專利名稱：CuInSe₂納米材料及其制備方法與應(yīng)用的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及CUInSe2納米材料及其制備方法與應(yīng)用。
背景技術(shù)：
人口激增、環(huán)境污染、能源短缺是現(xiàn)代世界的三大社會問題，人口的增加導(dǎo)致對能 源更大的需求，對能源的開發(fā)利用過程中難免產(chǎn)生環(huán)境污染等社會問題，所以要根本解決 現(xiàn)代世界的三大社會問題，首先要解決的是能源問題。煤、石油、天然氣是當(dāng)今世界上最重 要的化石燃料，但是這些燃料不僅來源有限而且在開發(fā)和利用的過程不可避免的會帶來一 些環(huán)境問題，所以開發(fā)新型可再生能源成為解決能源問題的必由之路。太陽能是一種取之 不盡，用之不竭，無污染的可再生能源，如何利用太陽能成為了當(dāng)今一大研究課題。在太陽 能的有效利用中，光伏發(fā)電是近些年來發(fā)展最快、最具活力的研究領(lǐng)域。高的光電轉(zhuǎn)換效率 和低的生產(chǎn)成本是太陽能光電工業(yè)和研究界始終追求的目標(biāo)，為了達(dá)到這個目標(biāo)，利用高 效率低成本的光電轉(zhuǎn)換材料是非常重要的。多晶半導(dǎo)體的研究是為了研制一種高效率、穩(wěn)定性好、低成本的新材料，作為太 陽電池半導(dǎo)體材料必須具有合適的禁帶寬度，能有效地吸收太陽光，并可以形成在太陽能 轉(zhuǎn)換中控制光電子形成的異質(zhì)結(jié)。0111^62是一種最具發(fā)展前景的太陽能電池光吸收材 料，CulnSe2是直接帶隙半導(dǎo)體材料，帶隙為1. 04eV，而且可以通過摻雜Ga形成Cu(In，Ga) Se2(CIGS)連續(xù)調(diào)整其帶隙寬度(1. 04-1. 67eV)，適合于太陽光的光電轉(zhuǎn)換要求；它具有非 常高的光吸收系數(shù)(達(dá)lOVm—1)，且性能穩(wěn)定，不存在光致衰退效應(yīng)，因此受到光伏界廣泛 關(guān)注。由于銅源和銦源的反應(yīng)活性有較大差異，并且常作為硒源的單質(zhì)硒在一般溶解中 的溶解性極差，所以制備高質(zhì)量的納米CUInSe2M料具有極大的難度。因此，目前研究的焦 點(diǎn)大都集中制備高結(jié)晶度，單分散的納米CUInSe2材料。納米CUInSe2材料的制備方法主要 是溶液法，使用的銅源主要是氯化亞銅、氯化銅，銦源主要是氯化銦，硒源主要是單質(zhì)硒。目 前的制備方法要么使用昂貴的儀器，要么利用難于制備的前驅(qū)物，再或者制備的CUInSe2材 料具有較大的粒徑分布，因此在實際應(yīng)用中受到極大的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種CUInSe2納米材料及其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明提供的制備CUInSe2納米材料的方法，包括下述步驟1)將含銅化合物、含硒化合物及油胺于反應(yīng)裝置a中混勻，將含銦化合物及油胺 于反應(yīng)裝置b中混勻，將所述反應(yīng)裝置a和反應(yīng)裝置b分兩步加熱升溫，在所述加熱升溫步 驟的同時，用惰性氣體排除所述反應(yīng)裝置a和反應(yīng)裝置b中的氧氣和水；2)將所述反應(yīng)裝置b冷卻至60_160°C，將所述反應(yīng)裝置a繼續(xù)升溫至130_280°C 后，將所述反應(yīng)裝置b中的含銦化合物及油胺加入到所述反應(yīng)裝置a中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)完畢 用有機(jī)溶劑洗滌，得到所述CUInSe2納米材料。
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上述方法的步驟1)中，所述含銅化合物選自油酸銅、氯化銅、氯化亞銅和醋酸銅 中的至少一種，優(yōu)選油酸銅，所述含硒化合物選自二苯基二硒醚、硒脲和單質(zhì)硒中的至少一 種，優(yōu)選二苯基二硒醚，所述含銦化合物選自氯化銦、油酸銦和醋酸銦中的至少一種，優(yōu)選 氯化銦；所述惰性氣體選自氮?dú)?、氬氣、氦氣和二氧化碳中的至少一種；油胺為反應(yīng)溶劑， 其用量以完全溶解反應(yīng)物即可。所述含銅化合物中的銅元素、所述含銦化合物中的銦元素 與所述含硒化合物中的硒元素的摩爾比為1 1 2。所述分兩步加熱升溫步驟中，升溫 速率為 1-50°C /min，具體可為 10-25°C /min、10-15°C /min 或 15-25°C /min，第一步加熱 升溫步驟的終溫優(yōu)選為60°C，第二步加熱升溫的終溫為60-160°C，具體可為130-140°C、 130-150°C或140-150°C，每一步的保溫時間均為0. 5-3小時，具體可為0. 5-1小時、0. 5-2 小時或1-2小時；所述用惰性氣體排除步驟中，時間為1-6小時，具體為1-2小時、1-4小時 或2-4小時。所述步驟2)所述反應(yīng)裝置b冷卻至60-160°C步驟中，終溫可為60-70°C，降溫速 率為 1-50°C /min，具體可為 10-25°C /min、10-15°C /min 或 15-25°C /min，所述反應(yīng)裝置 a繼續(xù)升溫至130-280°C步驟中，終溫可為230-250°C，升溫速率為1_50°C /min，具體可為 10-25°C /min、10-15°C /min或15_25°C /min,；所述反應(yīng)步驟中，時間為0. 5-3小時，具體 可為40分鐘-1. 5小時、40分鐘-2小時、2-3小時或40分鐘-3小時。所述有機(jī)溶劑選自 甲苯、氯仿、正己烷、甲醇、乙醇和異丙醇中的至少一種。該步驟中所述將所述反應(yīng)裝置a繼 續(xù)升溫至130-280°C的步驟中，可一步或兩步升溫至130-280°C。 上述方法中，所用反應(yīng)裝置a和b可為各種常用的反應(yīng)裝置，如燒瓶等均適用于本 方法。按照上述方法制備所得CUInSe2納米材料，也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。該CUInSe2 納米材料的粒徑為10-100納米，優(yōu)選16-21納米，具體可為16-18納米、16-20納米、20-21 納米、18-21納米或18-20納米。另外，本發(fā)明提供的CUInSe2納米材料與聚3_己基噻吩(P3HT)混合得到的復(fù)合 材料，也屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。該復(fù)合材料中，所述CUInSe2納米材料與P3HT的質(zhì)量比 為0.1-1 1，具體為0.4-0. 5 1。該聚3-己基噻吩的數(shù)均分子量優(yōu)選為20000，重均分 子量優(yōu)選為33000。本發(fā)明提供了一種低成本制備高質(zhì)量CUInSe2納米材料的方法。該方法與現(xiàn)有的 合成方法相比較，其突出優(yōu)點(diǎn)在于沒有使用特殊的昂貴的儀器，沒有使用難于制備的前驅(qū) 物，工藝條件相對簡單，大大降低了生產(chǎn)成本；并且制備了單分散的CUInSe2納米材料。該 方法具有重要的應(yīng)用價值。


圖1為實施例1中CuInSe2納米材料的X射線衍射圖譜(XRD)。圖2為實施例1中CuInSe2納米材料的透射電子顯微鏡照片。圖3為實施例1中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片。圖4為實施例1中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的光電開關(guān)特性曲線。圖5為實施例2中CuInSe2納米材料的X射線衍射圖譜(XRD)。圖6為實施例2中CuInSe2納米材料的透射電子顯微鏡照片。
圖7為實施例2中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片。圖8為實施例2中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的光電開關(guān)特性曲線。圖9為實施例3中CuInSe2納米材料的X射線衍射圖譜(XRD)。圖10為實施例3中CuInSe2納米材料的透射電子顯微鏡照片。圖11為實施例3中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片。圖12為實施例3中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的光電開關(guān)特性曲線。圖13為實施例4中CuInSe2納米材料的X射線衍射圖譜(XRD)。圖14為實施例4中CuInSe2納米材料的透射電子顯微鏡照片。圖15為實施例4中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片。圖16為實施例4中CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料的光電開關(guān)特性曲線。
具體實施例方式下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明。下述實施例中所述實驗方法，如無 特殊說明，均為常規(guī)方法；所述試劑和材料，如無特殊說明，均可從商業(yè)途徑獲得。下述實施 例中所用油酸銦可按照如下方法制備而得取InCl3 -4H20(40mmo)和油酸鈉(SOmmol)溶解 在由80ml乙醇、60ml水和140ml正己烷組成的混合溶液中，加熱到70°C反應(yīng)4小時，然后 將上層的含有油酸銦的有機(jī)溶液分離出來，用30ml水洗三次，最后將正己烷蒸發(fā)掉，得到 油酸銦固體。實施例1、制備CuInSe2納米材料1)將0. 25mmol醋酸銅、0. 25mmol 二苯基二硒醚及8mL油胺于燒瓶a中混勻，將 0. 25mmol醋酸銦及4mL油胺于燒瓶b中混勻，將燒瓶a和燒瓶b以10°C /min的升溫速率 加熱升溫至60°C保持0. 5小時后，再以10°C /min的升溫速率繼續(xù)升溫至130°C保持0. 5小 時，在上述升溫至60°C和繼續(xù)升溫至130°C步驟的同時，用惰性氣體排除燒瓶a和b中的氧 氣和水，排除時間為1小時。2)將步驟1)處理完畢的燒瓶b以10°C /min的降溫速率冷卻至60°C，將步驟1) 處理完畢的燒瓶a以10°C /min的升溫速率繼續(xù)升溫至250°C后，將燒瓶b中的醋酸銦及 油胺加入到燒瓶a中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)時間為3小時，反應(yīng)完畢用由甲苯和乙醇組成的混合有 機(jī)溶劑洗滌一次，得到本發(fā)明提供的CUInSe2納米材料。用粉末X射線衍射儀(Rigaku DmaxrB, CuKa射線)分析CuInSe2納米材料的晶體 結(jié)構(gòu)。結(jié)果如圖1所示。從圖中可以看出，譜圖和鉛鋅礦結(jié)構(gòu)的CUInSe2譜圖匹配的很好， 并且譜圖中不存在雜質(zhì)峰，說明產(chǎn)物為純凈的鉛鋅礦結(jié)構(gòu)CUInSe2納米材料。用透射電子顯微鏡(Tecnai G2 20S-TWIN)表征該CuInSe2納米材料的形貌，如圖 2所示。由圖可見，該材料的顆粒比較均勻，平均粒徑為18nm。CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料光電性能表征將CuInSe2納米材料和P3HT (數(shù)均分子量優(yōu)選為20000，重均分子量優(yōu)選為33000) 按照質(zhì)量比0.5 1于鄰二氯苯中混勻，取混勻后的溶液1 PL滴到預(yù)先制備的微電極上進(jìn) 行光電測試。將上述制備的器件在Keithley 4200 SCS上測試，光照強(qiáng)度為7. 6 y W/cm2，施 加電壓為0.4V。測試結(jié)果如圖4所示。由圖可知，該復(fù)合材料表現(xiàn)出明顯的光開關(guān)特性，開 關(guān)比高于兩個數(shù)量級。該復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片如圖3所示。由圖可知，該復(fù)合材料結(jié)構(gòu)均勻。綜上，本發(fā)明利用常規(guī)的反應(yīng)物制備出了粒徑非常均勻的CulnSe2納米材料，且制 備所得CulnSe2納米材料和P3HT復(fù)合而成的復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能。實施例2、制備CuInSe2納米材料1)將0. 25mmol油酸銅、0. 5mmol單質(zhì)硒及8mL油胺于燒瓶a中混勻，將0. 25mmol 氯化銦及4mL油胺于燒瓶b中混勻，將燒瓶a和燒瓶b以25°C /min的升溫速率加熱升溫至 60°C保持1小時后，再以25°C /min的升溫速率繼續(xù)升溫至140°C保持1小時，在上述升溫 至60°C和繼續(xù)升溫至140°C步驟的同時，用惰性氣體排除燒瓶a和b中的氧氣和水，排除時 間為2小時。2)將步驟1)處理完畢的燒瓶b以25°C /min的降溫速率冷卻至60°C，將步驟1) 處理完畢的燒瓶a以25°C /min的升溫速率升溫至230°C后，將燒瓶b中的氯化銦及油胺加 入到燒瓶a中繼續(xù)升溫到250°C后進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)時間為1. 5小時，反應(yīng)完畢用由正己烷和 甲醇組成的混合有機(jī)溶劑洗滌一次，得到本發(fā)明提供的CulnSe2納米材料。用粉末X射線衍射儀(Rigaku DmaxrB, CuKa射線)分析CuInSe2納米材料的晶體 結(jié)構(gòu)。結(jié)果如圖5所示。從圖中可以看出，譜圖和鉛鋅礦結(jié)構(gòu)的CulnSe2譜圖匹配的很好， 并且譜圖中不存在雜質(zhì)峰，說明產(chǎn)物為純凈的鉛鋅礦結(jié)構(gòu)CuInSe2納米材料。用透射電子顯微鏡(Tecnai G2 20S-TWIN)表征該CuInSe2納米材料的形貌，如圖 6所示。由圖可見，該材料的顆粒非常均勻，粒徑為21nm。CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料光電性能表征將CuInSe2納米材料和P3HT (數(shù)均分子量優(yōu)選為20000，重均分子量優(yōu)選為33000) 按照質(zhì)量比0.5 1于鄰二氯苯中混勻，取混勻后的溶液IyL滴到預(yù)先制備的微電極上進(jìn) 行光電測試。將上述制備的器件在Keithley 4200 SCS上測試，光照強(qiáng)度為7. 6 μ W/cm2，施 加電壓為0.8V。測試結(jié)果如圖8所示。由圖可知，該復(fù)合材料表現(xiàn)出明顯的光開關(guān)特性，開 關(guān)比近兩個數(shù)量級。該復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片如圖7所示。由圖可知，該復(fù)合材 料結(jié)構(gòu)均勻。綜上，本發(fā)明利用常規(guī)的反應(yīng)物制備出了粒徑非常均勻的CulnSe2納米材料，且制 備所得CulnSe2納米材料和P3HT復(fù)合而成的復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能。實施例3、制備CuInSe2納米材料1)將0. 25mmol氯化銅、0. 5mmol硒脲及8mL油胺于燒瓶a中混勻，將0. 25mmol氯 化銦及4mL油胺于燒瓶b中混勻，將燒瓶a和燒瓶b以15°C /min的升溫速率加熱升溫至 60°C保持2小時后，再以15°C /min的升溫速率繼續(xù)升溫至150°C保持2小時，在上述升溫 至60°C和繼續(xù)升溫至150°C步驟的同時，用惰性氣體排除燒瓶a和b中的氧氣和水，排除時 間為4小時。2)將步驟1)處理完畢的燒瓶b以15°C /min的降溫速率冷卻至70°C，將步驟1) 處理完畢的燒瓶a以15°C /min的升溫速率繼續(xù)升溫至230°C后，將燒瓶b中的氯化銦及油 胺加入到燒瓶a中繼續(xù)升溫到250°C后進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)時間為2小時，反應(yīng)完畢用由氯仿和 異丙醇組成的混合有機(jī)溶劑洗滌一次，得到本發(fā)明提供的CuInSe2納米材料。用粉末X射線衍射儀(Rigaku DmaxrB, CuKa射線)分析CuInSe2納米材料的晶體 結(jié)構(gòu)。結(jié)果如圖9所示。從圖中可以看出，譜圖和鉛鋅礦結(jié)構(gòu)的CulnSe2譜圖匹配的很好，并且譜圖中不存在雜質(zhì)峰，說明產(chǎn)物為純凈的鉛鋅礦結(jié)構(gòu)CuInSe2納米材料。用透射電子顯微鏡(Tecnai G2 20S-TWIN)表征該CuInSe2納米材料的形貌，如圖 10所示。由圖可見，該材料的顆粒非常均勻，粒徑為20nm。CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料光電性能表征將CuInSe2納米材料和P3HT (數(shù)均分子量優(yōu)選為20000，重均分子量優(yōu)選為33000) 按照質(zhì)量比0.5 1于鄰二氯苯中混勻，取混勻后的溶液IyL滴到預(yù)先制備的微電極上進(jìn) 行光電測試。將上述制備的器件在Keithley 4200 SCS上測試，光照強(qiáng)度為7. 6 μ W/cm2，施 加電壓為IV。測試結(jié)果如圖12所示。由圖可知，該復(fù)合材料表現(xiàn)出明顯的光開關(guān)特性，開 關(guān)比近兩個數(shù)量級。該復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片如圖11所示。由圖可知，該復(fù)合材 料結(jié)構(gòu)均勻。綜上，本發(fā)明利用常規(guī)的反應(yīng)物制備出了粒徑非常均勻的CulnSe2納米材料，且 制備所得CulnSe2納米材料和P3HT復(fù)合而成的復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能。實施例4、制備CuInSe2納米材料1)將0. 25mmol氯化亞銅、0. 25mmol 二苯基二硒醚及8mL油胺于燒瓶a中混勻，將 0. 25mmol油酸銦及4mL油胺于燒瓶b中混勻，將燒瓶a和燒瓶b以10°C /min的升溫速率 加熱升溫至60°C保持0. 5小時后，再以10°C /min的升溫速率繼續(xù)升溫至130°C保持0. 5小 時，在上述升溫至60°C和繼續(xù)升溫至130°C步驟的同時，用惰性氣體排除燒瓶a和b中的氧 氣和水，排除時間為1小時。2)將步驟1)處理完畢的燒瓶b以10°C /min的降溫速率冷卻至60°C，將步驟1) 處理完畢的燒瓶a以10°C /min的升溫速率繼續(xù)升溫至230°C后，將燒瓶b中的油酸銦及油 胺加入到燒瓶a中繼續(xù)升溫到250°C進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)時間為40分鐘，反應(yīng)完畢用由甲苯和乙 醇組成的混合有機(jī)溶劑洗滌一次，得到本發(fā)明提供的CulnSe2納米材料。用粉末X射線衍射儀(Rigaku DmaxrB, CuKa射線)分析CuInSe2納米材料的晶體 結(jié)構(gòu)。結(jié)果如圖13所示。從圖中可以看出，譜圖和鉛鋅礦結(jié)構(gòu)的CulnSe2譜圖匹配的很好， 并且譜圖中不存在雜質(zhì)峰，說明產(chǎn)物為純凈的鉛鋅礦結(jié)構(gòu)CuInSe2納米材料。用透射電子顯微鏡(Tecnai G2 20S-TWIN)表征該CuInSe2納米材料的形貌，如圖 14所示。由圖可見，該材料的顆粒很均勻，粒徑為16nm。 CuInSe2納米材料和P3HT復(fù)合材料光電性能表征將CuInSe2納米材料和P3HT (數(shù)均分子量優(yōu)選為20000，重均分子量優(yōu)選為33000) 按照質(zhì)量比0.4 1于鄰二氯苯中混勻，取混勻后的溶液IyL滴到預(yù)先制備的微電極上進(jìn) 行光電測試。將上述制備的器件在Keithley 4200 SCS上測試，光照強(qiáng)度為7. 6 μ W/cm2，施 加電壓為5V。測試結(jié)果如圖16所示。由圖可知，該復(fù)合材料表現(xiàn)出明顯的光開關(guān)特性，開 關(guān)比達(dá)幾十倍。該復(fù)合材料的掃描電子顯微鏡照片如圖15所示。由圖可知，該復(fù)合材料結(jié) 構(gòu)均勻。綜上，本發(fā)明利用常規(guī)的反應(yīng)物制備出了粒徑非常均勻的CulnSe2納米材料，且制 備所得CulnSe2納米材料和P3HT復(fù)合而成的復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能。
權(quán)利要求
一種制備CuInSe2納米材料的方法，包括下述步驟1)將含銅化合物、含硒化合物及油胺于反應(yīng)裝置a中混勻，將含銦化合物及油胺于反應(yīng)裝置b中混勻，將所述反應(yīng)裝置a和反應(yīng)裝置b分兩步加熱升溫，在所述加熱升溫步驟的同時，用惰性氣體排除所述反應(yīng)裝置a和反應(yīng)裝置b中的氧氣和水；2)將所述反應(yīng)裝置b冷卻至60 160℃，將所述反應(yīng)裝置a繼續(xù)升溫至130 280℃后，將所述反應(yīng)裝置b中的含銦化合物及油胺加入到所述反應(yīng)裝置a中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)完畢用有機(jī)溶劑洗滌，得到所述CuInSe2納米材料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述步驟1)中，所述含銅化合物選自油 酸銅、氯化銅、氯化亞銅和醋酸銅中的至少一種，優(yōu)選油酸銅，所述含硒化合物選自二苯基 二硒醚、硒脲和單質(zhì)硒中的至少一種，優(yōu)選二苯基二硒醚，所述含銦化合物選自氯化銦、油 酸銦和醋酸銦中的至少一種，優(yōu)選氯化銦；所述惰性氣體選自氮?dú)?、氬氣、氦氣和二氧化?中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其特征在于所述步驟1)中，所述含銅化合物中的 銅元素、所述含銦化合物中的銦元素與所述含硒化合物中的硒元素的摩爾比為1 1 2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一所述的方法，其特征在于所述步驟1)分兩步加熱升溫步驟 中，升溫速率為1-50°C /min，第一步加熱升溫步驟的終溫為60°C，第二步加熱升溫的終溫 為60-160°C，每一步的保溫時間均為0. 5-3小時；所述用惰性氣體排除步驟中，時間為1-6 小時。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的方法，其特征在于所述步驟2)所述反應(yīng)裝置b冷卻 至60-160°C步驟中，降溫速率為1_50°C /min，所述反應(yīng)裝置a繼續(xù)升溫至130-280°C步驟 中，升溫速率為1_50°C /min ；所述反應(yīng)步驟中，時間為0. 5-3小時。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一所述的方法，其特征在于所述步驟2)中，所述有機(jī)溶劑選 自甲苯、氯仿、正己烷、甲醇、乙醇和異丙醇中的至少一種。
7.權(quán)利要求1-6任一所述方法制備所得CuInSe2納米材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的CulnSe2納米材料，其特征在于所述CulnSe2納米材料的粒 徑為10-100納米，優(yōu)選16-21納米。
9.權(quán)利要求7或8所述CuInSe2納米材料與聚3-己基噻吩混合得到的復(fù)合材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的復(fù)合材料，其特征在于所述CuInSe2納米材料與聚3-己基 噻吩的質(zhì)量比為0.1-1 1。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種CuInSe2納米材料及其制備方法與應(yīng)用。該方法，包括下述步驟1)將含銅化合物、含硒化合物及油胺于反應(yīng)裝置a中混勻，將含銦化合物及油胺于反應(yīng)裝置b中混勻，將裝置a和裝置b分兩步加熱升溫，同時用惰性氣體排除裝置a和裝置b中的氧氣和水；2)將裝置b冷卻至60-160℃，將裝置a繼續(xù)升溫至130-280℃后，將裝置b中的含銦化合物及油胺加入到裝置a中進(jìn)行反應(yīng)，反應(yīng)完畢用有機(jī)溶劑洗滌，得到所述CuInSe2納米材料。本發(fā)明利用常規(guī)的反應(yīng)物可制備出非常均勻的CuInSe2納米材料，而且利用制備的CuInSe2納米材料和P3HT制備的復(fù)合材料表現(xiàn)出優(yōu)異的光電性能。
文檔編號C01B19/00GK101927983SQ20101023882
公開日2010年12月29日 申請日期2010年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月26日
發(fā)明者萬立駿, 王建軍, 郭玉國 申請人:中國科學(xué)院化學(xué)研究所