專利名稱：制取固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制取固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置，特別涉及這樣的制取方法和裝置，即，所得的固體激光器晶體薄膜可用于形成微腔，還能使固體激光器直接形成在所做的半導(dǎo)體激光器上的方法和裝置。
近來，為適應(yīng)短波長激光的多種需要，以便擴(kuò)展振蕩的波段，已就較高的激光輸出功率、較高的激光器效率，以及高質(zhì)量光束等對新型固體激光材料做了廣泛的研究，固體激光晶體的主要特性也為公知。
至今，可采用熔融法、拉單晶法或者Verneuil法來制取固體激光晶體。對此下面將簡要描述。
熔融法在這種方法中，晶體自高溫下熔融的材料中沉積并長成，同時(shí)還以熔融的無機(jī)鹽或氧化物為其熔媒。
拉單晶法在這種方法中，將籽晶浸入熔融的液體或飽和溶液中，使其彼此相容，隨后逐漸拉出籽晶，在籽晶的末端生成單晶。
Verneuil法在這種方法中，將精細(xì)研碎的生料噴入高溫火焰，如氫氧焰中，加熱后熔融生料，并用籽晶接引熔融的材料，在籽晶上生成單晶。
在上述任一種常規(guī)方法中，先要將欲制做固體激光晶體的材料在高溫下熔融，然后再沉積并長出晶體，或者在籽晶上長成單晶體。
盡管上述各種方法是制取大塊晶體的非常有效的方法。但是，眾所周知，對于激光晶體中特別控制的，作為形成激光束發(fā)射材料的各種激活離子的均勻擴(kuò)散，以及防止各種成為吸收激光束進(jìn)入激光晶體中的離子的摻入都是很困難的。
確切地說，由于現(xiàn)有技術(shù)中固態(tài)激光晶體可呈棒狀生長，這種棒狀固態(tài)激光晶體的中心部分與其外周部分的溫度不同，于是離子在這兩個(gè)區(qū)域的擴(kuò)散情況也不同，因此難以實(shí)現(xiàn)作為發(fā)射物質(zhì)的各種激活離子沿固體激光晶體軸向和徑向的均勻沉積。由于這個(gè)原因，迄今未能實(shí)現(xiàn)各種激活離子在激光器主晶中的均勻分布。
此外，由于難于控制沉積成激活離子的離子價(jià)數(shù)，所以致使，已沉積的離子不能形成發(fā)射激光束的物質(zhì)，而成為形成吸收激光束物質(zhì)的離子。例如在采用Al2O3作為激光器主晶的情況下，用Ti形成沉積，作為激活離子，當(dāng)Ti為三價(jià)時(shí)，它成為發(fā)射物質(zhì)，當(dāng)Ti為兩價(jià)或四價(jià)時(shí)，它成為吸收物質(zhì)。如上所述，在已有技術(shù)中很難控制這種價(jià)數(shù)。
另外，如上所述，盡管現(xiàn)有技術(shù)適用于制取大塊晶體，但是制取薄膜晶體是困難的。因此就難于將膜厚控制在原子標(biāo)度內(nèi)。
再有，在上述的現(xiàn)有技術(shù)中，固體激光晶體的制取方式是隨半導(dǎo)體制作過程而各不相同。這樣，就能在包含半導(dǎo)體基片的高真空容器中將固體激光晶體生長在半導(dǎo)體基片上，而半導(dǎo)體基片置于高真空容器中恰恰是制做半導(dǎo)體的過程。為此，至今尚不能和半導(dǎo)體及半導(dǎo)體激光器一起制出固體激光晶體。
基于現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，借助于類似制作半導(dǎo)體的過程，如CVD(化學(xué)汽相沉積)法(采用氣態(tài)形式的材料，并用加熱的方法使氣體在基片上分解，從而將材料沉積在基片上)用于本發(fā)明。本發(fā)明可在原子標(biāo)度內(nèi)控制材料及膜厚，或者可采用類似的方法制取薄膜晶體。
本發(fā)明的目的在于提供一種采用與現(xiàn)有技術(shù)制作半導(dǎo)體過程完全不同的方式來制作固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置，采用本發(fā)明可解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題。
確切地說，本發(fā)明的目的在于提供一種制作固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置，利用它可將激活離子均勻分布在激光晶體中。
本發(fā)明的另一目的是提供一種制作固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置，利用它可以控制激活離子的價(jià)數(shù)。
本發(fā)明的再一目的是提供一種制作固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置，利用它可將膜厚控制在原子標(biāo)度內(nèi)。
本發(fā)明的又一目的是提供一種制作固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置，利用它可與半導(dǎo)體或者半導(dǎo)體激光器一起制得固體激光晶體。
應(yīng)說明，制作半導(dǎo)體的類似過程包括上述生長砷化鎵所用的CVD方法，MBE(分子束外延)法，ALE(原子層外延)法，熔蝕沉積法等，以及通常稱為“制作半導(dǎo)體過程的類似方法”，在這類方法中，通常將材料的氣體或者汽態(tài)分子、束狀分子、離子等運(yùn)送到基片上，在熱基片上長成晶體。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明制作固體激光器用的晶體薄膜的方法其特征在于，方法步驟為將基片在容器內(nèi)于高真空條件下加熱;將構(gòu)成激光器的材料以氣體、離子、單一金屬或者金屬化合物形式送至所述基片的表面上，在該基片表面上長成晶體;在供送所述構(gòu)成激光器主晶的材料的同時(shí)，將激活離子材料送至所述基片表面;控制激活離子的價(jià)數(shù)，使與構(gòu)成激光器主晶體中金屬離子的價(jià)數(shù)一致。
此外，本發(fā)明制作固體激光器用晶體薄膜的裝置的特征在于，有一個(gè)容器，里面高真空并裝有基片，基片的表面供生長固體激光器用的晶體薄膜;用來加熱所述基片的加熱裝置;將構(gòu)成激光器主晶的材料以氣體、離子、單一金屬或者金屬化合物形式送至位于所述容器中的基片表面上的激光器主晶供送裝置;與供送所述構(gòu)成激光器主晶的材料一起將激活離子材料送至位于容器中的基片表面上的激活離子材料供送裝置。
按上述的發(fā)明，將基片在容器中在高真空條件下加熱，并將構(gòu)成激光器主晶的材料以氣體、離子、單一金屬或者金屬化合物的形式送至上述基片的表面上，并長成晶體。因此，固體激光晶體可均勻地在諸如Si等半導(dǎo)體基片上長成，而不像類似的半導(dǎo)體制作過程中那樣在籽晶上生長。
另外，由于激活離子材料與構(gòu)成激光器主晶的材料一起送至基片的表面上，所以就能控制激活離子材料的價(jià)數(shù)，使其與構(gòu)成激光器主晶的晶體金屬離子價(jià)數(shù)一致。由此，就能制成幾乎沒有那種存在不吸收的物質(zhì)，或者把吸收物質(zhì)控制在很小的數(shù)量的不合格的固體激光晶體。
除了上面所說明的，很容易將膜的厚度控制在原子標(biāo)度內(nèi)，從三維的角度看，可均勻地注入激活離子材料。
由下述的詳細(xì)說明和為了便于說明而給出的附圖(絕非對本發(fā)明限定)一起對本發(fā)明將以充分理解，所述附圖包括

圖1為本發(fā)明制作固體激光器用的晶體薄膜裝置的一種實(shí)施方式的斷面結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為將氣體脈沖地送至基片表面的時(shí)間圖線;
圖3用圖線表示供送氣體時(shí)間周期數(shù)對Al2O3生長的關(guān)系曲線;
圖4表示基片溫度變化與其生長率的相互關(guān)系圖;
圖5表示基片溫度變化與632.8nm時(shí)折射率之間的相互關(guān)系圖;
圖6為一表格，表示以Al2O3構(gòu)成激光器主晶情況下激光器主晶材料，激活離子材料和基片材料之間可能的一種組合的實(shí)例;
圖7為一表格，表示以Y3Al5O12構(gòu)成激光主晶情況下激光器主晶材料、激活離子材料和基片材料之間可能的一種組合實(shí)例;
圖8為一表格，表示以LiYF4構(gòu)成激光器主晶情況下激光器主晶材料、激活離子和基片材料之間可能的一種組合實(shí)例圖9說明本發(fā)明制作固體激光器用的晶體薄膜裝置的又一個(gè)實(shí)施方式斷面結(jié)構(gòu)示意圖。
以下參照附圖詳述本發(fā)明制作固體激光器用的晶體薄膜的方法和裝置的實(shí)施方式。
圖1表示本發(fā)明制作固體激光器用的晶體薄膜裝置的一個(gè)實(shí)例，它包括一個(gè)用不銹鋼制成的圓柱形容器10，一個(gè)與容器10相連，并將構(gòu)成激光器主晶的金屬材料送入容器10的連接管12，一個(gè)與容器10相連并構(gòu)成激光器主晶的氧化劑或鹵化劑送入容器10的連接管14，一個(gè)與容器10相連，并將激活離子材料送入容器10的連接管16，用來開關(guān)連接管12的電磁閥裝置18，用來開關(guān)連接管14的電磁閥裝置20，用來開關(guān)連接管16的電磁閥裝置22，豎直地裝在容器10中的石英棒24，棒的一端24a位于容器10外邊，一個(gè)鹵素?zé)?6用來將紅外線射進(jìn)24a端，以加熱置于石英棒24另一端24b上的基片100。此外，容器10內(nèi)部由渦輪分子泵(圖未示)抽成10-7乇量及的高真空狀態(tài)。
在上述結(jié)構(gòu)中，將描述這樣一種情況，采用交替供送材料氣體方式的CVD方法作為半導(dǎo)體制作過程的方式，制取鈦-蘭寶石(激光器主晶炎Al2O3，激活離子為Ti)薄膜，做為Si(100)基片100上的固體激光器用的晶體薄膜。
需說明，與激光器主晶相適應(yīng)的Si(100)，α-Al2O3或者具有類似的晶格常數(shù)的材料可用作基片100。例如，當(dāng)使用α-Al2O3為基片100時(shí)，由于α-Al2O3是和激光器主晶一樣的材料，所以是不會有問題的。雖然Si(100)是與激光器主晶不同的材料，但這些材料的晶格常數(shù)是彼此適應(yīng)的，所以Si(100)是可以用作基片100的。
就此而言，由于本實(shí)施方式是以Al2O3構(gòu)成激光器主晶，而以Ti作為激活離子的，所以分別借助打開和關(guān)閉電磁閥裝置18，通過連接管12將三甲基鋁(TMA)送入容器10，作為構(gòu)成激器主晶的金屬材料;借助打開和關(guān)閉電磁閥裝置22，通過連接管16將Ti氣送入容器10，作為激活離子材料。
為此，TMA，N2O以及Ti氣就按下述方式以氣體脈沖方式送入容器10中。即，每隔2秒交替地將TMA和N2O射到置于容器10中的基片100上，噴射時(shí)間為1秒。更確切地說，向容器10里面供送TMA氣(或者N2O氣)1秒鐘，使TMA氣(或N2O氣)的壓力升高，之后停止供送TMA氣及N2O氣2秒鐘，并用渦輪分子泵抽空容器10的內(nèi)部。隨后，供送N2O(或者TMA氣)1秒鐘，升高N2O氣(或TMA氣)的壓力，然后停止供送N2O氣和TMA氣2秒鐘，并用渦輪分子泵抽空容器10的內(nèi)部。采用上述的操作作為一個(gè)周期，并重復(fù)規(guī)定次數(shù)的這種周期。這樣，一個(gè)周期需要6秒鐘。此外，與TMA氣同步地供送作為激活離子的Ti氣。
另外，基片100放在石英棒24的一端24b上面，并由鹵素?zé)?6所輻射的紅外線加熱其背面。
既然如此，容器10中的基本壓力在1×107乇量級，而當(dāng)引入氣體時(shí)容器10中的壓力為2×104乇。
圖3用圖線表示供送氣體的時(shí)間周期數(shù)與Al2O3膜在基片100的Si(100)上生長的關(guān)系曲線(縱坐標(biāo)為薄膜厚度，單位nm，橫坐標(biāo)為時(shí)間周期)。如上所述，容器中的TMA和N2O兩者的壓力設(shè)定為2×10-4乇(壓力比是“TMA/N2O＝1”)，基片溫度為360℃(T基片＝360℃)。從圖3可見，Al2O3膜的厚度以大約0.4納米/周的變化率線性增長。
確切地說，Al2O3膜的厚度與供氣時(shí)間周期數(shù)成正比，增長率為0.4納米/周。另外，可以看到，作為XPS(X射線光電譜)的結(jié)果，這種薄膜的成分具有2∶3的化學(xué)當(dāng)量比。
其次，如上所述，容器10中的TMA和N2O的壓力分別設(shè)定為2×10-4乇，而基片的溫度(Tsub)是可變的。在這種情況下，可以利用光譜偏光橢圓率測量儀，根據(jù)薄膜及折射率測量這些結(jié)果。
圖4表示薄膜生長率與基片溫度變化之間的相互關(guān)系，其中縱坐標(biāo)為用時(shí)間周期數(shù)除薄膜厚度所得到的增長率(即增長速率，單位納米/周)，而橫坐標(biāo)為基片溫度(Tsub)的變化(℃)。
此外圖5表示薄膜的折射率與基片溫度變化之間的相互關(guān)系，其中縱坐標(biāo)為632.8nm時(shí)的折射率(n)，橫坐標(biāo)為基片溫度(Tsub)的變化(℃)。
由圖4可見，在溫度達(dá)到320℃之前，增長率低到0.02納米/周的程度。如此，折射率為1.6～1.7，這對應(yīng)于等于或高于非晶體Al2O3的折射率。當(dāng)基片溫度高至360℃時(shí)，增長率為0.4納米/周，而折射率為1.77。
另外，如圖2所示，摻入激活離子的時(shí)間與供送TMA的時(shí)間是同步的。按照這種布置，三價(jià)的Al被Ti替代，致使所摻入Ti可能是只有三價(jià)的，或者大量地是三價(jià)的。
圖6-8每個(gè)實(shí)例都表示激光器主晶的材料、激活離子的材料和基片材料的可能組合，其中，圖6表示以Al2O3構(gòu)成激光器主晶的情況，圖7表示以Y3Al5O12構(gòu)成激光器主晶的情況，圖8表示以LiYF4構(gòu)成激光器主晶的情況。
此外，圖9表示本發(fā)明制作固體激光器的晶體薄膜的裝置的另一種實(shí)施方式。其中，與圖1相對應(yīng)組件部分采用與圖1相同的參照標(biāo)記表示，并省去細(xì)部結(jié)構(gòu)及其功能的說明。
在單一的金屬或者金屬化合物作為構(gòu)成激光器主晶的材料，以及激活離子材料在常溫下為固態(tài)時(shí)，可利用圖9所示的制作固體激光器用的晶體薄膜的裝置，通過加熱而有效地流逸，或者借助激光、電子束以及離子束蒸發(fā)。
在圖9所示的制作固體激光器用的晶體薄膜的裝置中，容器10具有窗口部分30，用以通過激光，因而可以從外面將激光照入容器10中。
另外，該裝置中在容器10內(nèi)被激光照射的位置處設(shè)置一個(gè)支架32，它用來支撐作為在常溫下構(gòu)成固體激光器材料的單一金屬或金屬化合物的金屬材料以及激活離子的材料，支架32通過磁性耦聯(lián)管34由馬達(dá)轉(zhuǎn)動地驅(qū)動。
在上述結(jié)構(gòu)中，該裝置按照與圖1所示實(shí)施方式相類似的方式來布置，這樣，通過打開和關(guān)閉電磁閥18，經(jīng)連接管12將構(gòu)成激光器主晶金屬材料的TMA供入容器10中;通過打開或關(guān)閉電磁閥20，經(jīng)連接管14將構(gòu)成激光器主晶的氧化劑N2O供入容器10中，還使Ti到達(dá)支架32，同時(shí)將從射入激光窗口部分30射入的激光照到Ti上，使之加熱。同時(shí)通過磁性耦聯(lián)管34借助馬達(dá)36轉(zhuǎn)動地驅(qū)動支架32。于是，裝在支架32上的Ti被蒸發(fā)，從而在基片100上形成鈦-蘭寶石(激光主晶為Al2O3，激活離子為Ti)薄膜。
另外，在另一種情況下，采用固體材料作為構(gòu)成激光器主晶的材料，可以按排與上述Ti的情況相類似的裝置，用激光照射融化固態(tài)材料。
在圖9所示的實(shí)施方式中，可采用電子束或者離子束來代替激光束照射，這時(shí)可將電子束源或離子束源直接放置在容器10里面。對此，沒有詳細(xì)描述。
上述各實(shí)施方式中都采用交替地供送構(gòu)成激光器主晶的金屬材料和氧化劑或者鹵化劑的，但是本發(fā)明不限于此，構(gòu)成激光器主晶的金屬材料也可與氧化劑或鹵化劑同時(shí)供送，而不是交替地供送它們。
另外，基片100的加熱也不限于利用紅外線加熱，可采用電阻加熱，此時(shí)可將加熱線圈形成于基片100上，對其進(jìn)行電加熱。
另外，還可安排成，在容器10中激光由斜上方照射在基片100上、加熱基片100。
本發(fā)明如上述那樣構(gòu)成，其優(yōu)點(diǎn)為本發(fā)明的制作固體激光器用晶體薄膜的方法，其特點(diǎn)在于具有下述各步驟在容器中于高真空條件下加熱基片;將構(gòu)成激光器主晶的材料以氣體、離子、單一金屬或者金屬化合物形式送到所述基片表面上，實(shí)現(xiàn)在該晶體表面生長晶體，并將激活離子與形成激光器主晶的材料同時(shí)供送到所述基片的表面上，以控制激活材料的價(jià)數(shù)以便于在激光晶體中構(gòu)成所述激光器主晶的晶體的金屬離子的價(jià)數(shù)相同。另外，按照本發(fā)明的制備固態(tài)激光器用的晶體薄膜的裝置的特征在于，一個(gè)容器，其內(nèi)部已被抽成真空，并在其中裝有一個(gè)基片，在基片的表面上使固態(tài)激光器的晶體薄膜的晶體生長;一個(gè)用來加熱所述基片的加熱裝置;一個(gè)將構(gòu)成激光器主晶的材料以氣體、離子、單一金屬或金屬化合物的形式供送至位于所述容器中的基片表面上的激光器主晶供送裝置;一個(gè)與供送所述構(gòu)成激光器主晶的材料同時(shí)將激活離子材料送至位于所述容器中的所述基片的表面上的激活離子材料供送裝置。由于本發(fā)明的上述的結(jié)構(gòu)，這就使得可能在真空條件下在容器中加熱基片，將構(gòu)成激光器的主晶材料以氣體、離子、單一金屬或金屬化合物的形式供送至基片的表面使結(jié)晶在基片的表面生長。于是，就可以在由Si等制成的半導(dǎo)體基片上長出固體激光器晶體，它與類似的半導(dǎo)體制作過程情況中的種晶方式不同。
另外，由于激活離子材料是與供送構(gòu)成激光器主晶的材料同時(shí)送到基片表面上的，所以能控制激活離子材料的價(jià)數(shù)，使其與構(gòu)成激光器主晶的晶體的金屬離子價(jià)數(shù)一致。借此就能制取固體激光器晶體，而很少有那種存在無吸收物質(zhì)或者被形成具有少量吸收物質(zhì)的次品。
再有，很容易控制薄膜厚度在原子標(biāo)度內(nèi)，而且還可均勻地注入激活離子材料。
本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以理解，可以其它特定的形式實(shí)施本發(fā)明，而不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)。
所以本發(fā)明所揭示的各種實(shí)施方式從各方面看都是說明性的，而非限定性的。本發(fā)明的范圍由所附的權(quán)利要求來指明，而不是由上述所限定。另外，來自等效的含義和范圍的一切變化都被看作在本發(fā)明范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種制取固體激光器用的晶體薄膜的方法，包括以下步驟在高真空條件下加熱容器中的基片；構(gòu)成激光器的材料以氣體、離子、單一金屬或者金屬化合物形式供送至所述基片的表面上，在該表面上生長晶體；與供送所述構(gòu)成激光器主晶的材料同時(shí)，將激活離子材料送至該基片表面上；借此控制激活離子材料的價(jià)數(shù)。使其構(gòu)成所述激光器主晶體金屬離子的價(jià)數(shù)一致。
2.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述構(gòu)成激光器主晶的材料包括金屬材料與氧化劑或鹵化劑，所述金屬材料與所述氧化劑或鹵化劑被交替地或者同時(shí)送至所述基片的表面上。
3.一種如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述激活離子材料與供送所述金屬材料的同時(shí)被送至所述基片的表面上。
4.一種如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光器主晶的晶格常數(shù)與所述基片相適應(yīng)。
5.一種如權(quán)利要求1、2、3和4中任一項(xiàng)所述的制備固體激光器用的晶體薄膜的方法，其特征在于，以單一金屬或者金屬化合物作為構(gòu)成激光器主晶體的金屬材料，以及所述激活離子的材料在常溫下為固態(tài)的情況下，這些材料被加熱成蒸氣后，或者用激光、電子束或離子束來融化或蒸發(fā)后，被供送至所述基片的表面上。
6.一種制取固體激光器用的晶體薄膜裝置，包括，一個(gè)容器，它里面被抽真空，并裝有基片，基片的表面作為供生長固體激光器的固體薄膜晶體用;還包括，一個(gè)用來加熱所述基片的加熱裝置;一個(gè)激光器主晶供送裝置，用來將構(gòu)成激光器主晶的材料的氣體、離子、單一金屬或金屬化合物的形式供送到所述裝在容器內(nèi)的基片表面上;一個(gè)激活離子材料供送裝置，用來將激活離子材料與供送所述構(gòu)成激光器主晶材料的同時(shí)送至所述裝在容器里面的基片表面上。
7.一種如權(quán)利要求6所述的制取固體激光器用的晶體薄膜的裝置，其特征在于，所述激光器主晶供送裝置具有供送構(gòu)成所述激光器主晶的金屬材料供送裝置和供送氧化劑或鹵化劑的供送裝置。
8.一種如權(quán)利要求7所述的制取固體激光器用的晶體薄膜的裝置，其特征在于，所述激活離子材料供送裝置將所述激活離子材料與借助于供送構(gòu)成所述激光器主晶金屬材料的供送裝置把該金屬材料送至所述基片表面上的同時(shí)也送至所述基片的表面。
9.一種如權(quán)利要求6、7或8任一項(xiàng)所述的制取固體激光器用的晶體薄膜的裝置，還包括，用來蒸發(fā)構(gòu)成所述激光器主晶金屬材料的單一金屬或金屬化合物和所述激活離子材料的加熱裝置，這兩類材料在常溫下均為固態(tài)。
10.一種如權(quán)利要求6、7或8任一項(xiàng)所述的制取固體激光器用的晶體薄膜的裝置，還包括，用來流逸構(gòu)成所述激光器主晶金屬材料的單一金屬或金屬化合物和所述激活離子材料的流逸裝置，這兩類材料在常溫下均為固態(tài)。
11.一種為權(quán)利要求10所述的制取固體激光器用的晶體薄膜的裝置，其特征在于，所述的流逸裝置是一種用激光、電子束或者離子束來實(shí)現(xiàn)蒸騰或融解的裝置。
全文摘要
本發(fā)明方法通過采用半導(dǎo)體制作過程的類似方式(如CVD法)將材料和薄膜厚度控制在原子標(biāo)度內(nèi)，以用于制做薄膜晶體，所用的類似半導(dǎo)體制作過程是與常規(guī)技術(shù)完全不同的。本發(fā)明涉及制作固體激光器用的晶體薄膜，其中裝在容器中的基片在高真空條件下被加熱，構(gòu)成激光器的材料以氣體、離子、單一金屬或者金屬化合物形式被送到上述基片的表面上，在上述基片表面上成長晶體，與供送上述構(gòu)成激光器主晶的材料的同時(shí)，將激活離子材料也送到上述基片的表面上，借此控制激活離子材料的價(jià)數(shù)，使與構(gòu)成上述激光器主晶的晶體的金屬離子價(jià)數(shù)一致。
文檔編號C23C16/455GK1095769SQ9410276
公開日1994年11月30日 申請日期1994年2月4日 優(yōu)先權(quán)日1993年2月4日
發(fā)明者熊谷寬, 豐田浩一 申請人:理化學(xué)研究所