技術(shù)編號(hào):12809724
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種用于加工硅環(huán)的游輪片及加工方法,屬于半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)一般在制造半導(dǎo)體集成電路的時(shí)候,需要對(duì)硅晶片上形成的層間絕緣層(SiO2)進(jìn)行刻蝕工藝。為了對(duì)帶有絕緣層的硅片進(jìn)行刻蝕,要使用等離子刻蝕裝置。在該等離子刻蝕裝置中,刻蝕氣體通過設(shè)置于硅電極板的貫穿細(xì)孔朝向硅片并同時(shí)施加高頻電壓,從而在等離子體刻蝕用硅電極板和硅片之間產(chǎn)生了等離子體,該等離子體作用于硅片,從而實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片表面絕緣層的刻蝕。在該過程中,硅片被置于載片臺(tái)(硅部件)上。由于工藝或硅片尺寸的不同,載片臺(tái)(硅部件)的...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
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