30秒設(shè)定為上限，可以在其附近進行冷 卻。
[0089] 通過在熱環(huán)境下進行鍛造或乳制，能夠防止脆的富B相的裂紋，并且無需在冷環(huán) 境下進行乳制或鍛造，因此，能夠有效地抑制微裂紋。即，能夠使100μmX100μm面積（視 野）內(nèi)的富B相中的0. 1~20μπι的微裂紋為10個以下。
[0090] 另外，通過進行驟冷（淬火），在常溫下也能夠保持通過熱鍛或熱乳引入的應(yīng)變， 具有提高漏磁通密度的效果。
[0091] 關(guān)于Co-Cr-Pt-B型合金鑄錠的熱乳或熱鍛，沒有特別限定，可以說通常優(yōu)選加熱 至800°C~1100°C，進行15%以下的熱乳或熱鍛。從鑄造組織（枝狀晶體組織）的破壞、均 勻組織的形成、形狀的控制以及應(yīng)變的引入的觀點出發(fā)，熱乳或熱鍛是有效的。從提高漏磁 通密度的觀點出發(fā)，應(yīng)變的引入是有效的。
[0092] 另外，本發(fā)明中，還可以含有0.5原子％以上且20原子％以下的選自Cu、Ru、Ta、 Pr、Nb、Nd、Si、Ti、Y、Ge、Zr中的一種以上元素作為Co-Cr-Pt-B型合金派射革巴的添加元素。 這些元素具有提高漏磁通密度的效果。
[0093] 作為具體例，可以列舉例如：Cr:1~40原子％、Pt:1~30原子％、B:0. 2~25 原子％、剩余部分由Co及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B合金；Cr:1~40原子％、Pt: 1~30原子％、B:0· 2~25原子％、Cu:1~10原子％、B+Cu:1· 2~26原子％、剩余部分 由Co及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B-Cu合金；以及Cr:1~40原子％、Pt:1~30 原子％、B:0· 2~25原子％、Ta:1~10原子％、B+Ta:1· 2~26原子％、剩余部分由Co 及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B-Ta合金；Cr:1~40原子％、Pt:1~30原子％、B: 0. 2~25原子％、Ru:1~10原子％、B+Ru:1. 2~26原子％、剩余部分由Co及不可避免的 雜質(zhì)構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B-Ru合金；以及Cr:1~40原子％、Pt:1~30原子％、B:0. 2~25 原子％、Pr:1~10原子％、B+Pr:1. 2~26原子％、剩余部分由Co及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成 的C〇-Cr-Pt-B-Pr合金等。
[0094] 通過以上方法制造的濺射靶能夠使相對于濺射面、水平方向的最大磁導(dǎo)率 (ymax)為20以下。另外，還能夠使相對于濺射面、水平方向的矯頑力（He)為350e以上。
[0095] 另外，通過以上方法制造的Co-Cr-Pt-B型合金濺射靶能夠使相對密度為95%以 上。靶密度的提高（致密的靶）對防止粉粒的產(chǎn)生更加有效。
[0096] 實施例
[0097] 以下，基于實施例以及比較例進行說明。需要說明的是，本實施例不過是一例，本 發(fā)明不受該例子的任何限定。即，本發(fā)明僅由權(quán)利要求書限定，包括本發(fā)明中包含的實施例 以外的各種變形。
[0098](實施例1)
[0099] 將Cr:14原子％、Pt:18原子％、B:10原子％、剩余部分由Co及不可避免的雜質(zhì) 構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B合金原料進行高頻（真空）熔化。使用由鈷制成的模具，將其在熔點~ 熔點+100°C的溫度下在銅制平臺上進行鑄造，得到200X300X30mmt的錠。接著，將該錠加 熱至800°C~1100°C，以15%以下的壓下率反復(fù)進行熱乳后，進行伸長率為1.0%的冷乳， 進一步對其進行機械加工，精加工成靶。
[0100] 需要說明的是，上述熱乳中，具體而言，以每1道次1~15%的壓下率反復(fù)進行數(shù) 次至數(shù)十次，最終的總壓下率調(diào)節(jié)為約50%~約80%。以下的實施例以及比較例也同樣地 進行熱乳。
[0101] 然后，使用理研電子制B-H測量儀（BHU-6020)測定該靶的相對于濺射面的水 平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax)和矯頑力（He)。另外，使用JE0L公司制FE-EPMA(型號： JXA-8500F)測定微裂紋數(shù)。其結(jié)果，革E1的相對于派射面的水平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax) 為13,矯頑力（He)為490e。另外，100μπιΧ100μπι面積（視野）內(nèi)的富B相中的0· 1~ 20μm的微裂紋數(shù)為0個。需要說明的是，微裂紋數(shù)是考察靶的任意的100μmX100μm面 積（視野）的5個部位并取其中存在的微裂紋數(shù)在每1單位面積（視野）內(nèi)的平均值。以 下的實施例以及比較例均通過該方法測定微裂紋數(shù)。
[0102] (實施例2)
[0103] 將Cr:14原子％、Pt:18原子％、B:10原子％、剩余部分由Co及不可避免的雜質(zhì) 構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B合金原料進行高頻（真空）熔化。使用由鈷制成的模具，將其在熔點~ 熔點+100°C的溫度下在銅制平臺上進行鑄造，得到200X300X30mmt的錠。接著，將該錠加 熱至800°C~1100°C，以15%以下的壓下率反復(fù)進行熱乳后，進行伸長率為2.0%的冷乳， 進一步對其進行機械加工，精加工成靶。
[0104] 然后，使用理研電子制B-H測量儀（BHU-6020)測定該靶的相對于濺射面的水 平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax)和矯頑力（He)。另外，使用JE0L公司制FE-EPMA(型號： JXA-8500F)測定微裂紋數(shù)。其結(jié)果，革E1的相對于派射面的水平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax) 為10,矯頑力（He)為630e。另外，100μπιΧ100μπι面積（視野）內(nèi)的富B相中的0· 1~ 20μm的微裂紋數(shù)為8個。
[0105] (實施例3)
[0106]將Cr:14原子％、Pt:18原子％、B:10原子％、剩余部分由Co及不可避免的雜質(zhì) 構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B合金原料進行高頻（真空）熔化。使用由鈷制成的模具，將其在熔點~ 熔點+100°C的溫度下在銅制平臺上進行鑄造，得到200X300X30mmt的錠。接著，將該錠 加熱至800°C~1100°C，以15%以下的壓下率反復(fù)進行熱乳后，加熱至900°C，在以壓下率 10%、1道次進行熱乳后立刻在20°C的水中保持30秒以上，進行水冷（驟冷），進一步對其 進行機械加工（包括表面研磨），精加工成靶。
[0107] 然后，使用理研電子制B-H測量儀（BHU-6020)測定該靶的相對于濺射面的水 平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax)和矯頑力（He)。另外，使用JE0L公司制FE-EPMA(型號： JXA-8500F)測定微裂紋數(shù)。其結(jié)果，革E1的相對于派射面的水平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax) 為11，矯頑力（He)為720e。另外，100μπιΧ100μπι面積（視野）內(nèi)的富B相中的0· 1~ 20μm的微裂紋數(shù)為5個。
[0108] (實施例4)
[0109] 將Cr:14原子％、Pt:18原子％、B:10原子％、剩余部分由Co及不可避免的雜質(zhì) 構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B合金原料進行高頻（真空）熔化。使用由鈷制成的模具，將其在熔點~ 熔點+100°C的溫度下在銅制平臺上進行鑄造，得到200X300X30mmt的錠。接著，將該錠 加熱至800°C~1100°C，以15%以下的壓下率反復(fù)進行熱乳后，加熱至1000°C，在以壓下率 10%、1道次進行熱乳后立刻在20°C的水中保持30秒以上，進行水冷（驟冷），進一步對其 進行機械加工（包括表面研磨），精加工成靶。
[0110] 然后，使用理研電子制B-H測量儀（BHU-6020)測定該靶的相對于濺射面的水 平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax)和矯頑力（He)。另外，使用JE0L公司制FE-EPMA(型號： JXA-8500F)測定微裂紋數(shù)。其結(jié)果，革E1的相對于派射面的水平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax) 為12,矯頑力（He)為620e。另外，100μπιΧ100μπι面積（視野）內(nèi)的富B相中的0· 1~ 20μm的微裂紋數(shù)為2個。
[0111] (實施例5)
[0112] 將Cr:14原子％、Pt:18原子％、B:10原子％、剩余部分由Co及不可避免的雜質(zhì) 構(gòu)成的Co-Cr-Pt-B合金原料進行高頻（真空）熔化。使用由鈷制成的模具，將其在熔點~ 熔點+100°C的溫度下在銅制平臺上進行鑄造，得到200X300X30mmt的錠。接著，將該錠 加熱至800°C~1100°C，以15%以下的壓下率反復(fù)進行熱乳后，加熱至1090°C，在以壓下率 10%、1道次進行熱乳后立刻在20°C的水中保持30秒以上，進行水冷（驟冷），進一步對其 進行機械加工（包括表面研磨），精加工成靶。
[0113] 然后，使用理研電子制B-H測量儀（BHU-6020)測定該靶的相對于濺射面的水平方 向的最大磁導(dǎo)率（ymax)和最大矯頑力（Hemax)。另外，使用JE0L公司制FE-EPMA(型號： JXA-8500F)測定微裂紋數(shù)。其結(jié)果，革E1的相對于派射面的水平方向的最大磁導(dǎo)率（ymax) 為13,矯頑力（He)為450e。另外，100μπιΧ100μπι面積（視野）內(nèi)的富B相中的0· 1~ 20μm的微裂紋數(shù)為2個。
[0114] (實施例6)
[0115] 將