本發(fā)明涉及一種用于加工硅環(huán)的游輪片及加工方法，屬于半導(dǎo)體材料
技術(shù)領(lǐng)域：
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背景技術(shù)：
：一般在制造半導(dǎo)體集成電路的時候，需要對硅晶片上形成的層間絕緣層(sio2)進(jìn)行刻蝕工藝。為了對帶有絕緣層的硅片進(jìn)行刻蝕，要使用等離子刻蝕裝置。在該等離子刻蝕裝置中，刻蝕氣體通過設(shè)置于硅電極板的貫穿細(xì)孔朝向硅片并同時施加高頻電壓，從而在等離子體刻蝕用硅電極板和硅片之間產(chǎn)生了等離子體，該等離子體作用于硅片，從而實現(xiàn)對硅片表面絕緣層的刻蝕。在該過程中，硅片被置于載片臺(硅部件)上。由于工藝或硅片尺寸的不同，載片臺(硅部件)的結(jié)構(gòu)也各不相同，統(tǒng)稱為硅環(huán)。在等離子體刻蝕硅片時，承載硅片的硅環(huán)也會受到等離子體的刻蝕作用，若硅環(huán)的表面存在損傷的話，在刻蝕過程中會產(chǎn)生各種雜質(zhì)，對待刻蝕的硅片造成沾污，影響最終產(chǎn)品的良率，因此一般需要硅環(huán)的表面為拋光表面。硅環(huán)整體結(jié)構(gòu)一般使用加工中心完成，之后采用腐蝕和化學(xué)機(jī)械拋光方法獲得完美表面。但在拋光過程中硅環(huán)的外徑表面不與拋光布接觸，因此不能進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光，影響硅環(huán)的表面質(zhì)量。技術(shù)實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種用于加工硅環(huán)的游輪片，采用該游輪片能夠同時拋光硅環(huán)的正表面及外徑表面。本發(fā)明的另一目的在于提供一種采用所述游輪片加工硅環(huán)的方法，該方法簡單易行，效率較高，大大降低外徑表面處理時間。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：一種用于加工硅環(huán)的游輪片，該游輪片包括本體及設(shè)置在本體上用于承載硅環(huán)的內(nèi)圓，在該內(nèi)圓的內(nèi)壁貼有拋光布。優(yōu)選地，所述游輪片上設(shè)置有數(shù)個不同規(guī)格的內(nèi)圓，用于承載不同規(guī)格的硅環(huán)。所述游輪片的材質(zhì)為金屬、pvc、或樹脂。一種采用所述游輪片加工硅環(huán)的方法，包括以下步驟：(1)將腐蝕后的硅環(huán)放置在游輪片的內(nèi)圓內(nèi)對硅環(huán)進(jìn)行拋光，對硅環(huán)正表 面拋光的同時對硅環(huán)的外徑表面進(jìn)行拋光，通過調(diào)整游輪片的自轉(zhuǎn)速度來調(diào)整外徑表面的去除量；(2)雙面拋光后，使用酸或堿對硅環(huán)進(jìn)行清洗。優(yōu)選地，所述游輪片的自轉(zhuǎn)速度為1-100轉(zhuǎn)/分，拋光時間為1min-2h。所述硅環(huán)的外徑表面去除量為1-100μm。本發(fā)明的優(yōu)點在于：本發(fā)明利用改進(jìn)后的游輪片對硅環(huán)進(jìn)行加工，提高硅環(huán)的表面質(zhì)量。具體來說，本發(fā)明在游輪片中放硅環(huán)的部分內(nèi)圓處貼上拋光布，在上下表面拋光的同時對外徑表面進(jìn)行拋光，并且可以通過調(diào)整游輪片的自轉(zhuǎn)速度來達(dá)到所需要的表面。本發(fā)明在硅環(huán)加工，特別是提高硅環(huán)表面質(zhì)量方面非常實用。本發(fā)明可以使用于商業(yè)上的任何直徑的硅環(huán)加工工藝。附圖說明圖1為本發(fā)明的游輪片的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實施方式以下結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明，但本發(fā)明并不限于此。如圖1所示，本發(fā)明用于加工硅環(huán)的游輪片包括本體1及設(shè)置在本體1上用于承載不同規(guī)格的硅環(huán)2的數(shù)個不同規(guī)格的內(nèi)圓3，在該內(nèi)圓3的內(nèi)壁上貼有拋光布4。作為游輪片，其材質(zhì)為金屬、pvc、或樹脂。采用上述游輪片加工硅環(huán)的方法為：(1)將腐蝕后的硅環(huán)放置在游輪片的內(nèi)圓內(nèi)對硅環(huán)進(jìn)行拋光，對硅環(huán)正表面拋光的同時對硅環(huán)的外徑表面進(jìn)行拋光，通過調(diào)整游輪片的自轉(zhuǎn)速度來調(diào)整外徑表面的去除量；優(yōu)選地，游輪片的自轉(zhuǎn)速度為1-100轉(zhuǎn)/分，拋光時間為1min-2h，硅環(huán)的外徑表面去除量為1-100μm；(2)雙面拋光后，采用常規(guī)方法使用酸或堿對硅環(huán)進(jìn)行清洗。實施例使用本發(fā)明的游輪片及加工方法，在雙面拋光機(jī)上進(jìn)行拋光，拋光后使用游標(biāo)卡尺測量去險量，使用粗糙度儀測量外徑表面的精糙度。測試結(jié)果如下：自轉(zhuǎn)速度(轉(zhuǎn)/分)036去除量(μm)05.412.2粗糙度(μm)1.1410.530.116表面情況腐蝕面鏡面鏡面從結(jié)果中可以看出，使用本發(fā)明中的游輪片，可以對硅環(huán)的外徑進(jìn)行拋光，可以通過調(diào)整自轉(zhuǎn)速度來調(diào)節(jié)拋光的去除量，從而得到高質(zhì)量的硅環(huán)產(chǎn)品。技術(shù)特征：技術(shù)總結(jié)本發(fā)明公開了一種用于加工硅環(huán)的游輪片及加工方法。該游輪片包括本體及設(shè)置在本體上用于承載硅環(huán)的內(nèi)圓，在該內(nèi)圓的內(nèi)壁貼有拋光布。采用該游輪片加工硅環(huán)的方法包括以下步驟：(1)將腐蝕后的硅環(huán)放置在游輪片的內(nèi)圓內(nèi)對硅環(huán)進(jìn)行拋光，對硅環(huán)正表面拋光的同時對硅環(huán)的外徑表面進(jìn)行拋光，通過調(diào)整游輪片的自轉(zhuǎn)速度來調(diào)整外徑表面的去除量；(2)雙面拋光后，使用酸或堿對硅環(huán)進(jìn)行清洗。本發(fā)明利用改進(jìn)后的游輪片對硅環(huán)進(jìn)行加工，提高硅環(huán)的表面質(zhì)量。具體來說，本發(fā)明在游輪片中放硅環(huán)的部分內(nèi)圓處貼上拋光布，在上下表面拋光的同時對外徑表面進(jìn)行拋光，并且可以通過調(diào)整游輪片的自轉(zhuǎn)速度來達(dá)到所需要的表面。技術(shù)研發(fā)人員：庫黎明;朱秦發(fā);王永濤;葛鐘;閆志瑞受保護(hù)的技術(shù)使用者：有研半導(dǎo)體材料有限公司技術(shù)研發(fā)日：2015.12.24技術(shù)公布日：2017.07.07