一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于臥式半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體的，涉及一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在硅基體太陽電池的制造工藝過程中，通常需要采用薄膜沉積工藝進行硅片的鍍膜，例如可米用 PECVD (Plasma Enhanced Chemical VapourDeposit1n，等離子增強化學(xué)氣相沉積)的沉積工藝對硅片進行氮化硅的真空鍍膜，使在硅片表面形成鈍化層。
[0003]以四管臥式等離子體增強化學(xué)氣相沉積設(shè)備為例，在高真空石英腔體內(nèi)利用高頻電場激發(fā)，分解工藝氣體SiH4、NH3，在樣品表面的沉積形成Si3N4薄膜，從而提高硅片中載流子迀移率，具有體鈍化的作用，極大的提高電池片轉(zhuǎn)換效率；該臥式半導(dǎo)體設(shè)備自動化程度高，能夠滿足太陽能電池生產(chǎn)線需求。
[0004]在太陽電池制造過程中，在進行硅片表面鍍膜時，將未鍍膜的硅片插入PECVD真空鍍膜設(shè)備的載片器上，通常載片器由石墨舟來實現(xiàn)，即，將未經(jīng)鍍膜的硅片插入石墨舟，然后，將載有硅片的石墨舟放置在PECVD真空鍍膜設(shè)備腔體內(nèi)，采用PECVD工藝對硅片進行鍍膜。鍍膜結(jié)束后，從真空鍍膜設(shè)備腔體內(nèi)取出石墨舟，然后再將經(jīng)過鍍膜的硅片從石墨舟上卸取下來。
[0005]在四管臥式PECVD中，石墨舟推送裝置是設(shè)備的關(guān)鍵部件，它是設(shè)備的送料出料裝置，是保證工藝的最重要的結(jié)構(gòu)之一。通常由石墨舟推送裝置將承載有未鍍膜硅片的石墨舟推入反應(yīng)腔室內(nèi)，鍍膜完成后，承載有已鍍膜硅片的石墨舟通過石墨舟推送裝置拉出反應(yīng)腔室，進彳T卸片工序。
[0006]而現(xiàn)有的石墨舟推送裝置，通常使用材質(zhì)為不銹鋼的金屬鏟子作為石墨舟的承載體，金屬鏟子隨著石墨舟共同進入反應(yīng)腔室進行薄膜淀積，鍍膜完成后，金屬鏟子將承載有已鍍膜硅片的石墨舟拉出反應(yīng)腔室，進行卸片工序。由于反應(yīng)腔室內(nèi)的沉積工藝溫度較高，用于支撐石墨舟的金屬鏟子長時間在反應(yīng)腔室中加熱，金屬鏟子很容易在高溫下變形，而且金屬鏟子比較重，結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，加工難度大。針對上述問題，業(yè)界亟需提供一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置以解決上述問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供了一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備中耐高溫、防變形且機械機構(gòu)簡單的的石墨舟推送裝置。
[0008]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置，包括爐門，還包括穿過爐門的連接桿；所述連接桿的一端在爐門外側(cè)，用于與外部操作設(shè)備連接，所述連接桿的另一端伸入爐門內(nèi)側(cè)的反應(yīng)腔室內(nèi)，用于固定連接石墨舟支撐桿；其中，所述石墨舟支撐桿包括兩根并列設(shè)置的碳化硅桿，所述碳化硅桿上設(shè)有至少兩個用以支撐石墨舟的金屬支撐架；所述碳化硅桿的內(nèi)側(cè)端通過第一固定裝置與所述連接桿固定連接，所述碳化硅桿的外側(cè)端設(shè)有用于固定其自身的第二固定裝置。
[0009]優(yōu)選的，所述碳化硅桿的內(nèi)部，沿其軸向方向設(shè)有若干根防止形變的加強筋。
[0010]優(yōu)選的，所述金屬支撐架的外表面上方設(shè)有絕緣板，以使所述石墨舟與所述金屬支撐架絕緣。
[0011]優(yōu)選的，所述第一固定裝置為夾持塊，所述夾持塊具有多個通孔以及緊固件，所述通孔的直徑分別與所述連接桿以及碳化硅桿的直徑相適應(yīng)；所述第二固定裝置為金屬連接塊，所述金屬連接塊具有與所述碳化硅桿直徑相適應(yīng)的通孔。
[0012]優(yōu)選的，所述碳化硅桿的外側(cè)端設(shè)有絕緣套，以使所述石墨舟與所述碳化硅桿絕緣。
[0013]優(yōu)選的，所述絕緣套為陶瓷絕緣板。
[0014]優(yōu)選的，所述爐門包括爐門電極，所述石墨舟包括石墨舟電極塊，所述爐門電極與所述石墨舟電極塊之間通過電極引入裝置連接，所述電極引入裝置將射頻引入所述石墨舟，以形成電場。
[0015]優(yōu)選的，所述電極引入裝置包括兩個并列設(shè)置的電極支架；所述電極支架的一端與所述爐門電極相連，所述電極支架的另一端為金屬電極觸頭，與所述石墨舟電極塊相連。
[0016]優(yōu)選的，所述石墨舟電極塊上具有凹槽，所述金屬電極觸頭上設(shè)有與所述凹槽相配合的凸起。
[0017]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明提供的用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置，使用單根連接桿夾持碳化硅雙桿的結(jié)構(gòu)，使石墨舟放置在兩根碳化硅桿上，依靠石墨舟支撐架定位、陶瓷板絕緣，由于碳化硅雙桿耐溫在1000多度，在PECVD反應(yīng)室進行薄膜淀積時，變形很??；并且單桿夾持碳化硅雙桿結(jié)構(gòu)，機械機構(gòu)簡單，成本低，裝配難度降低，整體懸臂的質(zhì)量輕，能夠防止懸臂的變形量。
【附圖說明】
[0018]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0019]圖1是本發(fā)明實施例一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020][圖中附圖標(biāo)記]:
[0021]10、爐門；20、連接桿；30、石墨舟支撐桿；40、夾持塊；50、金屬連接塊；60、金屬支撐架；70、絕緣板；80、絕緣套；90、爐門電極；100、電極支架；110、金屬電極觸頭。
【具體實施方式】
[0022]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內(nèi)。其次，本發(fā)明利用示意圖進行了詳細的表述，在詳述本發(fā)明實例時，為了便于說明，示意圖不依照一般比例局部放大，不應(yīng)以此作為對本發(fā)明的限定。
[0023]需要說明的是，在下述的實施例中，利用圖1的結(jié)構(gòu)示意圖對按本發(fā)明一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置進行了詳細的表述。在詳述本發(fā)明的實施方式時，為了便于說明，各示意圖不依照一般比例繪制并進行了局部放大及省略處理，因此，應(yīng)避免以此作為對本發(fā)明的限定。
[0024]請參閱圖1，圖1是本發(fā)明實施例一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明提供一種用于臥式半導(dǎo)體設(shè)備的石墨舟推送裝置，包括爐門10以及穿過爐門10的連接桿20 ;連接桿20的一端在爐門10外側(cè)，用于與外部操作設(shè)備連接，連接桿20的另一端伸入爐門10內(nèi)側(cè)的反應(yīng)腔室內(nèi)，用于固定連接石墨舟支撐桿30，連接桿10優(yōu)選金屬單。其中，石墨舟支撐桿30優(yōu)選為兩根并列設(shè)置的碳化硅桿，碳化硅桿上設(shè)有至少兩個用以支撐石墨舟(圖中未示出)的金屬支撐架60 ;碳化硅桿30的內(nèi)側(cè)端通過第一固定裝置與連接桿20固定連接，碳化硅桿30的外側(cè)端設(shè)有用于固定其自身的第二固定裝置。
[0025]其中，第一固定裝置為夾持塊40，夾持塊40具有多個通孔以及緊固件，所述通孔的直徑分別與連接桿20以及碳化硅桿30的直徑相適應(yīng)；第二固定裝置為金屬連接塊50，金屬連接塊50具有與碳化硅桿3