1.一種電子束冷床底錠的熔煉方法，其特征在于，包括：
在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層；
進(jìn)行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化。
2.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料的步驟包括：使所述塊狀物料鋪滿(mǎn)所述冷床的底部。
3.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料為由散料壓制而成的塊狀物料。
4.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料為鈦晶經(jīng)壓錠機(jī)壓制而成的塊狀物料。
5.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料的比重在2g/cm3到3g/cm3。
6.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料為長(zhǎng)方體形狀。
7.如權(quán)利要求6所述的熔煉方法，其特征在于，所述塊狀物料的長(zhǎng)在100毫米到200毫米范圍內(nèi)，寬在50毫米到100毫米范圍內(nèi)，高在10毫米到20毫米范圍內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：原料層中靠近冷床底部的所述塊狀物料的尺寸大于遠(yuǎn)離冷床底部的所述塊狀物料的尺寸。
9.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，所述冷床包括位于所述冷床側(cè)壁上的流料口，所述流料口用于使經(jīng)熔煉的物料流出；
在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：使原料層的表面低于所述流料口最低位置。
10.如權(quán)利要求9所述的熔煉方法，其特征在于，所述原料層表面與所述流料口最低位置高度差在8厘米到12厘米范圍內(nèi)。
11.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，進(jìn)行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化的步驟包括：采用區(qū)域熔煉方法進(jìn)行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化。
12.如權(quán)利要求11所述的熔煉方法，其特征在于，采用區(qū)域熔煉方法進(jìn)行熔煉的步驟包括：
調(diào)節(jié)電子束，使所述電子束在熔煉區(qū)域內(nèi)轟擊所述原料層；
采用調(diào)節(jié)好的電子束對(duì)所述原料層進(jìn)行掃描以使所述塊狀物料熔化。
13.如權(quán)利要求12所述的熔煉方法，其特征在于，調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：使所述電子束的功率20千瓦到50千瓦范圍內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的熔煉方法，其特征在于，調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：調(diào)節(jié)電子束，使所述電子束的熔煉區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)方形。
15.如權(quán)利要求14所述的熔煉方法，其特征在于，所述冷床平行于所述冷床底部的截面為長(zhǎng)方形，所述平行于冷床底部的截面內(nèi)包括掃描方向以及與所述掃描方向相垂直的持續(xù)方向；
所述冷床包括位于所述冷床側(cè)壁上的流料口，所述流料口用于使經(jīng)熔煉的物料流出，所述流料口位于所述掃描方向上；
調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：沿所述持續(xù)方向，使所述熔煉區(qū)域的尺寸與所述冷床的尺寸相等。
16.如權(quán)利要求15所述的熔煉方法，其特征在于，調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：沿所述掃描方向，使所述熔煉區(qū)域的尺寸在20毫米到40毫米范圍內(nèi)。
17.如權(quán)利要求12所述的熔煉方法，其特征在于，采用調(diào)節(jié)好的電子束對(duì)所述原料層進(jìn)行掃描的步驟包括：使所述電子束的掃描速度為1分鐘/厘米到2分鐘/厘米范圍內(nèi)。
18.如權(quán)利要求1所述的熔煉方法，其特征在于，所述冷床包括位于所述冷床側(cè)壁上的流料口，所述流料口用于使經(jīng)熔煉的物料流出；
進(jìn)行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化的步驟之后，所述熔煉方法還包括：向冷床內(nèi)加入物料進(jìn)行熔煉，以使所述冷床中熔融的原料層表 面與所述流料口的最低位置相當(dāng)。