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蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置的制作方法

文檔序號(hào):11768035閱讀:302來源:國知局
蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置的制作方法

本發(fā)明涉及蒸鍍設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種蒸鍍坩堝和蒸鍍裝置。



背景技術(shù):

在大尺寸的有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode,oled)顯示器的蒸鍍制程方面,線蒸發(fā)源較點(diǎn)蒸發(fā)源有很大的優(yōu)勢,例如成膜均勻性好、材料利用率高等。線蒸發(fā)源是使用坩堝承裝有機(jī)材料,坩堝口配有坩堝蓋,坩堝蓋上具有多個(gè)噴嘴,通過對坩堝進(jìn)行加熱,使其中的有機(jī)材料從噴嘴噴出至基板上成膜。由于噴嘴的口徑較小,在蒸鍍制程中,當(dāng)升溫速率異常,或者有機(jī)材料灰化嚴(yán)重時(shí),會(huì)導(dǎo)致有機(jī)材料堵塞噴嘴口。而噴嘴堵口會(huì)嚴(yán)重影響膜厚均勻性,產(chǎn)生顯示亮度不均勻等問題。而且,一旦噴嘴堵口,操作員必須停止蒸鍍制程,關(guān)閉蒸鍍裝置并開腔處理,這樣嚴(yán)重影響了顯示面板的生產(chǎn)進(jìn)度,增加人物力及時(shí)間成本。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

針對以上的問題,本發(fā)明的目的是提供一種蒸鍍坩堝及蒸鍍裝置,防止坩堝蓋上的噴嘴堵口。

為了解決背景技術(shù)中存在的問題,一方面,本發(fā)明提供了一種蒸鍍坩堝,包括坩堝本體及設(shè)于所述坩堝本體上的坩堝蓋,所述坩堝蓋具有噴嘴,所述噴嘴凸設(shè)于所述坩堝蓋上,且設(shè)于背離所述坩堝本體的一側(cè),用于噴出所述坩堝本體中的有機(jī)材料,所述噴嘴具有頂壁和內(nèi)壁,所述頂壁朝向于背離所述坩堝本體的一側(cè),所述內(nèi)壁連接于所述頂壁與所述坩堝蓋之間,以形成所述有機(jī)材料的輸運(yùn)通道,所述蒸鍍坩堝還包括設(shè)于所述噴嘴外圍的加熱器,所述加熱器用于產(chǎn)生熱量,所述熱量傳導(dǎo)至所述內(nèi)壁,所述內(nèi)壁具有至少一個(gè)相對于所述噴嘴的軸向傾斜的第一表面,以增加所述內(nèi)壁的熱輻射量,以使所述內(nèi)壁升溫或保持溫度,防止所述有機(jī)材料粘附于所述內(nèi)壁。

其中,所述坩堝蓋具有底壁,所述底壁與所述頂壁相對設(shè)置,所述內(nèi)壁連接于所述頂壁與所述底壁之間,所述內(nèi)壁與所述頂壁的連接處形成第一端口,所述第一端口呈圓形,所述內(nèi)壁與所述底壁的連接處形成第二端口,所述第一端口正對于所述第二端口,且所述第一端口的尺寸小于所述第二端口的尺寸。

其中,所述第二端口的尺寸是所述第一端口的尺寸的1.1~5倍。

其中,所述第一表面與所述噴嘴的軸向形成第一夾角,所述第一夾角為5°~90°。

其中,所述內(nèi)壁與所述頂壁的連接處形成第一端口,所述第一端口呈圓形,所述內(nèi)壁具有凹槽,所述第一表面位于所述凹槽內(nèi)。

其中,所述凹槽的延伸方向與所述噴嘴的軸向一致或與所述噴嘴的軸向形成0°~5°的夾角。

其中,所述內(nèi)壁與所述頂壁的連接處形成第一端口,所述第一端口呈圓形,所述內(nèi)壁還具有凸起,所述第一表面位于所述凸起上。

其中,所述凸起的延伸方向與所述噴嘴的軸向一致或與所述噴嘴的軸向形成0°~5°的夾角。

其中,所述坩堝蓋具有底壁,所述底壁與所述頂壁相對設(shè)置,所述內(nèi)壁連接于所述頂壁與所述底壁之間,所述內(nèi)壁與所述底壁的連接處形成第二端口,所述第二端口正對于所述第一端口,且所述第一端口的尺寸小于所述第二端口的尺寸。

另一方面,本發(fā)明還提供了一種蒸鍍裝置,包括上述任一實(shí)施方式所述的蒸鍍坩堝。

相較于現(xiàn)有技術(shù),本申請至少具有以下的有益效果:

本申請通過在噴嘴的內(nèi)壁設(shè)置至少一個(gè)相對于所述噴嘴的軸向傾斜的第一表面,該第一表面的面積大于平行于所述噴嘴的軸向的表面面積,與現(xiàn)有技術(shù)中噴嘴的圓柱形內(nèi)壁相比,本申請?zhí)峁┑膰娮斓膬?nèi)壁表面積增加,進(jìn)而噴嘴的內(nèi)壁熱輻射量增加,以確保所述噴嘴的內(nèi)壁保持一定的溫度,防止有機(jī)材料粘附于噴嘴的內(nèi)壁。此外,通過調(diào)節(jié)第一表面的面積和個(gè)數(shù),可以調(diào)節(jié)噴嘴的內(nèi)壁熱輻射量,以使所述噴嘴的內(nèi)壁的溫度保持合適的范圍,以便于有機(jī)材料順利通過所述噴嘴內(nèi)壁及從所述噴嘴噴出,這樣可以減少噴嘴堵口的風(fēng)險(xiǎn),有效避免噴嘴堵口而導(dǎo)致的膜厚均勻性差,顯示器顯示不良等問題;此外,本申請實(shí)施例通過增大熱輻射面積來增加熱輻射值,可以降低輸出功率,節(jié)能。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案,下面將對實(shí)施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍坩堝結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是圖1中的噴嘴沿aa`方向的剖面圖。

圖3是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的噴嘴結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的噴嘴結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5是圖4中一種實(shí)施方式中的噴嘴沿bb`方向的剖面圖。

圖6是圖4中另一種實(shí)施方式中的噴嘴沿bb`方向的剖面圖。

圖7是本發(fā)明第三實(shí)施例提供的噴嘴結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍裝置。所述蒸鍍裝置用于蒸鍍制程中,所述蒸鍍裝置在大尺寸有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode,oled)顯示器等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用。所述蒸鍍裝置包括蒸鍍坩堝。

請參閱圖1及圖2,圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種蒸鍍坩堝,圖2是圖1中噴嘴沿aa`方向的截面圖。所述蒸鍍坩堝100包括坩堝本體110、設(shè)于所述坩堝本體110上的坩堝蓋120及加熱器130。所述坩堝蓋120具有噴嘴140。所述噴嘴140凸設(shè)于所述坩堝蓋120上,且設(shè)于背離所述坩堝本體110的一側(cè),用于噴出所述坩堝本體110中的有機(jī)材料150。所述噴嘴140具有頂壁141和內(nèi)壁142。所述頂壁141朝向于背離所述坩堝本體110的一側(cè)。所述內(nèi)壁142連接于所述頂壁141與所述坩堝蓋120之間,以形成所述有機(jī)材料150的輸運(yùn)通道。所述加熱器130設(shè)于所述噴嘴140外圍,用于產(chǎn)生熱量,所述熱量傳導(dǎo)至所述內(nèi)壁142,所述內(nèi)壁142具有至少一個(gè)相對于所述噴嘴140的軸向l傾斜的第一表面143,以增加所述內(nèi)壁142的熱輻射量,以使所述內(nèi)壁142升溫或保持溫度,防止所述有機(jī)材料150粘附于所述內(nèi)壁142。

在蒸鍍制程中,加熱器130用于使所述噴嘴140保持一定的溫度,這一溫度下,有機(jī)材料150在經(jīng)過所述噴嘴140時(shí),便不會(huì)粘附與噴嘴140的內(nèi)壁142上,如果噴嘴140的溫度降低,有機(jī)材料150極有可能會(huì)粘附于噴嘴140的內(nèi)壁142上,從而堵塞噴嘴140口,影響蒸鍍膜厚的均勻性。

在加熱器功率恒定,單位面積上的熱輻射值一定,那么表面積越大,輻射量就越大?;谶@一原理,本申請通過增加所述噴嘴140的內(nèi)壁142表面積來增大噴嘴140的內(nèi)壁142的熱輻射量,以確保所述噴嘴140的內(nèi)壁142保持一定的溫度。在該溫度下,所述有機(jī)材料150不會(huì)粘附于所述噴嘴140的內(nèi)壁142。

現(xiàn)有技術(shù)中,噴嘴的內(nèi)壁呈圓柱形弧面,在忽略制造公差的情況下,噴嘴的內(nèi)壁與噴嘴的軸向l不會(huì)形成夾角。本申請通過在噴嘴140的內(nèi)壁142設(shè)置至少一個(gè)相對于所述噴嘴140的軸向l傾斜的第一表面143,該第一表面143的面積大于平行于所述噴嘴140的軸向l的表面面積,以使噴嘴140的內(nèi)壁142表面積增加,噴嘴140的內(nèi)壁142熱輻射量增加,以確保所述噴嘴140的內(nèi)壁142保持一定的溫度,防止有機(jī)材料150粘附于噴嘴140的內(nèi)壁142。此外,通過調(diào)節(jié)第一表面143的面積和個(gè)數(shù),可以調(diào)節(jié)噴嘴140的內(nèi)壁142熱輻射量,以使所述噴嘴140的內(nèi)壁142的溫度保持合適的范圍,以便于有機(jī)材料150順利通過所述噴嘴140內(nèi)壁142及從所述噴嘴140噴出,這樣可以減少噴嘴140堵口的風(fēng)險(xiǎn),有效避免噴嘴140堵口而導(dǎo)致的膜厚均勻性差,顯示器顯示不良等問題;此外,本申請實(shí)施例通過增大熱輻射面積來增加熱輻射值,可以降低輸出功率,節(jié)能。

可選的,所述噴嘴140可以是金屬材質(zhì)。

通過增大噴嘴的內(nèi)壁表面積的實(shí)施方式有很多,例如,增大噴嘴的內(nèi)徑、增大碰嘴的高度等等,但是這樣的實(shí)施方式會(huì)對蒸鍍制程帶來一定的影響,或不符合蒸鍍制程中規(guī)范化的參數(shù),所以本申請?jiān)诓桓淖冊袊娮?40的高度及噴嘴140的出口(有機(jī)材料150噴出所述噴嘴140的端口)口徑的情況下,從以下三個(gè)實(shí)施例進(jìn)形具體說明,但是本申請包括但不限于以下的實(shí)施例。

第一實(shí)施例

請參閱圖2及圖3,本實(shí)施例通過改變噴嘴140內(nèi)壁142的形狀來增大噴嘴140內(nèi)壁142的表面積。所述坩堝蓋120具有底壁121,所述底壁121與所述頂壁141相對設(shè)置。所述內(nèi)壁142連接于所述頂壁141與所述底壁121之間。所述內(nèi)壁142與所述頂壁141的連接處形成第一端口144,所述第一端口144呈圓形。所述內(nèi)壁142與所述底壁121的連接處形成第二端口145。所述第一端口144正對于所述第二端口145。在實(shí)施過程中,所述第一端口144的中心線可以與所述第二端口145的中心線重合或與所述第二端口145的中心線之間形成0°~5°的夾角。其中,所述第一端口144的尺寸a1小于所述第二端口145的尺寸a2,也就是說,所述第一端口144在所述底壁121上的投影區(qū)域落入所述第二端口145中。

本實(shí)施例中,所述第二端口145為有機(jī)材料150從坩堝本體110進(jìn)入所述噴嘴140的入口,所述第一端口144為有機(jī)材料150從所述噴嘴140噴出的出口。

本實(shí)施例對于所述第二端口145的形狀不做限定。本實(shí)施例對于所述內(nèi)壁142的不做限定。可選地,請參閱圖3,所述第二端口145呈圓形,所述內(nèi)壁142為圓弧面,這樣所述噴嘴140的內(nèi)壁142呈倒錐形的圓弧面。

本實(shí)施例對于所述第二端口145的尺寸a2不做限定??蛇x的,所述第二端口145的尺寸a2可以是所述第一端口144的尺寸a1的1.1~5倍。原因在于,如果所述第二端口145的尺寸a2過大,會(huì)造成這樣可以使得所述坩堝蓋120上的噴嘴數(shù)量減少,且所述第二端口145的尺寸a2過大,內(nèi)壁142與所述噴嘴140的軸向l的夾角過大,及內(nèi)壁142相對于噴嘴140的軸向l傾斜角過大,在有機(jī)材料150蒸鍍過程中,位于噴嘴140上層(靠近所得噴嘴140第一端口144處)的有機(jī)材料150會(huì)受到下層(靠近所述第二端口145處)的有機(jī)材料150的推動(dòng)作用,該推動(dòng)作用會(huì)使得上層的有機(jī)材料150粘附于噴嘴140內(nèi)壁142上,造成噴嘴140堵塞。如果所述第二端口145的尺寸a2過小,即噴嘴140內(nèi)壁142表面積增加量小,那么噴嘴140內(nèi)壁142的熱輻射量小,所述內(nèi)壁142的改進(jìn)對于噴嘴140內(nèi)壁142保持溫度或升溫的作用小。

所述坩堝蓋120上的噴嘴140有多個(gè),那么可以對每個(gè)噴嘴140進(jìn)行相同的改進(jìn),以使噴嘴140的改進(jìn)對蒸鍍膜厚的影響均勻。

第二實(shí)施例

與第一實(shí)施例不同的是,本實(shí)施例通過在噴嘴140的內(nèi)壁142上設(shè)置圖形化來增加噴嘴140內(nèi)壁142的表面積。具體而言,請參閱圖4,所述第一表面143之一個(gè)表面143b與所述噴嘴140的軸向l形成第一夾角θ。所述第一夾角θ可以為5°~90°,也就是說,所述第一表面143相對于所述噴嘴140的軸向l的傾斜角為5°~90°??梢岳斫獾?,本實(shí)施例通過設(shè)置第一夾角θ為5°,是想表達(dá)第一表面143相對于所述噴嘴140的軸向l的傾斜,所述第一夾角θ也可以為4°、4.5°等。當(dāng)所述第一表面143相對于所述噴嘴140的軸向l的傾斜角為90°,也就是說,噴嘴140的軸向l垂直于所述第一表面143,即噴嘴140的軸向l垂直于第一表面143a,那么所述第一表面143就是本實(shí)施例所提供的噴嘴140內(nèi)壁142相對于現(xiàn)有技術(shù)所增加的表面,從而所述噴嘴140的內(nèi)壁142的熱輻射量增加。

本實(shí)施例中,所述內(nèi)壁142與所述頂壁141的連接處形成第一端口144,所述第一端口144呈圓形。

一種實(shí)施方式中,請參閱圖4及圖5,所述內(nèi)壁142具有凹槽146。所述凹槽146的表面連接于所述內(nèi)壁142的表面,那么凹槽146中必然具有與所述噴嘴140軸向l相交的表面。第一表面143位于所述凹槽146內(nèi),那么所述第一表面143可是這些與所述噴嘴140軸向l相交的表面中的一個(gè)面或多個(gè)面,如圖4中的第一表面143a、143b、143c。

可選的,所述第一表面143可以是光滑面,以減少噴嘴140內(nèi)壁142對有機(jī)材料150的吸附力。

可選的,所述內(nèi)壁142具有多個(gè)凹槽146,所述多個(gè)凹槽146連續(xù)分布于所述內(nèi)壁142上。

可選的,請參閱圖4,所述凹槽146還可以是長條形槽,所述長條形槽的延伸方向與所述噴嘴140的軸向l一致或與所述噴嘴140的軸向l形成0°~5°的夾角。可以理解的,本實(shí)施例通過設(shè)置夾角為5°,是想表達(dá)長條形槽的延伸方向與所述噴嘴140的軸向l大致平行。當(dāng)然,所述夾角也可以為5.5°、6°等。所述凹槽146可以是方形槽也可以是弧形槽或其他形狀的長條形槽。

可選的,請參閱圖5,所述凹槽146可以是圓弧形凹槽。

本實(shí)施方式中,所述凹槽146的延伸方向與所述有機(jī)材料150噴出的方向一致,這樣可以減少噴嘴140內(nèi)壁142對于有機(jī)材料150蒸鍍過程中的阻礙作用,從而減少對蒸鍍制程及蒸鍍膜厚的影響。

另一種實(shí)施方式中,請參閱圖6,所述內(nèi)壁142還可以具有凸起147。所述凸起147的表面連接于所述內(nèi)壁142的表面,那么凸起147中必然具有與所述噴嘴140軸向l相交的表面。第一表面143位于所述凸起147上,那么所述第一表面143可是這些與所述噴嘴140軸向l相交的表面中的一個(gè)面或多個(gè)面。

可選的,所述第一表面143可以是光滑面,以減少噴嘴140內(nèi)壁142對有機(jī)材料150的吸附力。

可選的,所述內(nèi)壁142可以具有多個(gè)凸起147,所述多個(gè)凸起147連續(xù)分布于所述內(nèi)壁142上。

可選的,所述凸起147還可以是長條形凸起147,所述長條形凸起147的延伸方向與所述噴嘴140的軸向l一致或與所述噴嘴140的軸向l形成0°~5°的夾角。可以理解的,本實(shí)施例通過設(shè)置夾角為5°,是想表達(dá)長條形凸起147的延伸方向與所述噴嘴140的軸向l大致平行。當(dāng)然,所述夾角也可以為5.5°、6°等。所述凸起147可以是方形凸起147也可以是弧形凸起147或其他形狀的長條形凸起147。

可選的,所述凸起147可以是圓弧形凸起。

本實(shí)施方式中,所述凸起147的延伸方向與所述有機(jī)材料150噴出的方向一致,那么相鄰的凸起147之間可以形成凹形通道,所述凹形通道與有機(jī)材料150噴出的方向一致,這樣可以減少噴嘴140內(nèi)壁142對于有機(jī)材料150蒸鍍過程中的阻礙作用,從而減少對蒸鍍制程及蒸鍍膜厚的影響。

第三實(shí)施例

請參閱圖7,在上述對噴嘴140內(nèi)壁142進(jìn)行圖案化的基礎(chǔ)上,還可以改變所得噴嘴140內(nèi)壁142的形狀,以進(jìn)一步增加所述噴嘴140內(nèi)壁142的表面積。具體而言,所述坩堝蓋120具有底壁121,所述底壁121與所述頂壁141相對設(shè)置。所述內(nèi)壁142連接于所述頂壁141與所述底壁121之間。所述內(nèi)壁142與所述底壁121的連接處形成第二端口145。所述第二端口145正對于所述第一端口144,且所述第一端口144的尺寸a1小于所述第二端口145的尺寸a2。也就是說,所述內(nèi)壁142為倒錐形,此外,所述內(nèi)壁142上還具有圖案化的凹槽146或凸起147。

本申請對于噴嘴140內(nèi)壁142圖案化的形狀、面積均不做限定。所述凹槽146或凸起147可以是連續(xù)地、均勻地設(shè)于噴嘴140的內(nèi)壁142。也可以地,所述凹槽146或凸起147可以相間隔地設(shè)于噴嘴140的內(nèi)壁142上。本申請對于第一表面143的面積及個(gè)數(shù)不做限定,可以通過調(diào)節(jié)相對于所述噴嘴140的軸向l傾斜的表面的面積和個(gè)數(shù),以調(diào)節(jié)噴嘴140的內(nèi)壁142熱輻射量,以使所述噴嘴140的內(nèi)壁142的溫度保持合適的范圍,

綜上所述,雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,但該較佳實(shí)施例并非用以限制本發(fā)明,該領(lǐng)域的普通技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),均可作各種更動(dòng)與潤飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求界定的范圍為準(zhǔn)。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明原理的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤飾,這些改進(jìn)和潤飾也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。

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