專利名稱：表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)噴鍍法激光蒸鍍法制作的高溫超導(dǎo)電體膜，特別是涉及一種適于電子設(shè)備或線材等的制造的表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，研究人員對(duì)具有“電阻為零”、“完全抗磁性”、“有約瑟夫森效應(yīng)”等其它物質(zhì)所不具備的特性的超導(dǎo)電體進(jìn)行了研究，并力求在包括電力輸送、發(fā)電機(jī)、核聚變等離子體的保護(hù)外殼、磁懸浮列車、磁屏蔽、高速計(jì)算機(jī)等在內(nèi)的廣泛領(lǐng)域里應(yīng)用超導(dǎo)電體技術(shù)。
還有，在1986年由ベドノルツ和繆勒發(fā)現(xiàn)超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc高達(dá)約30K的銅氧化物超導(dǎo)電體(La1-xBax)2CuO4以來(lái)，相繼報(bào)告了YBa2Cu3O7-d(Tc＝90K)、Bi2Sr2Ca2Cu3Oy(Tc＝110K)、Tl2Ba2Ca2Cu3Oy(Tc＝125K)、HgBa2Ca2Cu3Oy(Tc＝135K)等在高溫下發(fā)生超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變的材料，而且目前也正對(duì)這些高溫超導(dǎo)電材料的制法、物性、應(yīng)用等進(jìn)行很多的研究。還有，已確認(rèn)出當(dāng)銅的化合價(jià)n(Cun+)滿足2.0＜n＜2.67時(shí)可以得到最有用的超導(dǎo)電特性，且在各個(gè)超導(dǎo)電體中氧的數(shù)量是足以滿足該銅的化合價(jià)要求的數(shù)目。
其中，YBa2Cu3O7-d超導(dǎo)電體不含Tl或Hg等有害元素，且為各向異性較小的超導(dǎo)電體，因此，它是最有望成為用于制造電子設(shè)備或線材的實(shí)用材料的高溫超導(dǎo)電體之一。
已知在該YBa2Cu3O7-d超導(dǎo)電體中，將作為構(gòu)成成分的Y取代為稀土類元素(La、Nd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu)時(shí)也可顯示出90K級(jí)的超導(dǎo)電體轉(zhuǎn)變溫度Tc(以下，將這些統(tǒng)稱為“123超導(dǎo)電體”)。此時(shí)，取代元素的離子半徑越小，超導(dǎo)電體的熔點(diǎn)越低。
還有，在合成這些123超導(dǎo)電體時(shí)，根據(jù)Y或作為取代元素的稀土類元素的離子半徑大小，需要注意以下幾點(diǎn)。
首先，在合成以La、Nd、Sm或Eu為構(gòu)成成分的123超導(dǎo)電體的過(guò)程中，經(jīng)低氧氣分壓氣氛下的高溫?zé)崽幚?約900℃以上)促進(jìn)原子的規(guī)則排列之后，必須在氧氣氣流中實(shí)施退火處理(約350℃)，使之充分吸收氧。
與此相對(duì)，在合成以Gd、Dy、Ho、Er、Tm或Y為構(gòu)成成分的123超導(dǎo)電體的過(guò)程中，只要在氧氣氣流中進(jìn)行燒成并慢慢冷卻即可充分吸收氧，得到良好的超導(dǎo)電性。即，在該成分體系中，經(jīng)燒成之后降溫時(shí)，在400-600℃的溫度范圍內(nèi)可以充分吸收所需的氧，因此無(wú)須之后再在氧氣氣流中進(jìn)行退火處理。
另外，當(dāng)以Yb或Lu為構(gòu)成成分時(shí)，123型的結(jié)晶結(jié)構(gòu)會(huì)在氧氣氣流中于920-870℃的范圍內(nèi)趨于穩(wěn)定。但是，如果熱處理溫度高于該溫度范圍，則材料會(huì)被熔解掉，另一方面，如果熱處理溫度低于該溫度范圍，則異相會(huì)被穩(wěn)定化。而且，若要得到單相，需要進(jìn)行對(duì)氣氛的控制等。
此外，以Yb或Lu為構(gòu)成成分的123超導(dǎo)電體也和含Y時(shí)相同，可以在400-600℃的溫度范圍內(nèi)吸收所需的氧，從而可獲得良好的超導(dǎo)電性。
如上所述，Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y的123超導(dǎo)電體吸收氧的溫度約為400-600℃，因此只要在燒成之后的降溫過(guò)程中在氧氣流中慢慢冷卻，即可吸收充分的氧，所以即使沒(méi)有另外進(jìn)行低溫(約350℃)氧氣中的退火處理，也可賦予良好的超導(dǎo)電性。由此，從簡(jiǎn)化制造工序的角度考慮，可被稱為有用的材料。
然而，當(dāng)考慮以Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y為構(gòu)成成分的123超導(dǎo)電體的實(shí)用化時(shí)，有必要對(duì)其賦予根據(jù)用途而設(shè)的形狀。
但是，由于這些123超導(dǎo)電體是氧化物，是塑性不良的材料，因此無(wú)法通過(guò)塑性加工賦予所需的形狀，從而根據(jù)其目的分別提出了“使原料粉末附著在所定形狀的基板上，并通過(guò)熱處理完成123超導(dǎo)電體化的方法”、“在所定形狀的基板上采用化學(xué)方法致密地形成123超導(dǎo)電體的方法”、或者“采用物理方法使之生長(zhǎng)為123超導(dǎo)電體的疑似單結(jié)晶膜的方法”等各種形狀賦予方法。
但是，如果要實(shí)現(xiàn)在需要高可靠性的電子設(shè)備或線材上的應(yīng)用，在制備123超導(dǎo)電體時(shí)需要通過(guò)噴鍍法或激光蒸鍍法等物理方法進(jìn)行高度的材料控制，隨之，利用這些方法的適當(dāng)?shù)某赡ぜ夹g(shù)的開(kāi)發(fā)變得不可或缺。
所述噴鍍法或激光蒸鍍法，是通過(guò)向作為原料的靶材照射等離子體或激光而賦予能量，并使接收該能量供給之后從靶材飛出來(lái)的粒子沉積在基板上的成膜方法。
此時(shí)，作為靶材通常使用其膜組成與目標(biāo)膜組成相同的陶瓷材料。于是，通過(guò)分別改變氣氛氣體、基板溫度、所賦予的能量、靶與基材間的距離等條件，可以摸索出能得到所需要的膜的條件。
如上所述，決定根據(jù)噴鍍法或激光蒸鍍法等得到的超導(dǎo)電體膜的膜質(zhì)的因素很多，但其中膜的組成是極為重要的因素。
也就是說(shuō)，如果生成膜中的陽(yáng)離子組成有別于目標(biāo)組成，則該組成的偏差會(huì)成為晶格缺陷而存在于構(gòu)成膜的結(jié)晶內(nèi)，會(huì)使該結(jié)晶變形。于是，這種變形在表面表現(xiàn)為突起及孔等形式，這不僅會(huì)使膜表面的平坦性消失，也會(huì)引起結(jié)晶方位的混亂，從而會(huì)給膜的特性造成不良影響。
進(jìn)而，如果存在上述的組成的偏差，則在成膜時(shí)剩余成分會(huì)作為雜質(zhì)析出到膜表面上，從這一點(diǎn)講也會(huì)損害膜表面的平坦性，從而惡化特性。
即，超導(dǎo)電體膜的平坦性的欠缺會(huì)給設(shè)備或線材等制品的性能造成不良影響。
因此，若要將以Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y為構(gòu)成成分的123超導(dǎo)電體適用于電子設(shè)備或線材等，需要開(kāi)發(fā)出可以以良好的再現(xiàn)性制作出表面平坦的123超導(dǎo)電體膜的方法。

發(fā)明內(nèi)容
由此，本發(fā)明的目的在于提供不受成膜條件的微妙變化的影響而可以以良好的再現(xiàn)性制作出具有平坦表面的Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y類的123超導(dǎo)電體膜的方法。
為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明人等從各種角度進(jìn)行了研究，其結(jié)果得出了下述a)-c)的見(jiàn)解。
a)在制備以Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y中的1種或2種以上；Ba；Cu和氧為主成分的“Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y類的123超導(dǎo)電體膜”時(shí)，如果除了所述元素之外其組成還包含特定范圍內(nèi)的La、Nd、Sm及Eu中的1種或2種以上，則可以以良好再現(xiàn)性穩(wěn)定地制備出表面平坦的高品質(zhì)的123超導(dǎo)電體膜，同時(shí)不會(huì)丟失“在沒(méi)有進(jìn)行低溫(約350℃)氧氣中的退火處理的情況下也可以充分吸收所需的氧而表現(xiàn)良好超導(dǎo)電特性”的Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或Y類的123超導(dǎo)電體膜所具有的優(yōu)點(diǎn)，而且也不會(huì)受陽(yáng)離子組成大小的偏差或成膜條件的微妙變化的影響。
b)另外，構(gòu)成超導(dǎo)電體膜的Ba的約一半以下可以取代為Sr，而不會(huì)由此造成超導(dǎo)電特性或膜表面狀態(tài)的顯著變化。
c)還有，是在實(shí)用超導(dǎo)電膜中所要求的“純c軸取向膜”且在液氮溫度以上的電阻可以為零的膜的組成為，當(dāng)用“A”表示Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的一種或2種以上，并用“B”表示La、Nd、Sm及Eu中的一種或2種以上，且用“C”表示Ba1-sSrs(其中0≤s≤0.50)時(shí)，由化學(xué)式“AxB(3-x-y)CyCuzO7-d{其中，x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30，7-d為足以滿足化合價(jià)要求的數(shù)}”表示的區(qū)域。7-d當(dāng)然隨系數(shù)x、y、z而變化，同時(shí)也根據(jù)Cu的化合價(jià)而變。如前面所述，若要得到最有用的超導(dǎo)電特性，Cu的化合價(jià)應(yīng)為2.0-2.67。
本發(fā)明是基于所述見(jiàn)解而完成的，可提供下述的高溫超導(dǎo)電體膜。
(1)一種表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜，其特征在于，當(dāng)用“A”表示Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的一種或2種以上，并用“B”表示La、Nd、Sm及Eu中的一種或2種以上，且用“C”表示Ba1-sSrs(其中0≤s≤0.50)時(shí)，是由該A、B、C和Cu及氧構(gòu)成，而且具有可用化學(xué)式“AxB(3-x-y)CyCuxO7-d{其中，x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30，7-d為足以滿足化合價(jià)要求的數(shù)}”表示的組成。
(2)根據(jù)(1)所述的表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜，其中，在用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察時(shí)的高溫超導(dǎo)電體膜表面的30微米平方的正方形范圍內(nèi)，可確認(rèn)的其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目在10個(gè)以下。
(3)根據(jù)(1)所述的表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜，其中，在用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察時(shí)的高溫超導(dǎo)電體膜表面的30微米平方的正方形范圍內(nèi)，可確認(rèn)的其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目在5個(gè)以下。


圖1是表示本發(fā)明的“[Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y]-[La、Nd、Sm及Eu]-[Ba，(Sr)]-Cu類高溫超導(dǎo)電體膜”的陽(yáng)離子原子比的模式圖。
圖2是表示“[Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y]-[Ba，(Sr)]-Cu類超導(dǎo)電體”的陽(yáng)離子原子比的模式圖。
圖3是表示“[La、Nd、Sm及Eu]-[Ba，(Sr)]-Cu類超導(dǎo)電體”的陽(yáng)離子原子比的模式圖。
圖4是說(shuō)明本發(fā)明的高溫超導(dǎo)電體膜的組成范圍的圖。
圖5A至圖5C是用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察由實(shí)施例得到的薄膜表面時(shí)的差別狀態(tài)的模式圖。
圖6是表示由實(shí)施例1的“參考試驗(yàn)”得到的薄膜的X射線衍射的(XRD)的XRD圖案的圖。
圖7是表示由實(shí)施例1的“實(shí)施例試驗(yàn)”得到的薄膜的X射線衍射的(XRD)的XRD圖案的圖。
圖8表示用直流四端子法測(cè)定的由實(shí)施例1的“實(shí)施例試驗(yàn)1”得到的薄膜的電阻率測(cè)定結(jié)果，圖中所示的是表示電阻率的溫度依賴性的圖表。
具體實(shí)施例方式
下面一同說(shuō)明本發(fā)明及其作用。
123超導(dǎo)電體的結(jié)晶結(jié)構(gòu)以鈣鈦礦型晶格結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，且隨離子半徑的不同有規(guī)則地排列有陽(yáng)離子。
例如，在用“A”表示Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的一種或2種以上時(shí)的“由A、Ba(含一部分被Sr替換的物質(zhì))、Cu及氧構(gòu)成的123超導(dǎo)電體”中，有規(guī)則地排列有A、Ba、Cu的陽(yáng)離子。由于這些離子的半徑相差較大，相互之間不能替換原子位置。因此，如圖2所示，A∶Ba∶Cu的陽(yáng)離子之比應(yīng)為1∶2∶3，而如果陽(yáng)離子組成與該比率間存在偏差，則容易造成晶格的變形或雜質(zhì)的產(chǎn)生。
如果在超導(dǎo)電體膜中出現(xiàn)晶格的變形或產(chǎn)生雜質(zhì)，這些會(huì)引起表面平坦性的下降，最終會(huì)阻礙超導(dǎo)電電流，或者也有可能成為阻礙超導(dǎo)電電流的直接因素，因此在制造電子設(shè)備或線材時(shí)應(yīng)極力避免這些現(xiàn)象發(fā)生。
因此，在制造Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Y類的123超導(dǎo)電體膜時(shí)，必須徹底嚴(yán)格地進(jìn)行工藝管理，以避免組成偏差。
與此相對(duì)，在用“B”表示La、Nd、Sm及Eu中的一種或2種以上時(shí)的“由B、Ba(含一部分被Sr替換的物質(zhì))、Cu及氧構(gòu)成的123超導(dǎo)電體”中，由于離子半徑相差較小，因此可以用B元素部分替換Ba的位置，這是已知的。于是，此時(shí)如果替換的量較少，則不會(huì)使超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度大幅下降。
即，在B(La、Nd、Sm、Eu)類123超導(dǎo)電體中，B∶Ba∶Cu的陽(yáng)離子之比沒(méi)有必要一定要滿足1∶2∶3，如圖3所示，只要(B+Ba)∶Cu之比為1∶1，就可以確保良好的超導(dǎo)電特性。
因此，從這一點(diǎn)來(lái)講，可以說(shuō)B(La、Nd、Sm、Eu)類123超導(dǎo)電體的品質(zhì)不易受組成偏差的影響，是一種容易制造的材料。
然而，如前所述，為了獲得良好的超導(dǎo)電特性，B(La、Nd、Sm、Eu)類123超導(dǎo)電體有必要經(jīng)高溫(約900℃以上)低氧分壓氣氛下的熱處理促進(jìn)原子的規(guī)則排列之后，再在氧氣流中實(shí)施退火處理(約350℃)，以充分吸收氧，因此它是必須增加熱處理工序的材料。
另外，這種材料當(dāng)由于制造時(shí)的某種原因?qū)е翨/Ba的原子比變?yōu)樾∮?.5而產(chǎn)生組成偏差時(shí)，立即會(huì)析出雜質(zhì)。
但是，在制造以A元素、Ba、Cu及氧為主成分的123超導(dǎo)電體膜時(shí)，如果作為膜的構(gòu)成成分而添加特定比例的所述B元素，則由于B是可替換于123超導(dǎo)電體的A和Ba的兩原子位置上的元素，因此，如圖1所示，會(huì)對(duì)可維持良好超導(dǎo)電特性的陽(yáng)離子組成比賦予通融性(偏差允許區(qū)域)，其結(jié)果即使A、B、Ba之間存在一定的組成偏差，也不會(huì)造成晶格的變形或析出雜質(zhì)，從而不會(huì)惡化超導(dǎo)電體膜表面的平坦性。
這里，如果B的替換量在所述通融性范圍(偏差允許區(qū)域)內(nèi)，則A類123超導(dǎo)電體所具有的優(yōu)點(diǎn)不會(huì)被損，不會(huì)導(dǎo)致吸收氧的溫度及超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc的大幅下降。
另外，約一半以下的Ba可被Sr替換，而這種替換不會(huì)明顯惡化超導(dǎo)電體膜的超導(dǎo)電特性或表面狀態(tài)。
即，如果作為以A元素、Ba(其中一部分可被Sr替換)、Cu及氧為主成分的123超導(dǎo)電體膜的構(gòu)成成分而含有特定比例的B元素，則在不影響沒(méi)有進(jìn)行低溫氧氣中的退火處理的情況下也可以充分吸收所需的氧而表現(xiàn)良好超導(dǎo)電特性的A類123超導(dǎo)電體膜的優(yōu)點(diǎn)的前提下，可以同時(shí)具備B類123超導(dǎo)電體所具有的“組成的通融性”。
還有，根據(jù)眾多的實(shí)驗(yàn)，確認(rèn)出可以獲得純c軸取向且在液氮溫度以上其電阻可為零的表面平坦的123超導(dǎo)電膜的膜組成為，當(dāng)用“A”表示Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的一種或2種以上，并用“B”表示La、Nd、Sm及Eu中的一種或2種以上，且用“C”表示Ba1-sSrs(其中0≤s≤0.50)時(shí)，由化學(xué)式“AxB(3-x-y)CyCuzO7-d{其中，x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30，7-d為足以滿足化合價(jià)要求的數(shù)}”表示的組成，若膜組成超出該范圍，則很難穩(wěn)定制造出表面平坦且顯示良好超導(dǎo)電特性(特別是高的超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc)的123超導(dǎo)電膜。
圖4是表示所述A、B、C的含量比例的圖，剖面線部分為本發(fā)明的高溫超導(dǎo)電體膜的組成范圍。
可以穩(wěn)定確保具有高超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc的高溫超導(dǎo)電體的特性的該組成區(qū)域里的123超導(dǎo)電體膜，對(duì)于超導(dǎo)電電子設(shè)備或超導(dǎo)電線材等的制造是極為有用的。
作為已知的像所述B元素那樣同樣可以替換于123超導(dǎo)電體的所述A和Ba原子位置上的元素，還有Ca。
但是，與B元素相比，采用Ca時(shí)相對(duì)于替換量的Tc的下降較多，因此從維持高Tc的角度考慮，可以說(shuō)Ca是只允許微量替換的元素。而如果要保持有利于維持平坦膜表面的組成的通融性，該允許替換量是不夠充分的。因此，對(duì)于Ca而言，不能期望得到與上述的B元素相同的效果。
本發(fā)明的123超導(dǎo)電體膜的制作，可以優(yōu)選采用上述的化學(xué)組成為“AxB(3-x-y)CyCuzO7-d{其中，x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30，7-d為足以滿足化合價(jià)要求的數(shù)}”的靶，并通過(guò)噴鍍法或激光蒸鍍法等物理成膜法，在基材上形成123超導(dǎo)電體組成膜之后，在含氧氣氛中冷卻所形成的膜的方法。
123超導(dǎo)電體膜表面的平滑性可以通過(guò)用顯微鏡觀察膜表面的析出物、突起及孔的數(shù)目來(lái)進(jìn)行評(píng)價(jià)。
通過(guò)根據(jù)由實(shí)驗(yàn)所得的123超導(dǎo)電體膜的“用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目”整理超導(dǎo)電特性(超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc)的測(cè)定結(jié)果，明確了在超導(dǎo)電體膜中的所述析出物、突起及孔數(shù)在10個(gè)以下時(shí)可以確保優(yōu)良的超導(dǎo)電特性(超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc)。還有，如果所述單位范圍內(nèi)所存在的其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目在5個(gè)以下，則可以進(jìn)一步提高123超導(dǎo)電體膜的超導(dǎo)電特性。
存在于該123超導(dǎo)電體膜表面的所述單位范圍內(nèi)的其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔數(shù)可以根據(jù)成膜時(shí)所用的靶材的組成進(jìn)行調(diào)整，除此之外基板溫度等成膜條件也會(huì)造成影響，因此應(yīng)在預(yù)先掌握這些影響因素的基礎(chǔ)上再進(jìn)行成膜作業(yè)。
下面根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行更為詳細(xì)的說(shuō)明。
實(shí)施例[實(shí)施例1]在本實(shí)施例中，嘗試了利用高頻噴鍍法的超導(dǎo)電體薄膜的制作。
即，在本實(shí)施例中，以應(yīng)用于高可靠性電子設(shè)備上為目的，采用了盡量能獲得表面平坦的超導(dǎo)電體薄膜的オフアクシス型噴鍍方式實(shí)施了成膜工藝。
<參考試驗(yàn)>
首先，作為參考進(jìn)行了制備通常的YBa2Cu3O7-d薄膜的試驗(yàn)(其中，7-d所表示的意思同上，下同)。
在制作薄膜時(shí)，作為基板使用的是La0.3Sr1.7AlTaO6(LSAT)(100)，而作為靶材用的是化學(xué)計(jì)算組成為YBa2Cu3O7-d的燒結(jié)體。
之后，從開(kāi)始使用靶材至找出理想的成膜條件為止，每天重復(fù)2-3次的成膜實(shí)驗(yàn)，成膜條件的確定消耗了約2周時(shí)間。
如此確定的成膜順序·條件如下1)Ar和氧的流量分別定為9cc/min、1cc/min，并控制排氣量，將腔內(nèi)壓力維持在120mTorr。
2)用50W的高頻輸出產(chǎn)生等離子體，維持1小時(shí)左右的放電，以進(jìn)行預(yù)噴鍍，將靶材表面穩(wěn)定成一定的狀態(tài)。
3)打開(kāi)設(shè)置在加熱至740℃的基板前面的擋板(shutter)，開(kāi)始成膜。還有，基板的配置位置定在從靶材表面相距40mm的點(diǎn)再沿垂直方向相隔30mm的位置上。
4)成膜3小時(shí)之后，斷開(kāi)加熱器，引入氧至300Torr，進(jìn)行淬火。
按上述的成膜順序得到的薄膜厚度為180納米，用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察時(shí)，如圖5A所示，表面上沒(méi)有異物，極為平坦。
另外，圖6中示出了該薄膜的X射線衍射(XRD)的XRD圖案。該XRD圖案是用Cu-Kα線進(jìn)行2θ-θ掃描后得到的。根據(jù)該XRD圖案，可知所得薄膜為經(jīng)c軸取向的123超導(dǎo)電體。其中，確認(rèn)出2θ＝21.5，43.9°上存在若干雜質(zhì)峰。該雜質(zhì)峰可以推斷為可能是由組成偏差造成的。圖6中，縱軸“a.u.”是“arbitrary unit”的縮寫(xiě)，表示“任意單位”。
之后，對(duì)于所述薄膜，根據(jù)采用直流四端子法的電阻率測(cè)定，確認(rèn)出零電阻的點(diǎn)為85K。
還有，將基板溫度改變?yōu)楦鱾€(gè)不同值，進(jìn)行了相同的成膜，并將這些結(jié)果示于表1中。
表1

(注1)“OM”表示用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的薄膜表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“膜組成”表示根據(jù)ICP發(fā)光分光分析法求出的膜的陽(yáng)離子Y∶Ba∶Cu＝x∶y∶z的原子比。
從表1中示出的X射線衍射(XRD)結(jié)果可見(jiàn)，當(dāng)基板溫度較低時(shí)會(huì)混有a軸取向的粒子。
之后，經(jīng)對(duì)由ICP發(fā)光分光分析法求出的薄膜的組成(陽(yáng)離子原子比)進(jìn)行分析，確認(rèn)基板溫度變高時(shí)存在Cu減少的傾向。
還有，在可得到c軸取向膜的條件下，沒(méi)有出現(xiàn)Y∶Ba∶Cu恰好為1.00∶2.00∶3.00的情形。
雖然在由上述試驗(yàn)制作的超導(dǎo)電體薄膜中如圖1所示在X射線衍射(XRD)下發(fā)現(xiàn)了雜質(zhì)，但由于其表面平坦且超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)也在液氮溫度(77K)以上，因此，之后也用同樣的設(shè)備和靶材繼續(xù)進(jìn)行了相同條件的成膜。
但是，在之后獲得的膜的平坦性或超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)上出現(xiàn)了劣化。
這可能是由于下述原因造成的，即，每次進(jìn)行成膜時(shí)成膜裝置內(nèi)壁的狀態(tài)發(fā)生變化，且靶材的被剝離部分被損耗后靶材表面的形狀也發(fā)生可以觀察到的變化，并且這些和其它要素發(fā)生復(fù)雜的重合，使當(dāng)初所找出的理想的成膜條件在每次成膜時(shí)發(fā)生了偏差。
因此，表2中示出了持續(xù)成膜3個(gè)月之后，直接采用一直在使用的裝置、靶材、成膜條件，在基板溫度為720-770℃的條件下成膜的結(jié)果。
表2

(注1)“OM”表示用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的薄膜表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“膜組成”表示根據(jù)ICP發(fā)光分光分析法求出的膜的陽(yáng)離子Y∶Ba∶Cu＝x∶y∶z的原子比。
由表2所示的結(jié)果可以看出，持續(xù)3個(gè)月的成膜試驗(yàn)后所得到的薄膜中產(chǎn)生了組成偏差，析出物、突起及孔數(shù)會(huì)增加，膜的平坦度也會(huì)惡化。而且，析出物、突起及孔數(shù)在11以上的膜的超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)比液氮溫度77K更低。
<實(shí)施例試驗(yàn)1>
下面，進(jìn)行了制作Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d的薄膜的試驗(yàn)。
在該試驗(yàn)中，除了作為靶材使用的是化學(xué)計(jì)算組成為Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d的燒結(jié)體，而且基板的配置位置定為“從距離靶材表面45mm點(diǎn)再沿垂直方向相隔30mm的位置”之外，其它條件與所述參考試驗(yàn)(YBa2Cu3O7-d的成膜試驗(yàn))相同。
還有，在該試驗(yàn)中，從開(kāi)始使用靶材至找出理想成膜條件所需的期限為約3天。
在所述條件下，將基板溫度改變成不同的溫度，試制了Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d薄膜，結(jié)果在以740℃(基板溫度)為中心的寬溫度范圍內(nèi)得到了良好的膜。
如此制得的薄膜(膜厚180納米)的調(diào)查結(jié)果示于表3中。
表3

(注1)“OM”表示用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的薄膜表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“膜組成”表示用于表達(dá)根據(jù)ICP發(fā)光分光分析法求出的膜的陽(yáng)離子Y∶La∶Ba∶Cu＝x∶(3-x-y)∶y∶z的原子比的x、y、z的值。
根據(jù)用Cu-Kα線對(duì)所得的這些薄膜進(jìn)行2θ-θ掃描后所得到的X射線衍射(XRD)圖案，在所述YBa2Cu3O7-d的膜中所發(fā)現(xiàn)的2θ＝42°-45°的雜質(zhì)峰均沒(méi)有出現(xiàn)。
因此，從所述表3中的結(jié)果，可以確認(rèn)與所述YBa2Cu3O7-d的膜相比，析出物、突起及孔數(shù)變?yōu)榱愕膮^(qū)域有所變寬。
這可能是由La的部分替換而對(duì)于組成偏差帶來(lái)自由度所產(chǎn)生的效果。
還有，在圖7中示出了在基板溫度為740℃時(shí)成膜的薄膜的X射線衍射結(jié)果(XRD圖案)。
另外，由該試驗(yàn)所得到的純c軸取向膜在84K顯示出了零電阻，這也可從表示根據(jù)直流四端子法的電阻率測(cè)定結(jié)果的圖8中得到確認(rèn)。
進(jìn)而，圖4中示出了直接用持續(xù)成膜3個(gè)月之后繼續(xù)使用的裝置、靶材、和成膜條件，在710-770℃的基板溫度下成膜的結(jié)果。
表4

(注1)“OM”表示用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的薄膜表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“膜組成”表示用于表達(dá)根據(jù)ICP發(fā)光分光分析法求出的膜的陽(yáng)離子Y∶La∶Ba∶Cu＝x∶(3-x-y)∶y∶z的原子比的x、y、z的值。
從表4中示出的結(jié)果也可以確認(rèn)出Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d薄膜的成膜過(guò)程中，經(jīng)過(guò)3個(gè)月的操作之后，也沒(méi)有出現(xiàn)所述YBa2Cu3O7-d的膜中所發(fā)生的“膜的平坦性或超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)的顯著劣化”。
<實(shí)施例試驗(yàn)2>
在該試驗(yàn)中，進(jìn)行了通過(guò)改變靶材的組成來(lái)改變Y、La、Ba、Cu的原子比的YxLa(3-x-y)BayCuzO7-d薄膜的成膜試驗(yàn)。
還有，成膜條件與Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d的最佳條件(基板溫度為740℃)相同。
將該成膜試驗(yàn)結(jié)果示于表5中。
表5


(注1)“OM”表示用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的薄膜表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“膜組成”表示用于表達(dá)根據(jù)ICP發(fā)光分光分析法求出的膜的陽(yáng)離子Y∶La∶Ba∶Cu＝x∶(3-x-y)∶y∶z的原子比的x、y、z的值。
在表5中，靶材及形成膜的組成用化學(xué)式“YxLa(3-x-y)BayCuzO7-d”中的x、y、z表示。
由該表中所示出的結(jié)果也可以看出，在x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30的組成范圍內(nèi)，可以得到表面平坦且顯示高于77K的超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)的純c軸取向膜。
還有，作為薄膜成分以Nd、Sm或Eu代替La，且以Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu代替Y時(shí)，也可以獲得同樣良好的結(jié)果。
另外，用Sr替換薄膜成分中的Ba的一半以下時(shí)，也可以得到同樣良好的結(jié)果。
在本實(shí)施例中，試制了利用激光蒸鍍法的超導(dǎo)電體薄膜。
在這種情況下，也以應(yīng)用于高可靠性電子設(shè)備上為目的，力求于盡量得到表面平坦的超導(dǎo)電體薄膜。
<參考試驗(yàn)>
首先，作為參考進(jìn)行了通常的YBa2Cu3O7-d薄膜的制備試驗(yàn)。
在制備薄膜時(shí)，基板采用的是La0.3Sr1.7AlTaO6(LSAT)(100)，而作為靶材用的是化學(xué)計(jì)算組成為YBa2Cu3O7-d的燒結(jié)體。
成膜順序·條件如下1)以20cc/min流量通入氧，并控制排氣量，將腔內(nèi)壓力維持在200mTorr。
2)向靶材表面照射5Hz、400mJ的KrF激光，使靶材表面瞬時(shí)蒸發(fā)，沉積到被置于離其60mm遠(yuǎn)的位置的基板上。還有，靶材表面的激光能量密度為1.5J/cm2。并且，為了避免激光連續(xù)照射同一位置，使靶材進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
3)經(jīng)10分鐘的激光照射，使靶材表面穩(wěn)定成一定狀態(tài)之后，打開(kāi)設(shè)置在加熱至740℃的基板前面的擋板(shutter)，開(kāi)始成膜。
4)成膜30分鐘之后，斷開(kāi)加熱器，引入氧至300Torr，進(jìn)行淬火。
按上述的成膜順序得到的薄膜厚度為200納米，用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察時(shí)，如圖5C所示，表面上超過(guò)1微米平方正方形的圓粒狀或針狀析出物在30微米平方正方形范圍內(nèi)被確認(rèn)出11個(gè)左右。這對(duì)于用激光蒸鍍法制作的薄膜來(lái)講是正常的現(xiàn)象，通常在YBa2Cu3O7-d中會(huì)出現(xiàn)106-108/cm2(在30微米平方正方形范圍內(nèi)有10-1000個(gè)左右)的粒子，因此，在此所得到的膜可以說(shuō)是屬于極為優(yōu)質(zhì)的一類。
根據(jù)用Cu-Kα線對(duì)該薄膜進(jìn)行2θ-θ掃描后所得到的X射線衍射(XRD)圖案可知，所得的薄膜為c軸取向的123超導(dǎo)電體。還有，在該薄膜中沒(méi)有發(fā)現(xiàn)雜質(zhì)峰。
還有，對(duì)于所述薄膜，根據(jù)采用直流四端子法的電阻率測(cè)定確認(rèn)出零電阻的點(diǎn)為87K。
另外，由ICP發(fā)光分光分析結(jié)果可以確認(rèn)出所得薄膜是Y∶Ba∶Cu比為0.98∶2.02∶3.05的幾乎接近化學(xué)計(jì)算組成的YBa2Cu3O7-d膜。
將基板溫度改變成不同的溫度進(jìn)行了相同的成膜，這些結(jié)果示于表6中。
表6

(注1)“OM”表示用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的薄膜表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“膜組成”表示根據(jù)ICP發(fā)光分光分析法求出的膜的陽(yáng)離子Y∶Ba∶Cu＝x∶y∶z的原子比。
在表6中，也一并記錄了作為超導(dǎo)電體薄膜的重要特性之一的在77K下的臨界電流密度Jc的測(cè)定結(jié)果。
由表6中所示的結(jié)果可以看出，在所有形成膜上，析出物、突起及孔數(shù)(OM)都在11個(gè)以上。
另外，也可以確認(rèn)出顯示液氮溫度以上的超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)的沒(méi)有雜質(zhì)的c軸取向膜可以在700-770℃的溫度范圍內(nèi)得到。
還有，在77K下的臨界電流密度Jc最高達(dá)到了0.80MA/cm2。
<實(shí)施例試驗(yàn)1>
接著，進(jìn)行了制作Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d薄膜的試驗(yàn)。
在該試驗(yàn)中，除了作為靶材使用化學(xué)計(jì)算組成為Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d的燒結(jié)體以外，其它條件與所述參考試驗(yàn)(YBa2Cu3O7-d的成膜試驗(yàn))相同。
在所述條件下，將基板溫度改變成不同的溫度，試制了Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d薄膜，所得薄膜(膜厚200納米)的調(diào)查結(jié)果示于表7中。
表7

(注1)“OM”表示用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察到的薄膜表面上的30微米平方正方形范圍內(nèi)其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“膜組成”表示根據(jù)ICP發(fā)光分光分析法求出的膜的陽(yáng)離子Y∶Ba∶Cu＝x∶y∶z的原子比。
從上述表7中示出的結(jié)果，可以確認(rèn)根據(jù)該試驗(yàn)所得到的薄膜在10000倍光學(xué)顯微鏡下觀察到的膜表面平坦性比所述YBa2Cu3O7-d膜得到了提高。這可能是由于La的部分替換減少了由組成偏差引起的析出物、突起及孔而致的。即，在主成分為YBa2Cu3O7-d的薄膜中，只要將其中的Y及Ba的一部分用少量La部分替換，就可以明顯減少膜表面的析出物、突起及孔數(shù)(OM)。另外，還可知當(dāng)膜表面的析出物、突起及孔數(shù)降到10以下時(shí)，在77K下的臨界電流密度Jc可以顯示1.00MA/cm2以上的值。
還有，圖5B中表示的是用光學(xué)顯微鏡觀察表7中的“將基板溫度設(shè)為740℃時(shí)所得到的薄膜”表面時(shí)的狀況，由該結(jié)果可見(jiàn)，作為由激光蒸鍍法得到的薄膜，在30微米平方的正方形范圍內(nèi)所能確認(rèn)的大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔等的數(shù)目減少到5是值得稱道的結(jié)果。
由以上的研究結(jié)果可知，利用激光蒸鍍法進(jìn)行薄膜化時(shí)，與YBa2Cu3O7-d相比，NdBa2Cu3O7-d更能成為平坦的膜，而在使用燒結(jié)體靶材的成膜過(guò)程中，作為在仔細(xì)研究成膜條件的基礎(chǔ)上用NdBa2Cu3O7-d勉強(qiáng)能達(dá)到的數(shù)據(jù)，只報(bào)告有“6×105/cm2(30微米平方正方形范圍內(nèi)為5.4個(gè))值”(H.Zama et al.，Jpn.J.Appl.Phys.38(1999)，923頁(yè))。
<實(shí)施例試驗(yàn)2>
在該試驗(yàn)中，進(jìn)行了通過(guò)改變靶材的組成來(lái)改變Y、La、Ba、Cu的原子比的YxLa(3-x-y)BayCuzO7-d薄膜的成膜試驗(yàn)。
還有，成膜條件與Y0.9La0.2Ba1.9Cu3O7-d的最佳條件(基板溫度為740℃)相同。
將該成膜試驗(yàn)結(jié)果示于表8中。
本發(fā)明所提供的化合物也應(yīng)用作測(cè)定潛在藥物抑制MPs的能力的標(biāo)準(zhǔn)或試劑。對(duì)此可提供包含本發(fā)明化合物的商用試劑盒。
金屬蛋白酶也參與基膜的降解，允許癌細(xì)胞滲透到循環(huán)系統(tǒng)和隨后滲透到其它組織而導(dǎo)致腫瘤轉(zhuǎn)移(Stetler Stevenson，Cancer andMetastasis Reviews，9，289-303，1990)。本發(fā)明的化合物可通過(guò)抑制這方面的轉(zhuǎn)移用于預(yù)防和治療侵入性腫瘤。
本發(fā)明的化合物也可用于預(yù)防和治療存在于骨質(zhì)疏松癥病人中的與基質(zhì)金屬蛋白酶介導(dǎo)的軟骨和骨的分解有關(guān)的骨質(zhì)減少。
抑制TNF和/或聚集蛋白聚糖酶和/或MMP′s的產(chǎn)生或作用的化合物可潛在地用于治療或預(yù)防各種炎癥、感染、免疫學(xué)或惡性疾病或病癥。因此，本發(fā)明涉及治療各種炎癥、感染、免疫學(xué)或惡性疾病的方法。這些疾病包括急性感染、急性相性反應(yīng)、與年齡有關(guān)的斑點(diǎn)退化、酒精中毒、厭食、哮喘、自體免疫性疾病、自體免疫性肝炎、Bechet′s疾病、惡病質(zhì)(包括癌癥或HIV導(dǎo)致的惡病質(zhì))、焦磷酸鈣二水合物沉積疾病、心血管疾病、慢性疲勞綜合征、慢性阻塞性肺病、聚沉、<p>(注1)“OM”表示存在于單位范圍內(nèi)的具有規(guī)定大小的析出物、突起及孔的數(shù)目。
(注2)“靶材組成”、“膜組成”表示用于表達(dá)Y∶La∶Ba∶Cu＝x∶(3-x-y)∶y∶z的原子比的x、y、z的值。
在表8中，靶材及形成膜的組成是用化學(xué)式“YxLa(3-x-y)BayCuzO7-d”中的x、y、z表示。
由該表8所示的結(jié)果也可知，形成膜在x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30的組成范圍內(nèi)，可以得到表面平坦且超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)高于77K的純c軸取向膜。
還有，作為薄膜成分以Nd、Sm或Eu代替La，且以Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu代替Y時(shí)，也可以獲得同樣良好的結(jié)果。
另外，用Sr替換薄膜成分中的Ba的一半以下時(shí)，也可以得到同樣良好的結(jié)果。
表9中示出了采用組成為A0.9B0.2C1.9Cu3O7-d的燒結(jié)體靶材成膜的AxB(3-x-y)CyCuzO7-d薄膜{膜厚為200納米，且均滿足x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30}的調(diào)查結(jié)果。
表9

(注1)靶材的組成為A0.9B0.2C1.9Cu3O7-d。
(注2)“OM”表示存在于單位范圍內(nèi)的具有規(guī)定大小的析出物、突起及孔的數(shù)目。
在本實(shí)施例中，試制了根據(jù)激光蒸鍍法的超導(dǎo)電體膜。
在此，以應(yīng)用于高臨界電流密度線材為目的，力求盡量得到表面平坦的超導(dǎo)電體厚膜。
在制作薄膜時(shí)，基板使用的是通過(guò)熱壓延使表面變?yōu)槿∠蚪M織的Ni帶，另外，作為靶材使用的是化學(xué)計(jì)算組成為A0.9B0.2C1.9Cu3O7-d的各種組成的燒結(jié)體。
1)以20cc/min流量通入氧，并控制排氣量，將腔內(nèi)壓力維持在200mTorr。
2)向靶材表面照射20Hz、600mJ的KrF激光，使靶材表面瞬時(shí)蒸發(fā)，沉積到被置于離其60mm遠(yuǎn)的位置的基板上。此時(shí)靶材表面的激光能量密度為1.8J/cm2。
3)打開(kāi)設(shè)置在加熱至710℃的基板前面的擋板(shutter)，開(kāi)始成膜。
4)成膜3小時(shí)之后，斷開(kāi)加熱器，引入氧至300Torr，進(jìn)行淬火。
由上述的成膜順序所得到的薄膜厚度均為1微米。
表10中示出了采用組成為A0.9B0.2C1.9Cu3O7-d的靶材成膜的AxB(3-x-y)CyCuzO7-d厚膜{均滿足x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤z≤3.30}的調(diào)查結(jié)果。
表10

(注1)靶材的組成為A0.9B0.2C1.9Cu3O7-d。
(注2)“OM”表示存在于單位范圍內(nèi)的具有規(guī)定大小的析出物、突起及孔的數(shù)目。
由表10中示出的結(jié)果也可知，均可以得到表面平坦且超導(dǎo)電轉(zhuǎn)變溫度Tc(zero)高于77K的純c軸取向膜。
另一方面，為了進(jìn)行比較，采用AC2Cu3O7-d組成的靶材進(jìn)行了同樣的成膜試驗(yàn)，制作了AC2Cu3O7-d組成的厚膜(膜厚1微米)，關(guān)于該厚膜的調(diào)查結(jié)果示于表11中。
表11

(注1)靶材的組成為AC2Cu3O7-d。
(注2)“OM”表示存在于單位范圍內(nèi)的具有規(guī)定大小的析出物、突起及孔的數(shù)目。
對(duì)所述表10及表11所示的結(jié)果進(jìn)行比較，可以看出在不含B元素(La、Nd、Sm或Eu)的組成的厚膜中，析出物、突起及孔的數(shù)目較多，平坦性較劣，臨界電流密度Jc值也較低，但在含B元素的組成的厚膜中這些特性得到了大幅度的改善。
產(chǎn)業(yè)上的利用可能性如以上說(shuō)明，根據(jù)該發(fā)明，可以提供適用于高性能的電子設(shè)備或線材上且不受成膜條件的微妙變化影響而可以穩(wěn)定制備的“表面平坦且超導(dǎo)電特性良好的高溫超導(dǎo)電體膜”，在產(chǎn)業(yè)上取得有望對(duì)超導(dǎo)電體應(yīng)用技術(shù)的發(fā)展做較大貢獻(xiàn)等極為有用的效果。
權(quán)利要求
1.一種表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜，當(dāng)用“A”表示Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的一種或2種以上，并用“B”表示La、Nd、Sm及Eu中的一種或2種以上，且用“C”表示Ba1-sSrs(其中0≤s≤0.50)時(shí)，是由該A、B、C和Cu及氧構(gòu)成，而且具有可用化學(xué)式“AxB(3-x-y)CyCuzO7-d{其中，x≤0.99，y≤1.99，2.60≤(x+y)≤2.98，2.70≤x≤3.30，7-d為足以滿足化合價(jià)要求的數(shù)}”表示的組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜，其中，在用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察時(shí)的高溫超導(dǎo)電體膜表面的30微米平方的正方形范圍內(nèi)，可確認(rèn)的其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目在10個(gè)以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜，其中，在用1000倍的光學(xué)顯微鏡觀察時(shí)的高溫超導(dǎo)電體膜表面的30微米平方的正方形范圍內(nèi)，可確認(rèn)的其大小超出1微米平方正方形的析出物、突起及孔的數(shù)目在5個(gè)以下。
全文摘要
本發(fā)明提供一種表面平坦的高溫超導(dǎo)電體膜，當(dāng)用“A”表示Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu及Y中的一種或2種以上，并用“B”表示La、Nd、Sm及Eu中的一種或2種以上，且用“C”表示Ba
文檔編號(hào)C01G1/00GK1481452SQ02803311
公開(kāi)日2004年3月10日 申請(qǐng)日期2002年8月2日 優(yōu)先權(quán)日2001年8月22日
發(fā)明者安達(dá)成司, 紀(jì), 若菜裕紀(jì), 一, 菅野剛, 田邊圭一 申請(qǐng)人:財(cái)團(tuán)法人國(guó)際超電導(dǎo)產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究中心