本揭露是有關于一種研磨墊，一種研磨墊的制作方法，及一種研磨方法。

背景技術：

化學機械研磨/平坦化(CMP)為一種結(jié)合化學力與機械力來讓表面平滑的制程。此制程使用具有研磨與腐蝕作用的化學研磨漿，且與研磨墊一并使用。化學機械研磨/平坦化制程能移除在晶圓上的材料，且易于使晶圓的不規(guī)則起伏變得平坦穩(wěn)定，進而使晶圓變平或呈平面的。

技術實現(xiàn)要素：

本揭露的一技術態(tài)樣為一種研磨墊，用于化學機械研磨設備。

根據(jù)本揭露多個實施方式，一種研磨墊包含第一支撐層與研磨層。研磨層位于第一支撐層上。研磨層具有頂面與至少一第一空腔，其中頂面背對于第一支撐層，且第一空腔至少埋藏于研磨層的頂面下方。

本揭露的一技術態(tài)樣為一種研磨墊的制作方法。

根據(jù)本揭露多個實施方式，一種研磨墊的制作方法包含：形成具有頂面、至少一第一溝槽與至少一第二溝槽的研磨層，其中第一溝槽與第二溝槽各自與研磨層的頂面相隔不同的垂直距離；接合研磨層到至少一支撐層上，其中在接合研磨層后，研磨層的頂面背對于支撐層。

本揭露的一技術態(tài)樣為一種研磨方法。

根據(jù)本揭露多個實施方式，一種研磨方法包含：供應研磨漿至研磨墊上，其中研磨墊具有至少一開槽與至少一埋藏槽，且供應研磨漿是供應研磨漿的至少一部分至該開槽中；托住抵靠在研磨墊的至少一工件；相對于研磨墊旋轉(zhuǎn)工件，其中在旋轉(zhuǎn)工件的過程中，研磨墊被磨損而裸露出埋藏槽。

在本揭露上述多個實施方式中，由于研磨墊的研磨層具有埋藏于其頂面下方的空腔，因此當研磨漿在研磨層的頂面研磨多個晶圓一段時間后，埋藏于頂面下方的空腔可裸露而容置研磨漿并繼續(xù)用來研磨晶圓。如此一來，可延長研磨墊的使用壽命、降低研磨漿的使用量，并提升晶圓的平坦化與良率。

附圖說明

當結(jié)合所附附圖閱讀時，以下詳細描述將較容易理解本揭露的態(tài)樣。應注意，根據(jù)工業(yè)中的標準實務，各特征并非按比例繪制。事實上，出于論述清晰的目的，可任意增加或減小各特征的尺寸。

圖1繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的化學機械研磨設備的立體圖；

圖2繪示圖1的化學機械研磨設備的研磨墊的局部放大圖；

圖3繪示圖2的研磨墊沿線段3-3的剖面圖；

圖4繪示圖3的研磨墊當其第二溝槽裸露后的剖面圖；

圖5繪示圖3的研磨層的局部放大圖；

圖6繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊的剖面圖；

圖7繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊的剖面圖；

圖8繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊的剖面圖；

圖9繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊的剖面圖；

圖10繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊的制作方法的流程圖；

圖11繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨方法的流程圖。

具體實施方式

以下揭示內(nèi)容提供許多不同實施例或?qū)嵗?，以便實施所提供標的的不同特征。下文描述組件及排列的特定實例以簡化本揭露。當然，這些實例僅為示例且并不意欲為限制性。舉例來說，以下描述中在第二特征上方或第二特征上形成第一特征可包括以直接接觸形成第一特征及第二特征的實施例，且亦可包括可在第一特征與第二特征之間形成額外特征以使得第一特征及第二特征可不處于直接接觸的實施例。另外，本揭露可在各實例中重復元件符號及/或字母。此重復是出于簡明性及清晰的目的，且本身并不指示所論述的各實施例及/或配置之間的關系。

進一步地，為了便于描述，本文可使用空間相對性術語(諸如“之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”及類似者)來描述諸圖中所繪示一個元件或特征與另一元件(或多個元件)或特征(或多個特征)的關系。除了諸圖所描繪的定向外，空間相對性術語意欲包含使用或操作中裝置的不同定向。設備可經(jīng)其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或處于其他定向)，因此可同樣解讀本文所使用的空間相對性描述詞。

本揭露將在以下內(nèi)容中具體描述有關一種研磨墊的研磨層，而此研磨層具有分別位于不同水平面的第一溝槽與第二溝槽。第一溝槽與第二溝槽可用來容置研磨晶圓的研磨漿。當位于研磨層頂面中的第二溝槽存在時，研磨漿可流入第二溝槽并儲存于第二溝槽，以研磨晶圓。待第二溝槽磨光消失后，埋藏在研磨層中的第一溝槽可從研磨層的頂面裸露。如此一來，研磨漿可流入第一溝槽并儲存于第二溝槽，以繼續(xù)研磨晶圓。然而，本揭露的多個實施方式可應用于各種的研磨墊。不同的實施方式將參考對應的附圖詳細說明。

圖1繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的化學機械研磨設備100的立體圖。如圖1所示，化學機械研磨設備100包含平臺110、研磨墊120、研磨漿進料器130與承載裝置140。研磨墊120位于平臺110上且具有研磨層122。研磨漿進料器130與承載裝置140位于研磨層122上方。當化學機械研磨設備100運作時，研磨漿進料器130可供應研磨漿132至研磨層122上，且研磨墊120可由平臺110帶動而往方向D1旋轉(zhuǎn)。待研磨漿132散布于研磨墊120的研磨層122后，承載裝置140可將晶圓210往方向D2推而使晶圓210抵靠于研磨層122，使得晶圓210接觸研磨層122的一側(cè)可被研磨漿132研磨。為了進一步使晶圓210平坦化，承載裝置140可旋轉(zhuǎn)(例如也以方向D1旋轉(zhuǎn))并同時于研磨墊120的研磨層122上移動，但并不用以限制本揭露的多個實施方式。

圖2繪示圖1的化學機械研磨設備100的研磨墊120的局部放大圖。圖3繪示圖2的研磨墊120沿線段3-3的剖面圖。同時參閱圖2與圖3，研磨墊120包含研磨層122與第一支撐層128。研磨層122位于第一支撐層128上。第一支撐層128位于平臺110(見圖1)與研磨層122之間。第一支撐層128較研磨層122硬，使得第一支撐層128可對研磨層122提供支撐力。

研磨層122位于第一支撐層128上且具有頂面123與底面125。底面125背對于頂面123且朝向第一支撐層128。研磨層122具有至少一第一溝槽124與至少一第二溝槽126。在多個實施方式中，第二溝槽126可以為至少埋藏在研磨層122的頂面123下方的空腔。第一溝槽124位于研磨層122的頂面123。在多個實施方式中，第二溝槽126為在研磨層122底面125上的具有開口1262的溝槽，且第二溝槽126的開口1262由第一支撐層128覆蓋，使得第二溝槽126可視為埋藏槽。另一方面，第一溝槽124為在研磨層122的頂面123中的開槽。

換句話說，研磨層122的頂面123其內(nèi)具有第一溝槽124，且研磨層122的底面125其內(nèi)具有第二溝槽126。第一溝槽124與第二溝槽126分別位于研磨層122的相對兩側(cè)，且第一溝槽124的開口方向D3與第二溝槽126的開口方向D4相反。應了解到，研磨層122的第一溝槽124與第二溝槽126在圖3中的數(shù)量為示例，并不用以限制本揭露的多個實施方式。

在多個實施方式中，研磨層122的第一溝槽124與第二溝槽126可為同心圓排列，但并不用以限制本揭露的多個實施方式。

同時參閱圖1與圖3，當研磨漿132供應至研磨墊120的研磨層122且平臺110旋轉(zhuǎn)時，研磨漿132可在研磨層122的頂面123上流動，且可流入第一溝槽124中。如此一來，研磨漿132容置于研磨層122的第一溝槽124中，且研磨漿132與研磨層122用來研磨接觸研磨層122的晶圓210。待研磨層122的頂面123研磨多個晶圓210一段時間后，第一溝槽124會因研磨漿132與晶圓210的研磨而被磨損，使第一溝槽124尺寸變小或消失。

參閱圖3，第一溝槽124與第二溝槽126各自與研磨層122的頂面123相隔不同的垂直距離。圖4繪示圖3的研磨墊120當其第二溝槽126裸露后的剖面圖。如圖4所示，當研磨層122的頂面123被研磨漿132與晶圓210(見圖1)研磨時，研磨層122的厚度會磨損減薄，使得第一溝槽124可被磨耗而第二溝槽126可從研磨層122的頂面123裸露。因此，即使第一溝槽124磨耗了，第二溝槽126可被打開而繼續(xù)容置研磨漿132。也就是說，待第一溝槽124因研磨層122的頂面123被研磨漿132與晶圓210(見圖1)研磨而磨耗后，供應至研磨層122的頂面123的研磨漿132也可流入第二溝槽126中。

同時參閱圖1與圖4，由于當?shù)谝粶喜?24磨耗后，第二溝槽126可裸露來容置研磨漿132，因此研磨漿132可容置于殘留的第一溝槽124與被打開的第二溝槽126中。如此一來，研磨層122的第一溝槽124與第二溝槽126可具有小深度的設計。一般而言，具有深溝槽的研磨墊相較具有淺溝槽的研磨墊需要較多的研磨漿流量來達到相似的研磨速率。因此，如同研磨層122具有縮短的第一溝槽124與第二溝槽126，研磨漿132的流量得以減小，且能維持研磨速率。也就是說，可降低研磨漿132的使用量。

此外，因為研磨層122具有第一溝槽124與第二溝槽126來容置研磨漿132，所以可增加被容置有研磨漿132的研磨層122研磨的晶圓數(shù)量。因此，研磨墊120的使用壽命得以延長。據(jù)此，當具有第一溝槽124與第二溝槽126的研磨層122的研磨墊120使用于化學機械研磨設備100時，對于研磨墊120在一段期間的預防性保養(yǎng)(PM)次數(shù)可以減少，進而可延長化學機械研磨設備100的運作時間。

另外，若晶圓210通常是在研磨層122的邊緣部分研磨，如圖1晶圓210的位置所示，第二溝槽126可形成在對應晶圓210位置的研磨層122邊緣部分。由于研磨層122有晶圓210在其上的部分相較于研磨層122的其他部分會較快被磨損，因此可依據(jù)晶圓210與研磨層122的相對位置來決定研磨層122中第二溝槽126的位置。

參閱圖3，在多個實施方式中，第一溝槽124與第二溝槽126交替排列于研磨層122中，且第一溝槽124在第一支撐層128的正投影與第二溝槽126在第一支撐層128的正投影不重疊。也就是說，第一溝槽124的中心線L1與第二溝槽126的中心線L2是平行的且相隔距離d1。這樣的設計可確保待第一溝槽124大致磨光后第二溝槽126才從研磨層122的頂面123裸露。

在多個實施方式中，研磨層122的頂面123其內(nèi)具有多個第一溝槽124，研磨層122的底面125其內(nèi)具有多個第二溝槽126。每一第二溝槽126在頂面123的正投影位于兩相鄰第一溝槽124之間。

研磨墊120還可包含第二支撐層129，且第一支撐層128位于第二支撐層129與研磨層122之間。在多個實施方式中，第二支撐層129的硬度大于第一支撐層128的硬度，且第一支撐層128的硬度大于研磨層122的硬度，但并不用以限制本揭露的多個實施方式。這樣的設計，第二支撐層129可用來支撐第一支撐層128與研磨層122。

圖5繪示圖3的研磨層122的局部放大圖。同時參閱圖3與圖5，研磨層122的第一溝槽124具有底部1241，且研磨層122的第二溝槽126具有底部1261。在多個實施方式中，第一溝槽124的底部1241與第二溝槽126的底部1261位于相同的水平面。這樣的設計，當?shù)谝粶喜?24被磨損而消失后，第二溝槽126可接著從頂面123裸露。

在多個實施方式中，第二溝槽126的底部1261與頂面123之間的垂直距離d2可小于或等于第一溝槽124的底部1241與頂面123之間的垂直距離d3。若第二溝槽126的底部1261與頂面123之間的垂直距離d2小于第一溝槽124的底部1241與頂面123之間的垂直距離d3，具有這樣的第一溝槽124、第二溝槽126的研磨層122可確保第二溝槽126在第一溝槽124磨光前可從頂面123裸露。若底部1261與頂面123之間的垂直距離d2等于底部1241與頂面123之間的垂直距離d3，這樣的研磨層122可確保第二溝槽126在第一溝槽124磨光時可同時從頂面123裸露。

在多個實施方式中，研磨層122具有至少一第一凸部121a與至少一第二凸部121b。第一凸部121a可視為固體部，且此固體部分開第一溝槽124的至少其中兩者。第二溝槽126至少埋藏于研磨層122的第一凸部121a下方。第一凸部121a緊鄰第一溝槽124，且第二凸部121b緊鄰第二溝槽126。此外，第一溝槽124可對齊于第二凸部121b，而第二溝槽126可對齊于第一凸部121a。如此一來，第一溝槽124與第二溝槽126交替排列于研磨層122中。待第一凸部121a被研磨漿132(見圖1)與多個晶圓210(見圖1)磨損一段時間后，即使第一溝槽124逐漸磨光而容置越來越少的研磨漿132，第二溝槽126可被裸露與打開來容置在研磨層122上的研磨漿132，使得研磨墊120的研磨層122仍可維持足夠量的研磨漿132來研磨晶圓210。

圖6繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊120a的剖面圖。如圖6所示，第一支撐層128a其內(nèi)還可具有凹槽1281。第一支撐層128a的凹槽1281連通于第二溝槽126，且凹槽1281大致與第二溝槽126對齊。

研磨墊120a還可包含粘膠1282。粘膠1282位于第一支撐層128a與研磨層122之間，且粘膠1282至少部分位于凹槽1281中。在組裝研磨層122與第一支撐層128a的期間，粘膠1282可涂布在第一支撐層128a具有凹槽1281的表面。接著，研磨層122可粘合至第一支撐層128a的表面。由于第一支撐層128a其內(nèi)具有凹槽1281，多余的粘膠1282可流入凹槽1281。如此一來，在第一支撐層128a中的凹槽1281可避免多余的粘膠1282流入研磨層122的第二溝槽126，使的第二溝槽126中的空間不會被粘膠1282占據(jù)。換句話說，第一支撐層128a的凹槽1281可確保第二溝槽126的空間是用來容置研磨漿。

圖7繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊120b的剖面圖。如圖7所示，研磨墊120b還可包含另一研磨層122a。研磨層122a的結(jié)構(gòu)可大致與研磨層122的結(jié)構(gòu)相同。研磨層122a堆疊在研磨層122上，使得研磨層122a的底面125a接觸研磨層122的頂面123。此外，研磨層122、122a的材料可包含聚氨酯(Polyurethane)，但并不用以限制本揭露的多個實施方式。

在多個實施方式中，研磨層122a的第一溝槽124a可對齊于研磨層122的第一溝槽124，且研磨層122a的第二溝槽126a可對齊于研磨層122的第二溝槽126。

當研磨墊120b使用于化學機械研磨設備時，因研磨墊120b具有包含位于不同水平面的第一溝槽124a、第二溝槽126a、第三溝槽124與第四溝槽126的四層溝槽，使得此設計可延長研磨墊120b的使用壽命，還可減少研磨墊120b的預防性保養(yǎng)(PM)次數(shù)。

圖8繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊120c的剖面圖。第二溝槽126b不僅埋藏于研磨層122b的頂面123下方，且埋藏于研磨層122b的底面125下。當?shù)谝粶喜?24磨光時，第二溝槽126b可從頂面123裸露而繼續(xù)容置研磨漿132(見圖1)。此外，在多個實施方式中，粘膠1282位于研磨層122b與第一支撐層128之間。由于第二溝槽126b在第一溝槽124磨光前為封閉的空腔，因此當研磨層122b貼合于第一支撐層128時，在研磨層122b的底面125下方的粘膠1282不會流入第二溝槽126b。這樣的設計可確保第二溝槽126b的空間不會被粘膠1282占據(jù)。

圖9繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊120d的剖面圖。如圖9所示，研磨層122c還具有至少一第三溝槽126c。第三溝槽126c位于研磨層122c的頂面123下方。第二溝槽126b與研磨層122c的頂面123相隔第一垂直距離d4，第三溝槽126c與研磨層122c的頂面123相隔第二垂直距離d5，且第一垂直距離d4不同于第二垂直距離d5。在多個實施方式中，第一垂直距離d4小于第二垂直距離d5。當研磨墊120d使用于化學機械研磨設備時，因研磨墊120d具有包含位于不同水平面的第一溝槽124a、第二溝槽126b、第三溝槽126c的三層溝槽，因此可延長研磨墊120d的使用壽命并減少研磨墊120d的預防性保養(yǎng)(PM)次數(shù)。

圖10繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨墊的制作方法的流程圖。此方法起始于文字方塊310，形成具有頂面、至少一第一溝槽與至少一第二溝槽的研磨層。第一溝槽與第二溝槽各自與研磨層的頂面相隔不同的垂直距離。此方法接著為文字方塊320，接合研磨層到至少一支撐層上。在接合研磨層后，研磨層的頂面背對于支撐層。

在多個實施方式中，研磨墊的研磨層可由三維(3D)打印形成。舉例來說，研磨層可由三維打印的選擇性激光燒結(jié)(Selective Laser Sintering；SLS)形成。在多個實施方式中，三維打印機可利用聚氨酯(Polyurethane)來制作包含研磨層的研磨墊。選擇性激光燒結(jié)可分別在研磨層的頂面與底面分別形成第一溝槽與第二溝槽。另外，研磨墊的精度可介于約0.2mm至1.2mm的范圍，而選擇性激光燒結(jié)的精度可小于約0.07mm，因此，選擇性激光燒結(jié)法可符合研磨墊所需的精度。

此外，第一溝槽可由機械加工研磨層的頂面而形成，且第二溝槽可由機械加工研磨層的底面而形成。這里指的“機械加工”意指未加工的材料件經(jīng)受控的材料移除制程切削而成為所需的最終形狀與尺寸的各種制程。

在多個實施方式中，研磨墊可經(jīng)熟化而形成。形成研磨層可包含下列步驟。形成研磨層的第一層。接著，設置第一遮罩于研磨層的第一層上。接著在設置該第一遮罩后，熟化研磨層的第一層。之后，從研磨層的第一層移除第一遮罩，以在研磨層的第一層中產(chǎn)生至少一溝槽空間。接著，形成研磨層的第二層于研磨層的第一層上，且埋藏溝槽空間于研磨層的第二層下方而成為第一溝槽。第一層與第二層的材料可包含聚氨酯，但并不用以限制本揭露的多個實施方式，也可采用其他材料(如橡膠)經(jīng)熟化而形成研磨墊。

此外，形成研磨層還可包含下列步驟。設置第二遮罩于研磨層的第二層上。接著在設置第二遮罩后，熟化研磨層的第二層。之后，從研磨層的第二層移除第二遮罩，以在研磨層的第二層中產(chǎn)生第二溝槽。在以下敘述中，將敘述一種研磨方法。

圖11繪示根據(jù)本揭露多個實施方式的研磨方法的流程圖。此方法起始于文字方塊410，供應研磨漿至研磨墊上。研磨墊具有至少一開槽與至少一埋藏槽，且供應研磨漿是供應研磨漿的至少一部分至開槽中。此方法接著為文字方塊420，托住抵靠在研磨墊的至少一工件(例如硅晶圓)。此方法接著為文字方塊430，相對于研磨墊旋轉(zhuǎn)工件。在旋轉(zhuǎn)工件的過程中，研磨墊被磨損而裸露出埋藏槽。

在多個實施方式中，供應研磨漿還包含供應至少另一部分研磨漿至裸露的埋藏槽中。

為了讓在研磨墊上的研磨漿維持特定的品質(zhì)，且延長研磨墊的使用壽命，用于化學機械研磨設備的研磨墊、研磨墊的制作方法及研磨方法被設計來將研磨漿容置于第一溝槽及/或第二溝槽中，其中第一溝槽與第二溝槽分別位于研磨層的相對兩側(cè)。當研磨漿供應到研磨墊的研磨層上時，在研磨層頂面中的第一溝槽可容置研磨漿。待研磨層的頂面被多個晶圓研磨一段時間后，第一溝槽可被磨光而消失。然而，此時在研磨層底面的第二溝槽可由頂面裸露而繼續(xù)容置研磨漿。如此一來，可提升晶圓的平坦化與合格率，可降低研磨漿的使用量，且可延長研磨墊的使用壽命。此外，對于研磨墊來說，在一段期間的預防性保養(yǎng)(PM)次數(shù)可以減少，進而可延長化學機械研磨設備的運作時間。

根據(jù)本揭露多個實施方式，一種研磨墊包含第一支撐層與研磨層。研磨層位于第一支撐層上。研磨層具有頂面與至少一第一空腔，其中頂面背對于第一支撐層，且第一空腔至少埋藏于研磨層的頂面下方。

在本揭露多個實施方式中，上述研磨層具有至少一開槽，且開槽在研磨層的頂面上。

在本揭露多個實施方式中，上述開槽的數(shù)量為多個。研磨層具有至少一固體部。固體部分開這些開槽的至少其中兩者，且第一空腔至少埋藏于研磨層的固體部下方。

在本揭露多個實施方式中，上述研磨層具有朝向第一支撐層的底面，且第一空腔具有在研磨層的底面上的至少一開口。

在本揭露多個實施方式中，上述第一空腔的開口由第一支撐層覆蓋。

在本揭露多個實施方式中，上述第一支撐層具有連通第一空腔的至少一凹槽。研磨墊還包含粘膠。粘膠至少位于第一支撐層與研磨層之間，粘膠至少部分位于凹槽中。

在本揭露多個實施方式中，上述研磨層還具有至少一第二空腔。第二空腔至少埋藏于研磨層的頂面下方。第一空腔與研磨層的頂面相隔第一垂直距離，第二空腔與研磨層的頂面相隔第二垂直距離，且第一垂直距離不同于第二垂直距離。

根據(jù)本揭露多個實施方式，一種研磨墊的制作方法包含：形成具有頂面、至少一第一溝槽與至少一第二溝槽的研磨層，其中第一溝槽與第二溝槽各自與研磨層的頂面相隔不同的垂直距離；接合研磨層到至少一支撐層上，其中在接合研磨層后，研磨層的頂面背對于支撐層。

在本揭露多個實施方式中，上述形成該研磨層包含：形成研磨層的一第一層。設置第一遮罩于研磨層的第一層上。在設置第一遮罩后，熟化研磨層的第一層。從研磨層的第一層移除第一遮罩，以在研磨層的第一層中產(chǎn)生至少一溝槽空間。形成研磨層的第二層于研磨層的第一層上，且埋藏溝槽空間于研磨層的第二層下方而成為第二溝槽。

根據(jù)本揭露多個實施方式，一種研磨方法包含：供應研磨漿至研磨墊上，其中研磨墊具有至少一開槽與至少一埋藏槽，且供應研磨漿是供應研磨漿的至少一部分至該開槽中；托住抵靠在研磨墊的至少一工件；相對于研磨墊旋轉(zhuǎn)工件，其中在旋轉(zhuǎn)工件的過程中，研磨墊被磨損而裸露出埋藏槽。

盡管參看本揭露的某些實施例已相當詳細地描述了本揭露，但其他實施例系可能的。因此，所附申請專利范圍的精神及范疇不應受限于本文所含實施例的描述。

將對熟悉此項技術者顯而易見的是，可在不脫離本揭露的范疇或精神的情況下對本揭露的結(jié)構(gòu)實行各種修改及變化。鑒于上述，本揭露意欲涵蓋本揭露的修改及變化，前提是這些修改及變化屬于權(quán)利要求書的范疇內(nèi)。

上文概述若干實施例的特征，使得熟悉此項技術者可更好地理解本揭露的態(tài)樣。熟悉此項技術者應了解，可輕易使用本揭露作為設計或修改其他制程及結(jié)構(gòu)的基礎，以便實施本文所介紹的實施例的相同目的及/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)勢。熟悉此項技術者亦應認識到，此類等效結(jié)構(gòu)并未脫離本揭露的精神及范疇，且可在不脫離本揭露的精神及范疇的情況下產(chǎn)生本文的各種變化、替代及更改。