專利名稱：?jiǎn)尉沾煞勰┑闹苽浞椒ā尉沾煞勰┘捌鋸?fù)合材料、電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及單晶陶瓷粉末及其制備方法。
將陶瓷粉末作為瓷電容器用的材料使用時(shí)，希望其介電常數(shù)高、損失小。此外，當(dāng)作為磁性鐵素體材料使用時(shí)，希望其損失小、導(dǎo)磁率平緩地向高頻區(qū)域延伸。這些特性依賴于陶瓷粉末的形狀、粒徑、純度、反應(yīng)性等物性。例如，如果陶瓷粉末為多結(jié)晶或不定形的粉末時(shí)，容易引起局部的異常顆粒成長(zhǎng)，容易產(chǎn)生組成的不均勻，導(dǎo)致磁特性和電氣特性的劣化。因此，陶瓷粉末優(yōu)選不含有結(jié)晶粒界或不純物，為單相或單晶。此外，為了獲得更加優(yōu)異的特性，陶瓷粉末優(yōu)選為2種或大于2種的金屬與氧的化合物。
但是，制備具有優(yōu)異特性的陶瓷粉末是困難的。例如，在固相反應(yīng)法中，通過在空氣或惰性氣體中對(duì)與最終生成物的組成相對(duì)應(yīng)的金屬氧化物的混合粉末進(jìn)行燒結(jié)，能夠制備得到作為2種以上的金屬與氧的化合物的金屬氧化物電介質(zhì)，但制備得到單相的粉末是困難的。此外，在共沉淀法等液相法中，通過從金屬鹽的水溶液或有機(jī)溶劑溶液中制備水合物等形式的金屬氧化物的前體物(1次粒子)，將該前體物在空氣或惰性氣體中進(jìn)行燒結(jié)制備得到陶瓷粉末。但是，難于制得具有優(yōu)異結(jié)晶性的電介質(zhì)粉末，而且由于金屬氧化物的前驅(qū)體具有很強(qiáng)的結(jié)合，最終得到的是大塊物質(zhì)，因此為了得到電介質(zhì)粉末必須對(duì)燒結(jié)后的電介質(zhì)進(jìn)行粉碎。這樣得到的粉末中，每個(gè)粒子的形狀為不定形的，粒度分布也寬，而且不純物混入的可能性高。
因此，提出了改善粉末中粒子形狀及粒度分布的水熱合成法和氣相反應(yīng)法等，但在生產(chǎn)性和成本方面，這些方法均難于在工業(yè)上高效制備。此外，特開平7-33579號(hào)公報(bào)中公開了通過對(duì)于將原料溶解于溶液中所形成的物質(zhì)進(jìn)行加水分解或共沉淀的方法等，形成氧化物的微粉末，通過對(duì)微粉末進(jìn)行熱處理而使其結(jié)晶并使粒子成長(zhǎng)，進(jìn)而將制得的物質(zhì)中含有的玻璃溶解去除，制備得到粒徑相同的單晶粉末的方法。但是，該方法工序復(fù)雜，工業(yè)上批量生產(chǎn)困難。
此外，特開平9-263496號(hào)公報(bào)中公開了將平均粒徑為10μm或小于10μm的鈦酸鋇在1200～1618℃下進(jìn)行燒結(jié)，制備得到單晶鈦酸鋇的方法。在該方法中，在比鈦酸鋇的熔點(diǎn)低的溫度下，在燒結(jié)時(shí)產(chǎn)生溫度梯度，產(chǎn)生異常粒生長(zhǎng)，從而形成單晶的鈦酸鋇。但是，在該方法中，制得的鈦酸鋇的粒徑大，為500μm左右，因此沒有制得微粒子。此外，由于單晶是在含于多晶體中的狀態(tài)下制得的，因此為了取出單晶，需要有將多晶體浸漬于濃鹽酸中，將多晶部分破壞的工序。
陶瓷粉末，有時(shí)只將粉末作為單體使用，有時(shí)將其分散于樹脂材料中作為復(fù)合材料使用。對(duì)于作為復(fù)合材料使用的陶瓷粉末，要求其對(duì)樹脂材料具有分散性、填充性。確保其對(duì)樹脂材料的分散性、填充性的要素之一為構(gòu)成粉末的微粒子的粒徑。
但是，用上述共沉淀法制得的陶瓷粉末，其粒徑過于微細(xì)，無法確保其對(duì)樹脂材料的分散性、填充性。此外，用上述液相法制得的陶瓷粉末，由于為通過粉碎而制備的物質(zhì)，粉末的形態(tài)為不定形的，因此無法確保其對(duì)樹脂材料的分散性、填充性。此外，在上述特開平9-263496號(hào)公報(bào)中記載的單晶鈦酸鋇，由于其粒徑大，因此難于獲得高填充性。
本發(fā)明的目的在于提供一種制備具有優(yōu)異特性的球狀單晶陶瓷粉末的方法及單晶陶瓷粉末。
本發(fā)明以上述發(fā)現(xiàn)為基礎(chǔ)，提供了一種單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，在粉體供給工序中，由陶瓷成分組成的粉體與載氣一起被供給到加熱處理區(qū)域中，在加熱處理工序中，將供給到加熱處理區(qū)域中的粉體加熱到單晶化所必需的溫度，具體而言是加熱到該粉體的熔點(diǎn)以上，在冷卻工序中，經(jīng)結(jié)晶化工序?qū)⒃诩訜崽幚砉ば蛑兄频玫纳晌锢鋮s，從而制備得到單晶陶瓷粉末。
采用該制備方法，可以制備得到球形度為0.9或大于0.9的單晶陶瓷粉末。
在該制備方法的加熱處理工序中，由于將由陶瓷成分組成的粉體熔融，形成熔融物后，在冷卻工序中使其結(jié)晶化，因此能夠制備球形度高、結(jié)晶性優(yōu)異的單晶陶瓷粉末。在加熱處理工序中經(jīng)過熔融處理后，通過在接下來的冷卻工序中進(jìn)行結(jié)晶化，可以用少的能量制備單晶粉末。此時(shí)，加熱處理工序優(yōu)選在電氣管狀爐中進(jìn)行。由于在電氣管狀爐中進(jìn)行，溫度及溫度范圍的控制變得容易，因此在制造上是優(yōu)選的。
由陶瓷成分組成的粉體，如果是由50μm或小于50μm的粒子形成的，則能夠制備粒徑為30μm或小于30μm的單晶陶瓷粉末。
此外，由陶瓷成分組成的粉體，如果為由平均粒徑是1μm或小于1μm的1次粒子形成的顆粒，則能夠制備粒徑小的單晶陶瓷粉末，因此是優(yōu)選的。
如果用其它觀點(diǎn)來詮釋本發(fā)明所涉及的單晶陶瓷粉末的制造方法，可以捕捉到該制備方法的特征，即、邊使由陶瓷成分組成的粉體浮游，邊使其在加熱爐中移動(dòng)，通過冷卻制得的生成物，可制備得到球形度為0.9或大于0.9的單晶陶瓷粉末。由于這樣邊使由陶瓷成分組成的粉體浮游邊進(jìn)行加熱，因此能夠制備球形度高的單晶陶瓷粉末。
根據(jù)本發(fā)明所制備得到的單晶陶瓷粉末，其為平均粒徑為0.1～30μm、且球形度為0.9或大于0.9的單晶陶瓷粉末。由于該單晶陶瓷粉末粒徑小，且球形度高，因此具有優(yōu)異的特性，特別是對(duì)樹脂等的填充性高。
該單晶陶瓷粉末，由例如氧化物磁性材料或氧化物電介質(zhì)材料構(gòu)成，成為顯示出優(yōu)異的磁特性、電氣特性的物質(zhì)。
如果該單晶陶瓷粉末的平均粒徑為1～20μm，則成為具有更為優(yōu)異填充性的物質(zhì)。
本發(fā)明適用于由磁性體或電介質(zhì)材料組成的單晶球狀氧化物粉末與分散并保持上述球狀氧化物粉末的結(jié)合材料組成的復(fù)合材料。而且，在該復(fù)合材料中，其特征在于，球狀氧化物粉末的平均粒徑為0.1～30μm，球形度為0.9或大于0.9。通過使用球形度高的微細(xì)粉末，能夠提高其在與樹脂材料的復(fù)合材料中的填充性，并且能夠有效發(fā)揮粉末所具有的特性。
在以上的復(fù)合材料中，可以用樹脂作為結(jié)合材料。此時(shí)，優(yōu)選球狀氧化物粉末的含量在30～98重量％的范圍內(nèi)。
此外，在以上的復(fù)合材料中，可以由電介質(zhì)材料構(gòu)成球狀氧化物粉末。而且，在本發(fā)明中，可以由比構(gòu)成球狀氧化物粉末的電介質(zhì)材料熔點(diǎn)低的電介質(zhì)材料構(gòu)成結(jié)合材料。此時(shí)，優(yōu)選球狀氧化物粉末的含量在30～70體積％的范圍內(nèi)。
此外，在以上的復(fù)合材料中，可以由磁性體材料構(gòu)成球狀氧化物粉末。而且，在本發(fā)明中，可以由比構(gòu)成球狀氧化物粉末的磁性體材料熔點(diǎn)低的磁性體材料構(gòu)成結(jié)合材料。此時(shí)，優(yōu)選球狀氧化物粉末的含量在30～70體積％的范圍內(nèi)。
本發(fā)明提供了一種使用以上復(fù)合材料的電子部件。該電子部件的特征在于，在電介質(zhì)層中配置有內(nèi)部金屬電極，電介質(zhì)層為由電介質(zhì)材料組成的球狀氧化物粉末與分散并保持該球狀氧化物粉末的結(jié)合材料組成的復(fù)合材料組成，球狀氧化物粉末的平均粒徑為0.1～30μm，球形度為0.9或大于0.9。此外，本發(fā)明提供了一種電子部件，其特征在于，在磁性體層中配置有內(nèi)部金屬電極，磁性體層為由磁性材料組成的球狀氧化物粉末與分散并保持該球狀氧化物粉末的結(jié)合材料組成的復(fù)合材料組成，球狀氧化物粉末的平均粒徑為0.1～30μm，球形度為0.9或大于0.9。
圖2表示實(shí)施例1制備的陶瓷粉末的X射線衍射結(jié)果的圖譜。
圖3表示實(shí)施例1制備的陶瓷粉末的SEM像的照片。
圖4表示實(shí)施例1制備的陶瓷粉末的電子射線衍射像的照片。
圖5表示比較例1制備的陶瓷粉末的SEM像的照片。
圖6表示比較例1制備的陶瓷粉末的電子射線衍射像的照片。
圖7表示實(shí)施例4制備的陶瓷粉末的SEM像的照片。
圖8表示實(shí)施例4制備的陶瓷粉末的磁特性的曲線圖。
圖9表示比較例2制備的陶瓷粉末的磁特性的曲線圖。


圖10表示用實(shí)施例4及比較例2制得的陶瓷粉末所形成的基板的導(dǎo)磁率的曲線圖。
圖11表示本發(fā)明所適用的高頻模塊的透視斜視圖。
圖12表示本發(fā)明所適用的觸點(diǎn)線圈的透視斜視圖。
圖13表示實(shí)施例6制備的復(fù)合磁性材料的感應(yīng)系數(shù)值L的變化率的曲線圖。
圖14表示比較例4制備的復(fù)合磁性材料的感應(yīng)系數(shù)值L的變化率的曲線圖。
結(jié)合圖1對(duì)本發(fā)明所涉及的單晶陶瓷粉末的制備工序的簡(jiǎn)要實(shí)施例進(jìn)行說明。如圖1所示，本發(fā)明的制備方法由將原料粉碎而制備1次粒子的1次粒子形成工序、由1次粒子形成顆粒的顆粒形成工序、供給由顆粒組成的粉體的粉體供給工序、將供給的粉體加熱到所定溫度的加熱處理工序、將由加熱處理制備的生成物冷卻的冷卻工序以及后處理工序構(gòu)成。
首先，在1次粒子形成工序中，由陶瓷成分組成的原料形成1次粒子。在1次粒子形成工序中，將由陶瓷成分組成的原料粉碎，優(yōu)選地調(diào)整使平均粒徑達(dá)到1μm或小于1μm。該粒徑不僅決定了最終制備的單晶陶瓷粉末的粒徑，而且通過使用具有這樣粒徑的1次粒子，可以使單晶陶瓷粉末的品質(zhì)優(yōu)化。粉碎的方法沒有特別的限定，例如可以使用球磨機(jī)等。
本發(fā)明中所謂的陶瓷成分，包含被認(rèn)為是陶瓷的氧化物、氮化物、碳化物等化合物。此外，不僅包含單一的陶瓷，還包含多個(gè)陶瓷的混合物、復(fù)合氧化物、復(fù)合氮化物等復(fù)合化合物。陶瓷成分的具體例為電介質(zhì)材料、磁性材料。
電介質(zhì)材料可以包括，例如鈦酸鋇-釹系陶瓷、鈦酸鋇-錫系陶瓷、鉛-鈣系陶瓷、二氧化鈦陶瓷、鈦酸鋇系陶瓷、鈦酸鉛系陶瓷、鈦酸鍶系陶瓷、鈦酸鈣系陶瓷、鈦酸鉍系陶瓷、鈦酸鎂系陶瓷等，以及CaWO4系陶瓷、Ba(Mg、Nb)O3系陶瓷、Ba(Mg、Ta)O3系陶瓷、Ba(Co、Mg、Nb)O3系陶瓷、Ba(Co、Mg、Ta)O3系陶瓷等。這些物質(zhì)可以單獨(dú)或2種以上混合使用。作為二氧化鈦系陶瓷，是指其在組成上只含有二氧化鈦的體系，或在二氧化鈦中還含有其它少量添加物的體系，但保持著作為主成分的二氧化鈦的結(jié)晶構(gòu)造。對(duì)于其它體系的陶瓷也是一樣的。此外，二氧化鈦為用TiO2表示的物質(zhì)，且具有各種結(jié)晶構(gòu)造，但作為電介質(zhì)陶瓷使用的為具有金紅石構(gòu)造的物質(zhì)。
作為磁性材料，使用具有磁性的氧化物。可以使用，例如Mn-Zn系鐵素體、Ni-Zn系鐵素體、Mn-Mg-Zn系鐵素體、Ni-Cu-Zn系鐵素體等。此外，也可以使用Fe2O3、Fe3O4等氧化鐵。
這些陶瓷成分也可以使用市場(chǎng)上出售的陶瓷，此外，可以通過燒結(jié)用于形成陶瓷成分的組合物、材料來制備陶瓷成分。例如，將氧化鋇和鈦酸混合，制得顆粒狀的復(fù)合氧化物，將該復(fù)合氧化物粉碎成的適當(dāng)大小的物質(zhì)，然后進(jìn)行燒結(jié)反應(yīng)，由此制備得到鈦酸鋇等的陶瓷成分。
隨后，在顆粒形成工序中，使上述制備的1次粒子形成顆粒。具體而言，制備用于將1次粒子從噴嘴進(jìn)行噴霧的生料。生料可以通過在將1次粒子適量添加到溶劑中后，用球磨機(jī)等混合機(jī)進(jìn)行混合而制備。溶劑可以使用水或乙醇，為了提高1次粒子的分散性，推薦添加分散劑。分散劑的添加量為，例如1次粒子重量的1％左右。也可以添加用于1次粒子間機(jī)械結(jié)合的結(jié)合劑，例如PVA(聚乙烯醇)。制得的生料通過噴嘴進(jìn)行噴霧，從而形成液滴。
這里，噴嘴是指用于對(duì)上述生料和壓縮氣體進(jìn)行噴霧的裝置，可以使用2流體噴嘴或4流體噴嘴等。與壓縮氣體(例如空氣、氮?dú)獾?一起從噴嘴噴出的生料被顆?；⑿纬蓢婌F。噴霧中液滴的粒徑可以通過生料與壓縮氣體的比率進(jìn)行控制。通過控制液滴的粒徑，可以控制最終制得的單晶陶瓷粉末的粒徑。通過噴嘴進(jìn)行的噴霧工序在所定的腔室內(nèi)進(jìn)行。適宜使用在加熱下兼有干燥的噴霧干燥法制備顆粒。使用噴霧干燥法，由于幾乎沒有如粉碎粉末那樣巨大的粉末混入，因此可以確保最終制得的制品品質(zhì)的可靠性。
這樣，通過使用噴嘴，可以制備適于本發(fā)明中使用的粒徑小的顆粒粉，例如，可以制備1～20μm左右的微細(xì)顆粒粉。該粒徑?jīng)Q定最終制得的單晶陶瓷粉末的粒徑。如上所述，粒徑可以通過生料與壓縮氣體的比率進(jìn)行控制，此外，通過使生料間發(fā)生碰撞，也可制得小液滴。于是，這樣制得的顆粒被輸送到粉體供給工序。
在粉體供給工序中，將在顆粒形成工序中制備的顆粒作為由陶瓷成分組成的粉體與載氣一起供給到加熱區(qū)域。作為實(shí)施粉體供給工序的具體構(gòu)成，圖1記載了由不同的途徑準(zhǔn)備載氣和顆粒，通過噴嘴N，將顆粒與載氣一同供給加熱處理工序的形態(tài)。載氣可以使用各種氣體，例如空氣、氮?dú)?、Ar氣及Ne氣等。對(duì)于需要加熱到1300℃以上的材料，考慮到在加熱處理工序中產(chǎn)生NOX，因此優(yōu)選使用Ar氣、Ne氣。
在粉體供給工序中，將由陶瓷成分組成的粉體供給到加熱處理工序的方法不限于圖1所記載的方式。例如，可以采用對(duì)由陶瓷成分組成的粉體吹送含有載氣的壓縮氣體，從而將其供給到加熱處理工序的方法。此外，也可以利用分散機(jī)供給，利用分級(jí)機(jī)和粉碎機(jī)的輸出供給，也就是由于分級(jí)或粉碎，將從輸出側(cè)制備的粉末供給到加熱處理工序。
在本發(fā)明的形態(tài)中，由陶瓷成分組成的粉體的噴霧可以為干燥狀態(tài)，也可以為含有水分等的濕潤(rùn)狀態(tài)。
隨后，在加熱處理工序中，將從粉體供給工序用噴嘴供給的、由陶瓷成分組成的粉體在加熱區(qū)域進(jìn)行燒結(jié)處理，從而制得單晶的陶瓷粉末。
加熱處理工序在加熱爐中進(jìn)行。作為加熱方式，可以采用電加熱、利用氣體的燃燒熱進(jìn)行加熱及高頻加熱等已知的方式。特別地，與燃燒氣體的方法相比，使用電氣管狀爐易于對(duì)爐內(nèi)氛圍氣進(jìn)行控制。由陶瓷成分組成的粉體在爐內(nèi)與形成氣流的載氣一同在浮游于加熱爐內(nèi)，在此狀態(tài)下進(jìn)行單晶化及球狀化。由陶瓷成分組成的粉體的流速根據(jù)收集效率、熱分解溫度進(jìn)行適當(dāng)?shù)拇_定，大致在0.05～10m/s的范圍內(nèi)，特別優(yōu)選1～5m/s。粉末的流速可以通過控制載氣的流速進(jìn)行改變。此時(shí)，優(yōu)選控制使陶瓷成分組成的粉體在加熱爐內(nèi)的滯留時(shí)間為1～10秒。但是，優(yōu)選至少要比陶瓷粉末不成為非晶質(zhì)的臨界冷卻速度慢。臨界冷卻速度依物質(zhì)的不同而不同，例如，當(dāng)為鈦酸鋇時(shí)，臨界冷卻速度為1.3×106(k/sec)。如果比該速度快，制得的陶瓷粉末為玻璃(非晶)。單晶化所需的時(shí)間依賴于粒徑，粒徑越小則該時(shí)間越短。
加熱的條件，特別是溫度及時(shí)間要根據(jù)陶瓷的組成進(jìn)行適當(dāng)?shù)拇_定。作為加熱的條件，加熱爐內(nèi)的氛圍氣可以根據(jù)例如電介質(zhì)材料、磁性材料等、作為目的的最終生成物的單晶陶瓷粉末的種類，選擇氧化性氛圍氣、還原性氛圍氣或非活性氛圍氣?？梢愿鶕?jù)所選擇的氛圍氣選擇載氣，或?qū)⒈匾臍怏w供給到加熱爐內(nèi)。
作為加熱溫度，可以設(shè)定為由陶瓷成分組成的粉體進(jìn)行單晶化的溫度。具體而言，設(shè)定為由陶瓷成分組成的粉體的熔點(diǎn)以上。通過加熱到熔點(diǎn)以上，陶瓷成分的粉體熔融，從而得到單晶。此外，陶瓷成分的粉末一旦熔融，由于表面張力的原因，制得的陶瓷粉末的形狀更接近真球。
如本實(shí)施形態(tài)那樣，在干燥狀態(tài)下將固相陶瓷成分的粉體供給加熱爐，與將固相的陶瓷成分的粉體分散于液體中再供給的噴霧熱分解法相比，由于不存在由于液體的存在而導(dǎo)致熱量減少，因此可以用更少的能量進(jìn)行制備。此時(shí)，例如，在顆粒形成工序中形成的顆粒不需保持、保管，可以直接與載氣一起供給到加熱處理工序的加熱爐中。
在加熱處理工序中制備的生成物被轉(zhuǎn)移到冷卻工序。具體而言，在加熱爐中設(shè)有冷卻區(qū)，或與載氣一同從加熱爐中排出到大氣中而將生成物冷卻。該冷卻可以為放冷，也可以用冷卻介質(zhì)進(jìn)行強(qiáng)制冷卻。經(jīng)過該冷卻工序，制備得到所需的單晶陶瓷粉末。通過對(duì)生成物進(jìn)行比較迅速的冷卻，生成物能夠保持球狀。此外，在冷卻工序中，由于被加熱的粉體直接被冷卻，因此可以得到粒徑為0.1～30μm、具有小粒徑的單晶陶瓷粉末。更優(yōu)選地，制備得到1～20μm左右的物質(zhì)。
在冷卻工序之后，一方面用例如旋風(fēng)分離器或袋濾器對(duì)粉末進(jìn)行收集，另一方面對(duì)載氣進(jìn)行適當(dāng)?shù)呐艢馓幚砗筮M(jìn)行排放。
制備得到的單晶陶瓷粉末為單晶，且為球狀。這里所謂的球狀是指除表面光滑的完全的球狀外，還包含非常接近真球的多面體。具體而言，包含如Wulff模型所示的由穩(wěn)定的結(jié)晶面圍成的、等方的、具有對(duì)稱性的，且球形度接近1的多面體粒子。這里所謂的球形度是指Wadell的實(shí)用球形度，即、具有與粒子的投影面積相等的圓的直徑的粒子的投影相外切的最小圓的直徑比。在本實(shí)施例的形態(tài)中，球形度優(yōu)選0.9～1，更優(yōu)選為0.95～1。球形度如果為0.9或大于0.9，將結(jié)晶陶瓷粉末分散于樹脂材料中以復(fù)合材料使用時(shí)，單晶陶瓷粉末易于均勻地分散于樹脂材料中，進(jìn)而在燒結(jié)時(shí)，不產(chǎn)生由于不均勻性而引起的龜裂。
這樣，根據(jù)本實(shí)施形態(tài)制得的單晶陶瓷粉末不含有結(jié)晶粒界以及不純物，為單相，且為單晶。因此，該單晶陶瓷粉末在用作電介質(zhì)材料、磁性材料時(shí)，能夠使磁性或介電特性提高，顯示出優(yōu)異的特性。
此外，用根據(jù)本實(shí)施形態(tài)中記載的方法形成的單晶陶瓷粉末，由于沒有使用以往方法中所使用的酸以及有機(jī)溶劑，因此不產(chǎn)生有害的氣體等，而且，能夠用較便宜的設(shè)備進(jìn)行制備。在本實(shí)施形態(tài)中，粉體供給工序中所供給的由陶瓷成分組成的粉體，包含粉末、顆粒粉、粉碎粉等、由不局限于該形態(tài)的粒子構(gòu)成的各種形態(tài)。因此，在粉體供給工序中供給的粉體不限于如上述實(shí)施形態(tài)那樣的顆粒，也可以為例如將陶瓷成分粉碎的粉體。此時(shí)，由于使用具有較大粒徑的粉體，因此可以形成較大的單晶陶瓷粉末。具體而言，如果使用50μm或小于50μm的粒子，則可以形成30μm或小于30μm的單晶陶瓷粉末。
進(jìn)而，在本實(shí)施形態(tài)中，可以制備粒徑小且為球狀的單晶陶瓷粉末。這樣的單晶陶瓷粉末，其凝集性低，分散性和填充性優(yōu)異。因此，可以將制得的單晶陶瓷粉末與分散并保持該單晶陶瓷粉末的結(jié)合材料混合，形成復(fù)合材料。
結(jié)合材料可以使用樹脂。此時(shí)，復(fù)合材料中單晶陶瓷粉末的含量?jī)?yōu)選在30～98重量％的范圍內(nèi)。此外，該樹脂可以使用熱塑性樹脂、熱固性樹脂兩類，具體而言，可以使用的樹脂包括含有環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚烯烴系樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯醚樹脂、三聚氰胺樹脂、氰酸酯系樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙基酯樹脂、聚苯乙烯醚化合物樹脂、液晶聚合物、氟系樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚乙烯醇樹脂、乙基纖維素樹脂、硝酸纖維素樹脂、丙烯酸樹脂中至少一種以上的樹脂等。
當(dāng)單晶陶瓷粉末由電介質(zhì)材料構(gòu)成時(shí)，作為結(jié)合材料，可以使用比上述電介質(zhì)材料具有更低熔點(diǎn)的電介質(zhì)材料。一方面使在更低的溫度下燒結(jié)制備復(fù)合電介質(zhì)材料成為可能，另一方面，通過在這樣的低溫下燒結(jié)，能夠獲得原本在高溫下進(jìn)行燒結(jié)才能得到的特性。構(gòu)成復(fù)合材料的低熔點(diǎn)電介質(zhì)材料，優(yōu)選使用比單晶陶瓷粉末具有更小粒徑的粉末供給燒結(jié)。原因在于，通過在單晶陶瓷粉末的間隙填埋小粒徑的粉末，能夠使單晶陶瓷粉末均勻地分散。
以上的觀點(diǎn)也適用于單晶陶瓷粉末由磁性材料構(gòu)成的場(chǎng)合。也就是說，可以制備得到在相對(duì)低熔點(diǎn)的磁性材料中分散并保持由相對(duì)高熔點(diǎn)的磁性材料構(gòu)成的單晶陶瓷粉末而形成的復(fù)合磁性材料。
在本發(fā)明中，可以將以上的復(fù)合材料適用于各種電子部件。其中1個(gè)實(shí)施例示于圖11及圖12。圖11為表示作為電子部件的1個(gè)實(shí)施例的高頻模塊的斜視圖。該高頻模塊在復(fù)合電介質(zhì)層4的表面上裝有二極管6、晶體三極管7及觸點(diǎn)電阻8。此外，高頻模塊在復(fù)合電介質(zhì)層5的里面及內(nèi)部配置有接地電極1。進(jìn)而，高頻模塊在其內(nèi)部配置有通孔導(dǎo)體2、電容器形成電極3。而且以上說明的復(fù)合電介質(zhì)材料適用于該復(fù)合電介質(zhì)層4。此外，圖12為表示作為電子部件的1個(gè)實(shí)施例的觸點(diǎn)線圈的斜視圖。該觸點(diǎn)線圈在復(fù)合磁性體層14的內(nèi)部配置有線圈形成導(dǎo)體13和通孔導(dǎo)體12。并且該觸點(diǎn)線圈在復(fù)合磁性體層14的側(cè)面形成有外部端子電極11。而且上述復(fù)合磁性材料適用于該復(fù)合磁性體層14。以上為電子部件的部分例示，本發(fā)明的復(fù)合磁性材料還適用于基板等其它電子部件。
第1生料經(jīng)噴霧干燥機(jī)干燥，進(jìn)行顆?；?。此時(shí)的噴霧、干燥條件沒有特別的限定，最好設(shè)定的條件使顆粒粉的粒徑達(dá)到200μm或小于200μm。
所得到的顆粒粉在1250℃的溫度下燒結(jié)1小時(shí)，從而制備得到作為復(fù)合氧化物燒結(jié)體的鈦酸鋇。在該燒結(jié)體中添加水，并按相對(duì)于燒結(jié)體重量1％的比例添加分散劑(東亞合成社制A-30SL)后，用球磨機(jī)進(jìn)行48小時(shí)的粉碎，從而制成含有作為1次粒子的平均粒徑為0.3μm的粉末的生料(第2生料)。相對(duì)于粉末的總重量，向該第2生料中添加2重量％的稀釋為10重量％濃度的PVA(聚乙烯醇)，進(jìn)而進(jìn)行調(diào)整以使第2生料中的粉末含量達(dá)到40重量％。
對(duì)第2生料使用噴霧干燥法，制成顆粒粉。所使用的噴霧干燥機(jī)為藤崎電機(jī)(株)制的MDL-050，采用4流體方式的噴嘴，使送液量為40cc/min，噴嘴氣量為160NL/min，給氣溫度為190℃。所得到的顆粒粉的平均粒徑為9.7μm。
并且認(rèn)識(shí)到，改變制備1次粒子時(shí)球磨機(jī)的條件，除了使用平均粒徑為1.5μm的粉末作為1次粒子外，其它與上述相同地制備顆粒粉，顆粒粉的平均粒徑達(dá)到58μm，難于使平均粒徑達(dá)到30μm或小于30μm。
以氮?dú)庾鳛檩d氣，將制得的顆粒粉供給到由陶瓷管構(gòu)成的、以電為加熱源的加熱爐中。爐內(nèi)溫度(加熱處理溫度)為1650℃。此外，進(jìn)行調(diào)節(jié)以使載氣的流量達(dá)到1 L/min，顆粒粉在陶瓷管中的滯留時(shí)間達(dá)到1～10秒左右。
對(duì)于通過陶瓷管的粉末，通過熒光X射線分析裝置的X射線衍射，對(duì)組織進(jìn)行觀察。X射線衍射的結(jié)果示于圖2。如圖2所示，由于只觀察到鈦酸鋇(BaTiO3)的峰，因此確認(rèn)所制備得到的粉末為由鈦酸鋇(BaTiO3)單相構(gòu)成的陶瓷粉末。鈦酸鋇(BaTiO3)的熔點(diǎn)為1637℃。
此外，對(duì)制備得到的鈦酸鋇粉末用SEM(掃描電子顯微鏡)進(jìn)行觀察。其結(jié)果確認(rèn)，該粉末的粒徑為0.1～10μm左右，非常接近真球狀，而且這些粉末沒有凝集。進(jìn)而判明所測(cè)定的平均粒徑為2.5μm左右，且球形度約為1。進(jìn)而，將通過SEM獲得的粉末擴(kuò)大照片示于圖3中，對(duì)每個(gè)粒子進(jìn)行詳細(xì)的觀察，發(fā)現(xiàn)在整個(gè)粒子表面存在具有對(duì)稱性的結(jié)晶面的小平面(ファセツト)，為在粒子內(nèi)不含粒界的單晶粒子。
此外，通過TEM(透射電子顯微鏡)對(duì)制備得到的粉末進(jìn)行觀察。電子射線的衍射像示于圖4中，可以確認(rèn)其具有粉末單晶特有的規(guī)則性。比較例1除了將加熱溫度變?yōu)?400℃外，其余與實(shí)施例1相同地制備得到鈦酸鋇粉末。制備得到的粉末通過SEM獲得的粉末的放大照片示于圖5中。從圖5可以觀察到，在鈦酸鋇粒子的表面存在著粒界。進(jìn)而，將電子射線衍射像示于圖6中，從該電子射線解析像的結(jié)果可以確認(rèn)其不為單晶。
構(gòu)成所得粉末的粒子的平均粒徑為2.5μm，其為形狀非常接近真球狀的微粒子。此外，觀察到整個(gè)粒子表面存在具有對(duì)稱性的結(jié)晶面的小平面，為在粒子內(nèi)不含粒界的單晶粒子。
對(duì)制備得到的粒子進(jìn)行觀察，可以確認(rèn)其生成了與實(shí)施例2基本相同的單晶粒子。
第1生料經(jīng)噴霧干燥機(jī)干燥，進(jìn)行顆?；?。此時(shí)的噴霧、干燥條件沒有特別的限定，最好設(shè)定的條件使顆粒粉的粒徑達(dá)到200μm或小于200μm。
所得到的顆粒粉在1000℃的溫度下燒結(jié)1小時(shí)，從而制備得到復(fù)合氧化物燒結(jié)體。在該燒結(jié)體中添加水，并按相對(duì)于燒結(jié)體重量1％的比例添加分散劑(東亞合成社制A-30SL)后，用球磨機(jī)進(jìn)行48小時(shí)的粉碎，從而制成含有作為1次粒子的平均粒徑為0.3μm的粉末的生料(第2生料)。相對(duì)于粉末的總重量，向該第2生料中添加2重量％的稀釋為10重量％濃度的PVA(聚乙烯醇)溶液，進(jìn)而進(jìn)行調(diào)整以使第2生料中的粉末含量達(dá)到60重量％。
對(duì)第2生料使用噴霧干燥法，制成顆粒粉。所使用的噴霧干燥機(jī)為藤崎電機(jī)(株)制的MDL-050，采用4流體方式的噴嘴，使送液量為40cc/min，噴嘴氣量為160NL/min，給氣溫度為190℃。所得到的顆粒粉的平均粒徑為8.9μm。
以氮?dú)庾鳛檩d氣，將制得的顆粒粉供給到由陶瓷管構(gòu)成的、以電為加熱源的加熱爐中。爐內(nèi)溫度(加熱處理溫度)為1500℃。此外，進(jìn)行調(diào)節(jié)以使載氣的流量達(dá)到0.8L/min，顆粒粉在陶瓷管中的滯留時(shí)間達(dá)到1～10秒左右。這樣，由顆粒粉制備得到陶瓷粉末(磁性鐵素體材料)。
對(duì)于制備得到的陶瓷粉末，通過熒光X射線分析裝置的X射線衍射，對(duì)組織進(jìn)行觀察。其結(jié)果沒有觀察到Fe2O3、Fe3O4、FeO、NiFe2O4、ZnFe2O4、CuFe2O4的峰，因此確認(rèn)所制備得到的粉末為由Ni-Cu-Zn鐵素體單相構(gòu)成的陶瓷粉末。
此外，對(duì)制備得到的Ni-Cu-Zn鐵素體粉末用SEM進(jìn)行觀察。其結(jié)果確認(rèn)，該粉末的粒徑為0.1～10μm左右，非常接近真球狀，而且這些粉末沒有凝集。進(jìn)而測(cè)定其平均粒徑為2.5μm左右，且球形度約為1。進(jìn)而，將通過SEM獲得的粉末擴(kuò)大照片示于圖7中，對(duì)每個(gè)粒子進(jìn)行詳細(xì)的觀察，發(fā)現(xiàn)在整個(gè)粒子表面存在具有對(duì)稱性的結(jié)晶面的小平面，為在粒子內(nèi)不含粒界的單晶粒子。
此外，用振動(dòng)磁力計(jì)對(duì)單晶陶瓷粉末的磁特性進(jìn)行測(cè)定。結(jié)果示于表1和圖8。該磁特性在后面介紹。
進(jìn)而，將制備得到的單晶陶瓷粉末混合到環(huán)氧樹脂中，其含有率為40體積％，制備得到生料(以下稱為第3生料)。此時(shí)，作為環(huán)氧樹脂，其主成分含有作為多官能環(huán)氧樹脂的エピビス型環(huán)氧樹脂(油化シエル環(huán)氧社制エピコ一ト1001及エピコ一ト1007)，平均含量為26.9重量％；雙酚A型高分子環(huán)氧樹脂(油化シエル環(huán)氧社制エピコ一ト1225)，含量為23.1重量％；作為含有特殊骨架的環(huán)氧樹脂的四苯酚基乙烷型環(huán)氧樹脂(油化シエル環(huán)氧社制エピコ一ト1031S)，含量為23.1重量％。添加作為固化劑的雙酚A型酚醛清漆樹脂(油化シエル環(huán)氧社制YLH129B65)，作為固化促進(jìn)劑的咪唑化合物(四國(guó)化成工業(yè)社制2E4MZ)，并將上述物質(zhì)溶解于甲苯及甲乙酮中。向其中添加鐵素體單晶粒子，用球磨機(jī)進(jìn)行分散、混合。
將這樣得到的第3生料涂覆于玻璃布上，制作半固化狀態(tài)的聚酯膠片(プリプレグ)，作為基板的原材料。使聚酯膠片成為半固化狀態(tài)的熱處理?xiàng)l件為100℃、加熱2小時(shí)。此外，玻璃布為H玻璃、E玻璃、D玻璃等，無特別的限定，可以根據(jù)不同的要求特性分別使用，但在這里使用E玻璃。此外，玻璃的厚度可以根據(jù)要求使用所需的適宜厚度，在這里使用的厚度為100μm。按規(guī)定片數(shù)重疊制備得到的半固化狀態(tài)的聚酯膠片，在加壓、加熱的條件下制成厚度約為0.4mm的復(fù)合磁性材料。測(cè)定該基板的頻率特性—導(dǎo)磁率。結(jié)果示于圖10。比較例2向按摩爾比為45.3∶47.1∶7.6稱量的氧化鐵(Fe2O3)粉末、氧化鎳(NiO2)粉末及氧化鋅(ZnO)粉末中加入水，用球磨機(jī)混合12小時(shí)，制備得到生料(以下稱為第1生料)?；旌锨?，按相對(duì)于粉末重量1％的比例添加分散劑(東亞合成社制A-30SL)。
第1生料經(jīng)噴霧干燥機(jī)干燥，進(jìn)行顆粒化。
所得到的顆粒粉在1000℃的溫度下燒結(jié)1小時(shí)，從而制備得到復(fù)合氧化物燒結(jié)體。用球磨機(jī)對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行12小時(shí)的粉碎，從而制得平均粒徑為3μm的粉末。與實(shí)施例4相同地對(duì)該粉末進(jìn)行磁特性的測(cè)定。其結(jié)果示于表1及圖9。
除了使用制備得到的粉末外，其余與實(shí)施例4相同地制備復(fù)合磁性材料，并測(cè)定其頻率特性—導(dǎo)磁率。結(jié)果示于圖10。
表1

實(shí)施例4及比較例2中測(cè)定的磁特性從表1中可以看到，與比較例2中制備的粉末相比，實(shí)施例4中制備得到的鐵素體粉末，其飽和磁通量密度提高。此外，實(shí)施例4及比較例2中制得的粉末的磁滯曲線示于圖8及圖9中，通過比較實(shí)施例4和比較例2的結(jié)果，可以看到，實(shí)施例4的磁滯損失降低，作為磁性鐵素體材料，其為低損失物質(zhì)。此外，如圖10所示，通過比較實(shí)施例4和比較例2中的頻率特性—導(dǎo)磁率，可以看到，實(shí)施例4中的復(fù)合磁性材料超過1000MHz的區(qū)域高達(dá)20％。實(shí)施例5首先向按1∶1的摩爾比分別稱量的氧化鎂(MgO)粉末、氧化鈦(TiO2)粉末中添加水，用球磨機(jī)混合12小時(shí)，由此制得生料(第1生料)。混合時(shí)按相對(duì)于粉末總重量1％的比例添加分散劑(東亞合成社制A-30SL)。
該第1生料經(jīng)噴霧干燥機(jī)進(jìn)行干燥、顆?；?，制得復(fù)合氧化物顆粒。此時(shí)的干燥噴霧條件沒有限定，可以設(shè)定條件使顆粒徑達(dá)到200μm或小于200μm。
該顆粒在1250℃的溫度下燒結(jié)1小時(shí)，使復(fù)合氧化物反應(yīng)并燒結(jié)。其后，向該復(fù)合氧化物中添加水及分散劑(東亞合成社制A-30SL)，再次用球磨機(jī)粉碎48小時(shí)，制得由平均粒徑為0.5μm的微粉末構(gòu)成的生料(第2生料)。相對(duì)于粉末的總重量，向該第2生料中添加2重量％的濃度稀釋為10重量％的PVA(聚乙烯醇)溶液，進(jìn)一步調(diào)整使第2生料中粉末的重量比達(dá)到40重量％。
對(duì)第2生料使用噴霧干燥法，制得顆粒粉。使用的噴霧干燥機(jī)為藤崎電機(jī)(株)制的MDL-050，采用4流體方式的噴嘴，送液量為40cc/min，噴嘴氣量為160NL/min，給氣溫度為190℃。制備的顆粒粉的平均粒徑為9.7μm。
隨后，以氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w作為載氣，將上述制得的顆粒粉供給到加熱至1600℃的陶瓷管中。通過調(diào)節(jié)載氣的流量，使生成粉末的滯留時(shí)間達(dá)到1～10秒左右。
對(duì)于通過陶瓷管的粉末，從用熒光X射線分析裝置得到的X射線衍射的結(jié)果可以看到鈦酸鎂的單相。此外，對(duì)制得的鈦酸鎂粉末用SEM進(jìn)行觀察，可以確認(rèn)該粉末沒有凝集。此外，可以看到，各粉末的粒徑為0.1～10μm左右，由非常接近真球狀的微粒子組成，平均粒徑約為1.5μm，球形度約為1。對(duì)每個(gè)粒子進(jìn)行仔細(xì)的觀察，可以發(fā)現(xiàn)整個(gè)粒子表面存在具有對(duì)稱性的結(jié)晶面的小平面，為在粒子內(nèi)不含有界面的單晶粒子。
稱量與上述單晶粉末燒結(jié)溫度不同的玻璃材料(日本電氣硝子制MgO·B2O3·SiO2系玻璃GA-60、平均粒徑0.15μm)，使上述單晶粉末含量達(dá)到65體積％，將聚乙烯醇縮丁醛(積水化學(xué)エスレツクBH-3)溶解于甲苯和乙醇的混合溶劑中，然后混入生料中，制備得到電介質(zhì)生料。
混合使用球磨機(jī)，能夠使混合分散均勻。將其用刮勻涂裝法成型為厚度約為200μm的生膜。其后，將生膜積層成約1300μm的厚度，在900℃下保持2小時(shí)的條件下進(jìn)行燒結(jié)，制得燒結(jié)體。進(jìn)而，將該燒結(jié)體制成長(zhǎng)8mm、寬1mm、厚1mm的帶狀試料，測(cè)定其介電常數(shù)及品質(zhì)系數(shù)Q(＝1/tanδ)。作為比較例3，在900℃下保持2小時(shí)的條件下只對(duì)上述玻璃材料進(jìn)行燒結(jié)，測(cè)定燒結(jié)體的特性，結(jié)果示于表2中。
實(shí)施例5雖然在900℃的低溫下燒結(jié)，但與玻璃單體相比，能夠制備得到具有大Q的復(fù)合材料。此外，實(shí)施例5由于使用單晶鈦酸鎂粉末，在燒結(jié)工序中，鈦酸鎂粉末與玻璃的反應(yīng)被控制在表面，因此能夠?qū)⑩佀徭V所具有的Q的降低控制在最小的限度內(nèi)。其結(jié)果是制備得到了具有高Q值的復(fù)合材料。
表2

測(cè)定頻率2GHz實(shí)施例6準(zhǔn)備好實(shí)施例4中制備得到的單晶鐵素體粉末。另一方面，準(zhǔn)備好氧化鐵(Fe2O3)、氧化鎳(NiO2)、氧化銅(CuO)及氧化鋅(ZnO)按摩爾比45.3∶47.1∶5.0∶7.6組成的，通過固相反應(yīng)法(燒結(jié)法)制備的，平均粒徑為0.07μm的多晶鐵素體粉末。稱量單晶鐵素體粉末及多晶鐵素體粉末，使上述單晶鐵素體粉末的含量達(dá)到65體積％，進(jìn)行混合。將該混合粉末成型為回旋形狀后，在900℃的溫度下保持1小時(shí)，從而制得燒結(jié)體。為了使感應(yīng)系數(shù)值L達(dá)到1μH，對(duì)該燒結(jié)體進(jìn)行卷線，制得評(píng)價(jià)用的試料。對(duì)該試料進(jìn)行直流重疊特性的評(píng)價(jià)。作為比較例4，對(duì)于只由上述多晶鐵素體粉末組成的燒結(jié)體進(jìn)行同樣的評(píng)價(jià)。結(jié)果示于圖13(實(shí)施例6)及圖14(比較例4)中，可以看到，對(duì)于單晶鐵素體粉末與多晶鐵素體粉末混合的實(shí)施例6，其感應(yīng)系數(shù)值L的變化小，可以在高電流下使用。
如以上說明所述，根據(jù)本發(fā)明能夠制備得到球狀且為單晶的單晶陶瓷粉末。
權(quán)利要求
1.一種單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，其包括將由陶瓷成分組成的粉體與載氣一起供給到加熱處理區(qū)域的粉體供給工序、將供給到上述加熱處理區(qū)域中的上述粉體加熱到該粉體的熔點(diǎn)以上的加熱處理工序、以及通過冷卻在上述加熱處理工序中制得的生成物而制備得到單晶陶瓷粉末的冷卻工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，上述單晶陶瓷粉末的球形度為0.9或大于0.9。
3.根據(jù)權(quán)利要求1記載的單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，在上述加熱處理工序中，將上述由陶瓷成分組成的粉體熔融而形成熔融物。
4.根據(jù)權(quán)利要求3記載的單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，上述加熱處理工序是在電氣管狀爐中進(jìn)行的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1記載的單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，上述由陶瓷成分組成的粉體是由50μm或小于50μm的粒子形成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1記載的單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，上述由陶瓷成分組成的粉體為由平均粒徑是1μm或小于1μm的1次粒子形成的顆粒。
7.一種單晶陶瓷粉末的制備方法，其特征在于，通過邊使由陶瓷成分組成的粉體浮游，邊使其在加熱爐中移動(dòng)，然后冷卻所制得的生成物，從而制備得到球形度為0.9或大于0.9的單晶陶瓷粉末。
8.一種單晶陶瓷粉末，其特征在于，平均粒徑為0.1～30μm，且具有0.9或大于0.9的球形度。
9.根據(jù)權(quán)利8記載的單晶陶瓷粉末，其特征在于，上述單晶陶瓷粉末由氧化物磁性材料構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8記載單晶陶瓷粉末，其特征在于，上述單晶陶瓷粉末由氧化物電介質(zhì)材料構(gòu)成。
11.根據(jù)權(quán)利要求8記載的單晶陶瓷粉末，其特征在于，上述單晶陶瓷粉末的平均粒徑為1～20μm。
12.一種復(fù)合材料，其特征在于，其為由磁性體材料或電介質(zhì)材料組成的單晶球狀氧化物粉末與分散并保持上述球狀氧化物粉末的結(jié)合材料組成的復(fù)合材料，上述單晶球狀氧化物粉末的平均粒徑為0.1～30μm、球形度為0.9或大于0.9。
13.根據(jù)權(quán)利要求12記載的復(fù)合材料，其特征在于，上述結(jié)合材料由樹脂構(gòu)成。
14.根據(jù)權(quán)利要求13記載的復(fù)合材料，其特征在于，上述球狀氧化物粉末的含量在30～98重量％的范圍內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12記載的復(fù)合材料，其特征在于，上述球狀氧化物粉末由電介質(zhì)材料構(gòu)成，上述結(jié)合材料由比構(gòu)成上述球狀氧化物粉末的電介質(zhì)材料的熔點(diǎn)低的電介質(zhì)材料構(gòu)成。
16.根據(jù)權(quán)利要求12記載的復(fù)合材料，其特征在于，上述球狀氧化物粉末的量為30～70體積％。
17.根據(jù)權(quán)利要求12記載的復(fù)合材料，其特征在于，上述球狀氧化物粉末由磁性體材料構(gòu)成，上述結(jié)合材料由比構(gòu)成上述球狀氧化物粉末的磁性體材料熔點(diǎn)低的磁性體材料構(gòu)成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17記載的復(fù)合材料，其特征在于，上述球狀氧化物粉末的量為30～70體積％。
19.一種電子部件，其為在電介質(zhì)層中配置有內(nèi)部金屬電極的電子部件，其特征在于，上述電介質(zhì)層為由電介質(zhì)材料組成的單晶球狀氧化物粉末與分散并保持上述球狀氧化物粉末的結(jié)合材料組成的復(fù)合材料構(gòu)成，上述球狀氧化物粉末的平均粒徑為0.1～30μm，球形度為0.9或大于0.9。
20.一種電子部件，其為在磁性層中配置有內(nèi)部金屬電極的電子部件，其特征在于，上述磁性體層為由磁性體材料組成的單晶球狀氧化物粉末與分散并保持上述球狀氧化物粉末的結(jié)合材料組成的復(fù)合材料構(gòu)成，上述球狀氧化物粉末的平均粒徑為0.1～30μm，球形度為0.9或大于0.9。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種陶瓷粉末的制備方法,其包含:將由陶瓷成分組成的粉體與載氣一起供給到加熱處理區(qū)域的粉體供給工序、將被供給到上述加熱處理區(qū)域中的上述粉體加熱到單晶化所必需溫度的加熱處理工序、以及通過將在上述加熱處理工序中制得的生成物冷卻而制備得到單晶陶瓷粉末的冷卻工序。根據(jù)該制備方法,能夠制備得到球形度為0.9或大于0.9、且粒徑小的陶瓷粉末。
文檔編號(hào)C01B13/14GK1389433SQ02121729
公開日2003年1月8日 申請(qǐng)日期2002年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月31日
發(fā)明者稔高谷, 義昭赤地, 博幸上松, 恒小更 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社