專利名稱：一種脫磷裝置的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于硅生產設備技術領域，特別涉及一種可用于制備多晶硅的脫磷裝置。
背景技術：
在多晶硅、尤其是太陽能電池等級多晶硅的制備過程中，需要對硅材進行料脫磷處理。中國專利申請03803266.X中公開了一種脫磷方法，把金屬硅裝入一個石墨或水冷銅制的保持容器中，在真空下進行熔融。熔融所用加熱手段包括氣體加熱、電加熱，優(yōu)選電子槍。使熔融的金屬硅再上述保持容器中保持預定時間，以便使所含的磷和鋁氣化除去。其中使用的脫磷裝置結構簡單，但脫磷效果受到較大限制。
實用新型內容本實用新型目的在于提供一種可用于制備多晶硅尤其是太陽能電池等級多晶硅的脫磷裝置。
為達上述目的，本實用新型采用如下技術方案一種脫磷裝置，包括上、下對應設置的兩個環(huán)形槽，下環(huán)形槽內、外徑均大于上環(huán)形槽，環(huán)形槽外側面頂端低于內側面頂端；上環(huán)形槽上方或兩側下方和下環(huán)形槽兩側下方設有強電子槍環(huán)狀集束陣列，槍口對準硅水幕。
電子槍可升降。
利用本實用新型進行除磷操作時，把上道工序的高溫硅水中間包轉運到可用大功率機械泵抽真空的除磷空間，多次抽真空控制真空度在10-3Torr以下，然后充以略高于大氣壓的高純氬氣。高溫硅水緩慢傾倒入環(huán)形槽2內，環(huán)形槽2外側頂端低于內側頂端，高溫硅水注滿環(huán)形槽2后，從環(huán)形槽2外側呈桶狀溢出形成硅水幕6，在環(huán)形槽2的上方有可升降的強電子槍環(huán)狀陣列1，向桶狀下溢的硅水幕6發(fā)射電子束，電子束使硅水內含的磷原子離子化，然后被流動的氬氣帶出硅水，達到除磷的目的。在環(huán)形槽2下方設有一個半徑略大的環(huán)形槽3，使上層硅水流到下環(huán)形槽3中。同樣，下環(huán)形槽3的外側頂端低于內側頂端，當硅水充滿環(huán)形槽3時，硅水會從其外側溢出，形成硅水幕7，在此桶狀硅水幕7的外側有兩個可對接成圓形的電子槍陣列4，向硅水幕7發(fā)射電子流，達到二次除磷的目的。除磷后的硅水由加溫坩堝5承接。如果經過上述循環(huán)達不到預期的除磷效果，可以重復上述操作除磷。經過上述處理，硅水充分除磷，除磷效果好。


圖1為本實用新型結構示意圖；圖2為圖1的俯視圖。
具體實施方式
一種脫磷裝置，包括上、下對應設置的兩個環(huán)形槽2、3，下環(huán)形槽3內、外徑均大于上環(huán)形槽2，環(huán)形槽2、3外側面頂端低于內側面頂端；上環(huán)形槽2上方設有強電子槍環(huán)狀集束陣列1，下環(huán)形槽3兩側下方設有可對接成圓形的電子槍陣列4，電子槍槍口對準硅水幕。電子槍可升降。
權利要求1.一種脫磷裝置，其特征在于，包括上、下對應設置的兩個環(huán)形槽，下環(huán)形槽內、外徑均大于上環(huán)形槽，環(huán)形槽外側面頂端低于內側面頂端；上環(huán)形槽上方或兩側下方和下環(huán)形槽兩側下方設有強電子槍環(huán)狀集束陣列，槍口對準硅水幕。
2.如權利要求1所述的脫磷裝置，其特征在于，電子槍可升降。
專利摘要一種脫磷裝置，包括上、下對應設置的兩個環(huán)形槽，下環(huán)形槽內、外徑均大于上環(huán)形槽，環(huán)形槽外側面頂端低于內側面頂端；上環(huán)形槽上方或兩側下方和下環(huán)形槽兩側下方設有強電子槍環(huán)狀集束陣列，槍口對準硅水幕。電子槍可升降。本實用新型除磷效果好。
文檔編號C01B33/037GK2905759SQ200620031880
公開日2007年5月30日 申請日期2006年5月8日 優(yōu)先權日2006年5月8日
發(fā)明者高文秀 申請人:高文秀