一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門及應(yīng)用方法
【專利摘要】一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門及應(yīng)用方法，是由：溫控門、長(zhǎng)加熱模塊、長(zhǎng)加熱模塊正極、長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極、矩形加熱模塊、正負(fù)極輸入輸出口、定位器構(gòu)成；加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過(guò)控制對(duì)磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達(dá)到2×10-4Ω/cm、透過(guò)率達(dá)到90％以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長(zhǎng)使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
【專利說(shuō)明】 一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門及應(yīng)用方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及ITO膜加熱裝置，尤其是一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門及應(yīng)用方法。

【背景技術(shù)】
[0002]ITO透明導(dǎo)電膜即摻雜銦錫氧化物薄膜，簡(jiǎn)稱ITO薄膜，是Indium Tin Oxide的縮寫(xiě)。ITO薄膜是一種η型半導(dǎo)體材料，其具有許多優(yōu)異的物理、化學(xué)性能，例如較高的可見(jiàn)光透過(guò)率和導(dǎo)電率，與大部分襯底具有良好的附著性，較強(qiáng)的硬度及良好的抗酸、堿及有機(jī)溶劑能力，因此，被廣泛應(yīng)用于光電器件中。比如:液晶顯示器(LCD)，等離子顯示器(TOP)，電極放光顯示器(EL/0LED)，觸摸屏，太陽(yáng)能電池及其他電子儀表中。
[0003]目前，ITO薄膜的制備方法很多，常見(jiàn)的有:噴涂法、真空蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積、反應(yīng)離子注入以及磁控濺射等。在這些制備方法中，目前磁控濺射法是用的最普遍的。由于磁控濺射具有良好的可控性和易于獲得大面積均勻的薄膜，因此被廣泛應(yīng)用于顯示器件中ITO薄膜的制備。磁控濺射制備ITO薄膜，主要是利用直流(DC)電源在Ar濺射氣體和充分氧化Ar/02混合氣體中產(chǎn)生等離子體，對(duì)In-Sn合金靶或In203，Sn02氧化物靶或陶瓷靶進(jìn)行轟擊，以便在各種襯底上獲得ITO薄膜。在制備工藝條件如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理，都對(duì)ITO薄膜的光電特性有極大的影響；但是，現(xiàn)有的技術(shù)在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學(xué)性能差，薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整；尤其在對(duì)不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻，不能準(zhǔn)確有效的調(diào)節(jié)控制溫度來(lái)控制電阻的均勻性，降低了 ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，以及生產(chǎn)的工作效率，增加了生產(chǎn)成本，影響顯示器、及儀器的使用壽命；是本領(lǐng)域生產(chǎn)發(fā)展中的瓶頸，不能滿足用戶和市場(chǎng)的需求。
[0004]鑒于上述原因，現(xiàn)有的ITO薄膜加熱裝置及其方法需要?jiǎng)?chuàng)新。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門及應(yīng)用方法，加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過(guò)控制對(duì)磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達(dá)到2 X 10-4 Ω /Cm、透過(guò)率達(dá)到90 %以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長(zhǎng)使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
[0006]本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)上述目的，采用如下技術(shù)方案:一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門及應(yīng)用方法，是由:溫控門、長(zhǎng)加熱模塊、長(zhǎng)加熱模塊正極、長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極、矩形加熱模塊、正負(fù)極輸入輸出口、定位器構(gòu)成；溫控門一側(cè)的中部豎向設(shè)置長(zhǎng)加熱模塊組，長(zhǎng)加熱模塊組的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置一對(duì)長(zhǎng)加熱模塊，一對(duì)長(zhǎng)加熱模塊與長(zhǎng)加熱模塊組之間對(duì)稱設(shè)置一對(duì)矩形加熱模塊組。
[0007]所述的長(zhǎng)加熱模塊組由至少兩塊長(zhǎng)加熱模塊橫向并列設(shè)置組成，長(zhǎng)加熱模塊上方中部設(shè)置長(zhǎng)加熱模塊正極和長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極。
[0008]所述的矩形加熱模塊組由至少四塊矩形加熱模塊豎向并列設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊一側(cè)設(shè)置正負(fù)極輸入輸出孔，正負(fù)極輸入輸出孔內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極。
[0009]所述的每塊長(zhǎng)加熱模塊和每塊矩形加熱模塊均通過(guò)定位器與溫控門固定。
[0010]所述的每塊長(zhǎng)加熱模塊和每塊矩形加熱模塊均為U形加熱管內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置至少兩個(gè)S形加熱管構(gòu)成。
[0011]在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長(zhǎng)加熱模塊正極和長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，矩形加熱模塊一側(cè)的正負(fù)極輸入輸出孔內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，溫控門上的每塊長(zhǎng)加熱模塊和每塊矩形加熱模塊通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過(guò)加熱管向外散熱，對(duì)懸浮運(yùn)行中車體上安裝的ITO薄膜各部位進(jìn)行加熱，可通過(guò)工控機(jī)控制每塊長(zhǎng)加熱模塊和每塊矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，對(duì)懸浮運(yùn)行中車體上ITO薄膜的不同部位采用不同的溫度進(jìn)行加熱，車體通過(guò)連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得ITO薄膜成品的電阻率達(dá)到2 X 10-4 Ω/Cm，透過(guò)率達(dá)到90%以上。
[0012]所述的長(zhǎng)加熱模塊和矩形加熱模塊的溫度調(diào)整范圍為50-400°C，根據(jù)ITO薄膜的不同規(guī)格，可對(duì)溫控門上不同位置的長(zhǎng)加熱模塊和矩形加熱模塊采用不同的加熱溫度，使ITO薄膜的加熱溫度一致。
[0013]本發(fā)明的有益效果是:加熱的結(jié)構(gòu)及其方法簡(jiǎn)單，設(shè)計(jì)科學(xué)合理，使用方便、操作容易快捷；確保在大型連續(xù)性生產(chǎn)氧化銦錫膜中，通過(guò)控制對(duì)磁控濺射磁懸浮車靶的各部位的加熱溫度，使ITO薄膜得到整版均勻性良好的電阻，電阻率達(dá)到2X 10-4 Ω/Cm、透過(guò)率達(dá)到90%以上；明顯提高ITO薄膜的產(chǎn)品質(zhì)量，大大提高工作效率，節(jié)約生產(chǎn)成本，延長(zhǎng)使用壽命2倍以上，節(jié)能環(huán)保。
[0014]本發(fā)明經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期大量實(shí)驗(yàn)，優(yōu)化如靶中錫含量、沉積速率、襯底溫度、濺射功率、及后續(xù)退火處理等這些工藝參數(shù)后，可以獲得具有較高的導(dǎo)電率和可見(jiàn)光透過(guò)率的優(yōu)質(zhì)ITO薄膜。
[0015]本發(fā)明在玻璃襯底上制備的ITO薄膜的電阻率達(dá)到2X 10-4 Ω/cm和透過(guò)率達(dá)到90%以上。所以用磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上，可以制備出良好ITO透明導(dǎo)電薄膜，在其制備的同時(shí)我們對(duì)不同基底溫度(150°C -350°C )條件下制備薄膜的電阻情況進(jìn)行了深入研究，現(xiàn)有技術(shù)中在玻璃襯底上低溫制備ITO薄膜光學(xué)性能差的時(shí)候，往往籠統(tǒng)的被解釋為薄膜氧化不完全，結(jié)構(gòu)不完整，本發(fā)明經(jīng)長(zhǎng)期大量的實(shí)驗(yàn)，因此在對(duì)不同種溫度條件下的ITO薄膜晶體結(jié)構(gòu)和電阻得出新的研發(fā)成果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明:
[0017]圖1是，總裝結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖1中:溫控門1、長(zhǎng)加熱模塊2、長(zhǎng)加熱模塊正極2-2、長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極2-3、矩形加熱模塊3、正負(fù)極輸入輸出口 3-2、定位器4。

【具體實(shí)施方式】
[0019]下面結(jié)合實(shí)施例與【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明:
[0020]實(shí)施例1
[0021]溫控門I 一側(cè)的中部豎向設(shè)置長(zhǎng)加熱模塊組，長(zhǎng)加熱模塊組的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置一對(duì)長(zhǎng)加熱模塊2, —對(duì)長(zhǎng)加熱模塊2與長(zhǎng)加熱模塊組之間對(duì)稱設(shè)置一對(duì)矩形加熱模塊組。
[0022]實(shí)施例2
[0023]所述的長(zhǎng)加熱模塊組由至少兩塊長(zhǎng)加熱模塊2橫向并列設(shè)置組成，長(zhǎng)加熱模塊2上方中部設(shè)置長(zhǎng)加熱模塊正極2-2和長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極2-3。
[0024]實(shí)施例3
[0025]所述的矩形加熱模塊組由至少四塊矩形加熱模塊3豎向并列設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊3 —側(cè)設(shè)置正負(fù)極輸入輸出孔3-2,正負(fù)極輸入輸出孔3-2內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極。
[0026]實(shí)施例4
[0027]所述的每塊長(zhǎng)加熱模塊2和每塊矩形加熱模塊3均通過(guò)定位器4與溫控門I固定。
[0028]實(shí)施例5
[0029]所述的每塊長(zhǎng)加熱模塊2和每塊矩形加熱模塊3均為U形加熱管內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置至少兩個(gè)S形加熱管構(gòu)成。
[0030]實(shí)施例6
[0031]在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長(zhǎng)加熱模塊正極2-2和長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極2-3分別與電源的正負(fù)極連接，矩形加熱模塊3 —側(cè)的正負(fù)極輸入輸出孔3-2內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，溫控門I上的每塊長(zhǎng)加熱模塊2和每塊矩形加熱模塊3通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過(guò)加熱管向外散熱，對(duì)懸浮運(yùn)行中車體上安裝的ITO薄膜各部位進(jìn)行加熱，可通過(guò)工控機(jī)控制每塊長(zhǎng)加熱模塊2和每塊矩形加熱模塊3采用不同的加熱溫度，對(duì)懸浮運(yùn)行中車體上ITO薄膜的不同部位采用不同的溫度進(jìn)行加熱，車體通過(guò)連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得ITO薄膜成品的電阻率達(dá)到2X 10-4 Ω/cm，透過(guò)率達(dá)到90%以上。
[0032]實(shí)施例7
[0033]所述的長(zhǎng)加熱模塊2和矩形加熱模塊3的溫度調(diào)整范圍為50_400°C，根據(jù)ITO薄膜的不同規(guī)格，可對(duì)溫控門I上不同位置的長(zhǎng)加熱模塊2和矩形加熱模塊3采用不同的加熱溫度，使ITO薄膜的加熱溫度一致。
【權(quán)利要求】
1.一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，是由:溫控門(I)、長(zhǎng)加熱模塊(2)、長(zhǎng)加熱模塊正極(2-2)、長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極(2-3)、矩形加熱模塊(3)、正負(fù)極輸入輸出口(3-2)、定位器(4)構(gòu)成；其特征在于:溫控門(I) 一側(cè)的中部豎向設(shè)置長(zhǎng)加熱模塊組，長(zhǎng)加熱模塊組的兩側(cè)對(duì)稱設(shè)置一對(duì)長(zhǎng)加熱模塊(2)，一對(duì)長(zhǎng)加熱模塊(2)與長(zhǎng)加熱模塊組之間對(duì)稱設(shè)置一對(duì)矩形加熱模塊組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的長(zhǎng)加熱模塊組由至少兩塊長(zhǎng)加熱模塊(2)橫向并列設(shè)置組成，長(zhǎng)加熱模塊(2)上方中部設(shè)置長(zhǎng)加熱模塊正極(2-2)和長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極(2-3)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的矩形加熱模塊組由至少四塊矩形加熱模塊(3)豎向并列設(shè)置組成，每塊矩形加熱模塊(3) —側(cè)設(shè)置正負(fù)極輸入輸出孔(3-2)，正負(fù)極輸入輸出孔(3-2)內(nèi)設(shè)置矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的每塊長(zhǎng)加熱模塊(2)和每塊矩形加熱模塊(3)均通過(guò)定位器(4)與溫控門(I)固定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、或2、或3所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門，其特征在于:所述的每塊長(zhǎng)加熱模塊(2)和每塊矩形加熱模塊(3)均為U形加熱管內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置至少兩個(gè)S形加熱管構(gòu)成。
6.一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門的應(yīng)用方法，其特征在于:在連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室內(nèi)，長(zhǎng)加熱模塊正極(2-2)和長(zhǎng)加熱模塊負(fù)極(2-3)分別與電源的正負(fù)極連接，矩形加熱模塊(3) —側(cè)的正負(fù)極輸入輸出孔(3-2)內(nèi)的矩形加熱模塊正極和矩形加熱模塊負(fù)極分別與電源的正負(fù)極連接，溫控門(I)上的每塊長(zhǎng)加熱模塊(2)和每塊矩形加熱模塊(3)通電后，電能轉(zhuǎn)換為熱能通過(guò)加熱管向外散熱，對(duì)懸浮運(yùn)行中車體上安裝的ITO薄膜各部位進(jìn)行加熱，可通過(guò)工控機(jī)控制每塊長(zhǎng)加熱模塊(2)和每塊矩形加熱模塊(3)采用不同的加熱溫度，對(duì)懸浮運(yùn)行中車體上ITO薄膜的不同部位采用不同的溫度進(jìn)行加熱，車體通過(guò)連續(xù)性真空磁控濺射鍍膜設(shè)備室后，自然冷卻至常溫狀態(tài)，制得ITO薄膜成品的電阻率達(dá)到2 X 10-4 Ω/cm，透過(guò)率達(dá)到90%以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種磁控濺射鍍膜真空室溫控門的應(yīng)用方法，其特征在于:所述的長(zhǎng)加熱模塊⑵和矩形加熱模塊⑶的溫度調(diào)整范圍為50-400°C，根據(jù)ITO薄膜的不同規(guī)格，可對(duì)溫控門(I)上不同位置的長(zhǎng)加熱模塊(2)和矩形加熱模塊(3)采用不同的加熱溫度，使ITO薄膜的加熱溫度一致。
【文檔編號(hào)】C23C14/08GK104404472SQ201410737865
【公開(kāi)日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年11月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月29日
【發(fā)明者】秦遵紅, 董安光, 譚華, 王戀貴 申請(qǐng)人:洛陽(yáng)康耀電子有限公司