薄膜的方法
【專利摘要】一種在不銹鋼基片上制備TiO2薄膜的方法，屬于電子元件的制備方法領(lǐng)域。包括如下步驟：（1）將鈦酸丁酯溶于一定比例的乙醇中，加入H2O(r（H2O∶Ti(OBu)4)＝0～2)，HAc(r(HAc∶Ti(OBu)4)＝0～20），AcAc(r（AcAc∶Ti(OBu)4)＝0～4），制備成濃度為0.1～2.0mol／L的溶膠；（2）將不銹鋼基片進行碾磨，拋光及清洗后，用浸提法在基片上涂膜，自然晾干以后，在600℃～1000℃下以1～2℃／min的速度進行熱處理，制得TiO2薄膜。通過對制備工藝的改進，在TiO2溶膠中添加少量的H2O和適量的HAc、AcAc可大大延長膠凝時間，燒制所得的薄膜具有半導(dǎo)率，具有較高的開發(fā)價值，適于在金屬基體上制備絕緣膜、介質(zhì)膜等，本發(fā)明所述方法操作簡單，易于推廣。
【專利說明】一種在不銹鋼基片上制備了丨02薄膜的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于電子元件的制備方法領(lǐng)域，尤其涉及一種不銹鋼基片上制備1102薄膜的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著電子設(shè)備的大量使用，對于各種新型薄膜材料的研究與使用力度在不斷加大。作為一種功能材料，打02得到了廣泛的應(yīng)用。它具有金紅石、銳鈦礦、板鈦礦三種晶型，在一定溫度和壓力下可發(fā)生晶型轉(zhuǎn)變。同時可利用其氣、壓、光、濕敏等特性制備多種傳感器件。以鈦酸丁酯為前驅(qū)液，用801-861法制備1102膜的報道已有很多，但一般都是在31或八1203基體上進行，在不銹鋼基片上制備1102薄膜還不多見。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在提供一種新型的利用不銹鋼為基片的制備1102薄膜的方法。
[0004]一種在不銹鋼基片上制備！'102薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟:
(1)將鈦酸丁酯溶于一定比例的乙醇中，加入(^0: XI (0811)4) = 0?2)，:丁1(0811)斗): 丁1(0811)斗)=0 ?4),制備成濃度為
0.1 ?2.0 11101 / I 的溶膠；
(2)將不銹鋼基片進行碾磨，拋光及清洗后，用浸提法在基片上涂膜，自然晾干以后，在6001?1 0001下以1?21 / 111111的速度進行熱處理，制得1102薄膜。
[0005]本發(fā)明所述的一種在不銹鋼基片上制備1102薄膜的方法，其特征在于所述步驟
(2)中使用浸提法使得提拉速率為1?4挪/!^!!。
[0006]本發(fā)明所述的一種在不銹鋼基片上制備1102薄膜的方法，其特征在于所述試劑XI (0811) 4、乙醇、冰醋酸()、乙酰丙酮(八)均為分析純。
[0007]本發(fā)明所述的一種在不銹鋼基片上制備1102薄膜的方法，其特征在于所述步驟
(1)中的！'餌0: 11(0811)4)小于等于0.5。
[0008]本發(fā)明所述的一種在不銹鋼基片上制備1102薄膜的方法，其特征在于所述步驟
(2)所得薄膜的膜厚為1?24！11。
[0009]本發(fā)明所述的一種在不銹鋼基片上制備1102薄膜的方法，通過對制備工藝的改進，在1102溶膠中添加少量的??！20和適量的撤。、^0可大大延長膠凝時間，燒制所得的薄膜具有半導(dǎo)率，具有較高的開發(fā)價值，適于在金屬基體上制備絕緣膜、介質(zhì)膜等，本發(fā)明所述方法操作簡單，易于推廣。

【具體實施方式】
[0010]一種在不銹鋼基片上制備！'102薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟:
(1)將鈦酸丁酯溶于一定比例的乙醇中，加入(^0: XI (0811)4) = 0?2)，:X1 (0011) 4): XI (0811) 4) =0 ?4),制備成濃度為0.1?2.0 001 / [的溶膠；(2)將不銹鋼基片進行碾磨，拋光及清洗后，用浸提法在基片上涂膜，自然晾干以后，在6001?1 0001下以1?21 / 0111的速度進行熱處理，制得丁102薄膜。
[0011]本發(fā)明所述的一種在不銹鋼基片上制備1102薄膜的方法，所述步驟(2)中使用浸提法使得提拉速率為1?4挪?111。所述試劑II (0811)4、乙醇、冰醋酸(撤。)、乙酰丙酮(八均為分析純。所述步驟(^中的“!^: 了1(0811)0小于等于0.5，否則會促進水解，導(dǎo)致溶膠的不均勻或沉淀。所述步驟(2)所得薄膜的膜厚為1?2 9111，濕膜有更大的厚度，其中包含著大量的溶劑和水分，干燥中伴隨有較大的體積收縮，處理不當(dāng)很容易引起開裂。這是填充于濕膜骨架孔隙中的液體表面張力所引起的毛細(xì)管力，因毛細(xì)管孔隙大，小不勻，所產(chǎn)生的毛細(xì)管力不等，其應(yīng)力差很容易導(dǎo)致濕膜的破裂。因此膜的干燥必須緩慢。在熱處理時，低溫下膜繼續(xù)脫去吸附于表面的水和醇。會發(fā)生一 01？基氧化，脫去結(jié)構(gòu)中的一0?基，及各種氣體⑶,#、腸I的釋放，使熱處理中濕膜的氣孔率大大增加，膜不易致密化，附著力差。因此要燒成致密完整的！'102膜，升溫速度不能太快。改變?nèi)苣z濃度為0.511101 /I并減慢升溫速度為/111111后，制得了較致密的1102膜。
【權(quán)利要求】
1.一種在不銹鋼基片上制備T12薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟:(I)將鈦酸丁酯溶于一定比例的乙醇中，加入H20(r (H2O: Ti (OBu)4) = O?2)，HAc (r (HAc: Ti(OBu)4) = O ?20), AcAc (r (AcAc: Ti (OBu) 4) =0 ?4),制備成濃度為0.1?2.0 mo I / L的溶膠； (2)將不銹鋼基片進行碾磨，拋光及清洗后，用浸提法在基片上涂膜，自然晾干以后，在600°C?I 000°C下以I?2°C / min的速度進行熱處理，制得T12薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的一種在不銹鋼基片上制備T12薄膜的方法，其特征在于所述步驟(2)中使用浸提法使得提拉速率為I?4 cm/min。
3.如權(quán)利要求1所述的一種在不銹鋼基片上制備T12薄膜的方法，其特征在于所述試劑Ti (OBu)4,乙醇、冰醋酸(HAc)、乙酰丙酮(AcAc)均為分析純。
4.如權(quán)利要求1所述的一種在不銹鋼基片上制備T12薄膜的方法，其特征在于所述步驟(I)中的HH2O: Ti (OBu)4)小于等于0.5。
5.如權(quán)利要求1所述的一種在不銹鋼基片上制備T12薄膜的方法，其特征在于所述步驟(2)所得薄膜的膜厚為I?2 μπι。
【文檔編號】C23C18/12GK104372312SQ201410543977
【公開日】2015年2月25日 申請日期:2014年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月15日
【發(fā)明者】張俊 申請人:陜西易陽科技有限公司