蝕刻裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子工業(yè)領(lǐng)域，具體地，涉及一種用于蝕刻處理的蝕刻裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在電子工業(yè)中，例如印刷線路板領(lǐng)域，蝕刻是一種常用的工藝方法。其通常的操作為:在基板表面鋪設(shè)菲林，然后根據(jù)預(yù)先設(shè)定的圖形對菲林進(jìn)行曝光;然后再將曝光后的基板浸入通常為液態(tài)的化學(xué)品中進(jìn)行蝕刻處理，由于菲林包括得到光線照射而發(fā)生反應(yīng)的區(qū)域和沒有得到光線照射的其他區(qū)域，從而在蝕刻時(shí)對應(yīng)于上述圖形將菲林有選擇地蝕刻掉。
[0003]在蝕刻過程中，化學(xué)品的使用必不可少。為了適應(yīng)于連續(xù)的工業(yè)生產(chǎn)，在蝕刻工藝中通常需要多個(gè)蝕刻槽，每個(gè)蝕刻槽內(nèi)注入預(yù)定的化學(xué)品，并使待蝕刻產(chǎn)品在依次在各個(gè)蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理，最后再進(jìn)行水洗以除去待蝕刻產(chǎn)品上的殘留化學(xué)品，從而最終完成整個(gè)蝕刻工藝步驟。
[0004]例如在LCD領(lǐng)域，如圖1所示為制造彩色濾光片過程中蝕刻光阻時(shí)化學(xué)品的循環(huán)工藝過程。如圖1所示，蝕刻裝置包括連續(xù)設(shè)置的多個(gè)蝕刻槽(圖中為蝕刻槽1-3)和一個(gè)水洗槽。當(dāng)進(jìn)行蝕刻處理時(shí)，待蝕刻物品按照順序依次在蝕刻槽1-3內(nèi)與化學(xué)品進(jìn)行接觸，以將需要蝕刻去除的光阻去除掉，最后經(jīng)過水洗槽5將化學(xué)品沖洗干凈，從而便于后續(xù)工藝的進(jìn)行。
[0005]在圖1的方案中，化學(xué)品循環(huán)過程如下所述:新的化學(xué)品首先進(jìn)入第一循環(huán)罐6和第二循環(huán)罐7，該第一循環(huán)罐6和第二循環(huán)罐7均分別連通于蝕刻槽1-3，而蝕刻槽1-3與待蝕刻物品接觸并反應(yīng)后的化學(xué)品又有流回至第一循環(huán)罐6和第二循環(huán)罐7內(nèi)，從而循環(huán)使用。同時(shí)，第一循環(huán)罐6和第二循環(huán)罐7內(nèi)多余的化學(xué)品根據(jù)情況作為廢液15排到外部。
[0006]然而，經(jīng)過長時(shí)間的產(chǎn)品品質(zhì)檢測，分析統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)后發(fā)現(xiàn)，利用圖1所示的技術(shù)方案，針對待蝕刻物品的蝕刻效果差別較大，進(jìn)而影響最終產(chǎn)品(如彩膜)的品質(zhì)一致性。
[0007]因此，如何提高蝕刻工藝中蝕刻效果的均勻性或一致性，成為本領(lǐng)域需要解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的是提供一種能夠在蝕刻處理后獲得更高均勻性或一致性的蝕刻效果的技術(shù)方案。
[0009]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種蝕刻裝置，該蝕刻裝置包括:多個(gè)蝕刻槽，該多個(gè)蝕刻槽允許待蝕刻物品依次經(jīng)過而得以蝕刻處理;和化學(xué)品供應(yīng)裝置，該化學(xué)品供應(yīng)裝置包括:第一罐，該第一罐接收全新的化學(xué)品并向最后一個(gè)蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品；和第二罐，該第二罐接收除第一蝕刻槽之外的所有蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，并至少向除最后一個(gè)蝕刻槽之外的所有蝕刻槽供應(yīng)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品。
[0010]優(yōu)選地，在所述多個(gè)蝕刻槽中，最后一個(gè)蝕刻槽的化學(xué)品具有最高的有效成份濃度，第一個(gè)蝕刻槽的化學(xué)品具有最低的有效成份濃度。
[0011]進(jìn)一步優(yōu)選地，從第一個(gè)蝕刻槽到最后一個(gè)蝕刻槽，供應(yīng)于各個(gè)蝕刻槽的化學(xué)品的有效成份濃度不是遞減的。
[0012]優(yōu)選地，所述蝕刻裝置還包括溫度控制罐，所述全新的化學(xué)品通過該溫度控制罐而連通于所述第一罐。
[0013]優(yōu)選地，所述多個(gè)蝕刻槽包括第一蝕刻槽至第三蝕刻槽，所述第一罐向所述第三蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品，所述第二罐接收所述第二蝕刻槽和第三蝕刻槽中經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，所述第二罐向所述第一蝕刻槽至第三蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品，所述第一蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品作為廢液排出，所述第二蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品的一部分作為廢液排出。
[0014]優(yōu)選地，所述多個(gè)蝕刻槽包括第一蝕刻槽至第四蝕刻槽，所述第一罐向所述第四蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品，所述第二罐接收所述第二蝕刻槽、第三蝕刻槽和第四蝕刻槽中經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，所述第二罐向所述第一蝕刻槽至第三蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品，所述第一蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品作為廢液排出，所述第二蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品的一部分作為廢液排出。
[0015]優(yōu)選地，所述第二罐接收全新的化學(xué)品，每個(gè)蝕刻槽可選擇地接收所述第一罐或第二罐的化學(xué)品，每個(gè)蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品可選擇地回流至所述第一罐或第二罐，所述第一罐和第二罐內(nèi)的化學(xué)品的一部分作為廢液排出。
[0016]優(yōu)選地，所述多個(gè)蝕刻槽包括第一蝕刻槽至第四蝕刻槽，其中:所述第一罐向所述第四蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品，所述第二罐接收所述第二蝕刻槽、第三蝕刻槽和第四蝕刻槽中經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，所述第二罐向所述第一蝕刻槽至第三蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品，所述第一蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品作為廢液排出，所述第二蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品的一部分作為廢液排出；并且所述第一蝕刻槽至第四蝕刻槽均可選擇地接收所述第一罐或第二罐的化學(xué)品，所述第一蝕刻槽至第四蝕刻槽中的每個(gè)蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品可選擇地回流至所述第一罐或第二罐。
[0017]優(yōu)選地，所述蝕刻裝置還包括連接于所述第一罐和第二罐的輔助管路，該輔助管路用于向所述第一罐和/或第二罐供應(yīng)輔助全新化學(xué)品，該輔助全新化學(xué)品具有更高的有效成份濃度。
[0018]優(yōu)選地，所述蝕刻裝置還包括:檢測器，該檢測器用于在運(yùn)行時(shí)實(shí)時(shí)檢測各個(gè)所述蝕刻槽內(nèi)化學(xué)品的有效成份的濃度;和控制器，該控制器與所述檢測器電連接，以接收表示各個(gè)所述蝕刻槽內(nèi)化學(xué)品有效成份的濃度的信息，并根據(jù)該信息控制化學(xué)品的供應(yīng)過程。
[0019]如上所述，在進(jìn)行蝕刻處理時(shí)，待蝕刻物品依次經(jīng)過多個(gè)蝕刻槽，從而完成最終的蝕刻公益。本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn):在蝕刻過程中，待蝕刻物品的可蝕刻性是不同的。具體來說，當(dāng)待蝕刻物品進(jìn)入第一個(gè)蝕刻槽時(shí)，能夠較為容易地得以蝕刻，但在后續(xù)蝕刻槽中的蝕刻難度逐漸加大。因此，由于過去沒有注意到蝕刻處理中可蝕刻性會發(fā)生變化的規(guī)律，在傳統(tǒng)工藝中往往在不同蝕刻槽內(nèi)噴灑相同有效成份濃度的化學(xué)品，從而導(dǎo)致蝕刻效果的不均勻性較大。
[0020]正是基于對上述規(guī)律的認(rèn)識，本申請的發(fā)明人提出了本發(fā)明的技術(shù)方案。根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案，在依次對待蝕刻物品進(jìn)行蝕刻處理的多個(gè)蝕刻槽中，全新的化學(xué)品至少提供給最后一個(gè)蝕刻槽，而前面的蝕刻槽則循環(huán)利用經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，因此能夠使后續(xù)的蝕刻槽(尤其是最后一個(gè)蝕刻槽)內(nèi)具有更高有效成份濃度的化學(xué)品，以適應(yīng)于可蝕刻性的上述變化規(guī)律，從而獲得較好一致性或均勻性的蝕刻效果。
[0021]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的【具體實(shí)施方式】部分予以詳細(xì)說明。
【附圖說明】
[0022]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0023]圖1是傳統(tǒng)的蝕刻裝置的示意圖；
[0024]圖2和圖3分別為根據(jù)本發(fā)明一種實(shí)施方式的蝕刻裝置的示意圖；
[0025]圖4為根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的蝕刻裝置的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0027]如圖2所示，本發(fā)明提供的蝕刻裝置包括:多個(gè)蝕刻槽，該多個(gè)蝕刻槽允許待蝕刻物品依次經(jīng)過而得以蝕刻處理;和化學(xué)品供應(yīng)裝置，該化學(xué)品供應(yīng)裝置包括:第一罐11，該第一罐11接收全新的化學(xué)品并向最后一個(gè)蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品(如箭頭14所示)；和第二罐12，該第二罐12接收除第一蝕刻槽之外的所有蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，并至少向除最后一個(gè)蝕刻槽之外的所有蝕刻槽供應(yīng)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品(如箭頭13所示)。
[0028]蝕刻槽可以有多個(gè)，如附圖所示可以有三個(gè)或四個(gè)。但本申請并不限于此，還可以有更多個(gè)，如5個(gè)或6個(gè)。化學(xué)品通常通過噴淋的方式噴灑在蝕刻槽內(nèi)的待蝕刻物品上，當(dāng)待蝕刻物品按照順序依次在多個(gè)蝕刻槽內(nèi)分別經(jīng)過一段時(shí)間的噴淋后，完成整個(gè)蝕刻處理。在本發(fā)明的技術(shù)方案中，并未對蝕刻槽的結(jié)構(gòu)及其工作過程做重大改進(jìn)，因此可以參考傳統(tǒng)的蝕刻裝置。相對于傳統(tǒng)的蝕刻裝置，本發(fā)明的技術(shù)方案主要是對化學(xué)品的分配或供應(yīng)方式進(jìn)行了改進(jìn)，從而使化學(xué)品在各個(gè)蝕刻槽內(nèi)的分布符合于待蝕刻物品的蝕刻規(guī)律，從而獲得較好一致性或均勻性的蝕刻效果。
[0029]具體來說，在本發(fā)明的技術(shù)方案中，第一罐11接收全新的化學(xué)品并向最后一個(gè)蝕刻槽供應(yīng)化學(xué)品，因此最后一個(gè)蝕刻槽內(nèi)全新的化學(xué)品的有效成份濃度相對更高；同時(shí)，第二罐12接收除第一蝕刻槽之外的所有蝕刻槽內(nèi)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，并至少向除最后一個(gè)蝕刻槽之外的所有蝕刻槽供應(yīng)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，因此位于最后蝕刻槽前列的蝕刻槽基本利用循環(huán)的化學(xué)品，從而能夠使后續(xù)的蝕刻槽(尤其是最后一個(gè)蝕刻槽)內(nèi)具有更高有效成份濃度的化學(xué)品，以適應(yīng)于待蝕刻物品的可蝕刻性規(guī)律。
[0030]第二罐12可以向除了最后一個(gè)蝕刻槽之外的所有蝕刻槽供應(yīng)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品，也可以向所有蝕刻槽供應(yīng)經(jīng)過蝕刻處理后的化學(xué)品。由于最后一個(gè)蝕刻槽會接收全新的化學(xué)品，因此能夠相對容易地獲得更高的有效成份濃度。
[0031 ]如上所述，待蝕刻物品在整個(gè)蝕刻過程中的可蝕刻性是不同的，越往后期蝕刻難度越大。因此，在本發(fā)明的技術(shù)方案中設(shè)計(jì)為:在所述多個(gè)蝕刻槽中，最后一個(gè)蝕刻槽的化學(xué)品具有最高的有效成份濃度，第一個(gè)蝕刻槽的化學(xué)品具有最低的有效成份濃度，從而利用有效成份濃度較低的化學(xué)品用于可蝕刻性較好的第一個(gè)蝕刻槽的蝕刻處理，而將有效成份濃度較高的化學(xué)品用于可蝕刻性較低的最后一個(gè)蝕刻槽的蝕刻處理，以獲得均勻性或一致性更好的蝕刻效果。
[0032]優(yōu)選地，從第一個(gè)蝕刻槽到最后一個(gè)蝕刻槽，各個(gè)蝕刻槽的化學(xué)品的有效成份濃度不是遞減的。例如，兩個(gè)相鄰的蝕刻槽中，后一蝕刻槽的化學(xué)品的有效成份濃度可以等于或大于前一蝕刻槽的化學(xué)品的有效成份濃度，但不會出現(xiàn)低于前一蝕刻槽的化學(xué)品有效成份濃度的情形。
[0033]為了更好地進(jìn)行蝕刻處理，如圖2、圖3和圖4所示，所述蝕刻裝置還包括溫度控制罐10，全新的化學(xué)品通過該溫度控制罐10而連通于第一罐11。通過該溫度控制罐10，可以使進(jìn)入蝕刻槽的化學(xué)品具有合適的溫度，使蝕刻處