軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及軸承滾柱制造領(lǐng)域，目的是提供一種軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置。一種軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，包括真空室，位于真空室中的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)，交替置于工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)外周的若干對(duì)鉻靶和對(duì)數(shù)與鉻靶的對(duì)數(shù)相同的若干對(duì)碳靶，偏壓電源，加熱器，與真空室連通的真空裝置，工作氣體瓶和加熱器。該軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置提供一種滾柱高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦系數(shù)和磨損率較小，振動(dòng)精度和耐磨性較高，從而提高軸承的性能穩(wěn)定性。
【專利說(shuō)明】軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及軸承滾柱制造領(lǐng)域，尤其是一種軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍 裝直。

【背景技術(shù)】
[0002] 軸承是廣泛應(yīng)用的載荷支撐件和運(yùn)動(dòng)連接件，常應(yīng)用于高轉(zhuǎn)動(dòng)速度、長(zhǎng)疲勞壽命 和高運(yùn)行穩(wěn)定性等苛刻工況條件，其性能可靠性直接影響主機(jī)的性能；影響滾動(dòng)軸承性能 可靠性的原因比較復(fù)雜，如材料、結(jié)構(gòu)參數(shù)、零件制造精度、潤(rùn)滑狀況、安裝精度等都會(huì)對(duì)性 能可靠性產(chǎn)生影響；用傳統(tǒng)方法處理的滾柱（旋轉(zhuǎn)體），存在高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦系數(shù)和磨 損率較大，振動(dòng)精度和耐磨性較差從而影響性能可靠性的不足，減小滾柱高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩 擦系數(shù)和磨損率，提高滾柱的振動(dòng)精度和耐磨性，是提高軸承的性能穩(wěn)定性重要途徑并可 以延長(zhǎng)軸承使用壽命；非平衡式磁控濺射離子鍍作為一種新型的低溫、高效表面改性技術(shù)， 其鍍膜具有組織均勻致密、附著性好，且易于實(shí)現(xiàn)多元梯度復(fù)合鍍層的設(shè)計(jì)與沉積，工藝過(guò) 程穩(wěn)定等特點(diǎn)，非常適合用于軸承零件滾柱的最終處理工序；因此，設(shè)計(jì)一種滾柱高速旋轉(zhuǎn) 時(shí)的摩擦系數(shù)和磨損率較小，振動(dòng)精度和耐磨性較高，從而提高軸承的性能穩(wěn)定性的軸承 滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，成為亟待解決的問(wèn)題。 實(shí)用新型內(nèi)容
[0003] 本實(shí)用新型的目的是為了克服目前用傳統(tǒng)方法處理的滾柱（旋轉(zhuǎn)體），存在高速 旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦系數(shù)和磨損率較大，振動(dòng)精度和耐磨性較差從而影響性能可靠性的不足，提 供一種滾柱高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦系數(shù)和磨損率較小，振動(dòng)精度和耐磨性較高，從而提高軸承 的性能穩(wěn)定性的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置。
[0004] 本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案是：
[0005] -種軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，包括真空室，位于真空室中的工件支 承轉(zhuǎn)臺(tái)，交替置于工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)外周的若干對(duì)鉻靶和對(duì)數(shù)與鉻靶的對(duì)數(shù)相同的若干對(duì)碳 靶，偏壓電源，加熱器，與真空室連通的真空裝置，工作氣體瓶和加熱器。碳是唯一有低摩擦 系數(shù)、高硬度與高耐磨性的硬質(zhì)鍍層材料，并具有高化學(xué)穩(wěn)定性和抗腐蝕性等特點(diǎn)；單一的 碳鍍層存在著很大的內(nèi)應(yīng)力，降低了鍍層的結(jié)合強(qiáng)度，導(dǎo)致鍍層在基體表面成膜困難，且在 使用過(guò)程中易發(fā)生過(guò)早失效等缺點(diǎn)，限制了其在產(chǎn)品中的應(yīng)用；通過(guò)摻入一定量附加元素 到碳鍍層，可以極大地改善碳鍍層的附著性和脆性，進(jìn)而提高碳鍍層的使用性能，擴(kuò)大其應(yīng) 用范圍；鉻與鋼基體有很好的親和力，在碳鍍層中摻鉻，可以提高鍍層與基體結(jié)合強(qiáng)度和鍍 層的韌性；同時(shí)，鉻基鍍層的耐磨、耐蝕及耐高溫氧化性能好，有較高的硬度和承載能力等。 滾柱放在工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)，若干對(duì)鉻靶若干對(duì)碳靶交替置于工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)外周，可以 使磁控濺射后的鍍膜中鉻和碳分布均勻，組織均勻致密。該軸承滾柱非平衡磁控濺射離子 鍍裝置提供一種滾柱高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦系數(shù)和磨損率較小，振動(dòng)精度和耐磨性較高，從而 提1?軸承的性能穩(wěn)定性。
[0006] 作為優(yōu)選，所述的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)包括支承座，與支承座上端樞接的主動(dòng)齒輪，若干 個(gè)沿圓周均布并與主動(dòng)齒輪嚙合的從動(dòng)齒輪，個(gè)數(shù)與從動(dòng)齒輪的個(gè)數(shù)相同并各與一個(gè)從動(dòng) 齒輪的上端連接的若干個(gè)支承柱，與支承座連接且輸出軸與主動(dòng)齒輪傳動(dòng)連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承 柱的電機(jī)；若干個(gè)支承柱的下端分別與支承座上端樞接。滾柱放在工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)上可以自 轉(zhuǎn)，提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。
[0007] 作為優(yōu)選，所述的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)還包括上端與支承座下端樞接的底座，與底座連 接且輸出軸與支承座傳動(dòng)連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電機(jī)。滾柱放在工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)上可以自轉(zhuǎn)的 同時(shí)還可以公轉(zhuǎn)，提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。
[0008] 所述的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)設(shè)有防護(hù)罩；防護(hù)罩包括高度與支承柱上端齊平的側(cè)圍，分 別與側(cè)圍下端和底座下端連接的底圈。防護(hù)罩可以提高工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)其他零件的使用壽 命。
[0009] 作為優(yōu)選，所述的偏壓電源的正極與真空室殼體連接；偏壓電源的負(fù)極與支承座 連接。提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。
[0010] 作為優(yōu)選，所述的每對(duì)鉻靶的兩個(gè)鉻靶的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)；每對(duì)碳 靶的兩個(gè)碳靶的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)。提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。
[0011] 作為優(yōu)選，所述的每對(duì)鉻祀設(shè)有一個(gè)供電電源；每對(duì)鉻祀的兩個(gè)鉻祀各與供電電 源的一極連接；每對(duì)碳祀設(shè)有一個(gè)供電電源；每對(duì)碳祀的兩個(gè)碳祀各與供電電源的一極連 接。提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。
[0012] 作為優(yōu)選，所述的每對(duì)鉻靶的兩個(gè)鉻靶的相對(duì)側(cè)的距離為120 mm至140mm ;每對(duì) 碳靶的兩個(gè)碳靶的相對(duì)側(cè)的距離為120 mm至140mm。提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。
[0013] 該軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置的濺射離子鍍方法，（1)將待鍍滾柱放 在丙酮和乙醇中各超聲波清洗10分鐘至15分鐘；（2)把滾柱放在軸承滾柱非平衡磁控 濺射離子鍍裝置的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)的支承柱上，每個(gè)支承柱上放一個(gè)，開啟加熱器加熱到 150°C -200°C ;所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，包括真空室，位于真空室中 的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)，交替置于工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)外周的若干對(duì)鉻靶和對(duì)數(shù)與鉻靶的對(duì)數(shù)相同的 碳靶，偏壓電源，加熱器，與真空室連通的真空裝置和工作氣體瓶；所述的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)包 括支承座，與支承座上端樞接的主動(dòng)齒輪，若干個(gè)沿圓周均布并與主動(dòng)齒輪嚙合的從動(dòng)齒 輪，個(gè)數(shù)與從動(dòng)齒輪的個(gè)數(shù)相同并各與一個(gè)從動(dòng)齒輪的上端連接的若干個(gè)支承柱，與支承 座連接且輸出軸與主動(dòng)齒輪傳動(dòng)連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承柱的電機(jī)，上端與支承座下端樞接的底 座，與底座連接且輸出軸與支承座傳動(dòng)連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電機(jī)；若干個(gè)支承柱的下端分 別與支承座上端樞接；（3)開啟真空裝置抽取真空使真空室達(dá)到沉積鍍層前本底真空度小 于-4. 0X 10-3 P a的要求；（4)開啟工作氣體瓶向真空室通入純度為99. 99%的工作氣體 氬氣，在真空室氣壓升至-(1. 0-1. 2) X 10-3Pa時(shí)，施加400V的負(fù)偏壓對(duì)滾柱進(jìn)行等離子體 清洗10分鐘至15分鐘，以獲得清潔的滾柱表面，并激化滾柱表面活性，提高鍍層與滾柱的 結(jié)合強(qiáng)度；（5)沉積鍍層時(shí)，對(duì)滾柱施加75V的負(fù)偏壓，開啟轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電機(jī)帶動(dòng)支承座 轉(zhuǎn)動(dòng)，開啟轉(zhuǎn)動(dòng)支承柱的電機(jī)，經(jīng)主動(dòng)齒輪、從動(dòng)齒輪和支承柱帶動(dòng)放在支承柱上的滾柱轉(zhuǎn) 動(dòng)，使?jié)L柱在自轉(zhuǎn)的同時(shí)隨支承座公轉(zhuǎn)，從而使靶材離子均勻地沉積于滾柱表面，確保沉積 于滾柱的鍍層成分和性能均勻一致，保證鍍層質(zhì)量的穩(wěn)定性；（6)所述的鍍層為由鉻底層、 鉻碳過(guò)渡層和碳鉻工作層組成的厚度為1. 〇 μ m至1. 4 μ m的復(fù)層鍍層，在濺射沉積過(guò)程 中，鍍層的工藝參數(shù)逐步線性緩慢改變，使鍍層結(jié)構(gòu)逐漸平穩(wěn)過(guò)渡。
[0014] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：該軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍 裝置提供一種滾柱高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦系數(shù)和磨損率較小，振動(dòng)精度和耐磨性較高，從而提 高軸承的性能穩(wěn)定性。滾柱放在工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)上可以自轉(zhuǎn)的同時(shí)還可以公轉(zhuǎn)，提高磁控濺 射效果，提高鍍層質(zhì)量。防護(hù)罩可以提高工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)其他零件的使用壽命。所述的偏壓 電源的正極與真空室殼體連接；偏壓電源的負(fù)極與支承座連接，每對(duì)鉻靶的兩個(gè)鉻靶的磁 場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)，每對(duì)碳靶的兩個(gè)碳靶的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)，每 對(duì)碳祀設(shè)有一個(gè)供電電源，兩個(gè)鉻祀的相對(duì)側(cè)的距離為120 mm至140_，每對(duì)碳祀的兩個(gè) 碳靶的相對(duì)側(cè)的距離為120 _至140_，可以提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015] 圖1是本實(shí)用新型的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016] 圖2是圖1中工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017] 圖中：真空室-1、鉻靶-2、碳靶-3、工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)-4、支承座-41、主動(dòng)齒輪-42、 從動(dòng)齒輪-43、支承柱-44、轉(zhuǎn)動(dòng)支承柱的電機(jī)-45、底座-46、轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電機(jī)-47、側(cè) 圍-48、底圈-49、偏壓電源-5、真空裝置-6、工作氣體瓶-7、加熱器-8。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 下面結(jié)合附圖所示對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步描述。
[0019] 如附圖1、附圖2所示：一種軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，包括真空室1， 位于真空室1中的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)4,交替置于工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)4外周的四對(duì)鉻靶2和對(duì)數(shù)與鉻 靶2的對(duì)數(shù)相同的四對(duì)碳靶3,偏壓電源5,與真空室1連通的真空裝置6,工作氣體瓶7和 加熱器8。鉻靶2和碳靶3的純度均為99. 99%。加熱器8有位于真空室1底部的兩個(gè)；力口 熱器8為電加熱器。
[0020] 所述的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)4包括支承座41，與支承座41上端通過(guò)平面軸承樞接的主動(dòng) 齒輪42,八個(gè)沿圓周均布并與主動(dòng)齒輪42嚙合的從動(dòng)齒輪43,個(gè)數(shù)與從動(dòng)齒輪43的個(gè)數(shù) 相同并各與一個(gè)從動(dòng)齒輪43的上端連接的八個(gè)支承柱44,與支承座41螺釘連接且輸出軸 與主動(dòng)齒輪42鍵連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承柱的電機(jī)45,上端與支承座41下端通過(guò)平面軸承樞接的 底座46,與底座46螺釘連接且輸出軸與支承座41鍵連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電機(jī)47 ;八個(gè)支 承柱44的下端分別與支承座41上端通過(guò)軸承樞接。
[0021] 所述的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)4設(shè)有防護(hù)罩；防護(hù)罩包括高度與支承柱44上端齊平的側(cè)圍 48,分別與側(cè)圍48下端和底座46下端螺釘連接的底圈49。
[0022] 所述的偏壓電源5的正極與真空室1殼體連接；偏壓電源5的負(fù)極與支承座41連 接。
[0023] 所述的每對(duì)鉻靶2的兩個(gè)鉻靶2的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)；每對(duì)碳靶3的 兩個(gè)碳靶3的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)。
[0024] 所述的每對(duì)鉻靶2設(shè)有一個(gè)供電電源；每對(duì)鉻靶2的兩個(gè)鉻靶2各與供電電源的 一極連接；每對(duì)碳祀3設(shè)有一個(gè)供電電源；每對(duì)碳祀3的兩個(gè)碳祀3各與供電電源的一極連 接。
[0025] 所述的每對(duì)鉻靶2的兩個(gè)鉻靶2的相對(duì)側(cè)的距離為130mm ;每對(duì)碳靶3的兩個(gè)碳 靶3的相對(duì)側(cè)的距離為130mm ;
[0026] 該軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置的濺射離子鍍方法，（1)將待鍍滾柱放在 丙酮和乙醇中各超聲波清洗10分鐘至15分鐘；（2)把滾柱放在軸承滾柱非平衡磁控濺射 離子鍍裝置的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)4的支承柱44上，每個(gè)支承柱44上放一個(gè)，開啟加熱器8加熱 至IJ 180°C;所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，包括真空室1，位于真空室1中的工 件支承轉(zhuǎn)臺(tái)4,交替置于工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)4外周的若干對(duì)鉻靶2和對(duì)數(shù)與鉻靶2的對(duì)數(shù)相同的 碳靶3,偏壓電源5,加熱器8,與真空室1連通的真空裝置6和工作氣體瓶7 ;所述的工件支 承轉(zhuǎn)臺(tái)4包括支承座41，與支承座41上端通過(guò)平面軸承樞接的主動(dòng)齒輪42,八個(gè)沿圓周均 布并與主動(dòng)齒輪42嚙合的從動(dòng)齒輪43,個(gè)數(shù)與從動(dòng)齒輪43的個(gè)數(shù)相同并各與一個(gè)從動(dòng)齒 輪43的上端連接的八個(gè)支承柱44,與支承座41螺釘連接且輸出軸與主動(dòng)齒輪42鍵連接的 轉(zhuǎn)動(dòng)支承柱的電機(jī)45,上端與支承座41下端通過(guò)平面軸承樞接的底座46,與底座46螺釘 連接且輸出軸與支承座41鍵連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電機(jī)47 ;八個(gè)支承柱44的下端分別與支 承座41上端通過(guò)軸承樞接；（3)開啟真空裝置6抽取真空使真空室1達(dá)到沉積鍍層前本底 真空度小于-4. 0X 10-3 P a的要求；（4)開啟工作氣體瓶7向真空室1通入純度為99. 99% 的工作氣體氬氣，在真空室1氣壓升至-(1. 0-1. 2) X 10-3Pa時(shí)，施加400V的負(fù)偏壓對(duì)滾柱 進(jìn)行等離子體清洗10分鐘至15分鐘，以獲得清潔的滾柱表面，并激化滾柱表面活性，提高 鍍層與滾柱的結(jié)合強(qiáng)度；（5)沉積鍍層時(shí)，對(duì)滾柱施加75V的負(fù)偏壓，開啟轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電 機(jī)47帶動(dòng)支承座41轉(zhuǎn)動(dòng)，開啟轉(zhuǎn)動(dòng)支承柱的電機(jī)45,經(jīng)主動(dòng)齒輪42、從動(dòng)齒輪43和支承 柱44帶動(dòng)放在支承柱44上的滾柱轉(zhuǎn)動(dòng)，使?jié)L柱在自轉(zhuǎn)的同時(shí)隨支承座41公轉(zhuǎn)，從而使靶 材離子均勻地沉積于滾柱表面，確保沉積于滾柱的鍍層成分和性能均勻一致，保證鍍層質(zhì) 量的穩(wěn)定性；（6)所述的鍍層為由鉻底層、鉻碳過(guò)渡層和碳鉻工作層組成的厚度為1. 0 μ m 至1.4μπι的復(fù)層鍍層，在濺射沉積過(guò)程中，鍍層的工藝參數(shù)逐步線性緩慢改變，使鍍層結(jié) 構(gòu)逐漸平穩(wěn)過(guò)渡。
[0027] 本實(shí)用新型的有益效果是：該軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置提供一種滾柱 高速旋轉(zhuǎn)時(shí)的摩擦系數(shù)和磨損率較小，振動(dòng)精度和耐磨性較高，從而提高軸承的性能穩(wěn)定 性。滾柱放在工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)上可以自轉(zhuǎn)的同時(shí)還可以公轉(zhuǎn)，提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì) 量。防護(hù)罩可以提高工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)其他零件的使用壽命。所述的偏壓電源的正極與真空室 殼體連接；偏壓電源的負(fù)極與支承座連接，每對(duì)鉻靶的兩個(gè)鉻靶的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成 閉合場(chǎng)，每對(duì)碳祀的兩個(gè)碳祀的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)，每對(duì)碳祀設(shè)有一個(gè)供電電 源，兩個(gè)鉻靶的相對(duì)側(cè)的距離為130mm，每對(duì)碳靶的兩個(gè)碳靶的相對(duì)側(cè)的距離為130mm，可 以提高磁控濺射效果，提高鍍層質(zhì)量。
[0028] 本實(shí)用新型可改變?yōu)槎喾N方式對(duì)本領(lǐng)域的技術(shù)人員是顯而易見的，這樣的改變不 認(rèn)為脫離本實(shí)用新型的范圍。所有這樣的對(duì)所述領(lǐng)域的技術(shù)人員顯而易見的修改，將包括 在本權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征是：包括真空室，位于真空室中 的工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)，交替置于工件支承轉(zhuǎn)臺(tái)外周的若干對(duì)鉻靶和對(duì)數(shù)與鉻靶的對(duì)數(shù)相同的若 干對(duì)碳靶，偏壓電源，加熱器，與真空室連通的真空裝置，工作氣體瓶和加熱器。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征是：所述的工 件支承轉(zhuǎn)臺(tái)包括支承座，與支承座上端樞接的主動(dòng)齒輪，若干個(gè)沿圓周均布并與主動(dòng)齒輪 嚙合的從動(dòng)齒輪，個(gè)數(shù)與從動(dòng)齒輪的個(gè)數(shù)相同并各與一個(gè)從動(dòng)齒輪的上端連接的若干個(gè)支 承柱，與支承座連接且輸出軸與主動(dòng)齒輪傳動(dòng)連接的轉(zhuǎn)動(dòng)支承柱的電機(jī)；若干個(gè)支承柱的 下端分別與支承座上端樞接。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征是：所述的工 件支承轉(zhuǎn)臺(tái)還包括上端與支承座下端樞接的底座，與底座連接且輸出軸與支承座傳動(dòng)連接 的轉(zhuǎn)動(dòng)支承座的電機(jī)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征是：所述的工 件支承轉(zhuǎn)臺(tái)設(shè)有防護(hù)罩；防護(hù)罩包括高度與支承柱上端齊平的側(cè)圍，分別與側(cè)圍下端和底 座下端連接的底圈。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2或3或4所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征是： 所述的偏壓電源的正極與真空室殼體連接；偏壓電源的負(fù)極與支承座連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征 是：所述的每對(duì)鉻靶的兩個(gè)鉻靶的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)；每對(duì)碳靶的兩個(gè)碳靶 的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)相反布置，形成閉合場(chǎng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征是：所述的每 對(duì)鉻祀設(shè)有一個(gè)供電電源；每對(duì)鉻祀的兩個(gè)鉻祀各與供電電源的一極連接；每對(duì)碳祀設(shè)有 一個(gè)供電電源；每對(duì)碳祀的兩個(gè)碳祀各與供電電源的一極連接。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2或3或4所述的軸承滾柱非平衡磁控濺射離子鍍裝置，其特征 是：所述的每對(duì)鉻靶的兩個(gè)鉻靶的相對(duì)側(cè)的距離為120 mm至140mm ;每對(duì)碳靶的兩個(gè)碳靶 的相對(duì)側(cè)的距離為120 mm至140mm。
【文檔編號(hào)】C23C14/50GK203999795SQ201420428653
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】劉長(zhǎng)明, 陳玲芳 申請(qǐng)人:寧夏天馬滾動(dòng)體制造有限公司