一種硅片研磨裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種研磨裝置，具體涉及一種硅片研磨裝置，屬于機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
[0002]目前在半導(dǎo)體鍍膜、太陽能鍍膜生產(chǎn)中，會用到大量的多晶硅靶材，多晶硅靶材主要由多晶硅片拼接綁定而成。多晶硅片一般由提拉硅或壓鑄硅來加工，提拉硅或壓鑄硅原料一般會加工成方形的的片狀，但由切片機(jī)切出來的片，表面粗糙度達(dá)不到產(chǎn)品的要求，需要通過研磨后獲得。目前的方法多采用單面研磨機(jī)或雙面研磨機(jī)類似的設(shè)備進(jìn)行研磨，這種方法均要通過相應(yīng)的工裝進(jìn)行裝夾后才能進(jìn)行，單面研磨通過將片粘在底板上或?qū)Ｓ霉ぱb上進(jìn)行研磨，雙面研磨需定制專用的游星輪進(jìn)行研磨。這兩種方法設(shè)備投資大，效率低，成本高。
[0003]在公告號為CN201998067U的中國專利文獻(xiàn)中提出了一種單晶硅片研磨機(jī)的研磨盤，如圖1所不，該研磨盤包括包括基盤6，基盤6與動力輸出設(shè)備5相連接，基盤6的下方設(shè)置有球墨鑄鐵研磨層7，整個研磨盤的下面是與之相適配的底盤8，單晶硅片就放在底盤8上，動力輸出設(shè)備5驅(qū)動整個研磨盤轉(zhuǎn)動，研磨單晶硅片。該技術(shù)方案雖然會使得研磨精度高，不造成原料浪費(fèi)。但是該技術(shù)方案將磨盤置于硅片的上方研磨，因磨盤體積大且沉，會占據(jù)大量空間，在研磨過程中將產(chǎn)生很大的振動和噪聲，同時容易造成支撐支架的損壞，影響設(shè)備的使用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種硅片研磨裝置，該硅片研磨裝置能夠節(jié)省設(shè)備的空間和材料損耗，操作方便，成本低，結(jié)構(gòu)簡單，研磨效果好。
[0005]本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:
[0006]—種硅片研磨裝置，包括一硅片固定裝置、研磨盤，所述研磨盤設(shè)置于硅片固定裝置下方。
[0007]其中，所述硅片固定裝置為一圓形壓板，所述硅片固定裝置在下表面上開設(shè)有與硅片尺寸相對應(yīng)的方形槽，所述方形槽的四角以圓弧連接，所述硅片固定裝置的上表面中心區(qū)域設(shè)置有一凸起的定位柱，所述定位柱中心位置設(shè)置有一頂針孔。
[0008]其中，所述方形槽的深度為硅片厚度的三分之二。
[0009]其中，所述研磨盤為轉(zhuǎn)動件，所述研磨盤為一直徑大于硅片固定裝置直徑的圓形板，所述研磨盤上設(shè)置有多道圓環(huán)形槽。
[0010]其中，在所述方形槽底面還設(shè)置有墊片，所述墊片包括增高層和緩沖層，所述增高層設(shè)置于所述緩沖層上。
[0011 ]本實(shí)用新型具有如下有益效果:
[0012]1、本實(shí)用新型成本低、安裝簡便、使用簡單、易操作；
[0013]2、本實(shí)用新型底板的開槽尺寸根據(jù)硅片大小可以開成不同的規(guī)格；
[0014]3、本實(shí)用新型當(dāng)需要加快研磨速度時可以在底板上加壓鐵，以提高效率；
[0015]4、本實(shí)用新型研磨盤設(shè)置在下方，能夠節(jié)省設(shè)備的空間和材料損耗，并且能夠減少在研磨過程中產(chǎn)生的振動和噪聲，提高研磨質(zhì)量。
【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有技術(shù)一種單晶硅片研磨機(jī)的研磨盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2為本實(shí)用新型的一種硅片研磨裝置的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖3是本實(shí)用新型的一種硅片研磨裝置的硅片固定裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0019]圖4是本實(shí)用新型的一種硅片研磨裝置的硅片固定裝置底面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖5是本實(shí)用新型的一種硅片研磨裝置的研磨盤的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021 ]圖6是本實(shí)用新型的一種硅片研磨裝置的硅片示意圖；
[0022]圖7是本實(shí)用新型的一種硅片研磨裝置的硅片固定裝置的截面示意圖。
[0023]圖中附圖標(biāo)記表示為:
[0024]1-娃片固定裝置、11-方形槽、12-圓弧、13-定位柱、14-頂針孔、2-研磨盤、21-圓環(huán)形槽、3-硅片、4-墊片、41-增高層、42-緩沖層、5-動力輸出設(shè)備、6-基盤、7-球墨鑄鐵研磨層、8-底盤。
具體實(shí)施例
[0025]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例來對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0026]實(shí)施例1，參見圖2、圖3、圖4、圖5、圖6，一種硅片研磨裝置，包括一硅片固定裝置1、研磨盤2，所述研磨盤2設(shè)置于硅片固定裝置I下方。
[0027]所述硅片固定裝置I為一圓形壓板，所述硅片固定裝置I在下表面上開設(shè)有與硅片3尺寸相對應(yīng)的方形槽11，所述方形槽11的四角以圓弧12連接，所述方形槽11深度小于硅片3厚度，最優(yōu)為硅片3厚度的三分之二，所述硅片固定裝置I的上表面中心區(qū)域設(shè)置有一凸起的定位柱13，所述定位柱13中心位置設(shè)置有一頂針孔14;所述研磨盤2為轉(zhuǎn)動件，所述研磨盤2為一直徑大于硅片固定裝置I直徑的圓形板，所述研磨盤2上設(shè)置有多道圓環(huán)形槽21，所述圓環(huán)形槽21的主要作用是在研磨時儲存砂，以提高研磨效率。
[0028]實(shí)施例2，參見圖7，在所述方形槽11底面還設(shè)置有墊片4，所述墊片4包括增高層41和緩沖層42，所述增高層41設(shè)置于所述緩沖層42上。
[0029]以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例，并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍，凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種硅片研磨裝置，其特征在于:包括一硅片固定裝置(I)、研磨盤(2)，所述研磨盤(2)設(shè)置于硅片固定裝置(I)下方。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片研磨裝置，其特征在于:所述硅片固定裝置(I)為一圓形壓板，所述硅片固定裝置(I)在下表面上開設(shè)有與硅片(3)尺寸相對應(yīng)的方形槽(11)，所述方形槽(11)的四角以圓弧(12)連接，所述硅片固定裝置(I)的上表面中心區(qū)域設(shè)置有一凸起的定位柱(13)，所述定位柱(13)中心位置設(shè)置有一頂針孔(14)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅片研磨裝置，其特征在于:所述方形槽(11)的深度為硅片(3)厚度的三分之二。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅片研磨裝置，其特征在于:所述研磨盤(2)為轉(zhuǎn)動件，所述研磨盤(2)為一直徑大于硅片固定裝置(I)直徑的圓形板，所述研磨盤(2)上設(shè)置有多道圓環(huán)形槽(21)。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅片研磨裝置，其特征在于:在所述方形槽(11)底面還設(shè)置有墊片(4)，所述墊片(4)包括增高層(41)和緩沖層(42)，所述增高層(41)設(shè)置于所述緩沖層(42)上。
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種研磨裝置，具體涉及一種硅片研磨裝置，屬于機(jī)械技術(shù)領(lǐng)域。一種硅片研磨裝置，包括一硅片固定裝置、研磨盤，所述研磨盤設(shè)置于硅片固定裝置下方。該硅片研磨裝置能夠節(jié)省設(shè)備的空間和材料損耗，操作方便，成本低，結(jié)構(gòu)簡單，研磨效果好。
【IPC分類】B24B37/16, B24B37/30
【公開號】CN205271696
【申請?zhí)枴緾N201521124657
【發(fā)明人】陳欽忠, 鄧全清
【申請人】福建阿石創(chuàng)新材料股份有限公司
【公開日】2016年6月1日
【申請日】2015年12月31日