本實用新型涉及PVD設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種PVD設(shè)備的反應(yīng)氣體通入結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

真空涂層設(shè)備中，傳統(tǒng)的通入反應(yīng)氣體的方式是，在真空室的內(nèi)壁，均勻地分布4根或8根通氣管，在通氣管上打孔，但這種方式，由于通氣管的孔大小很難選擇合適，會造成真空室上下通氣量不均勻，涂層成分不均勻，另外離化率不夠，造成涂層的品質(zhì)不高。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型提供了一種PVD設(shè)備的反應(yīng)氣體通入結(jié)構(gòu)。在真空涂層設(shè)備中，反應(yīng)氣體直接通在蒸發(fā)源周圍，可以有效地提高氣體的離化率，同時提高涂層的均勻性，從而提高涂層的質(zhì)量及穩(wěn)定性。

為了達(dá)到上述目的，本實用新型提供了一種PVD設(shè)備的反應(yīng)氣體通入結(jié)構(gòu)，在蒸發(fā)源法蘭上打孔，并在蒸發(fā)源法蘭外側(cè)焊接接氣扣，在真空室內(nèi)側(cè)圍繞靶材焊接銅管，銅管上均勻打出氣孔，銅管的一端穿于孔內(nèi)，另一端通過接氣扣連通外部氣源。

優(yōu)選的，出氣孔的孔徑為1mm。

優(yōu)選的，所述銅管的直徑為8mm。

優(yōu)選的，所述銅管距離靶材的邊緣為5mm。

有益效果：由于直接通在每個蒸發(fā)源周圍，涂層的均勻性極大地提高；氣體會蒸發(fā)源周圍形成屏障，阻止大顆粒飛行到工件表面，從而極大地改善了涂層的致密性和涂層表面的粗糙度。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的一種PVD設(shè)備的反應(yīng)氣體通入結(jié)構(gòu)圖。

具體實施方式

為使本實用新型解決的技術(shù)問題、采用的技術(shù)方案和達(dá)到的技術(shù)效果更加清楚，下面結(jié)合附圖和實施例對本實用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。可以理解的是，此處所描述的具體實施例僅僅用于解釋本實用新型，而非對本實用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實用新型相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。

請參照圖1，本實施例的一種PVD設(shè)備的反應(yīng)氣體通入結(jié)構(gòu)，在蒸發(fā)源法蘭1上打孔，并在蒸發(fā)源法蘭1外側(cè)焊接接氣扣，在真空室內(nèi)側(cè)圍繞靶材2焊接銅管3，銅管3上均勻打出氣孔，出氣孔的孔徑為1mm，銅管3的一端穿于孔內(nèi)，另一端通過接氣扣連通外部氣源；所述銅管3的直徑為8mm。

涂層設(shè)備在工作時，反應(yīng)氣體通過銅管上的出氣孔孔通入真空室；反應(yīng)氣體直接和靶材蒸發(fā)出來的金屬離子發(fā)生反應(yīng)。

最后應(yīng)說明的是：以上各實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述各實施例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分或者全部技術(shù)特征進(jìn)行等同替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施例技術(shù)方案的范圍。