理在合適的溫度環(huán)境下進行，以促使蝕刻反應充分快速發(fā)生。
[0034]圖2所示為一種優(yōu)選的實施方式。如圖2所示，蝕刻裝置包括第一蝕刻槽1、第二蝕刻槽2和第三蝕刻槽3，第一罐11向第三蝕刻槽3供應化學品，第二罐12接收第二蝕刻槽2和第三蝕刻槽3中經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，第二罐12向第一蝕刻槽至第三蝕刻槽1-3供應化學品，第一蝕刻槽I內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品作為廢液15排出，第二蝕刻槽2內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品的一部分作為廢液15排出。
[0035]在待蝕刻物品依次經(jīng)過蝕刻槽1-3并完成蝕刻處理后，在水洗槽5內(nèi)進行水洗處理，以除去殘留的化學品，準備進入下一工序。對于圖3和圖4所示的實施方式類似，不再描述。
[0036]圖3所示為另一種優(yōu)選實施方式。如圖3所示，蝕刻裝置包括第一蝕刻槽1、第二蝕刻槽2、第三蝕刻槽3和第四蝕刻槽4，第一罐11向第四蝕刻槽4供應化學品，第二罐12接收第二蝕刻槽2、第三蝕刻槽3和第四蝕刻槽4中經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，第二罐12向第一蝕刻槽至第三蝕刻槽1-3供應化學品，第一蝕刻槽I內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品作為廢液15排出，第二蝕刻槽2內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品的一部分作為廢液15排出。
[0037]為了進一步提高化學品的使用效率，減少單件待蝕刻物品上化學品的使用量，優(yōu)選地，第二罐12也接收全新的化學品，從而使第一罐11和第二罐12中均有全新的化學品，每個蝕刻槽可選擇地接收第一罐11或第二罐12的化學品，每個蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品可選擇地回流至第一罐11或第二罐12，第一罐11和第二罐12內(nèi)的化學品的一部分作為廢液15排出。
[0038]按照該優(yōu)選的技術方案，第一罐11和第二罐12可以不同時工作，例如在第一罐11向各個蝕刻槽供應化學品時，第二罐12可以休整備用、接收全新的化學品或排出廢液;反之亦然。類似地，每個蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過反應后的化學品可以根據(jù)需要或工況排入第一罐11或第二罐12。
[0039]由于第一罐11和第二罐12的交替工作模式，從而使得平均分配到每個待蝕刻物品上的化學品消耗量降低。
[0040]如圖4所示，所述蝕刻裝置包括第一蝕刻槽1、第二蝕刻槽2、第三蝕刻槽3和第四蝕刻槽4，其中:第一罐11向第四蝕刻槽4供應化學品(如箭頭22所示)，第二罐12接收第二蝕刻槽2、第三蝕刻槽3和第四蝕刻槽4中經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，第二罐12向第一蝕刻槽至第三蝕刻槽1-3供應化學品(如箭頭21所示)，第一蝕刻槽I內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品作為廢液15排出，第二蝕刻槽2內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品的一部分作為廢液15排出；并且第一蝕刻槽至第四蝕刻槽1-4均可選擇地接收第一罐11或第二罐12的化學品(如箭頭23所示)，第一蝕刻槽至第四蝕刻槽1-4中的每個蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品可選擇地回流至第一罐11或第二罐12。
[0041]通過比較圖4所示的實施方式以及圖1、圖2和圖3所示的實施方式可知，圖4所示的實施方式是將兩種實施方式組合起來，從而能夠繼承二者的優(yōu)點:既能夠獲得較好均勻性或一致性的蝕刻效果，也能夠提高化學品的使用效率。
[0042]此外，優(yōu)選地，如圖4所示，蝕刻裝置還包括連接于第一罐11和第二罐12的輔助管路24，該輔助管路24用于向第一罐11和/或第二罐12供應輔助全新化學品，該輔助全新化學品具有比前述全新化學品更高的有效成份濃度，因此如果發(fā)現(xiàn)一旦第一罐11和/或第二罐12中的有效成份濃度有降低，將可以通過補充該輔助全新化學品來迅速提高，以保證蝕刻工藝的正常進行。
[0043]進一步優(yōu)選地，為了獲得自動化的化學品分配方式，該蝕刻裝置還包括:檢測器，該檢測器用于在運行時實時檢測各個所述蝕刻槽內(nèi)化學品的有效成份的濃度;和控制器，該控制器與所述檢測器電連接，以接收表示各個蝕刻槽內(nèi)化學品有效成份的濃度的信息，并根據(jù)該信息控制化學品的供應過程。
[0044]檢測器可以為實時化學傳感器，用于實時監(jiān)測各個蝕刻槽的化學品的有效成份濃度，并將該信息發(fā)送給控制器。而控制器則會根據(jù)各個蝕刻槽內(nèi)化學品有效成份的濃度的信息，對化學品的供應過程進行調(diào)整。比如，輸送到第一罐11的全新化學品的流量，或者從第一罐11輸送到最后一個蝕刻槽的化學品的流量。上述工程參數(shù)還可包括化學品的輸送時間等。
[0045]例如，當檢測發(fā)現(xiàn)最后一個蝕刻槽4的有效成份濃度不足時，或者當檢測發(fā)現(xiàn)第一個蝕刻槽I的有效成份濃度過低時，則可以通過控制化學品的供應過程使第一罐11和/或第二罐12中的化學品的有效成份濃度作出適應的變化。
[0046]以上結合附圖詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細節(jié)，在本發(fā)明的技術構思范圍內(nèi)，可以對本發(fā)明的技術方案進行多種簡單變型，這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護范圍。另外需要說明的是，在上述【具體實施方式】中所描述的各個具體技術特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進行組合。為了避免不必要的重復，本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。
[0047]此外，本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進行任意組合，只要其不違背本發(fā)明的思想，其同樣應當視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。
【主權項】
1.蝕刻裝置，該蝕刻裝置包括: 多個蝕刻槽，該多個蝕刻槽允許待蝕刻物品依次經(jīng)過而得以蝕刻處理;和 化學品供應裝置，該化學品供應裝置包括: 第一罐(11)，該第一罐(11)接收全新的化學品并向最后一個蝕刻槽供應化學品;和 第二罐(12)，該第二罐(12)接收除第一蝕刻槽之外的所有蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，并至少向除最后一個蝕刻槽之外的所有蝕刻槽供應經(jīng)過蝕刻處理后的化學品。2.根據(jù)權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，在所述多個蝕刻槽中，最后一個蝕刻槽的化學品具有最高的有效成份濃度，第一個蝕刻槽的化學品具有最低的有效成份濃度。3.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻裝置，其特征在于，從第一個蝕刻槽到最后一個蝕刻槽，供應于各個蝕刻槽的化學品的有效成份濃度不是遞減的。4.根據(jù)權利要求1所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述蝕刻裝置還包括溫度控制罐(10)，所述全新的化學品通過該溫度控制罐(10)而連通于所述第一罐(11)。5.根據(jù)權利要求1-4中任意一項所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述多個蝕刻槽包括第一蝕刻槽至第三蝕刻槽(1-3)，所述第一罐(11)向所述第三蝕刻槽(3)供應化學品，所述第二罐(12)接收所述第二蝕刻槽(2)和第三蝕刻槽(3)中經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，所述第二罐(12)向所述第一蝕刻槽至第三蝕刻槽(1-3)供應化學品，所述第一蝕刻槽(I)內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品作為廢液(15)排出，所述第二蝕刻槽(2)內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品的一部分作為廢液(15)排出。6.根據(jù)權利要求1-4中任意一項所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述多個蝕刻槽包括第一蝕刻槽至第四蝕刻槽(1-4)，所述第一罐(11)向所述第四蝕刻槽(4)供應化學品，所述第二罐(12)接收所述第二蝕刻槽(2)、第三蝕刻槽(3)和第四蝕刻槽(4)中經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，所述第二罐(12)向所述第一蝕刻槽至第三蝕刻槽(1-3)供應化學品，所述第一蝕刻槽(I)內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品作為廢液(15)排出，所述第二蝕刻槽(2)內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品的一部分作為廢液(15)排出。7.根據(jù)權利要求1-4中任意一項所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述第二罐(12)接收全新的化學品，每個蝕刻槽可選擇地接收所述第一罐(11)或第二罐(12)的化學品，每個蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品可選擇地回流至所述第一罐(11)或第二罐(12)，所述第一罐(11)和第二罐(12)內(nèi)的化學品的一部分作為廢液(15)排出。8.根據(jù)權利要求7所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述多個蝕刻槽包括第一蝕刻槽至第四蝕刻槽(1-4)，其中: 所述第一罐(11)向所述第四蝕刻槽(4)供應化學品，所述第二罐(12)接收所述第二蝕刻槽(2)、第三蝕刻槽(3)和第四蝕刻槽(4)中經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，所述第二罐(12)向所述第一蝕刻槽至第三蝕刻槽(1-3)供應化學品，所述第一蝕刻槽(I)內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品作為廢液(15)排出，所述第二蝕刻槽(2)內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品的一部分作為廢液(15)排出；并且 所述第一蝕刻槽至第四蝕刻槽(1-4)均可選擇地接收所述第一罐(11)或第二罐(12)的化學品，所述第一蝕刻槽至第四蝕刻槽(1-4)中的每個蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品可選擇地回流至所述第一罐(11)或第二罐(12)。9.根據(jù)權利要求7所述的蝕刻裝置，其特征在于，所述蝕刻裝置還包括連接于所述第一罐(11)和第二罐(12)的輔助管路(24)，該輔助管路(24)用于向所述第一罐(11)和/或第二罐(12)供應輔助全新化學品，該輔助全新化學品具有更高的有效成份濃度。10.根據(jù)權利要求1-3中任意一項所述的蝕刻裝置，其特征在于，該蝕刻裝置還包括:檢測器，該檢測器用于在運行時實時檢測各個所述蝕刻槽內(nèi)化學品的有效成份的濃度;和 控制器，該控制器與所述檢測器電連接，以接收表示各個所述蝕刻槽內(nèi)化學品有效成份的濃度的信息，并根據(jù)該信息控制化學品的供應過程。
【專利摘要】本發(fā)明涉及電子工業(yè)領域，公開了一種電子工業(yè)領域中的蝕刻裝置，該蝕刻裝置包括：多個蝕刻槽，該多個蝕刻槽允許待蝕刻物品依次經(jīng)過而得以蝕刻處理；和化學品供應裝置，該化學品供應裝置包括：第一罐，該第一罐接收全新的化學品并向最后一個蝕刻槽供應化學品；和第二罐，該第二罐接收除第一蝕刻槽之外的所有蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學品，并至少向除最后一個蝕刻槽之外的所有蝕刻槽供應經(jīng)過蝕刻處理后的化學品。本發(fā)明所提供的蝕刻裝置能夠獲得較好一致性或均勻性的蝕刻效果。
【IPC分類】C23F1/08
【公開號】CN105568285
【申請?zhí)枴緾N201511020202
【發(fā)明人】詹舒嘉
【申請人】東旭（昆山）顯示材料有限公司, 東旭集團有限公司, 東旭科技集團有限公司
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2015年12月31日