本發(fā)明涉及金屬熔煉領(lǐng)域，特別涉及一種電子束冷床底錠的熔煉方法。

背景技術(shù)：

電子束冷床爐熔煉，是二十世紀(jì)七八十年代發(fā)展起來的新型熔煉方法，是一種把電子束和冷床爐結(jié)合，在高真空下進行熔煉的冶金技術(shù)。采用電子束冷床爐熔煉時，熔煉區(qū)和精煉區(qū)均位于冷床內(nèi)。在熔融的物料經(jīng)過精煉區(qū)時，高密度的雜質(zhì)在重力的作用下，沉積進入低溫凝殼區(qū)，得以去除；低密度的雜質(zhì)上浮到熔融鈦的表面，經(jīng)高溫加熱后，向爐腔內(nèi)揮發(fā)，得以去除。

具體的，參考圖1，示出了現(xiàn)有技術(shù)中電子束冷床爐熔煉示意圖。

電子束冷床爐熔煉是以電子束為加熱源，在高電壓下，電子從電子槍10陰極發(fā)出，經(jīng)陽極加速后形成電子束20，在電磁聚焦透鏡和偏轉(zhuǎn)磁場的作用下，轟擊原料，電子的動能轉(zhuǎn)變成熱能，使原料熔化。熔融的物料在冷床30(即一種比較淺的狹長水冷銅質(zhì)坩堝)里流動，進行精煉、凈化后流入鑄模40(即配置拉錠機構(gòu)的水冷結(jié)晶器)凝固結(jié)晶形成鑄錠。

電子束冷床爐在進行熔煉過程中，利用爐中的電子槍可將幾十甚至數(shù)百千瓦的高能電子束聚焦在很小的面積中，能夠產(chǎn)生3000℃以上的高溫。但是冷床一般是銅質(zhì)的，銅的熔點僅為1083.4℃。因此在利用電子束冷床爐進行熔煉的過程中，需要在銅質(zhì)的冷床中設(shè)置與熔煉金屬相同材料的底錠，以避免銅質(zhì)冷床在熔煉過程中受損。

由于底錠在采用電子束冷床爐進行熔煉的過程中會呈現(xiàn)熔融狀態(tài)以保護冷床，因此底錠的純度與熔煉的質(zhì)量直接相關(guān)。所以在采用電子束冷床爐進行金屬熔煉之前，需要對底錠進行熔煉。

但是進行電子束冷床爐底錠的熔煉過程中，現(xiàn)有技術(shù)容易出現(xiàn)冷床受損的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明解決的問題是提供一種電子束冷床底錠的熔煉方法，以減少底錠的熔煉過程中冷床受損的問題。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種電子束冷床底錠的熔煉方法，包括：

在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層；

進行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化。

可選的，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料的步驟包括：使所述塊狀物料鋪滿所述冷床的底部。

可選的，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料為由散料壓制而成的塊狀物料。

可選的，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料為鈦晶經(jīng)壓錠機壓制而成的塊狀物料。

可選的，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料的比重在2g/cm3到3g/cm3。

可選的，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：所述塊狀物料為長方體形狀。

可選的，所述塊狀物料的長在100毫米到200毫米范圍內(nèi)，寬在50毫米到100毫米范圍內(nèi)，高在10毫米到20毫米范圍內(nèi)。

可選的，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：原料層中靠近冷床底部的所述塊狀物料的尺寸大于遠離冷床底部的所述塊狀物料的尺寸。

可選的，所述冷床包括位于所述冷床側(cè)壁上的流料口，所述流料口用于使經(jīng)熔煉的物料流出；在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟包括：使原料層的表面低于所述流料口最低位置。

可選的，所述原料層表面與所述流料口最低位置高度差在8厘米到12厘米范圍內(nèi)。

可選的，進行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化的步驟包括： 采用區(qū)域熔煉方法進行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化。

可選的，采用區(qū)域熔煉方法進行熔煉的步驟包括：調(diào)節(jié)電子束，使所述電子束在熔煉區(qū)域內(nèi)轟擊所述原料層；采用調(diào)節(jié)好的電子束對所述原料層進行掃描以使所述塊狀物料熔化。

可選的，調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：使所述電子束的功率20千瓦到50千瓦范圍內(nèi)。

可選的，調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：調(diào)節(jié)電子束，使所述電子束的熔煉區(qū)域為長方形。

可選的，所述冷床平行于所述冷床底部的截面為長方形，所述平行于冷床底部的截面內(nèi)包括掃描方向以及與所述掃描方向相垂直的持續(xù)方向；所述冷床包括位于所述冷床側(cè)壁上的流料口，所述流料口用于使經(jīng)熔煉的物料流出，所述流料口位于所述掃描方向上；調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：沿所述持續(xù)方向，使所述熔煉區(qū)域的尺寸與所述冷床的尺寸相等。

可選的，調(diào)節(jié)電子束的步驟包括：沿所述掃描方向，使所述熔煉區(qū)域的尺寸在20毫米到40毫米范圍內(nèi)。

可選的，采用調(diào)節(jié)好的電子束對所述原料層進行掃描的步驟包括：使所述電子束的掃描速度為1分鐘/厘米到2分鐘/厘米范圍內(nèi)。

可選的，所述冷床包括位于所述冷床側(cè)壁上的流料口，所述流料口用于使經(jīng)熔煉的物料流出；進行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化的步驟之后，所述熔煉方法還包括：向冷床內(nèi)加入物料進行熔煉，以使所述冷床中熔融的原料層表面與所述流料口的最低位置相當(dāng)。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明采用塊狀物料鋪滿冷床底部以形成原料層，熔煉開始時，電子束掃射所述塊狀物料。由于所述塊狀物料重量較大，不會因為氣體壓力的釋放而飛濺，因此避免了在熔煉過程中的原料飛濺而引起的熔融液體液面降低，從而避免了冷床底部的熔融液體以及散料的減少，降低了電子束穿透熔融液體直接轟擊冷床的可能，降低了冷床被擊穿或熔化的可能。而且使用塊狀物 料、避免原料飛濺，還能夠提高熔煉速度，節(jié)省熔煉時間，提高熔煉效率，節(jié)省能源，節(jié)約原料。

可選的，在本發(fā)明的可選方案中，所述塊狀物料通過散料壓制形成，既保證了所熔煉底錠的純度，又增大了原料的密度，從而減少了原料中的氣體的含量，減少了熔煉過程中所產(chǎn)生的氣體，降低了熔煉過程中原料飛濺的可能。

可選的，在本發(fā)明的可選方案中，通過采用區(qū)域熔煉的方法進行塊狀物料的熔煉，通過控制電子束的功率，熔煉區(qū)域的尺寸以及熔煉區(qū)域的移動速度使熔煉有序進行，改善了熔煉的可控性，提高了熔煉速度，節(jié)省熔煉時間，提高熔煉效率，節(jié)省能源。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)中電子束冷床爐熔煉示意圖；

圖2至圖6是本發(fā)明所提供電子束冷床底錠的熔煉方法一實施例的示意圖。

具體實施方式

由背景技術(shù)可知，現(xiàn)有技術(shù)中進行電子束冷床爐底錠熔煉過程中容易產(chǎn)生冷床受損的問題。現(xiàn)結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)中電子束冷床爐底錠熔煉的過程分析冷床受損問題的原因：

現(xiàn)有技術(shù)中，為獲得較高純度的底錠，往往采用高純度散料作為底錠的熔煉原料。但是采用散料進行底錠熔煉過程中，當(dāng)電子束掃射到散料后，散料發(fā)生熔化。由于散料較疏松，因此散料在熔化的過程中會釋放大量的氣體。底層散料熔化釋放的氣體會被熔融狀態(tài)的液體以及尚未熔化的散料覆蓋。隨著熔煉的進行，釋放的氣體的增多，被覆蓋熔融液體和散料覆蓋的氣體的壓力會增大。而電子束冷床爐的爐腔在熔煉過程中是維持高真空狀態(tài)的。因此，當(dāng)氣體集聚到一定程度，熔融液體和未熔化的散料無法覆蓋氣體時，氣體會向高真空狀態(tài)的爐腔內(nèi)釋放。由于散料的顆粒普遍較細、重量較小，所以散料會隨著氣體的釋放而飛濺至冷床外。但是熔融狀態(tài)的液體粘度較大，流動速度較慢，難以及時補充飛濺出的散料，由此在飛濺出散料的區(qū)域會產(chǎn)生一 個液面低位。經(jīng)多次飛濺后，該區(qū)域的液面越來越低，冷床底部的熔融液體以及散料越來越少，電子束可能穿透熔融液體，直接轟擊銅質(zhì)冷床，從而造成冷床的損傷。

為解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種電子束冷床底錠的熔煉方法，包括：

在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層；進行熔煉以使所述原料層中的塊狀物料全部熔化。

本發(fā)明采用塊狀物料鋪滿冷床底部以形成原料層，熔煉開始時，電子束掃射所述塊狀物料。由于所述塊狀物料重量較大，不會因為氣體壓力的釋放而飛濺，因此避免了在熔煉過程中的原料飛濺而引起的熔融液體液面降低，從而避免了冷床底部的熔融液體以及散料的減少，降低了電子束穿透熔融液體直接轟擊冷床的可能，降低了冷床被擊穿或熔化的可能。而且使用塊狀物料、避免原料飛濺，還能夠提高熔煉速度，節(jié)省熔煉時間，提高熔煉效率，節(jié)省能源，節(jié)約原料。

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細的說明。

參考圖2至圖6，示出了本發(fā)明所提供電子束冷床底錠的熔煉方法一實施例的示意圖。需要說明的是，本實施例中，鈦底錠的熔煉為例進行說明，不應(yīng)以此限制本發(fā)明。

參考圖2，示出了本發(fā)明所提供電子束冷床底錠的熔煉方法一實施例的流程圖。

具體的，首先執(zhí)行步驟S100，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層。

結(jié)合參考圖3，示出了圖2所示熔煉方法實施例中電子束冷床爐的部分結(jié)構(gòu)示意圖。

需要說明的是，所述電子束冷床爐包括：用于加熱源的電子槍100，以及用于盛放原料、進行精煉的冷床300。電子槍100發(fā)射的電子束200，在電磁聚焦透鏡和偏轉(zhuǎn)磁場的作用下轟擊原料層500以使原料熔化。

本實施例中，采用人工鋪設(shè)的方式在冷床300底部鋪設(shè)塊狀物料，形成原料層500。具體的，所述電子束冷床爐的熔煉腔可以打開，以供操作人員進入熔煉腔，在冷床300的底部鋪設(shè)塊狀物料。

需要說明的是，為了防止冷床300直接受到電子束200的轟擊，本實施例中，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料的步驟包括：使所述塊狀物料鋪滿所述冷床300的底部，以保護冷床300。也就是說，所述原料層500覆蓋所述冷床300的整個底部。

結(jié)合參考圖4，示出了圖3中形成原料層500的塊狀物料550的結(jié)構(gòu)示意圖。

由于本實施例中，所使用的冷床300中用于承裝物料的部分為長方體，因此，為鋪滿所述冷床300的底部，所述塊狀物料550為長方體形狀。

具體的，長方體形狀的所述塊狀物料550的長a1在100毫米到200毫米范圍內(nèi)，寬a2在50毫米到100毫米范圍內(nèi)，高a3在10毫米到20毫米范圍內(nèi)。本實施例中，所述冷床300用于承裝物料部分底面的長度為1000毫米，寬度為400毫米，因此采用上述尺寸范圍的塊狀物料550能夠盡量鋪滿所述冷床300的底面。

需要說明的是，本實施例中，在冷床底部鋪設(shè)塊狀物料以形成原料層的步驟還包括：原料層500中靠近冷床300底部的塊狀物料550的尺寸大于遠離冷床300底部的塊狀物料550的尺寸。塊狀物料550的尺寸越小，其表面積越大，因此在受到電子束200轟擊之后熔化也越快。使靠近原料層500表面的塊狀物料550的尺寸小于靠近冷床爐300底面的塊狀物料550，能夠加快原料層500中塊狀物料550的熔化，提高熔煉速度，節(jié)省熔煉時間。

所述塊狀物料550由散料壓制而成。所述散料為熔煉工藝中所使用的一般散裝物料。具體的，可以采用壓錠機將所述散料壓制成所述塊狀物料550。本實施例中，所述底錠用于鈦的熔煉，因此，為了獲得高純度的鈦底錠，以避免底錠中的雜質(zhì)影響后續(xù)的鈦熔煉，本實施例中，所述散料為鈦晶，也就是說所述塊狀物料550為鈦晶經(jīng)壓錠機壓制而成的塊狀物料。

由于鈦晶的比重一般在1g/cm³以下，且呈蓬松零散狀態(tài)，而本實施例中， 鈦晶經(jīng)壓錠成塊形成的所述塊狀物料550呈緊密結(jié)合狀態(tài)，比重可達到2g/cm³到3g/cm³，與最終熔煉形成的鈦底錠的比重接近，原料層500比重的提高能夠減少底錠熔煉過程中產(chǎn)生的氣體，降低了熔煉過程中原料飛濺的可能。

需要說明的是，形成所述塊狀物料500的過程中，所述塊狀物料500難免表面沾染粉塵或油污，而冷床300在熔煉完成后難免不受到污染，因此為了提高熔煉純度，在冷床300底部鋪滿塊狀物料550的步驟之前，所述熔煉方法還包括：清洗所述塊狀物料550以及所述冷床300。

結(jié)合參考圖5和圖6，其中圖5是圖3中沿A方向的俯視圖，圖6是圖5中沿B-B’線的剖視圖。

所述冷床300包括位于所述冷床300側(cè)壁的流料口350，所述流料口用于使經(jīng)熔煉的物料流出。為了避免在底錠熔煉的過程中，熔化的物料經(jīng)流料口350溢出，由塊狀物料550所形成的所述原料層500的表面低于所述流料口350的最低位置。具體的，所述原料層500的表面與所述流料口350最低位置的高度差H在8厘米到12厘米范圍內(nèi)。本實施例中，所述原料層500的表面與所述流料口的最低位置的高度差約為10厘米。

繼續(xù)參考圖2，執(zhí)行步驟S200，進行熔煉以使所述原料層350中的塊狀物料550全部熔化。

具體的，結(jié)合參考圖3和圖5，本實施例中，采用區(qū)域熔煉的方法進行熔煉以使所述原料層300中的塊狀物料350全部熔化。所述區(qū)域熔煉的方法是指，通過電磁聚焦透鏡和偏轉(zhuǎn)磁場的作用，使電子束200在一個較小的區(qū)域內(nèi)轟擊所述原料層500，以提高所述原料層500表面受到電子束200轟擊的能量密度，提高所述原料層500的溫度，提高熔煉效率，節(jié)省熔煉時間。本實施例中，所述電子束200轟擊所述原料層500的區(qū)域為熔煉區(qū)域240。

采用區(qū)域熔煉方法進行熔煉的步驟包括：

調(diào)節(jié)電子束200，使所述電子束200在熔煉區(qū)域240內(nèi)轟擊所述原料層500；

采用調(diào)節(jié)好的電子束200對所述原料層500進行掃描以使所述塊狀物料550熔化。

采用區(qū)域熔煉的方法能夠通過控制電子槍100所發(fā)出的電子束200的功率，熔煉區(qū)域240的尺寸以及熔煉區(qū)域240的移動速度使熔煉有序進行，可以提高熔煉的可控性。

具體的，調(diào)節(jié)電子束200的步驟包括：首先使所述電子束200的功率在20千瓦到500千瓦范圍內(nèi)。在熔煉初期，會存在一定的不穩(wěn)定情況，難免會有電子散射至冷床300上，因此，采用較小的電子束200的功率設(shè)置，能夠有效的在熔煉初期保護冷床300免受損傷。

此外，本實施例中，所述冷床300平行于其底部的截面為長方形，因此鋪滿所述冷床300底部的所述原料層500平行于所述冷床300底部的截面也為長方形，所以調(diào)節(jié)電子束200的步驟還包括：使所述電子束的熔煉區(qū)域240為長方形，從而使所述電子束200能夠轟擊到所述原料層500的所有位置。

本實施例中，所述冷床300平行于底部的截面內(nèi)包括掃描方向V以及與所述掃描方向V垂直的持續(xù)方向T，所述冷床300的流料口350位于所述掃描方向V上。如果所述熔煉區(qū)域240沿所述持續(xù)方向T的尺寸過大，所述電子束200會轟擊到所述冷床300上造成冷床300的損傷；如果所述熔煉區(qū)域240沿所述持續(xù)方向T的尺寸過小，所述電子束200需要沿所述持續(xù)方向T移動以覆蓋所述原料層500的表面，不利于提高熔煉效率。因此，本實施例中，調(diào)節(jié)電子束200的步驟中，沿所述持續(xù)方向T，使所述熔煉區(qū)域240的尺寸與所述冷床300的尺寸相等，以提高熔煉效率。

此外，在調(diào)節(jié)電子束200時，沿所述掃描方向V，使所述熔煉區(qū)域240的尺寸在20毫米到40毫米范圍內(nèi)，以防止所述電子束200過于集中，造成所述原料層500的溫度過高，導(dǎo)致所述冷床300溫度過高，進而導(dǎo)致冷床300中循環(huán)冷卻水溫度過高引起系統(tǒng)自我保護功能的啟動而停機。

在調(diào)節(jié)好電子束200之后，采用調(diào)節(jié)好的電子束200對所述原料層500進行掃描以使所述塊狀物料550熔化。

本實施例中，所述熔煉區(qū)域240沿所述掃描方向T移動進行掃描，以使所述電子束200轟擊所述原料層500表面的所有位置。但是，如果熔煉區(qū)域240的移動速度過慢，會使轟擊過于集中，也會使原料層500的溫度過高而引 起停機；如果熔煉區(qū)域240的移動過快，會使轟擊過于分散，不利于提高所述原料層500的溫度，提高熔煉速度。因此本實施例中，所述電子束200的熔煉區(qū)域240沿掃描方向V的移動速度在1分鐘/厘米到2分鐘/厘米的范圍內(nèi)。

此外，熔煉區(qū)域240移動速度與所述電子槍100發(fā)射電子束200的功率相關(guān)，因為如果所述電子束200的功率過大，熔煉區(qū)域240移動速度過慢，都會導(dǎo)致電子束200對原料層500的轟擊過于集中，都會引起原料層500溫度過高而引起停機；如果所述電子束200功率過小，熔煉區(qū)域240移動速度過快，也都會使電子束200對原料層500的轟擊過于分散，不利于提高熔煉速度。所以本實施例中，所述熔煉區(qū)域240沿掃描方向V的移動速度是與電子束200的功率相適應(yīng)的。

需要說明的是，在區(qū)域熔煉的方法中，可以通過控制電子槍100發(fā)射電子束200的功率、熔煉區(qū)域240的面積以及熔煉區(qū)域240的移動速度對區(qū)域熔煉的效率進行調(diào)控：增大所述電子束200的功率，或者減小熔煉區(qū)域240的面積，或者減緩熔煉區(qū)域240的移動，都能提高原料層500的溫度，提高區(qū)域熔煉的效率，但是也容易引起設(shè)備停機；降低所述電子束200的功率，或者增大熔煉區(qū)域240的面積，或者加快熔煉區(qū)域240的移動，都能降低原料層500的溫度，避免設(shè)備停機，但是會降低熔煉速度，延長熔煉時間。所以在進行區(qū)域熔煉過程中，需要對所述電子束200的功率、熔煉區(qū)域240的面積以及熔煉區(qū)域240的移動速度進行統(tǒng)籌設(shè)置，以獲得較好的熔煉效率和熔煉效果。例如，本實施例中，當(dāng)所述電子槍100功率在20千瓦到50千瓦范圍內(nèi)，所述熔煉區(qū)域240沿所述掃描方面尺寸在20毫米時，較佳的掃描速度為1分鐘/厘米到2分鐘/厘米范圍內(nèi)；當(dāng)所述電子槍100的功率在200千瓦到250千瓦范圍內(nèi)，所述熔煉區(qū)域240沿所述掃描方面尺寸在300毫米時，掃描速度在0.5分鐘/厘米左右為較佳。所以本發(fā)明對所述電子槍100的功率、所述熔煉區(qū)域240的尺寸以及所述熔煉區(qū)域240的移動速度都不做限制。

具體的，本實施例中，在熔煉初期，采用較小的電子槍100功率設(shè)置，并使熔煉區(qū)域240的面積以及移動速度與之相適應(yīng)，盡量使電子束200轟擊的原料層500熔化，以防止冷床300溫度過高受損或設(shè)備停機；在熔煉進行一段時間后，增大電子槍100的功率，并增大熔煉區(qū)域240的面積和移動速 度，以加快熔煉速度，提高熔煉效率。

繼續(xù)參考圖2，并結(jié)合參考圖3、圖5和圖6，隨著熔煉的進行，所述原料層500中氣體的釋放，所述原料層500的表面會下降，厚度會減薄。為使所述底錠有一定的厚度，以實現(xiàn)保護功能，在冷床300內(nèi)塊狀物料550全部熔化過后，所述熔煉方法還包括：執(zhí)行步驟S300，向冷床300內(nèi)加入物料進行熔煉，以使所述冷床300內(nèi)熔融狀態(tài)的原料層500表面與所述流料口350的最低位置相當(dāng)。也就是說，熔煉所獲得的熔融狀態(tài)的底錠的表面與所述流料口350的最低位置齊平或略低于所述流料口350的最低位置。具體的，本實施例中，所述電子束冷床爐還包括用于添加散料的散料倉400，可以通過散料倉400向在正在進行熔煉的冷床300內(nèi)加入鈦晶進一步進行熔煉，以使所述冷床300內(nèi)熔融的原料層500的表面與所述流料口350的最低位置相當(dāng)。

本實施例中，所述冷床300為水平設(shè)置，在進行熔煉的過程中，隨著原料的加入冷床300中熔融狀態(tài)的原料增多，原料層500的厚度增大，原料層500的表面升高。當(dāng)原料層500的表面高于所述流料口350的最低位置時，熔融狀態(tài)的原料就會通過流料口350自然溢出進行后續(xù)的鑄錠。因此，本實施例中，熔煉所獲得的底錠的表面與所述流料口350的最低位置相當(dāng)，能夠在后續(xù)熔煉過程中加入較少量的原料即可使經(jīng)熔煉的原料自然溢出，因此能夠提高后續(xù)熔煉效率，節(jié)省熔煉時間，節(jié)約能源。

綜上，本發(fā)明采用塊狀物料鋪滿冷床底部以形成原料層，熔煉開始時，電子束掃射所述塊狀物料。由于所述塊狀物料重量較大，不會因為氣體壓力的釋放而飛濺，因此避免了在熔煉過程中的原料飛濺而引起的熔融液體液面降低，從而避免了冷床底部的熔融液體以及散料的減少，降低了電子束穿透熔融液體直接轟擊冷床的可能，降低了冷床被擊穿或熔化的可能。而且使用塊狀物料、避免原料飛濺，還能夠提高熔煉速度，節(jié)省熔煉時間，提高熔煉效率，節(jié)省能源，節(jié)約原料。此外，在本發(fā)明的可選方案中，所述塊狀物料通過散料壓制形成，既保證了所熔煉底錠的純度，又增大了原料的密度，從而減少了原料中的氣體的含量，減少了熔煉過程中所產(chǎn)生的氣體，降低了熔煉過程中原料飛濺的可能。進一步，在本發(fā)明的可選方案中，通過采用區(qū)域熔煉的方法進行塊狀物料的熔煉，通過控制電子束的功率，熔煉區(qū)域的尺寸 以及熔煉區(qū)域的移動速度使熔煉有序進行，改善了熔煉的可控性，提高了熔煉速度，節(jié)省熔煉時間，提高熔煉效率，節(jié)省能源。

雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。