動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明揭示了一種動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，包括靶材、靶座和磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)的芯軸上按照同一方向螺旋繞制有線(xiàn)圈，所述線(xiàn)圈接入直流電源，所述直流電源的電流大小呈周期性變化，所述電流大小的周期性變化的頻率為5Hz-50Hz，所述直流電源的電流在0-10A范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，產(chǎn)生在所述靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度在5Gs-350Gs之間連續(xù)周期性變化。本發(fā)明采用接通直流電源的線(xiàn)圈作為磁場(chǎng)，且直流電源的電流周期性變化，產(chǎn)生磁場(chǎng)的強(qiáng)度周期性變化，從而使得靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度周期性變化，弧斑在靶材表面時(shí)而發(fā)散運(yùn)動(dòng)在整個(gè)靶材表面，時(shí)而聚集在靶材表面磁場(chǎng)最強(qiáng)區(qū)域運(yùn)動(dòng)，靶材冷卻充分，消除熔池的產(chǎn)生，抑制液滴，降低弧斑尺寸，涂層表面光滑，結(jié)構(gòu)致密，并且靶材利用率增加。
【專(zhuān)利說(shuō)明】動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于真空鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源。

【背景技術(shù)】
[0002]陰極電弧是一種典型的離子鍍膜技術(shù)，在實(shí)際工業(yè)生產(chǎn)中，所制備涂層表面顆粒大和靶材利用率不高是始終困擾技術(shù)進(jìn)步的難題。大量研究表明，造成涂層表面顆粒大的直接原因是電弧液滴的產(chǎn)生，其根本原因是弧斑過(guò)于集中造成靶材過(guò)熱，形成熔池產(chǎn)生熔液飛濺；而靶材利用率不高的原因主要是陰極磁場(chǎng)固定，造成弧斑運(yùn)動(dòng)區(qū)域過(guò)于集中所致。
[0003]如圖1a所不，普通的電弧陰極米用永磁鐵11,磁場(chǎng)強(qiáng)度固定不變,磁場(chǎng)在祀材12表面的分布固定不變，永磁鐵11固定在祀座13內(nèi)部,永磁鐵11與祀座13之間注有冷卻水14。如圖1b所示，弧斑在靶材表面磁場(chǎng)最強(qiáng)的區(qū)域處燒蝕的幾率最大，因此最先被刻蝕掉。當(dāng)磁場(chǎng)最強(qiáng)的區(qū)域處的靶材被刻蝕掉后，這部分靶材表面的磁場(chǎng)變得比其它區(qū)域更強(qiáng)，弧斑在此區(qū)域處的燒蝕幾率更大，此區(qū)域處的靶材消耗的速度更快，久而久之，靶材的刻蝕出現(xiàn)了如圖1c所示的情況，靶材中央磁場(chǎng)強(qiáng)度最小的區(qū)域幾乎沒(méi)有消耗，而磁場(chǎng)強(qiáng)度最大的區(qū)域已經(jīng)消耗完畢，從而形成了深深的刻蝕溝15。這樣帶來(lái)的結(jié)果是靶材的利用率低，弧斑總是集中在一個(gè)區(qū)域，冷卻效果差，容易產(chǎn)生大液滴，造成涂層表面粗糙，涂層截面出現(xiàn)孔洞，膜層疏松，性能下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本發(fā)明的目的是提出一種動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源。
[0005]本發(fā)明的目的將通過(guò)以下技術(shù)方案得以實(shí)現(xiàn):
一種動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，包括靶材、靶座和磁場(chǎng)，所述磁場(chǎng)的芯軸上按照同一方向螺旋繞制有線(xiàn)圈，所述線(xiàn)圈接入直流電源，所述直流電源的電流大小呈周期性變化，所述電流大小的周期性變化的頻率為5Hz-50Hz，所述直流電源的電流在0-10A范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，產(chǎn)生在所述靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度在5Gs-350Gs之間連續(xù)周期性變化。
[0006]優(yōu)選的，上述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其中:所述靶材安裝在靶座上，所述線(xiàn)圈固定在所述靶座內(nèi)部的中央，所述線(xiàn)圈的幾何對(duì)稱(chēng)軸和所述靶座的幾何對(duì)稱(chēng)軸重合。
[0007]優(yōu)選的，上述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其中:所述靶材為平面矩形靶，所述芯軸為多棱柱體，所述芯軸的外側(cè)面上螺旋繞制所述線(xiàn)圈；所述平面矩形靶安裝在矩形靶座上，所述線(xiàn)圈固定在所述矩形靶座內(nèi)部的中央，所述線(xiàn)圈的幾何對(duì)稱(chēng)軸和所述矩形靶座的幾何對(duì)稱(chēng)軸重合。
[0008]優(yōu)選的，上述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其中:所述靶材為平面圓弧靶，所述芯軸為圓柱體，所述芯軸的圓柱面上螺旋繞制所述線(xiàn)圈；所述平面圓弧靶安裝在圓柱形靶座上，所述線(xiàn)圈固定在所述圓柱形祀座內(nèi)部的中央，所述線(xiàn)圈的軸心與所述芯軸的軸心重合，所述線(xiàn)圈的幾何對(duì)稱(chēng)軸和所述圓柱形靶座的幾何對(duì)稱(chēng)軸重合。
[0009]優(yōu)選的，上述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其中:所述靶座內(nèi)設(shè)有空腔，所述空腔內(nèi)注有用于對(duì)所述靶材和所述線(xiàn)圈進(jìn)行冷卻的冷卻水。
[0010]優(yōu)選的，上述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其中:所述芯軸的材料為鐵磁性材料或非磁性材料。
[0011]本發(fā)明的突出效果為:本發(fā)明的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源通過(guò)采用接通直流電源的線(xiàn)圈作為磁場(chǎng)，且直流電源的電流周期性變化，產(chǎn)生磁場(chǎng)的強(qiáng)度周期性變化，從而使得靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度周期性變化，弧斑在靶材表面時(shí)而(磁場(chǎng)強(qiáng)度較小時(shí))發(fā)散運(yùn)動(dòng)在整個(gè)靶材表面，時(shí)而(磁場(chǎng)強(qiáng)度較大時(shí))聚集在靶材表面磁場(chǎng)最強(qiáng)區(qū)域運(yùn)動(dòng)，使弧斑具有更快的運(yùn)動(dòng)速度和分散的運(yùn)動(dòng)區(qū)域，弧斑隨時(shí)隨地改變運(yùn)動(dòng)方向，不總是在某一個(gè)區(qū)域運(yùn)動(dòng)，讓其不重復(fù)的運(yùn)動(dòng)到靶材表面每一個(gè)地方，然后再次重復(fù)上次的運(yùn)動(dòng)軌跡，那么靶材就會(huì)均勻地消耗，不會(huì)出現(xiàn)跑道，而且由于弧斑總是周期性的經(jīng)過(guò)靶材表面每一點(diǎn)，靶材表面每一點(diǎn)燒蝕時(shí)間相同，冷卻時(shí)間也相同，那么靶材表面足夠大時(shí)，就可以保證靶材表面每一點(diǎn)都能夠得到充分冷卻，不會(huì)形成熔池狀態(tài)進(jìn)而抑制產(chǎn)生飛濺的液滴；有利于降低弧斑尺寸，充分冷卻靶材，消除熔池的產(chǎn)生，抑制液滴，改善涂層質(zhì)量，其結(jié)果是靶材利用率增加，涂層表面光滑，結(jié)構(gòu)致密。
[0012]以下便結(jié)合實(shí)施例附圖，對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳述，以使本發(fā)明技術(shù)方案更易于理解、掌握。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1a是現(xiàn)有技術(shù)中電弧靶材使用前的截面圖；
圖1b是現(xiàn)有技術(shù)中電弧靶材表面沿截面的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布圖；
圖1c是現(xiàn)有技術(shù)中電弧靶材使用后的截面圖；
圖2a是本發(fā)明實(shí)施例1和2中電弧靶材使用前的截面圖；
圖2b是本發(fā)明實(shí)施例1和2中電弧靶材表面沿截面的磁場(chǎng)強(qiáng)度分布圖；
圖2c是本發(fā)明實(shí)施例1和2中電弧靶材使用后的截面圖；
圖3a是本發(fā)明實(shí)施例1的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)圖圖3b是本發(fā)明實(shí)施例1的磁場(chǎng)分布圖；
圖4a是本發(fā)明實(shí)施例2的磁場(chǎng)結(jié)構(gòu)圖；
圖4b是本發(fā)明實(shí)施例2的磁場(chǎng)分布圖；
圖5a是本發(fā)明實(shí)施例1的激勵(lì)電流變化波形圖；
圖5b是本發(fā)明實(shí)施例1的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化波形圖；
圖5c是本發(fā)明實(shí)施例2的激勵(lì)電流變化波形圖；
圖5d是本發(fā)明實(shí)施例2的磁場(chǎng)強(qiáng)度變化波形圖；
圖6a是現(xiàn)有技術(shù)中電弧源涂層產(chǎn)品截面SEM照片；
圖6b是本發(fā)明實(shí)施例1的電弧源涂層產(chǎn)品截面SEM照片；
圖7a是現(xiàn)有技術(shù)中電弧源沉積的CrN涂層表面100倍放大圖；
圖7b是本發(fā)明實(shí)施例1的電弧源沉積的CrN涂層表面100倍放大圖。

【具體實(shí)施方式】
[0014]實(shí)施例1: 本實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，包括祀材、祀座和磁場(chǎng)，如圖3a所,祀材為平面圓弧靶，磁場(chǎng)的芯軸31為圓柱體，芯軸31的材料為鐵磁性材料，芯軸31的圓柱面上按照同一方向螺旋繞制線(xiàn)圈32 ;線(xiàn)圈32接入直流電源，直流電源的輸出電流大小呈周期性變化并激勵(lì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)強(qiáng)度也按照周期性變化的磁場(chǎng)，電流和磁場(chǎng)的變化規(guī)律為f (x)=A* I sin(n x/f) I +b，其中:x為變量時(shí)間，f為變化頻率，b為最小值。平面圓弧靶21安裝在圓柱形靶座22上，線(xiàn)圈32固定在圓柱形靶座22內(nèi)部的中央，線(xiàn)圈32的軸心與芯軸31的軸心重合，線(xiàn)圈32的幾何對(duì)稱(chēng)軸和圓柱形靶座22的幾何對(duì)稱(chēng)軸重合。圓柱形靶座22內(nèi)設(shè)有空腔，空腔內(nèi)注有用于對(duì)平面圓弧靶21和線(xiàn)圈32進(jìn)行冷卻的冷卻水23，如圖2a所
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[0015]本實(shí)施例的線(xiàn)圈32形成的磁場(chǎng)分布圖如圖3b所示，施加在線(xiàn)圈32上的電流為直流，其電流大小按周期性變化如圖5a所示，頻率f=50，A=2.7，b=0.3，則輸出電流的變化規(guī)律I (t) =2.7* I sin ( Π t/50) | +0.3，輸出電流大小在0.3-3A范圍周期變化；由此激勵(lì)電流產(chǎn)生一個(gè)按照相同規(guī)律變化的磁場(chǎng)，如圖5b所示，磁場(chǎng)強(qiáng)度大小按照相同的周期規(guī)律變化，B (t) =45* I sin (Π t/50) I+5，磁場(chǎng)在靶材表面的強(qiáng)度在5Gs-50Gs范圍周期變化。這個(gè)變化的磁場(chǎng)控制弧斑的運(yùn)動(dòng)方式，在靶材表面形成收放式掃描，頻率f表示收放的快慢。當(dāng)電流1=0.3A時(shí)在靶材表面產(chǎn)生磁場(chǎng)的最大值為5Gs，靶材表面磁場(chǎng)分布如圖2b中曲線(xiàn)II，此時(shí)弧斑剛好被束縛在靶材外圓范圍內(nèi)而不燒蝕靶材以外的材料，由于弧斑受到的約束很小，弧斑能夠在整個(gè)靶材表面隨機(jī)運(yùn)動(dòng)，平均結(jié)果是靶材整體被消耗，但此時(shí)弧斑運(yùn)動(dòng)速度最慢，弧斑尺寸最大，如果長(zhǎng)時(shí)間按此方式工作，雖然靶材利用率增加但由于弧斑本身尺寸較大，涂層細(xì)膩程度和硬度得不到保證。當(dāng)電流最大到I=3A時(shí)，激勵(lì)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在靶材表面的強(qiáng)度最大達(dá)到50Gs，靶材表面磁場(chǎng)分布如圖2b中曲線(xiàn)I，弧斑的運(yùn)動(dòng)被很大約束，此時(shí)弧斑的運(yùn)動(dòng)被限制在磁場(chǎng)強(qiáng)度最大的區(qū)域，弧斑運(yùn)動(dòng)速度最大，尺寸最小，但此時(shí)弧斑運(yùn)動(dòng)過(guò)于集中導(dǎo)致靶材產(chǎn)生熔池，涂層表面出現(xiàn)液滴，靶材出現(xiàn)跑道，如圖1c所示。
[0016]當(dāng)輸出電流I (t)=2.7* I sin ( TI t/50) |+0.3時(shí)，激勵(lì)產(chǎn)生磁場(chǎng)在祀材表面磁場(chǎng)B (t) =45* I sin ( Π t/50) | +5，如圖2b所示，平面圓弧靶21表面上任一點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化都在曲線(xiàn)I和曲線(xiàn)II之間。隨著激勵(lì)電流的減小，激勵(lì)的磁場(chǎng)強(qiáng)度也減小，弧斑運(yùn)動(dòng)越來(lái)越分散，直到分散到整個(gè)靶材表面，靶材局部刻蝕漸漸消除，刻蝕的位置得到及時(shí)冷卻，待到下一次刻蝕到來(lái)，已經(jīng)完全冷卻下來(lái)，消除了由于材料得不到充分冷卻而處于熔融狀態(tài)導(dǎo)致的液滴產(chǎn)生；當(dāng)激勵(lì)電流由0.3A漸漸增加到3A時(shí)，激勵(lì)的磁場(chǎng)強(qiáng)度也增加，情況和上述相反，弧斑運(yùn)動(dòng)范圍從整個(gè)靶材表面漸漸集中到靶材表面磁場(chǎng)最強(qiáng)的區(qū)域。如此往復(fù)周期變化，最終靶材的刻蝕狀況得到明顯改善，如圖2c所示，刻蝕區(qū)域24平坦，消耗均勻。
[0017]經(jīng)測(cè)定，普通平面圓弧靶的靶材利用率為40%，而本實(shí)施例的靶材利用率為80%。如圖6a所示，現(xiàn)有技術(shù)中普通電弧源的涂層中存在大液滴；而如圖6b所示，本實(shí)施例的涂層產(chǎn)品中不存在大液滴，是典型的柱狀晶結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)致密。如圖7a所示，現(xiàn)有技術(shù)中普通電弧源沉積的涂層表面有很多大坑點(diǎn)；而如圖7b所示，本實(shí)施例的電弧源沉積的涂層表面沒(méi)有大坑點(diǎn)，其表面表現(xiàn)為針狀點(diǎn)，宏觀(guān)表現(xiàn)光滑。
[0018]實(shí)施例2:
本實(shí)施例的一種動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，包括祀材、祀座和磁場(chǎng)，如圖4a所,祀材為平面矩形靶,磁場(chǎng)的芯軸41為圓柱體，芯軸41的材料為非磁性材料，芯軸41的圓柱面上按照同一方向螺旋繞制線(xiàn)圈42;線(xiàn)圈42接入直流電源，直流電源的輸出電流大小呈周期性變化并激勵(lì)產(chǎn)生一個(gè)磁場(chǎng)強(qiáng)度也按照周期性變化的磁場(chǎng)，電流和磁場(chǎng)的變化規(guī)律為f (x)=A* I sin ( Π x/f) I +b，其中:x為變量時(shí)間，f為變化頻率，b為最小值。平面矩形靶安裝在矩形靶座上，線(xiàn)圈42固定在矩形靶座內(nèi)部的中央，線(xiàn)圈42的幾何對(duì)稱(chēng)軸和矩形靶座的幾何對(duì)稱(chēng)軸重合。矩形靶座內(nèi)設(shè)有空腔，空腔內(nèi)注有用于對(duì)平面矩形靶和線(xiàn)圈42進(jìn)行冷卻的冷卻水。
[0019]本實(shí)施例的線(xiàn)圈42形成的磁場(chǎng)分布圖如圖4b所示，施加在線(xiàn)圈42上的電流為直流，其電流大小按周期性變化如圖5c所示，頻率f=10，A=4.5，b=l.5，則輸出電流的變化規(guī)律I⑴=4.5* I sin ( Π t/10) I +1.5，輸出電流大小在1.5-6A范圍周期變化；由此激勵(lì)電流產(chǎn)生一個(gè)按照相同規(guī)律變化的磁場(chǎng)，如圖5d所示，磁場(chǎng)強(qiáng)度大小按照相同的周期規(guī)律變化，B (t) =200* I sin ( Π t/ΙΟ) | +100，磁場(chǎng)在靶材表面的強(qiáng)度在100Gs_300Gs范圍周期變化。這個(gè)變化的磁場(chǎng)控制弧斑的運(yùn)動(dòng)方式，在靶材表面形成收放式掃描，頻率f表示收放的快慢。當(dāng)電流1=1.5A時(shí)在靶材表面產(chǎn)生磁場(chǎng)的最大值為lOOGs，靶材表面磁場(chǎng)分布如圖2b中曲線(xiàn)II，此時(shí)弧斑剛好被束縛在靶材外圓范圍內(nèi)而不燒蝕靶材以外的材料，由于弧斑受到的約束很小，弧斑能夠在整個(gè)靶材表面隨機(jī)運(yùn)動(dòng)，平均結(jié)果是靶材整體被消耗，但此時(shí)弧斑運(yùn)動(dòng)速度最慢，弧斑尺寸最大，如果長(zhǎng)時(shí)間按此方式工作，雖然靶材利用率增加但由于弧斑本身尺寸較大，涂層細(xì)膩程度和硬度得不到保證。當(dāng)電流最大到I=6A時(shí)，激勵(lì)產(chǎn)生的磁場(chǎng)在靶材表面的強(qiáng)度最大達(dá)到300Gs，靶材表面磁場(chǎng)分布如圖2b中曲線(xiàn)I，弧斑的運(yùn)動(dòng)被很大約束，此時(shí)弧斑的運(yùn)動(dòng)被限制在磁場(chǎng)強(qiáng)度最大的區(qū)域，弧斑運(yùn)動(dòng)速度最大，尺寸最小，但此時(shí)弧斑運(yùn)動(dòng)過(guò)于集中導(dǎo)致靶材產(chǎn)生熔池，涂層表面出現(xiàn)液滴，靶材出現(xiàn)跑道，如圖1c所示。
[0020]當(dāng)輸出電流I (t)=4.5*| sin( TI t/10) +1.5時(shí)，激勵(lì)產(chǎn)生磁場(chǎng)在祀材表面磁場(chǎng)B (t) =200* I sin ( Π t/10) +100，如圖2b所示，平面矩形靶材21表面上任一點(diǎn)磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化都在曲線(xiàn)I和曲線(xiàn)II之間。隨著激勵(lì)電流的減小，激勵(lì)的磁場(chǎng)強(qiáng)度也減小，弧斑運(yùn)動(dòng)越來(lái)越分散，直到分散到整個(gè)靶材表面，靶材局部刻蝕漸漸消除，刻蝕的位置得到及時(shí)冷卻，待到下一次刻蝕到來(lái)，已經(jīng)完全冷卻下來(lái)，消除了由于材料得不到充分冷卻而處于熔融狀態(tài)導(dǎo)致的液滴產(chǎn)生；當(dāng)激勵(lì)電流由1.5A漸漸增加到6A時(shí)，激勵(lì)的磁場(chǎng)強(qiáng)度也增加，情況和上述相反，弧斑運(yùn)動(dòng)范圍從整個(gè)靶材表面漸漸集中到靶材表面磁場(chǎng)最強(qiáng)的區(qū)域。如此往復(fù)周期變化，最終靶材的刻蝕狀況得到明顯改善，如圖2c所示，刻蝕區(qū)域24平坦，消耗均勻。
[0021]經(jīng)測(cè)定，普通平面矩形靶的靶材利用率為20%，而本實(shí)施例的靶材利用率為60%。
[0022]本發(fā)明尚有多種實(shí)施方式，凡采用等同變換或者等效變換而形成的所有技術(shù)方案，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，包括祀材、祀座和磁場(chǎng)，其特征在于:所述磁場(chǎng)的芯軸上按照同一方向螺旋繞制有線(xiàn)圈，所述線(xiàn)圈接入直流電源，所述直流電源的電流大小呈周期性變化，所述電流大小的周期性變化的頻率為5HZ-50HZ，所述直流電源的電流在O-1OA范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)，產(chǎn)生在所述靶材表面的磁場(chǎng)強(qiáng)度在5Gs-350Gs之間連續(xù)周期性變化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其特征在于:所述靶材安裝在靶座上，所述線(xiàn)圈固定在所述靶座內(nèi)部的中央，所述線(xiàn)圈的幾何對(duì)稱(chēng)軸和所述靶座的幾何對(duì)稱(chēng)軸重入口 ο
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其特征在于:所述靶材為平面矩形靶，所述芯軸為多棱柱體，所述芯軸的外側(cè)面上螺旋繞制所述線(xiàn)圈；所述平面矩形靶安裝在矩形靶座上，所述線(xiàn)圈固定在所述矩形靶座內(nèi)部的中央，所述線(xiàn)圈的幾何對(duì)稱(chēng)軸和所述矩形靶座的幾何對(duì)稱(chēng)軸重合。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其特征在于:所述靶材為平面圓弧靶，所述芯軸為圓柱體，所述芯軸的圓柱面上螺旋繞制所述線(xiàn)圈；所述平面圓弧靶安裝在圓柱形靶座上，所述線(xiàn)圈固定在所述圓柱形靶座內(nèi)部的中央，所述線(xiàn)圈的軸心與所述芯軸的軸心重合，所述線(xiàn)圈的幾何對(duì)稱(chēng)軸和所述圓柱形靶座的幾何對(duì)稱(chēng)軸重合。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其特征在于:所述靶座內(nèi)設(shè)有空腔，所述空腔內(nèi)注有用于對(duì)所述靶材和所述線(xiàn)圈進(jìn)行冷卻的冷卻水。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的動(dòng)態(tài)磁場(chǎng)陰極電弧源，其特征在于:所述芯軸的材料為鐵磁性材料或非磁性材料。
【文檔編號(hào)】C23C14/46GK104294227SQ201410426942
【公開(kāi)日】2015年1月21日 申請(qǐng)日期:2014年8月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月27日
【發(fā)明者】錢(qián)濤 申請(qǐng)人:星弧涂層新材料科技（蘇州）股份有限公司