管、爐體冷卻水進水管、爐體冷卻水出水管、底盤冷卻水進水管、底盤冷卻水出水管、及其他附屬部件組成，爐體主體采用不銹鋼材質，以減少設備材質對產品的污染，混和氣進氣管分為數(shù)個噴口均勻的設置在底盤上，其特征是在還原爐底盤上分別均勻布置60對電極，該種多晶硅還原爐單臺爐每批次產量較現(xiàn)有的還原爐產量有大幅度的提升。
文檔編號C30B29/06GK201746331SQ20092035143
公開日2011年2月16日 申請日期2009年12月31日 優(yōu)先權日2009年12月31日
發(fā)明者朱青松 申請人:朱青松