研磨劑、研磨劑組和基體的研磨方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及的研磨劑含有：水、包含四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒、聚亞烷基二醇和陽(yáng)離子性聚合物，其中，陽(yáng)離子性聚合物選自由烯丙基胺聚合物、二烯丙基胺聚合物、乙烯基胺聚合物和乙烯亞胺聚合物構(gòu)成的組群中的至少一種。
【專(zhuān)利說(shuō)明】研磨劑、研磨劑組和基體的研磨方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及研磨劑、研磨劑組以及使用上述研磨劑或上述研磨劑組的基體的研磨方法。特別是，本發(fā)明涉及作為半導(dǎo)體元件的制造技術(shù)的、在基體表面的平坦化工序中使用的研磨劑、研磨劑組以及使用上述研磨劑或上述研磨劑組的基體的研磨方法。更詳細(xì)地，本發(fā)明涉及在淺溝槽隔離(Shallow Trench Isolat1n,以下稱(chēng)為“STI”)絕緣材料、金屬前(Pr eme t a I)絕緣材料、層間絕緣材料等的平坦化工序中所使用的研磨劑、研磨劑組以及使用上述研磨劑或上述研磨劑組的基體的研磨方法。

【背景技術(shù)】
[0002]近年的半導(dǎo)體元件的制造工序中，用于高密度化.微細(xì)化的加工技術(shù)的重要性越來(lái)越增高。作為加工技術(shù)之一的CMP (Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機(jī)械研磨)技術(shù)在半導(dǎo)體元件的制造工序中，成為STI的形成、金屬前絕緣材料或?qū)娱g絕緣材料的平坦化、插入或嵌入金屬布線的形成等中所必需的技術(shù)。
[0003]作為CMP研磨劑使用最多的是二氧化硅系CMP研磨劑，其含有作為磨粒的氣相二氧化硅(fumed silica)、膠體二氧化硅等二氧化硅(氧化硅)粒子。二氧化硅系CMP研磨劑的特征在于通用性高，通過(guò)適當(dāng)選擇磨粒含量、pH、添加劑等，不論絕緣材料或?qū)щ姴牧隙伎梢詫?duì)廣范的種類(lèi)的材料進(jìn)行研磨。
[0004]另一方面，對(duì)主要以氧化硅等絕緣材料為對(duì)象的、含有以鈰化合物粒子作為磨粒的CMP研磨劑的需求也正在擴(kuò)大。例如，含有氧化鈰粒子作為磨粒的氧化鈰系CMP研磨劑，即使以比二氧化硅系CMP研磨劑更低的磨粒含量，也能高速研磨氧化硅(例如，參照下述專(zhuān)利文獻(xiàn)I和2)。
[0005]另外，近年來(lái)，在半導(dǎo)體元件的制造工序中，要求達(dá)到布線的進(jìn)一步的微細(xì)化，存在研磨時(shí)產(chǎn)生研磨損傷的問(wèn)題。也就是說(shuō)，使用現(xiàn)有的氧化鈰系研磨劑進(jìn)行研磨時(shí)，即使產(chǎn)生微小的研磨損傷，如果該研磨損傷的大小小于現(xiàn)有的布線寬度，則不會(huì)成為問(wèn)題，但在欲達(dá)到布線的進(jìn)一步的微細(xì)化時(shí)，即使研磨損傷微小，也會(huì)成為問(wèn)題。
[0006]對(duì)于這樣的問(wèn)題，研究了使用四價(jià)金屬元素的氫氧化物粒子的研磨劑(例如，參照下述專(zhuān)利文獻(xiàn)3)。另外，對(duì)四價(jià)金屬元素的氫氧化物粒子的制造方法也進(jìn)行了研究(例如，參照下述專(zhuān)利文獻(xiàn)4)。這些技術(shù)通過(guò)邊活化四價(jià)金屬元素的氫氧化物粒子所具有的化學(xué)作用，邊盡量縮小機(jī)械作用，由此降低由粒子引起的研磨損傷。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0009]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本專(zhuān)利特開(kāi)平10-106994號(hào)公報(bào)
[0010]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本專(zhuān)利特開(kāi)平08-022970號(hào)公報(bào)
[0011]專(zhuān)利文獻(xiàn)3:國(guó)際公開(kāi)第2002/067309號(hào)
[0012]專(zhuān)利文獻(xiàn)4:日本專(zhuān)利特開(kāi)2006-249129號(hào)公報(bào)
[0013]專(zhuān)利文獻(xiàn)5:日本專(zhuān)利特開(kāi)2010-153781號(hào)公報(bào)
[0014]專(zhuān)利文獻(xiàn)6:國(guó)際公開(kāi)第2010/143579號(hào)
[0015]非專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0016]非專(zhuān)利文獻(xiàn)1:分散技術(shù)大全集，株式會(huì)社情報(bào)機(jī)構(gòu)，2005年7月，第三章“各種分散機(jī)的最新開(kāi)發(fā)動(dòng)向和選定基準(zhǔn)”


【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0018]然而，在用于形成STI的CMP工序中，使用氮化硅、多晶硅等作為停止層材料(研磨停止層的構(gòu)成材料)，對(duì)氧化硅等絕緣材料進(jìn)行研磨。在這種情況下，為了提高平坦性、抑制侵蝕(停止層材料的過(guò)研磨)等目的，需要絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性(研磨速度比:絕緣材料的研磨速度/停止層材料的研磨速度)高的研磨劑。
[0019]本發(fā)明是為了解決這樣的技術(shù)問(wèn)題而形成的，其目的在于提供一種能提高絕緣材料對(duì)停止層材料的研磨選擇性的研磨劑、研磨劑組和研磨方法。
[0020]解決問(wèn)題的手段
[0021]本發(fā)明所涉及的研磨劑含有:水、包含四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒、聚亞烷基二醇和陽(yáng)離子性聚合物，其中，陽(yáng)離子性聚合物是選自由烯丙基胺聚合物、二烯丙基胺聚合物、乙烯基胺聚合物和乙烯亞胺聚合物構(gòu)成的組群中的至少一種。
[0022]根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨劑，能提高絕緣材料對(duì)停止層材料的研磨選擇性。因此，能得到高度平坦的面。另外，根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨劑，特別是，在對(duì)STI絕緣材料、金屬前絕緣材料、層間絕緣材料等進(jìn)行平坦化的CMP技術(shù)中，能對(duì)這些絕緣材料進(jìn)行高度平坦化。進(jìn)一步，根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨劑，能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高度平坦化，同時(shí)也能以低研磨損傷對(duì)絕緣材料進(jìn)行研磨。
[0023]然而，在用于形成STI的CMP工序等中，研磨氧化硅等絕緣材料，并在露出停止層的階段停止研磨后，為了避免在停止層上殘留絕緣材料，在露出停止層后，還進(jìn)行額外的研磨。該額外的研磨被稱(chēng)為“過(guò)度研磨”。例如，將繼續(xù)進(jìn)行與研磨絕緣材料直到露出停止層的時(shí)間A同樣長(zhǎng)的時(shí)間(相當(dāng)于時(shí)間A的100%的時(shí)間)的研磨作為“100%的過(guò)度研磨”。過(guò)度研磨的量(百分之多少的過(guò)度研磨)根據(jù)所研磨的基板的形狀等而不同。
[0024]進(jìn)行過(guò)度研磨時(shí)，簡(jiǎn)單地說(shuō)，使用絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性高的研磨劑時(shí)，對(duì)位于停止層上的絕緣材料以外的絕緣材料也進(jìn)行額外的研磨。由此，形成了凹陷(在作為元件分離層等的絕緣材料中產(chǎn)生凹陷(高低平面差異)的現(xiàn)象)，存在研磨后的平坦性差的情況。因此，在用于形成STI的CMP工序等中，存在以下情況:不僅提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，而且在露出停止層時(shí)，也需要抑制位于停止層上的絕緣材料以外的絕緣材料被額外研磨。
[0025]針對(duì)該問(wèn)題，專(zhuān)利文獻(xiàn)5中公開(kāi)了通過(guò)將含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物粒子和水溶性聚合物的研磨劑與邵氏D硬度為70以上的研磨墊組合，從而得到優(yōu)良的平坦性。然而，使用硬度高的研磨墊時(shí)，存在被研磨材料產(chǎn)生研磨損傷的情況。因此，即使在采用現(xiàn)在一般被使用的通用性高的低硬度研磨墊時(shí)，也需要得到優(yōu)良的平坦性。
[0026]針對(duì)這些，根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨劑，能抑制進(jìn)行過(guò)度研磨時(shí)的凹陷的形成，并能提高研磨后的平坦性。特別是，根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨劑，即使在使用低硬度(例如，邵氏D硬度為65以下)的研磨墊的情況下，也能抑制凹陷的形成，并能提高研磨后的平坦性。
[0027]陽(yáng)離子性聚合物的含量相對(duì)于聚亞烷基二醇的含量的比率(陽(yáng)離子性聚合物的含量/聚亞烷基二醇的含量)，以質(zhì)量比計(jì)，優(yōu)選為0.0005以上、0.03以下。由此，能進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制被研磨面的凹陷形成和研磨損傷的產(chǎn)生。
[0028]另外，對(duì)于涉及研磨選擇性的上述問(wèn)題，專(zhuān)利文獻(xiàn)6中公開(kāi)了通過(guò)使用含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物粒子和皂化度為95摩爾％以下的聚乙烯醇的研磨劑，得到絕緣材料相對(duì)于多晶硅的高研磨速度比。另一方面，本發(fā)明所涉及的研磨劑也可不含有聚乙烯醇，即使在這種情況下，也能提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性。
[0029]聚亞烷基二醇優(yōu)選是選自由聚乙二醇和聚丙二醇構(gòu)成的組群中的至少一種。由此，能進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制被研磨面的凹陷形成和研磨損傷的產(chǎn)生。
[0030]以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，聚亞燒基二醇的含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上。因此，能進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制被研磨面的凹陷形成和研磨損傷的產(chǎn)生。
[0031]四價(jià)金屬元素的氫氧化物優(yōu)選是選自由稀土金屬元素的氫氧化物和鋯的氫氧化物構(gòu)成的組群中的至少一種。由此，能進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制被研磨面的凹陷形成和研磨損傷的產(chǎn)生。
[0032]磨粒的平均粒徑優(yōu)選為Inm以上、300nm以下。由此,能進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制被研磨面的凹陷形成和研磨損傷的產(chǎn)生。
[0033]以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn),磨粒的含量?jī)?yōu)選為0.005質(zhì)量％以上、20質(zhì)量％以下。由此，能進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制被研磨面的凹陷形成和研磨損傷的產(chǎn)生。
[0034]本發(fā)明所涉及的研磨劑的pH優(yōu)選為3.0以上、12.0以下。因此，能進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)，也能抑制被研磨面的凹陷形成和研磨損傷的產(chǎn)生。
[0035]另外，本發(fā)明的一個(gè)方面涉及上述研磨劑在對(duì)含有氧化硅的被研磨面進(jìn)行研磨的研磨方法中的使用。也就是說(shuō)，本發(fā)明所涉及的研磨劑優(yōu)選用于研磨含有氧化硅的被研磨面。
[0036]本發(fā)明所涉及的研磨劑組是將上述研磨劑的構(gòu)成成分分為多個(gè)液體而保存的，其第一液體含有磨粒，第二液體含有選自由聚亞烷基二醇和陽(yáng)離子性聚合物構(gòu)成的組群中的至少一種。根據(jù)本發(fā)明所涉及的研磨劑組，能提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制凹陷的形成。
[0037]本發(fā)明的第一實(shí)施方式的基體的研磨方法可具有使用上述研磨劑對(duì)基體的被研磨面進(jìn)行研磨的工序，也可以具有使用將上述研磨劑組中的第一液體和第二液體混合而得到的研磨劑對(duì)基體的被研磨面進(jìn)行研磨的工序。按照這些研磨方法，通過(guò)使用上述研磨劑或研磨劑組，與使用傳統(tǒng)的研磨劑情況相比，能提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制凹陷的形成。
[0038]另外，本發(fā)明的第二實(shí)施方式的基體的研磨方法是具有絕緣材料和多晶硅的基體的研磨方法，可以具有使用上述研磨劑，相對(duì)于多晶硅對(duì)絕緣材料進(jìn)行選擇性研磨的工序，也可以具有使用將上述研磨劑組中的第一液體和第二液體混合而得到的研磨劑，相對(duì)于多晶硅對(duì)絕緣材料進(jìn)行選擇性研磨的工序。按照這些研磨方法，通過(guò)使用上述研磨劑或研磨劑組，與使用傳統(tǒng)的研磨劑情況相比，能提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制凹陷的形成。
[0039]發(fā)明效果
[0040]本發(fā)明能提供既提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性又能抑制凹陷形成的研磨劑、研磨劑組和研磨方法。另外，根據(jù)本發(fā)明，提供如下的研磨劑、研磨劑組和研磨方法，其中，該研磨劑、研磨劑組和研磨方法特別是在對(duì)STI絕緣材料、金屬前絕緣材料、層間絕緣材料等進(jìn)行平坦化的CMP技術(shù)中，能提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性，同時(shí)也能抑制凹陷的形成。進(jìn)一步，本發(fā)明能對(duì)絕緣材料進(jìn)行高度平坦化，并能以低研磨損傷對(duì)絕緣材料進(jìn)行研磨。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0041]圖1是顯示添加了添加劑時(shí)磨粒凝集的狀態(tài)的示意圖。
[0042]圖2是顯示添加了添加劑時(shí)磨粒凝集的狀態(tài)的示意圖。
[0043]圖3是顯示實(shí)施例中所使用的圖案晶圓的示意截面圖。
[0044]符號(hào)說(shuō)明
[0045]I 硅基板
[0046]2 多晶硅膜
[0047]3 氧化硅膜

【具體實(shí)施方式】
[0048]以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的研磨劑、研磨劑組以及使用上述研磨劑或上述研磨劑組的基體的研磨方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0049]本實(shí)施方式所涉及的研磨劑是一種在研磨時(shí)接觸被研磨面的組合物，例如是CMP研磨劑。具體來(lái)說(shuō)，本實(shí)施方式所涉及的研磨劑至少含有:水、含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒、聚亞烷基二醇和陽(yáng)離子性聚合物，其中，陽(yáng)離子性聚合物選自烯丙基胺聚合物、二烯丙基胺聚合物、乙烯基胺聚合物和乙烯亞胺聚合物構(gòu)成的組群中的至少一種。以下，對(duì)必須成分和能任意添加的成分進(jìn)行說(shuō)明。
[0050](磨粒)
[0051]磨粒的特征在于，含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物。在本說(shuō)明書(shū)中，“四價(jià)金屬元素的氫氧化物”是指含有四價(jià)金屬(M4+)和至少一個(gè)氫氧根離子(0H_)的化合物。四價(jià)金屬元素的氫氧化物還可含有氫氧根離子以外的陰離子(例如，硝酸根離子NO3-和硫酸根離子SO42O。例如，四價(jià)金屬元素的氫氧化物可含有鍵合于四價(jià)金屬元素的陰離子(例如，硝酸根尚子NO3、硫酸根尚子SO42 )。
[0052]含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒，與由二氧化硅、氧化鈰等構(gòu)成的傳統(tǒng)磨粒相比，其與絕緣材料(例如，氧化硅)的反應(yīng)性高，并能以高研磨速度對(duì)絕緣材料進(jìn)行研磨。本實(shí)施方式所涉及的研磨劑中，在含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒外，還可以并用其他磨粒。作為這樣的其它粒子，例如，可舉出二氧化硅、氧化鋁、氧化鈰等粒子。另外，作為含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒，可使用含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物與二氧化硅的復(fù)合粒子等。
[0053]磨粒中，以整個(gè)磨粒為基準(zhǔn)，四價(jià)金屬元素的氫氧化物的含量?jī)?yōu)選為80質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為90質(zhì)量％以上,進(jìn)一步優(yōu)選為95質(zhì)量％以上,特別優(yōu)選為98質(zhì)量％以上,極其優(yōu)選99質(zhì)量％以上。從研磨劑的制備容易、同時(shí)研磨特性也更優(yōu)良的觀點(diǎn)來(lái)看，磨粒最優(yōu)選為由四價(jià)金屬元素的氫氧化物構(gòu)成(磨粒的100質(zhì)量％為四價(jià)金屬元素的氫氧化物的粒子)。
[0054]四價(jià)金屬元素的氫氧化物優(yōu)選是選自由稀土金屬元素的氫氧化物和鋯的氫氧化物構(gòu)成的組群中的至少一種。作為四價(jià)金屬元素的氫氧化物，從進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為稀土金屬元素的氫氧化物。作為可以取四價(jià)的稀土金屬元素，可舉出鈰、鐠、鋱等鑭系元素等，其中，在絕緣材料的研磨速度更加優(yōu)良方面，優(yōu)選鑭系元素，更優(yōu)選鈰。稀土金屬元素的氫氧化物和鋯的氫氧化物可并用，也可從稀土金屬元素的氫氧化物中選擇兩種以上使用。
[0055]從進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，研磨劑或后述的研磨劑組中的漿液中的磨粒的平均粒徑的下限優(yōu)選為Inm以上，更優(yōu)選為2nm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為3nm以上。從進(jìn)一步抑制對(duì)被研磨面的損傷的觀點(diǎn)來(lái)看，磨粒的平均粒徑的上限優(yōu)選為300nm以下，更優(yōu)選為250nm以下，進(jìn)一步優(yōu)選為200nm以下，特別優(yōu)選為10nm以下，極其優(yōu)選50nm以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，磨粒的平均粒徑更優(yōu)選為Inm以上、300nm以下。
[0056]磨粒的“平均粒徑”意味著磨粒的平均二次粒徑。磨粒的平均粒徑，例如，對(duì)于研磨劑或后述的研磨劑組中的漿液，可采用光衍射散射式粒度分布計(jì)(例如，貝克曼庫(kù)爾特公司制造，商品名:N5,或者馬爾文儀器有限公司(Malvern Instruments Ltd)制造,商品名:Zetasizer 3000HSA)進(jìn)行測(cè)定。
[0057]在本實(shí)施方式所涉及的研磨劑的構(gòu)成成分中，認(rèn)為四價(jià)金屬元素的氫氧化物給予研磨特性很大的影響。因此，通過(guò)調(diào)整四價(jià)金屬元素的氫氧化物的含量，能提高磨粒與被研磨面的化學(xué)相互作用，并能進(jìn)一步提高研磨速度。由此，以研磨劑總質(zhì)量為基準(zhǔn)，四價(jià)金屬元素的氫氧化物含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為0.03質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為
0.05質(zhì)量％以上。另外，在容易避免磨粒的凝集、同時(shí)與被研磨面的化學(xué)相互作用變良好以及能有效活用磨粒的特性的方面，以研磨劑總質(zhì)量為基準(zhǔn)，四價(jià)金屬元素的氫氧化物的含量?jī)?yōu)選為8質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為5質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為3質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為I質(zhì)量％以下，極其優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以下，非常優(yōu)選為0.3質(zhì)量％以下。
[0058]從進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑總質(zhì)量為基準(zhǔn)，磨粒的含量下限優(yōu)選為0.005質(zhì)量％以上,更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上,進(jìn)一步優(yōu)選為0.02質(zhì)量％以上，特別優(yōu)選為0.04質(zhì)量％以上，極其優(yōu)選為0.05質(zhì)量％以上。從提高研磨劑的保存穩(wěn)定性的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑總質(zhì)量為基準(zhǔn)，磨粒的含量上限優(yōu)選為20質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為15質(zhì)量％以下,進(jìn)一步優(yōu)選為10質(zhì)量％以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑總質(zhì)量為基準(zhǔn)，磨粒的含量更優(yōu)選為0.005質(zhì)量％以上、20質(zhì)量％以下。
[0059]另外，通過(guò)進(jìn)一步減少磨粒的含量，在更能降低成本和研磨損傷方面，是優(yōu)選的。磨粒的含量變小時(shí)，具有絕緣材料等的研磨速度也下降的趨勢(shì)。另一方面，含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒，即使少量，也能得到所規(guī)定的研磨速度，因此，能得到由研磨速度與由磨粒含量變少而取得的優(yōu)點(diǎn)之間的平衡，同時(shí)也能進(jìn)一步降低磨粒的含量。從這樣的觀點(diǎn)來(lái)看，磨粒的含量?jī)?yōu)選為5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為3質(zhì)量％以下,進(jìn)一步優(yōu)選為I質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以下，極其優(yōu)選為0.3質(zhì)量％以下。
[0060][吸光度]
[0061]磨粒優(yōu)選含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物，并且滿足下述條件(a)和(b)中的至少一個(gè)條件。另外，將磨粒的含量調(diào)整為規(guī)定量的“水分散液”意味著含有規(guī)定量的磨粒和水的液體。
[0062](a)在將磨粒的含量調(diào)整至1.0質(zhì)量％的水分散液中，所述磨粒使該水分散液對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度為1.00以上。
[0063](b)在將磨粒的含量調(diào)整至0.0065質(zhì)量％的水分散液中，所述磨粒使該水分散液對(duì)波長(zhǎng)290nm的吸光度為1.000以上。
[0064]關(guān)于上述條件(a),通過(guò)使用如下的磨粒,能進(jìn)一步提高研磨速度:在將磨粒的含量調(diào)整至1.0質(zhì)量％的水分散液中，所述磨粒使該水分散液對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度為1.00以上。該理由雖然不一定清楚，但本發(fā)明人認(rèn)為如下。也就是說(shuō)，根據(jù)四價(jià)金屬元素的氫氧化物的制造條件等，認(rèn)為含有由四價(jià)金屬(M4+)、I?3個(gè)氫氧根離子(OHO和I?3個(gè)陰離子(Xc_)構(gòu)成的M(OH)aXb(式中，a+bXc = 4)的粒子作為一部分磨粒而生成(另外，這樣的粒子也是“含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨?！?。M(OH)aXb中，認(rèn)為吸電子性的陰離子(Xc_)發(fā)揮作用，提高氫氧根離子的反應(yīng)性，并伴隨著M(OH)aXb的存在量增加，研磨速度提高。此外，由于含有M(OH)aXb的粒子吸收波長(zhǎng)400nm的光，因此，認(rèn)為伴隨著M(OH) aXb的存在量增加、對(duì)波長(zhǎng)400nm光的吸光度增加，研磨速度提高。
[0065]含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒被認(rèn)為是不僅含有M(OH)aXb，還可以含有皿(0!1)4、1?)2等。作為陰離子(XeO，例如，可舉出NO3'SO42'
[0066]另外，含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒含有M(OH)aXb這一情況，可以通過(guò)用純水仔細(xì)洗漆磨粒后以 FT-1R ATR 法(Fourier transform Infra Red SpectrometerAttenuated Total Reflect1n法,傅立葉變換紅外分光光度計(jì)全反射測(cè)定法)檢測(cè)屬于陰離子(X&)的峰的方法來(lái)確認(rèn)。通過(guò)XPS法(X-射線光電子能譜，X射線光電子分光法)，也能確認(rèn)陰離子(Xc_)的存在。
[0067]在這里，M(OH)aXb(例如，M(OH)3X)在波長(zhǎng)400nm的吸收峰被確認(rèn)為遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于后述的波長(zhǎng)290nm的吸收峰。對(duì)此，本發(fā)明人經(jīng)使用磨粒含量較多、吸光度大并易于檢測(cè)的磨粒含量為1.0質(zhì)量％的水分散液研究吸光度的大小，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，使用在水分散液中使該該分散液對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度為1.00以上的磨粒時(shí)，研磨速度的提高效果優(yōu)良。另外，認(rèn)為如上所述對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度來(lái)自磨粒，因此，以含有對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度為1.00以上的物質(zhì)(例如，呈黃色的色素成分)的研磨劑代替對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度為1.00以上的磨粒，難以得到研磨速度的上述提高效果。
[0068]關(guān)于上述條件(b),通過(guò)使用如下的磨粒,能進(jìn)一步提高研磨速度:在將該磨粒的含量調(diào)整至0.0065質(zhì)量％的水分散液中，使該分散液對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度為1.000以上。該理由并不清楚，但本發(fā)明人認(rèn)為其如下。也就是說(shuō)，含有根據(jù)四價(jià)金屬元素的氫氧化物的制造條件等所生成的M (OH) aXb (例如，M (OH) 3Χ)的粒子，經(jīng)計(jì)算，在波長(zhǎng)290nm附近具有吸收峰，例如，由Ce4+(0H_) 3N03_構(gòu)成的粒子在波長(zhǎng)290nm處具有吸收峰。因此，認(rèn)為伴隨著M(OH)aXb的存在量增加，對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度增加，研磨速度會(huì)提高。
[0069]在這里，對(duì)于波長(zhǎng)290nm附近的光的吸光度，具有越超過(guò)測(cè)定界限，越檢測(cè)出大的值的趨勢(shì)。對(duì)此，本發(fā)明人經(jīng)使用磨粒含量較少、吸光度小并易于檢測(cè)的磨粒含量為0.0065質(zhì)量％的水分散液研究吸光度的大小，其結(jié)果發(fā)現(xiàn)，使用在該水分散液中使該分散液對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度為1.000以上的磨粒時(shí)，研磨速度的提高效果優(yōu)良。另外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，不同于被吸光物質(zhì)吸收時(shí)該吸光物質(zhì)具有呈黃色趨勢(shì)的波長(zhǎng)400nm附近的光，磨粒對(duì)于波長(zhǎng)290nm附近的光的吸光度越高，并發(fā)現(xiàn):使用了這樣的磨粒的研磨劑和漿液的黃色越變深，研磨劑和漿液的黃色程度越變深，研磨速度越提高。而且，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在磨粒含量為0.0065質(zhì)量％的水分散液中的對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度，與在磨粒含量為1.0質(zhì)量％的水分散液中的對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度相關(guān)。
[0070]從能以更優(yōu)良的研磨速度研磨絕緣材料的觀點(diǎn)來(lái)看,對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度的下限優(yōu)選為1.000以上，更優(yōu)選為1.050以上，進(jìn)一步優(yōu)選為1.100以上，特別優(yōu)選為
1.130以上，極其優(yōu)選1.150以上。對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度的上限，并沒(méi)有特別限定，例如，優(yōu)選為10.00。
[0071]當(dāng)使水分散液對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度為1.00以上的磨粒在將磨粒含量調(diào)整至0.0065質(zhì)量％的水分散液中對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度為1.000以上時(shí)，能以更優(yōu)良的研磨速度研磨絕緣材料。
[0072]另外，四價(jià)金屬元素的氫氧化物(例如^(0!1)義)，存在對(duì)波長(zhǎng)45011111以上、特別是波長(zhǎng)450?600nm的光不具有吸光性的趨勢(shì)。因此，從抑制因含有雜質(zhì)而對(duì)研磨產(chǎn)生的不良影響、并能以更優(yōu)良的研磨速度研磨絕緣材料的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選以下的磨粒:在將該磨粒的含量調(diào)整至0.0065質(zhì)量％ (65ppm)的水分散液中，該磨粒使該分散液對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的光的吸光度為0.010以下。也就是說(shuō)，優(yōu)選以下的磨粒:在將該磨粒的含量調(diào)整至0.0065質(zhì)量％的水分散液中，該磨粒使該分散液對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的范圍的全部光的吸光度不超過(guò)0.010。
[0073]對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的光的吸光度的上限更優(yōu)選為0.005以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.001以下。對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的光的吸光度的下限優(yōu)選為O。
[0074]水分散液中的吸光度，例如，可使用株式會(huì)社日立制作所制造的分光光度計(jì)(裝置名:U3310)進(jìn)行測(cè)定。具體來(lái)說(shuō)，例如，將磨粒含量調(diào)整至1.0質(zhì)量％或0.0065質(zhì)量％的水分散液作為測(cè)定樣品來(lái)制備。在Icm見(jiàn)方的比色皿中放入約4mL的該測(cè)定樣品，并將該比色皿置于裝置內(nèi)。接著，在波長(zhǎng)200?600nm的范圍進(jìn)行吸光度測(cè)定，根據(jù)得到的圖表，判斷吸光度。
[0075]將過(guò)度稀釋至磨粒含量少于1.0質(zhì)量％，并測(cè)定對(duì)波長(zhǎng)40011111光的吸光度時(shí)，如果吸光度顯示為1.00以上，則在設(shè)磨粒的含量為1.0質(zhì)量％時(shí)，可以判斷為吸光度也在1.00以上，并對(duì)吸光度進(jìn)行篩選。將過(guò)度稀釋至磨粒含量少于0.0065質(zhì)量％，并測(cè)定對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度時(shí)，如果吸光度顯示為1.000以上，則在設(shè)磨粒含量為0.0065質(zhì)量％時(shí)，可以判斷為吸光度也在1.000以上，并對(duì)吸光度進(jìn)行篩選。將稀釋至磨粒含量多于0.0065質(zhì)量％，并測(cè)定對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的光的吸光度時(shí)，如果吸光度顯示為0.010以下，則在磨粒含量為0.0065質(zhì)量％時(shí)，可以判斷為吸光度也在0.010以下，并對(duì)吸光度進(jìn)行篩選。
[0076][透光率]
[0077]本實(shí)施方式所涉及的研磨劑，優(yōu)選對(duì)可見(jiàn)光的透明度高(目視為透明或接近透明)。具體來(lái)說(shuō)，本實(shí)施方式所涉及的研磨劑中所含的磨粒優(yōu)選如下:將該磨粒的含量調(diào)整至1.0質(zhì)量％的水分散液中，對(duì)波長(zhǎng)500nm的光會(huì)給予50% /cm以上的透光率。由此，能進(jìn)一步抑制由添加劑的添加而引起的研磨速度的下降，因此，能維持研磨速度的同時(shí)，也易于得到其它特性。從該觀點(diǎn)來(lái)看，上述透光率的下限更優(yōu)選為60% /cm以上，進(jìn)一步優(yōu)選為70% /cm以上，特別優(yōu)選為80% /cm以上，極其優(yōu)選為90% /cm以上，非常優(yōu)選為92% /cm以上。透光率的上限為100% /cm。
[0078]能夠如此通過(guò)調(diào)整磨粒的透光率從而抑制研磨速度的下降的理由，雖然并不詳細(xì)了解，但本發(fā)明人認(rèn)為其如下。認(rèn)為在含有四價(jià)金屬元素(鈰等)的氫氧化物的磨粒中，相比于機(jī)械作用，化學(xué)作用處于支配地位。因此，認(rèn)為與磨粒的大小相比，磨粒的數(shù)量更有助于研磨速度。
[0079]在磨粒的含量為1.0質(zhì)量％的水分散液中透光率低時(shí)，認(rèn)為在該水分散液中存在的磨粒是以相對(duì)多的粒徑大的粒子(以下，稱(chēng)為“粗大粒子”)而存在。在含有這樣的磨粒的研磨劑中添加添加劑(例如，聚乙烯醇(PVA))時(shí)，如圖1所示，其它粒子以粗大粒子為核心凝集。作為其結(jié)果，認(rèn)為:作用于每單位面積的被研磨面的磨粒數(shù)(有效磨粒數(shù))減少，接觸被研磨面的磨粒的比表面積減小，因此，引起研磨速度下降。
[0080]另一方面，在磨粒得含量為1.0質(zhì)量％的水分散液中透光率高時(shí)，認(rèn)為在該水分散液中存在的磨粒是“粗大粒子”少的狀態(tài)。在如此粗大粒子的存在量少時(shí)，如圖2所示，即使在研磨劑中添加添加劑(例如，聚乙烯醇)，由于成為凝集核的粗大粒子少，因此磨粒之間的凝集被抑制或者凝集粒子的大小與圖1所示的凝集粒子相比變少。作為其結(jié)果，認(rèn)為:維持了作用于每單位面積的被研磨面的磨粒數(shù)(有效磨粒數(shù))，并維持了接觸被研磨面的磨粒的比表面積，因此，難以產(chǎn)生研磨速度的下降。
[0081]本發(fā)明人的研究中可知，即使是一般的粒徑測(cè)定裝置所測(cè)定的粒徑相同的研磨齊U，也可能存在目視時(shí)為透明(透光率高)的研磨劑和以目視時(shí)為混濁(透光率低)的研磨劑。因此，從該情況來(lái)看，認(rèn)為能起到如上作用的粗大粒子即使為不能以一般的粒徑測(cè)定裝置進(jìn)行檢測(cè)的程度的非常少的量，也有助于研磨速度的下降。
[0082]另外，可知即使為了減少粗大粒子而多次反復(fù)過(guò)濾，由添加劑引起的研磨速度下降的現(xiàn)象也并沒(méi)有改善，存在由吸光度引起的研磨速度的上述提高效果也不能充分發(fā)揮的情況。因此，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，通過(guò)研究磨粒的制造方法等，使用在水分散液中透光率高的磨粒，能解決上述問(wèn)題。
[0083]上述透光率是對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透過(guò)率。上述透光率能通過(guò)分光光度計(jì)進(jìn)行測(cè)定。具體來(lái)說(shuō)，例如，可通過(guò)株式會(huì)社日立制作所制造的分光光度計(jì)U3310(裝置名)進(jìn)行測(cè)定。
[0084]作為更具體的測(cè)定方法，可將磨粒的含量調(diào)整至1.0質(zhì)量％的水分散液作為測(cè)定樣品來(lái)制備。在Icm見(jiàn)方的比色皿中放入約4mL的該測(cè)定樣品，并將比色皿設(shè)置于裝置內(nèi)后進(jìn)行測(cè)定。另外，可知:在磨粒的含量大于1.0質(zhì)量％的水分散液中具有50% /cm以上的透光率時(shí)，對(duì)其進(jìn)行稀釋而成為1.0質(zhì)量％情況下，透光率也在50% /cm以上。因此，通過(guò)使用磨粒的含量大于1.0質(zhì)量％的水分散液，能以簡(jiǎn)便的方法篩選透光率。
[0085]研磨劑中所含的磨粒在水分散液中所賦予的吸光度和透光率，可通過(guò)在去除磨粒以外的固體成分和水以外的液體成分后，制備所規(guī)定的磨粒含量的水分散液，并采用該水分散液進(jìn)行測(cè)定。根據(jù)研磨劑中所含的成分不同而不同，但去除固體成分和液體成分，例如，可以采用:使用了施加數(shù)千G以下的重力加速度的離心機(jī)的離心分離、使用了施加數(shù)萬(wàn)G以上的重力加速度的超離心機(jī)的超離心分離等離心分離法；分配色譜法、吸附色譜法、凝膠滲透色譜法、離子交換色譜法等色譜法；自然過(guò)濾、減壓過(guò)濾、加壓過(guò)濾、超濾等過(guò)濾法；減壓蒸餾、常壓蒸餾等的蒸餾法，也可將這些進(jìn)行適當(dāng)組合。
[0086]例如，在含有重均分子量為數(shù)萬(wàn)以上(例如5萬(wàn)以上)的化合物時(shí)，可舉出色譜法、過(guò)濾法等，其中，優(yōu)選凝膠滲透色譜法和超濾。采用過(guò)濾法時(shí)，研磨劑中所含的磨?？赏ㄟ^(guò)適當(dāng)?shù)臈l件的設(shè)定，使其通過(guò)過(guò)濾器。在含有重均分子量為數(shù)萬(wàn)以下(例如小于5萬(wàn))的化合物時(shí)，可舉出色譜法、過(guò)濾法、蒸餾法等，優(yōu)選凝膠滲透色譜法、超濾和減壓蒸餾。含有多個(gè)種類(lèi)的磨粒時(shí)，可舉出過(guò)濾法、離心分離法等，在過(guò)濾時(shí)的濾液中、離心分離時(shí)的液相中，更多地包含含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的顆粒。
[0087]作為以色譜法分離磨粒的方法，例如，可按照下述條件，分離得到磨粒成分和/或分離得到其它成分。
[0088]樣品溶液:研磨劑100 μ L
[0089]檢測(cè)器:株式會(huì)社日立制作所制造的UV-VIS檢測(cè)器，商品名“L-4200”，波長(zhǎng):400nm
[0090]積分儀:株式會(huì)社日立制作所制造的GPC積分儀，商品名“D-2500”
[0091]泵:株式會(huì)社日立制作所制造，商品名“L-7100”
[0092]柱:日立化成株式會(huì)社制造的水系HPLC用填充柱，商品名“GL-W550S”
[0093]洗脫液:去離子水
[0094]測(cè)定溫度:23°C
[0095]流速:ImL/分鐘(壓力40?5Okg/cm2左右)
[0096]測(cè)量時(shí)間:60分鐘
[0097]另外，進(jìn)行色譜法前，優(yōu)選使用脫氣裝置進(jìn)行洗脫液的脫氣處理。不能使用脫氣裝置時(shí)，優(yōu)選事先以超聲波等對(duì)洗脫液進(jìn)行脫氣處理。
[0098]根據(jù)研磨劑中所含的成分，即使以上述條件也有無(wú)法分離得到磨粒的可能性，在這種情況下，可通過(guò)將樣品溶液量、柱種類(lèi)、洗脫液種類(lèi)、測(cè)定溫度、流速等進(jìn)行最適化來(lái)分離。另外，通過(guò)調(diào)整研磨劑的PH，能調(diào)整研磨劑中所含成分的餾出時(shí)間，并能與磨粒相分離。當(dāng)研磨劑中存在不溶成分時(shí)，根據(jù)需要，優(yōu)選通過(guò)過(guò)濾、離心分離等去除不溶成分。
[0099][磨粒的制作方法]
[0100]四價(jià)金屬元素的氫氧化物可通過(guò)使四價(jià)金屬元素的鹽(金屬鹽)與堿源(堿)反應(yīng)來(lái)制作。四價(jià)金屬元素的氫氧化物優(yōu)選通過(guò)將四價(jià)金屬元素的鹽與堿液(例如，堿水溶液)混合來(lái)制作。由此，能得到粒徑極為細(xì)的粒子，并能得到研磨損傷的降低效果更優(yōu)良的研磨劑。這樣的手法，例如，公開(kāi)于專(zhuān)利文獻(xiàn)4中。四價(jià)金屬元素的氫氧化物可通過(guò)將四價(jià)金屬元素的鹽的金屬鹽溶液(例如，金屬鹽水溶液)與堿液混合而得到。另外，將四價(jià)金屬元素的鹽和堿源中的至少一方以液體狀態(tài)供應(yīng)于反應(yīng)體系時(shí)，對(duì)攪拌混合液的手段并沒(méi)有限定。例如，可舉出使用圍繞旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)的棒狀、板狀或螺旋槳狀的攪拌棒或攪拌葉輪攪拌混合液的方法、使用從容器外部傳遞動(dòng)力的磁力攪拌器并以旋轉(zhuǎn)的磁場(chǎng)使攪拌棒旋轉(zhuǎn)來(lái)攪拌混合液的方法、用旋轉(zhuǎn)的磁場(chǎng)使攪拌棒旋轉(zhuǎn)來(lái)攪拌混合液的方法、用設(shè)置于槽外的泵攪拌混合液的方法、通過(guò)對(duì)外部空氣加壓并使該氣流強(qiáng)力地吹入槽內(nèi)由此攪拌混合液的方法。作為四價(jià)金屬元素的鹽，并沒(méi)有特別限定，可使用傳統(tǒng)公知的四價(jià)金屬元素的鹽，可舉出 M (NO3) 4、M (SO4) 2、M (NH4) 2 (NO3) 6、M (NH4) 4 (SO4) 4(M 表示稀土金屬元素)、Zr (SO4) 2.4H20 等。作為M，優(yōu)選化學(xué)活性的鈰(Ce)。
[0101]作為調(diào)整吸光度和透光率的方法，可舉出四價(jià)金屬元素的氫氧化物的制造方法的最優(yōu)化等。作為使對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度和對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度變化的方法，具體來(lái)說(shuō)，例如，可舉出堿液中的堿源的選擇、金屬鹽溶液與堿液中的原料濃度的調(diào)整、金屬鹽溶液與堿液的混合速度調(diào)整、將四價(jià)金屬元素的鹽與堿源混合而得到的混合液的液體溫度的調(diào)整。另外，作為使對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率變化的方法，具體來(lái)說(shuō)，可舉出金屬鹽溶液與堿液中的原料濃度的調(diào)整、金屬鹽溶液與堿液的混合速度調(diào)整、混合時(shí)的攪拌速度的調(diào)整、混合液的液體溫度的調(diào)整。
[0102]為了提高對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度、對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度以及對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率，優(yōu)選更“緩慢”的四價(jià)金屬元素的氫氧化物的制造方法。在這里，“緩慢”意味著隨著反應(yīng)進(jìn)行，反應(yīng)體系的pH上升時(shí),使pH的上升緩慢進(jìn)行(遲緩)。相反地，為了降低對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度、對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度以及對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率，優(yōu)選使四價(jià)金屬元素的氫氧化物的制造方法更“激烈”。在這里，“激烈”意味著隨著反應(yīng)進(jìn)行，反應(yīng)體系的PH上升時(shí)，使pH的上升變激烈(加快)。為了將這些吸光度以及透光率的值調(diào)整為規(guī)定的范圍，優(yōu)選參考上述趨勢(shì)，對(duì)四價(jià)金屬元素的氫氧化物的制造方法進(jìn)行最優(yōu)化。以下，對(duì)吸光度及透光率的控制方法更詳細(xì)地說(shuō)明。
[0103]{堿源}
[0104]作為堿液中的堿源，并沒(méi)有特別限定，可使用傳統(tǒng)公知的堿源。作為堿源，可舉出有機(jī)堿、無(wú)機(jī)堿等。作為有機(jī)堿，可舉出胍、三乙胺、殼聚糖等含氮有機(jī)堿；吡啶、哌啶、吡咯烷、咪唑等含氮雜環(huán)有機(jī)堿；碳酸銨、碳酸氫銨、四甲基氫氧化銨(TMAH)、四乙基氫氧化銨、四甲基氯化銨、四乙基氯化銨等銨鹽等。作為無(wú)機(jī)堿，可舉出氨、氫氧化鋰、氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、碳酸鋰、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸氫鋰、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀等堿金屬的無(wú)機(jī)鹽等。對(duì)于堿源，可單獨(dú)使用一種或?qū)煞N以上組合使用。
[0105]作為堿源，從進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選氨和咪唑，更優(yōu)選咪唑。為了提高對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度和對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度，作為堿源，優(yōu)選使用顯示弱堿性的堿源。堿源中，優(yōu)選含氮雜環(huán)有機(jī)堿，更優(yōu)選吡啶、哌啶、吡咯烷、咪唑，進(jìn)一步優(yōu)選批唳和咪唑，特別優(yōu)選咪唑。
[0106]{濃度}
[0107]通過(guò)金屬鹽溶液和堿液中的原料濃度的控制，可使對(duì)波長(zhǎng)400nm地光的吸光度、對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度以及對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率發(fā)生變化。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)增加金屬鹽溶液的金屬鹽濃度，具有吸光度增加的趨勢(shì)，通過(guò)降低堿液的堿濃度(堿的濃度、堿源的濃度)，具有吸光度增高的趨勢(shì)。另外，通過(guò)增加金屬鹽濃度，具有透光率增高的趨勢(shì)，通過(guò)降低堿濃度，具有透光率增高的趨勢(shì)。
[0108]在易于兼顧優(yōu)良的研磨速度和優(yōu)良的磨粒的穩(wěn)定性方面，以整個(gè)金屬鹽溶液為基準(zhǔn)，金屬鹽溶液中的金屬鹽濃度的上限優(yōu)選為l.0OOmol/L以下，更優(yōu)選為0.500mol/L以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.300mol/L以下，特別優(yōu)選為0.200mol/L以下。在能抑制發(fā)生激烈反應(yīng)(能使PH的上升平穩(wěn))、同時(shí)對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度、對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度以及對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率增高方面，以整個(gè)金屬鹽溶液為基準(zhǔn)，金屬鹽濃度下限優(yōu)選為0.010mol/L以上，更優(yōu)選為0.020mol/L以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.030mol/L以上。
[0109]在能抑制發(fā)生激烈反應(yīng)方面，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，堿液中的堿濃度的上限優(yōu)選為15.0mol/L以下，更優(yōu)選為12.0mol/L以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10.0mol/L以下。堿濃度的下限并沒(méi)有特別限定，但從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)來(lái)看，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，優(yōu)選為0.001mol/L以上。
[0110]堿液中的堿濃度，優(yōu)選根據(jù)選擇的堿源進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。例如，在堿源的共軛酸的PKa為20以上的堿源的情況，在能抑制發(fā)生激烈反應(yīng)方面，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，堿濃度的上限優(yōu)選為0.10mol/L以下，更優(yōu)選為0.05mol/L以下。堿濃度的下限并沒(méi)有特別限定，但在抑制用于得到規(guī)定量的四價(jià)金屬元素的氫氧化物的溶液的使用量方面，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，優(yōu)選為0.001mol/L以上。
[0111]在堿源的共軛酸的PKa為12以上并小于20的堿源的情況下，在能抑制發(fā)生激烈反應(yīng)方面，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，堿濃度的上限優(yōu)選為1.0mol/L以下，更優(yōu)選為0.50mol/L以下。堿濃度的下限并沒(méi)有特別限定，但在抑制用于得到規(guī)定量的四價(jià)金屬元素的氫氧化物的溶液使用量方面，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，優(yōu)選為0.01mol/L以上。
[0112]在堿源的共軛酸的pKa小于12的堿源的情況下，在能抑制發(fā)生激烈反應(yīng)方面，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，堿濃度的上限優(yōu)選為15.0mol/L以下，更優(yōu)選為10.0mol/L以下。堿濃度的下限并沒(méi)有特別限定，但在抑制用于得到規(guī)定量的四價(jià)金屬元素的氫氧化物的溶液使用量方面，以整個(gè)堿液為基準(zhǔn)，優(yōu)選為0.1OmoI/L以上。
[0113]作為堿源的共軛酸的pKa為20以上的堿源，例如，可舉出1，8_ 二氮雜雙環(huán)[5.4.0] i^一碳-7-烯(pKa:25)。作為堿源的共軛酸的pKa為12以上并小于20的堿源，例如，可舉出氫氧化鉀(pKa:16)、氫氧化鈉(pKa:13)。作為堿源的共軛酸的pKa小于12的堿源，例如，可舉出氨(pKa:9)、咪唑(pKa:7)。所使用的堿源的共軛酸的pKa值,只要能適當(dāng)調(diào)整堿濃度，就沒(méi)有特別限定，但堿源的共軛酸的PKa值優(yōu)選小于20，更優(yōu)選小于12，進(jìn)一步優(yōu)選小于10，特別優(yōu)選小于8。
[0114]{混合速度}
[0115]通過(guò)控制金屬鹽溶液和堿液的混合速度，可使對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度、對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度以及對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率發(fā)生變化。作為趨勢(shì)，通過(guò)pH的上升變平穩(wěn)(變慢)，吸光度和透光率分別增高。更具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)使混合速度變慢，具有吸光度增高的趨勢(shì)，而通過(guò)加快混合速度，具有吸光度變低的趨勢(shì)。另外，通過(guò)使混合速度變慢，具有透光率增高的趨勢(shì)，而通過(guò)加快混合速度，具有透光率變低的趨勢(shì)。
[0116]從更能抑制激烈反應(yīng)的進(jìn)行、同時(shí)更能抑制局部反應(yīng)偏差的觀點(diǎn)來(lái)看，混合速度的上限優(yōu)選為5.00X 10?3/分鐘(5L/分鐘)以下，更優(yōu)選為1.00X 10?3/分鐘(1L/分鐘)以下，進(jìn)一步優(yōu)選為5.00 X 10_4mV分鐘(500mL/分鐘)以下，特別優(yōu)選為1.00 X 10_4m3/分鐘(10mL/分鐘)以下?；旌纤俣鹊南孪薏](méi)有特別限定，但從生產(chǎn)率的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為1.0OX 10_7m3/分鐘(0.1mL/分鐘)以上。
[0117]{攪拌速度}
[0118]通過(guò)控制混合金屬鹽溶液和堿液時(shí)的攪拌速度，能使對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率發(fā)生變化。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)提高攪拌速度，具有透光率增高的趨勢(shì)，而通過(guò)使攪拌速度變慢，具有透光率變低的趨勢(shì)。
[0119]從更能抑制局部反應(yīng)偏差并且混合效率優(yōu)良的觀點(diǎn)來(lái)看，攪拌速度的下限優(yōu)選為30min^以上，更優(yōu)選為δΟπ?ιΓ1以上，進(jìn)一步優(yōu)選為SOmirT1以上。攪拌速度的上限并沒(méi)有特別限定，另外，需要根據(jù)攪拌葉輪的大小、形狀進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整，但從抑制液體飛濺的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為lOOOmirT1以下。
[0120]{液體溫度(合成溫度)}
[0121]通過(guò)對(duì)混合四價(jià)金屬元素的鹽與堿源而得到的混合液的液體溫度進(jìn)行控制，能使對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度、對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度以及對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率發(fā)生變化，獲得能達(dá)成所期望的研磨速度和保存穩(wěn)定性的磨粒。具體來(lái)說(shuō)，通過(guò)降低液體溫度，具有吸光度增高的趨勢(shì)，而通過(guò)提高液體溫度，具有吸光度變低的趨勢(shì)。另外，通過(guò)降低液體溫度，具有透光率增高的趨勢(shì)，而通過(guò)提高液體溫度，具有透光率變低的趨勢(shì)。
[0122]液體溫度，例如是通過(guò)在混合液中設(shè)置溫度計(jì)而讀取的混合液內(nèi)的溫度，優(yōu)選為O?100°C。在能抑制急劇反應(yīng)方面，液體溫度的上限優(yōu)選為100°C以下，更優(yōu)選為60°C以下，進(jìn)一步優(yōu)選為55°C以下，特別優(yōu)選為50°C以下，極其優(yōu)選為45°C以下。從能容易進(jìn)行反應(yīng)方面，液體溫度的下限優(yōu)選為0°C以上，更優(yōu)選為10°C以上，進(jìn)一步優(yōu)選為20°C以上。
[0123]以上述方法合成的四價(jià)金屬元素的氫氧化物有含有雜質(zhì)(例如，金屬雜質(zhì))的情況，但可通過(guò)洗滌去除雜質(zhì)。四價(jià)金屬元素的氫氧化物的洗滌，可使用以離心分離等進(jìn)行數(shù)次反復(fù)固液分離的方法等。另外，也可通過(guò)由離心分離、透析、超濾、離子交換樹(shù)脂等去除離子等進(jìn)行洗滌。通過(guò)去除雜質(zhì)，能調(diào)整對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的光的吸光度。
[0124]當(dāng)上述得到的磨粒在凝集時(shí)，可通過(guò)適當(dāng)方法將磨粒分散于水中。作為將磨粒分散于作為主要分的散介質(zhì)的水中的方法，除了通過(guò)攪拌機(jī)進(jìn)行分散處理以外，還可通過(guò)均化器、超聲波分散機(jī)、濕式球磨機(jī)等進(jìn)行機(jī)械分散處理。對(duì)于分散方法和粒徑控制方法，例如，可使用非專(zhuān)利文獻(xiàn)I中所記載的方法。另外，進(jìn)行上述洗滌處理，即使降低含有磨粒的分散液的電導(dǎo)率(例如，500mS/m以下)，也能提高磨粒的分散性。因此，可適合將上述洗滌處理作為分散處理使用，也可以將上述洗滌處理與分散處理并用。
[0125](添加劑)
[0126]本實(shí)施方式涉及的研磨劑含有添加劑。在這里，“添加劑”是指為了調(diào)整研磨速度、研磨選擇性等研磨特性；磨粒的分散性、保存穩(wěn)定性等研磨劑特性等而在研磨劑中添加的除了水和磨粒以外的物質(zhì)。
[0127][第一添加劑:聚亞烷基二醇]
[0128]本實(shí)施方式涉及的研磨劑含有作為第一添加劑的聚亞烷基二醇。第一添加劑具有抑制停止層材料的研磨速度過(guò)度增高的效果。另外，通過(guò)使用第一添加劑，能抑制停止層露出后的絕緣材料的研磨，從而得到高平坦性。推測(cè):通過(guò)第一添加劑覆蓋絕緣材料和停止層，緩和了由磨粒進(jìn)行的研磨被緩和并且抑制研磨速度過(guò)度增高。
[0129]作為聚亞烷基二醇，可舉出聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等，其中，優(yōu)選選自由聚乙二醇和聚丙二醇構(gòu)成的組群中的至少一種，更優(yōu)選聚乙二醇。
[0130]出于調(diào)整研磨選擇性或平坦性等研磨特性，第一添加劑可單獨(dú)使用一種或?qū)煞N以上組合使用。
[0131]第一添加劑的重均分子量并沒(méi)有特別限定。從操作性和發(fā)泡性的觀點(diǎn)來(lái)看，第一添加劑的重均分子量的上限優(yōu)選為100X 103以下，更優(yōu)選為50X 103以下，進(jìn)一步優(yōu)選為1XlO3以下，特別優(yōu)選為8X103以下，極其優(yōu)選為6X103以下。另外，從進(jìn)一步提高研磨選擇性和平坦性的觀點(diǎn)來(lái)看，第一添加劑的重均分子量的下限優(yōu)選為200以上，更優(yōu)選為300以上，進(jìn)一步優(yōu)選為400以上。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，第一添加劑的重均分子量更優(yōu)選為200以上、100X 103以下。另外，例如，可采用標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的標(biāo)準(zhǔn)曲線并通過(guò)凝膠滲透色譜法(GPC)在下述條件下測(cè)定重均分子量。
[0132]使用機(jī)器:日立L-6000型(株式會(huì)社日立制作所制造)
[0133]柱:Ge1-Pak GL-R420+Gel_Pak GL-R430+Gel_Pak GL-R440 (日立化成株式會(huì)社，商品名，共3根)
[0134]洗脫液:四氫呋喃
[0135]測(cè)定溫度:40°C
[0136]流量:1.75mL/ 分鐘
[0137]檢測(cè)器:L-3300RI (株式會(huì)社日立制作所制造)
[0138]從進(jìn)一步提高研磨選擇性和平坦性的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，第一添加劑的含量的下限優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.3質(zhì)量％以上。從得到適度的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，第一添加劑的含量的上限優(yōu)選為5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為2質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為I質(zhì)量％以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，第一添加劑的含量更優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下。另外，使用多個(gè)化合物作為第一添加劑時(shí)，優(yōu)選各化合物的含量的合計(jì)滿足上述范圍。
[0139][第二添加劑:陽(yáng)離子性聚合物]
[0140]本實(shí)施方式涉及的研磨劑除了含有第一添加劑以外，還含有作為第二添加劑的陽(yáng)離子性聚合物。陽(yáng)離子性聚合物是指在主鏈或側(cè)鏈上具有陽(yáng)離子基團(tuán)或?qū)﹃?yáng)離子基團(tuán)進(jìn)行離子化而得到的基團(tuán)的聚合物。本實(shí)施方式中，第二添加劑使用選自由烯丙基胺聚合物、二烯丙基胺聚合物、乙烯基胺聚合物和乙烯亞胺聚合物構(gòu)成的組群中的至少一種。
[0141]第二添加劑通過(guò)與第一添加劑并用，具有抑制停止層材料的研磨速度過(guò)度增高的效果。認(rèn)為其原因是:第二添加劑易于吸附于絕緣材料，因此，通過(guò)第二添加劑吸附從而沒(méi)能吸附的剩余的第一添加劑較厚地吸附于停止層材料表面，由此進(jìn)一步抑制停止層材料被研磨。另外，第二添加劑具有提高絕緣材料的研磨速度的效果。這是因?yàn)橥ㄟ^(guò)第二添加劑與第一添加劑相互作用，抑制了第一添加劑過(guò)度覆蓋絕緣材料而致絕緣材料的研磨速度變小。由此，根據(jù)本實(shí)施方式涉及的研磨劑，能提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性。
[0142]第二添加劑也具有不使平坦性惡化的情況下使絕緣材料的研磨速度上升的效果。通過(guò)存在第二添加劑，第一添加劑適度覆蓋絕緣材料，能提高對(duì)絕緣材料的凸部的研磨速度，同時(shí)抑制對(duì)絕緣材料的凹部的研磨速度，因此，認(rèn)為能維持高平坦性。
[0143]第二添加劑可通過(guò)使選自由烯丙基胺、二烯丙基胺、乙烯基胺、乙烯亞胺及它們的衍生物構(gòu)成的組群中的至少一種單體成分進(jìn)行聚合而得到。第二添加劑可具有來(lái)自烯丙基胺、二烯丙基胺、乙烯基胺、乙烯亞胺及它們的衍生物以外的單體成分的結(jié)構(gòu)單元，也可以具有來(lái)自丙烯酰胺、二甲基丙烯酰胺、二乙基丙烯酰胺、羥乙基丙烯酰胺、丙烯酸、丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸、馬來(lái)酸、二氧化硫等的結(jié)構(gòu)單元。
[0144]第二添加劑可以是烯丙基胺、二烯丙基胺、乙烯基胺、乙烯亞胺的自聚體(聚烯丙基胺、聚二烯丙基胺、聚乙烯基胺、聚乙烯亞胺)，也可以是具有來(lái)自烯丙基胺、二烯丙基胺、乙烯基胺、乙烯亞胺及它們的衍生物的結(jié)構(gòu)單元的共聚物。共聚物中，結(jié)構(gòu)單元的排列是任意的。例如，可以采取包括以下形態(tài)等的任意形態(tài):(a)各自同種的結(jié)構(gòu)單元連續(xù)的嵌段共聚物的形態(tài)、(b)結(jié)構(gòu)單元A和結(jié)構(gòu)單元B并未以特別秩序排列的無(wú)規(guī)共聚的形態(tài)、(C)結(jié)構(gòu)單元A和結(jié)構(gòu)單元B交替排列的交替共聚的形態(tài)。
[0145]烯丙基胺聚合物是通過(guò)使烯丙基胺及其衍生物聚合而得到的聚合物。作為烯丙基胺衍生物，可舉出烷氧基羰基化烯丙基胺、甲基羰基化烯丙基胺、氨基羰基化烯丙基胺、尿素化烯丙基胺等。
[0146]二烯丙基胺聚合物是通過(guò)使二烯丙基胺及其衍生物聚合而得到的聚合物。作為二烯丙基胺衍生物，可舉出甲基二烯丙基胺、二烯丙基二甲基銨鹽、二烯丙基甲基乙基銨鹽、酰化二烯丙基胺、氨基羰基化二烯丙基胺、烷氧基羰基化二烯丙基胺、氨基硫代羰基化二烯丙基胺、羥基烷基化二烯丙基胺等。作為銨鹽，可舉出氯化銨等。
[0147]乙烯基胺聚合物是通過(guò)使乙烯基胺及其衍生物聚合而得到的聚合物。作為乙烯基胺衍生物，可舉出烷基化乙烯基胺、酰胺化乙烯基胺、環(huán)氧乙烷化乙烯基胺、環(huán)氧丙烷化乙烯基胺、烷氧基化乙烯基胺、羧甲基化乙烯基胺、?；蚁┗?、尿素化乙烯基胺等。
[0148]乙烯亞胺聚合物是通過(guò)使乙烯亞胺及其衍生物聚合而得到的聚合物。作為乙烯亞胺衍生物，可舉出氨基乙基化丙烯酸聚合物、烷基化乙烯亞胺、尿素化乙烯亞胺、環(huán)氧丙烷化乙烯亞胺等。
[0149]從進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性、同時(shí)能進(jìn)一步抑制被研磨面的凹陷的形成和研磨損傷的發(fā)生的觀點(diǎn)來(lái)看，作為第二添加劑，優(yōu)選聚烯丙基胺、聚乙烯亞胺、二烯丙基二甲基氯化銨.丙烯酰胺共聚物、二烯丙基二甲基氯化銨.丙烯酸共聚物。另外，從進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性的觀點(diǎn)以及進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，作為第二添加劑，優(yōu)選聚烯丙基胺、二烯丙基二甲基氯化銨.丙烯酰胺共聚物。出于調(diào)整研磨選擇性和平坦性等研磨特性，第二添加劑可單獨(dú)使用一種或?qū)煞N以上組合使用。
[0150]從進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性的觀點(diǎn)來(lái)看,第二添加劑的重均分子量?jī)?yōu)選為100以上，更優(yōu)選為300以上，進(jìn)一步優(yōu)選為500以上，特別優(yōu)選為1.0X103以上。從進(jìn)一步提高絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性的觀點(diǎn)來(lái)看，第二添加劑的重均分子量?jī)?yōu)選為1000X 103以下，更優(yōu)選為800X 103以下，進(jìn)一步優(yōu)選為600 X 13以下，特別優(yōu)選為400X 103以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，第二添加劑的重均分子量更優(yōu)選為100以上、1000X 103以下。另外，第二添加劑的重均分子量可通過(guò)與第一添加劑的重均分子量相同的方法進(jìn)行測(cè)定。
[0151]從進(jìn)一步提高研磨選擇性和平坦性的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，第二添加劑的含量的下限優(yōu)選為0.0OOl質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為0.00015質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.0002質(zhì)量％以上，特別優(yōu)選為0.0005質(zhì)量％以上。從研磨選擇性更優(yōu)良的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，第二添加劑的含量的上限優(yōu)選為5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為3質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為I質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以下，非常優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以下，極其優(yōu)選為0.05質(zhì)量％以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，第二添加劑的含量更優(yōu)選為0.0001質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下。另外，使用多個(gè)化合物作為第二添加劑時(shí)，優(yōu)選各化合物的含量總計(jì)滿足上述范圍。從進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度、絕緣材料相對(duì)于停止層材料的研磨選擇性以及平坦性的觀點(diǎn)來(lái)看，第二添加劑的含量?jī)?yōu)選根據(jù)絕緣材料的制作方法(種類(lèi)、賦予材料的條件)進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。
[0152]從進(jìn)一步提高研磨選擇性和平坦性的觀點(diǎn)來(lái)看，第二添加劑的含量相對(duì)于第一添加劑的含量的比率，以質(zhì)量比計(jì)，優(yōu)選為0.0005以上，更優(yōu)選為0.001以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.0015以上，特別優(yōu)選為0.002以上。從研磨選擇性更優(yōu)良的觀點(diǎn)來(lái)看，第二添加劑的含量相對(duì)于第一添加劑的含量的比率，以質(zhì)量比計(jì)，優(yōu)選為0.03以下，更優(yōu)選為0.025以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.02以下，特別優(yōu)選為0.015以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，上述含量的比率更優(yōu)選為0.0005以上、0.03以下。
[0153]本實(shí)施方式涉及的研磨劑還可含有除了第二添加劑以外的陽(yáng)離子性聚合物。作為這樣的陽(yáng)離子性聚合物，可舉出陽(yáng)離子改性聚丙烯酰胺、陽(yáng)離子改性聚二甲基丙烯酰胺等丙烯酸系聚合物；殼多糖、殼多糖衍生物、陽(yáng)離子改性纖維素、陽(yáng)離子改性葡聚糖等多糖類(lèi)；使來(lái)自構(gòu)成這些化合物的構(gòu)成單元的單體聚合而得到的共聚物等。出于調(diào)整研磨選擇性和平坦性等研磨特性的目的，陽(yáng)離子性聚合物可單獨(dú)使用一種或?qū)煞N以上組合使用。
[0154]從進(jìn)一步提高研磨選擇性和平坦性的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，包含第二添加劑的陽(yáng)離子性聚合物的含量的下限優(yōu)選為0.0001質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為0.00015質(zhì)量％以上，進(jìn)一步優(yōu)選為0.0002質(zhì)量％以上，特別優(yōu)選為0.0005質(zhì)量％以上。從研磨選擇性更優(yōu)良的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，包含第二添加劑的陽(yáng)離子性聚合物的含量的上限優(yōu)選為5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為3質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為I質(zhì)量％以下，特別優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以下，非常優(yōu)選為0.1質(zhì)量％以下，極其優(yōu)選為0.05質(zhì)量％以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，包含第二添加劑的陽(yáng)離子性聚合物的含量更優(yōu)選為0.0001質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下。
[0155][第三添加劑]
[0156]出于調(diào)整研磨速度等研磨特性、磨粒的分散性和保存穩(wěn)定性等研磨劑特性等的目的，本實(shí)施方式涉及的研磨劑除了含有第一添加劑以及第二添加劑等陽(yáng)離子性聚合物以夕卜，還可含有第三添加劑。
[0157]作為第三添加劑，可舉出羧酸、氨基酸等。這些可單獨(dú)使用一種或?qū)煞N以上組合使用。其中，從磨粒的分散性和研磨特性的平衡優(yōu)良的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選羧酸和氨基酸。
[0158]羧酸具有穩(wěn)定pH的同時(shí)能進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的效果。作為羧酸，可舉出甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、己酸、乳酸等。
[0159]氨基酸具有提高含有四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒的分散性、進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的效果。作為氨基酸，可舉出精氨酸、賴(lài)氨酸、天冬氨酸、谷氨酸、天冬酰胺、谷氨酰胺、組氨酸、脯氨酸、酪氨酸、色氨酸、絲氨酸、蘇氨酸、甘氨酸、丙氨酸、β -丙氨酸、蛋氨酸、半胱氨酸、苯丙氨酸、亮氨酸、纈氨酸、異亮氨酸等。另外，氨基酸具有羧基，但與羧酸是不同的物質(zhì)。
[0160]使用第三添加劑時(shí)，從抑制磨粒的沉降、同時(shí)得到添加劑的添加效果的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，第三添加劑的含量?jī)?yōu)選為0.01質(zhì)量％以上、10質(zhì)量％以下的范圍。另外，使用多個(gè)化合物作為第三添加劑時(shí)，優(yōu)選各化合物的含量總計(jì)滿足上述范圍。
[0161](水溶性高分子)
[0162]出于用于調(diào)整平坦性、面內(nèi)均一性、氧化硅相對(duì)于氮化硅的研磨選擇性(氧化硅的研磨速度/氮化硅的研磨速度)、氧化硅相對(duì)于多晶硅的研磨選擇性(氧化硅的研磨速度/多晶硅的研磨速度)等研磨特性的目的，本實(shí)施方式涉及的研磨劑還可含有水溶性高分子。在這里，“水溶性高分子”定義為相對(duì)于10g水溶解0.1g以上的高分子。第一添加劑和第二添加劑等的陽(yáng)離子性聚合物不包括在“水溶性高分子”。
[0163]作為水溶性高分子，并沒(méi)有特別限定。作為水溶性高分子，具體來(lái)說(shuō)，可舉出聚丙烯酰胺、聚二甲基丙烯酰胺等丙烯酸系聚合物；藻酸、果膠酸、羧甲基纖維素、瓊脂、凝膠多糖、糊精、環(huán)糊精、普魯蘭多糖等多糖類(lèi)；聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯醛等乙烯基系聚合物；聚甘油、聚甘油衍生物等甘油系聚合物等。本實(shí)施方式涉及的研磨劑也可不含有聚乙烯醇。水溶性高分子可單獨(dú)使用一種或?qū)煞N以上組合使用。
[0164]使用水溶性高分子時(shí)，從抑制磨粒的沉降、同時(shí)得到水溶性高分子的添加效果的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，水溶性高分子的含量?jī)?yōu)選為0.0001質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為0.001質(zhì)量％以上,進(jìn)一步優(yōu)選為0.01質(zhì)量％以上。從抑制磨粒的沉降、同時(shí)得到水溶性高分子的添加效果的觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，水溶性高分子的含量?jī)?yōu)選為5質(zhì)量％以下,更優(yōu)選為I質(zhì)量％以下,進(jìn)一步優(yōu)選為0.5質(zhì)量％以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，水溶性高分子的含量更優(yōu)選為0.0001質(zhì)量％以上、5質(zhì)量％以下。使用多個(gè)化合物作為水溶性高分子時(shí)，優(yōu)選各化合物的含量總計(jì)滿足上述范圍。
[0165]水溶性高分子的質(zhì)均分子量并沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選100以上、300X 13以下。另夕卜，水溶性高分子的重均分子量可通過(guò)與第一添加劑的重均分子量相同的方法進(jìn)行測(cè)定。
[0166](研磨劑的特性)
[0167]從進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，本實(shí)施方式涉及的研磨劑的pH(250C )的下限優(yōu)選為3.0以上，更優(yōu)選為4.0以上，進(jìn)一步優(yōu)選為4.5以上，特別優(yōu)選為
5.0以上。另外，從進(jìn)一步提高絕緣材料的研磨速度的觀點(diǎn)來(lái)看，pH的上限優(yōu)選為12.0以下，更優(yōu)選為11.0以下，進(jìn)一步優(yōu)選為10.0以下，特別優(yōu)選為9.0以下，極其優(yōu)選為8.0以下。從上述觀點(diǎn)來(lái)看，研磨劑的PH更優(yōu)選為3.0以上、12.0以下。
[0168]研磨劑的pH可通過(guò)無(wú)機(jī)酸、有機(jī)酸等酸成分；氨、氫氧化鈉、四甲基氫氧化銨(TMAH)、咪唑等堿性成分等進(jìn)行調(diào)整。另外，為了穩(wěn)定pH，還可添加緩沖劑。另外，也可添加作為緩沖液(含有緩沖劑的液體)的緩沖劑。作為這樣的緩沖液，可舉出乙酸鹽緩沖液、鄰苯二甲酸鹽緩沖液等。
[0169]本實(shí)施方式涉及的研磨劑的pH,可通過(guò)pH計(jì)(例如，電氣化學(xué)計(jì)器株式會(huì)社制造的型號(hào)PHL-40)進(jìn)行測(cè)定。具體來(lái)說(shuō)，例如，將鄰苯二甲酸鹽pH緩沖液(pH 4.01)和中性磷酸鹽PH緩沖液(pH 6.86)作為標(biāo)準(zhǔn)緩沖液使用，并將pH計(jì)校正2點(diǎn)后，將pH計(jì)的電極放入研磨劑中，測(cè)定經(jīng)兩分鐘以上穩(wěn)定后的值。這時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)緩沖液和研磨劑的液體溫度都是
25。。。
[0170]本實(shí)施方式涉及的研磨劑，可將其作為至少含有磨粒、第一添加劑、第二添加劑和水的一液式研磨劑進(jìn)行保存，也可以作為多液式(例如二液式)的研磨劑組進(jìn)行保存；其中，該多液式(例如二液式)的研磨劑組是通過(guò)將漿液(第一液體)和添加液(第二液體)混合形成上述研磨劑的方式，將上述研磨劑的構(gòu)成成分分成漿液和添加液而形成的。漿液，例如至少含有磨粒。添加液，例如，含有選自由第一添加劑和第二添加劑構(gòu)成的組群中的至少一種。漿液和添加液中，第一添加劑、第二添加劑、第三添加劑、水溶性高分子和緩沖劑優(yōu)選包含于的添加液中。另外，上述研磨劑的構(gòu)成成分，也可將其作為分成三液以上的研磨劑組進(jìn)行保存。例如，上述研磨劑的構(gòu)成成分，可將其分成含有磨粒和水的漿液、含有第一添加劑和水的添加液、含有第二添加劑和水的添加液來(lái)保存。
[0171]上述研磨劑組中，在即將研磨或研磨時(shí)，將漿液和添加液混合制作成研磨劑。另夕卜，一液式研磨劑也可以將其作為水含量減少的研磨劑用儲(chǔ)存液保存，同時(shí)，在研磨時(shí)用水稀釋使用。多液式研磨劑組也可以將其作為水含量減少的漿液用儲(chǔ)存液、添加液用儲(chǔ)存液保存，同時(shí)，在研磨時(shí)用水稀釋使用。
[0172]在一液式研磨劑的情況下，作為向研磨平臺(tái)上供應(yīng)研磨劑的方法，可使用將研磨劑直接送液的供應(yīng)方法；以各自的配管輸送研磨劑用儲(chǔ)存液及水并將它們并流、混合的供應(yīng)方法；事先將研磨劑用儲(chǔ)存液及水混合后供應(yīng)的方法等。
[0173]作為將漿液和添加液分開(kāi)的多液式研磨劑組保存時(shí)，通過(guò)任意改變這些液體的混合，能調(diào)整研磨速度。使用研磨劑組進(jìn)行研磨時(shí)，作為向研磨平臺(tái)上供應(yīng)研磨劑的方法，有如下所示的方法。例如，可使用以各自的配管輸送漿液和添加液，并將這些管道并流、混合而供應(yīng)的方法；以各自的配管輸送漿液用儲(chǔ)存液、添加液用儲(chǔ)存液和水，并將它們并流、混合而供應(yīng)的方法；事先將漿液、添加液混合后供應(yīng)的方法；事先將漿液用儲(chǔ)存液、添加液用儲(chǔ)存液和水混合后供應(yīng)的方法等。另外，也可使用將上述研磨劑組中的漿液和添加液分別供應(yīng)于研磨平臺(tái)上的方法。在這種情況下，在研磨平臺(tái)上，使用混合漿液和添加液而得到的研磨劑，對(duì)被研磨面進(jìn)行研磨。
[0174](基體的研磨方法)
[0175]本實(shí)施方式涉及的基體的研磨方法，可以具有使用上述一液式研磨劑對(duì)基體的被研磨面進(jìn)行研磨的研磨工序，也可以具有使用混合上述研磨劑組中的漿液和添加液而得到的研磨劑對(duì)基體的被研磨面進(jìn)行研磨的研磨工序。另外，本實(shí)施方式涉及的基體的研磨方法可以是具有絕緣材料和多晶硅的基體的研磨方法，例如，也可以具有如下的研磨工序:使用上述一液式研磨劑或?qū)⑸鲜鲅心┙M中的漿液和添加液混合而得到的研磨劑，相對(duì)于多晶硅，對(duì)絕緣材料進(jìn)行選擇性研磨。在這種情況下，基體，例如可以具有含有絕緣材料的構(gòu)件和含有多晶硅的構(gòu)件。另外，“相對(duì)于材料B，對(duì)材料A進(jìn)行選擇性研磨”是指在同一研磨條件下，材料A的研磨速度高于材料B的研磨速度。更具體來(lái)說(shuō)，例如，以材料A的研磨速度相對(duì)于材料B的研磨速度的研磨速度比為250以上的方式對(duì)材料A進(jìn)行研磨。
[0176]研磨工序中，例如，在將具有被研磨材料的基體的該被研磨材料按壓于研磨平臺(tái)的研磨墊(研磨布)的狀態(tài)下，將上述研磨劑供應(yīng)于被研磨材料和研磨墊之間，使基體與研磨平臺(tái)相對(duì)地運(yùn)動(dòng),對(duì)被研磨材料的被研磨面進(jìn)行研磨。研磨工序中，例如,通過(guò)研磨去除至少一部分被研磨材料。
[0177]作為研磨對(duì)象的基體，可舉出基板等，例如，可舉出在與半導(dǎo)體元件制造相關(guān)的基板(例如，形成有STI圖案、柵極圖案、布線圖案等的半導(dǎo)體基板)上形成有被研磨材料的基板。作為被研磨材料，可舉出氧化硅等絕緣材料；多晶硅、氮化硅等停止層材料等。被研磨材料可以是單一材料，也可以是多個(gè)材料。當(dāng)多個(gè)材料露出于被研磨面時(shí)，可以將它們視作被研磨材料。被研磨材料可以是膜狀，也可以是氧化硅膜、多晶硅膜、氮化硅膜等。
[0178]通過(guò)用上述研磨劑對(duì)在這樣的基板上形成的被研磨材料(例如，氧化硅等絕緣材料)進(jìn)行研磨，去除多余部分，能消除被研磨材料表面的凹凸，并能使整個(gè)被研磨材料的表面成為平滑的面。本實(shí)施方式涉及的研磨劑，優(yōu)選用于研磨含有氧化硅的被研磨面。
[0179]本實(shí)施方式中，能對(duì)基體中的絕緣材料進(jìn)行研磨，其中，該基體具有至少在表面含有氧化硅的絕緣材料、設(shè)置于絕緣材料的下層的停止層(研磨停止層)以及設(shè)置于停止層的下方的半導(dǎo)體基板。構(gòu)成停止層的停止層材料是研磨速度低于絕緣材料的材料，優(yōu)選多晶硅、氮化硅等。在這樣的基體中，通過(guò)露出停止層時(shí)停止研磨，可以防止絕緣材料被過(guò)度研磨，因此，能提高絕緣材料的研磨后的平坦性。
[0180]作為通過(guò)本實(shí)施方式涉及的研磨劑進(jìn)行研磨的被研磨材料的制作方法，可舉出低壓CVD法、亞常壓CVD法、等離子體CVD法等CVD法；在旋轉(zhuǎn)的基板上涂布液體原料的旋轉(zhuǎn)涂布法等。
[0181]氧化硅可采用低壓CVD法，例如，通過(guò)使甲硅烷(SiH4)與氧(O2)進(jìn)行熱反應(yīng)而得至|J。另外，氧化硅也可采用亞常壓CVD法，例如，通過(guò)使四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)與臭氧
(O3)進(jìn)行熱反應(yīng)而得到。作為其它例子，可通過(guò)使四乙氧基硅烷與氧氣進(jìn)行等離子體反應(yīng)，同樣得到氧化硅。
[0182]氧化硅可采用旋轉(zhuǎn)涂布法，例如，通過(guò)在基板上涂布含有無(wú)機(jī)聚硅氮烷、無(wú)機(jī)硅氧烷等的液體原料，并在爐體等中進(jìn)行熱固化反應(yīng)而得到。
[0183]作為多晶硅的制作方法，可舉出使甲硅烷進(jìn)行熱反應(yīng)的低壓CVD法、使甲硅烷進(jìn)行等離子體反應(yīng)的等離子體CVD法等。
[0184]作為氮化硅的制作方法，例如，可舉出使二氯硅烷和氨進(jìn)行熱反應(yīng)的低壓CVD法、使甲硅烷、氨以及氮進(jìn)行等離子體反應(yīng)的等離子體CVD法等。為了調(diào)整材質(zhì)，通過(guò)如上方法得到的氮化硅中還可以含有硅和氮以外的元素，如碳、氫等。
[0185]為了穩(wěn)定如上方法得到的氧化硅、多晶硅、氮化硅等材質(zhì)，根據(jù)需要，可以在200?1000°C的溫度下進(jìn)行熱處理。另外，為了提高嵌入性，如上方法得到的氧化硅中還可含有微量的硼(B)、磷(P)、碳(C)等。
[0186]以下，舉出一例形成有絕緣材料的半導(dǎo)體基板的研磨方法來(lái)說(shuō)明本實(shí)施方式涉及的研磨方法。本實(shí)施方式涉及的研磨方法中，作為研磨裝置，可使用一般的研磨裝置，該一般的研磨裝置具有:能保持具有被研磨面的半導(dǎo)體基板等的基體的支架和能粘貼研磨墊的研磨平臺(tái)。在各自的支架和研磨平臺(tái)中，安裝有可以變更轉(zhuǎn)速的電機(jī)等。作為研磨裝置，例如，可使用APPLIED MATERIALS公司制造的研磨裝置:Reflex1n。
[0187]作為研磨墊，可使用一般的無(wú)紡布、發(fā)泡體、非發(fā)泡體等。作為研磨墊的材質(zhì)，可使用聚氨酯、丙烯酸樹(shù)脂、聚酯、丙烯酸-酯共聚物、聚四氟乙烯、聚丙烯、聚乙烯、聚4-甲基戊烯、纖維素、纖維素酯、聚酰胺(例如，尼龍(商品名)和芳香族聚酰胺)、聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺、聚硅氧烷共聚物、環(huán)氧乙烷化合物、酚醛樹(shù)脂、聚苯乙烯、聚碳酸酯、環(huán)氧樹(shù)脂等樹(shù)月旨。作為研磨墊的材質(zhì)，特別是，從研磨速度和平坦性的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選發(fā)泡聚氨酯和非發(fā)泡聚氨酯。研磨墊中，優(yōu)選已實(shí)施有積存研磨劑的槽加工。
[0188]研磨條件并沒(méi)有特別限定，但為了不使半導(dǎo)體基板飛出，研磨平臺(tái)的旋轉(zhuǎn)速度優(yōu)選為ZOOmirr1以下；從充分抑制研磨損傷產(chǎn)生的觀點(diǎn)來(lái)看，施加于半導(dǎo)體基板的研磨壓力(加工負(fù)荷)優(yōu)選為10kPa以下。研磨期間，優(yōu)選通過(guò)泵將研磨劑連續(xù)供應(yīng)于研磨墊。該供應(yīng)量并沒(méi)有特別限定，但優(yōu)選研磨墊的表面常常被研磨劑所覆蓋。
[0189]研磨結(jié)束后的半導(dǎo)體基板優(yōu)選在流水中仔細(xì)洗滌并去除附著于基板的粒子。洗滌中，可以將純水以外的氫氟酸或氨水進(jìn)行并用，也可以為了提高洗滌效率并用刷子。另外，洗滌后，優(yōu)選使用旋轉(zhuǎn)干燥器等將附著于半導(dǎo)體基板的水滴拂落后，使半導(dǎo)體基板干燥。
[0190]本實(shí)施方式涉及的研磨劑、研磨劑組和研磨方法，適宜用于STI的形成。為了形成STI，絕緣材料(例如，氧化硅)相對(duì)于停止層材料(例如，多晶硅)的研磨速度比優(yōu)選為250以上，更優(yōu)選為300以上。上述研磨速度比小于250時(shí)，相對(duì)于停止層材料的研磨速度，絕緣材料的研磨速度的大小較小，在形成STI時(shí)，具有在規(guī)定的位置難以停止研磨的趨勢(shì)。另一方面，上述研磨速度比為250以上時(shí)，研磨的停止變?nèi)菀?，更適宜STI的形成。
[0191]本實(shí)施方式涉及的研磨劑、研磨劑組和研磨方法也可用于金屬前絕緣材料的研磨。作為金屬前絕緣材料，除了氧化硅外，例如，也可使用磷-硅酸鹽玻璃、硼-磷-硅酸鹽玻璃，進(jìn)一步，還可使用氧氟化硅、氟化無(wú)定形碳等。
[0192]本實(shí)施方式涉及的研磨劑、研磨劑組和研磨方法還可用于氧化硅等絕緣材料以外的材料。作為這樣的材料，可舉出Hf系、Ti系、Ta系氧化物等高介電常數(shù)材料；硅、無(wú)定形硅、5丨(:、5丨66、66、6&隊(duì)6&?、6&48、有機(jī)半導(dǎo)體等半導(dǎo)體材料；GeSbTe等相變材料；ΙΤ0等無(wú)機(jī)導(dǎo)電材料；聚酰亞胺系、聚苯并惡唑系、丙烯酸系、環(huán)氧系、酚系等聚合物樹(shù)脂材料等。
[0193]本實(shí)施方式涉及的研磨劑、研磨劑組和研磨方法不僅適用于膜狀的研磨對(duì)象，還適用于由玻璃、硅、SiC, SiGe, Ge、GaN, GaP, GaAs、藍(lán)寶石或塑料等構(gòu)成的各種基板。
[0194]本實(shí)施方式涉及的研磨劑、研磨劑組和研磨方法不僅可用于半導(dǎo)體元件的制造，還可用于TFT、有機(jī)EL等圖像顯示裝置；光掩模、透鏡、棱鏡、光纖、單晶閃爍體等光學(xué)部件；光開(kāi)關(guān)元件、光波導(dǎo)等光學(xué)元件；固態(tài)激光器、藍(lán)色激光LED等發(fā)光元件；磁盤(pán)、磁頭等的磁記錄裝置的制造。
[0195]實(shí)施例
[0196]以下，基于實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行具體說(shuō)明，但本發(fā)明并不局限于這些實(shí)施例。
[0197]<四價(jià)金屬元素的氫氧化物的合成>
[0198]將175g Ce (NH4) 2 (NO3) 6溶解于8000g純水中，得到溶液。接著，邊攪拌該溶液，邊以5mL/分鐘的混合速度滴下750g咪唑水溶液(10質(zhì)量％水溶液，1.47mol/L)，得到含有29g氫氧化鈰粒子的分散液(黃白色)。氫氧化鈰粒子的合成是在溫度25°C、攪拌速度AOOmirr1下進(jìn)行的。攪拌是使用葉輪部全長(zhǎng)5cm的3枚葉輪節(jié)距槳葉進(jìn)行。
[0199]對(duì)于得到的氫氧化鈰粒子的分散液，通過(guò)離心分離GOOOmirr1，5分鐘)進(jìn)行固液分離，取出固體成分含量約10%的沉淀物。在通過(guò)固液分離得到的沉淀物中，混入水，使氫氧化鈰含量變?yōu)?.0質(zhì)量％，使用超聲波洗滌機(jī)將粒子分散在水中，制備氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液。
[0200]<平均粒徑的測(cè)定>
[0201]使用貝克曼庫(kù)爾特公司制造、商品名:N5測(cè)定氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液中的氫氧化鈰粒子的平均粒徑，結(jié)果為25nm。測(cè)定方法如下所述。首先，在Icm見(jiàn)方的比色皿中放入約ImL的含有1.0質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子的測(cè)定樣品(水分散液)，并將該比色皿置于N5內(nèi)。將測(cè)定樣品的折射率調(diào)整為1.333，將測(cè)定樣品的粘度調(diào)整為0.887mPa.s，在25°C下進(jìn)行測(cè)定，讀取作為單峰平均大小(Unimodal Size Mean)表示的值。
[0202]<磨粒的結(jié)構(gòu)分析>
[0203]取適量的氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液，真空干燥，分離出磨粒后，用純水充分洗滌，得到樣品。對(duì)于得到的樣品，以FT-1R ATR法進(jìn)行測(cè)定時(shí)，觀測(cè)到基于氫氧根離子(OHO的峰和基于硝酸根離子(N03_)的峰。另外，對(duì)于同一樣品，進(jìn)行對(duì)于氮?dú)獾腦PS(N-XPS)測(cè)定時(shí)，未觀測(cè)到基于NH4+的峰，而觀測(cè)到基于硝酸根離子的峰。根據(jù)這些結(jié)果，確認(rèn)了在氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液中所含的磨粒至少含有一部分具有鍵合于鈰元素的硝酸根離子的粒子。另夕卜，由至少含有一部分具有鍵合于鈰元素的硝酸根離子的粒子，確認(rèn)了磨粒含有氫氧化鈰。
[0204]<吸光度和透光率的測(cè)定>
[0205]取適量的氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液，用水稀釋?zhuān)鼓チ：孔優(yōu)?.0065質(zhì)量％(65ppm)，得到測(cè)定樣品(水分散液)。在Icm見(jiàn)方的單元中放入約4mL該測(cè)定樣品，并將該單元置于株式會(huì)社日立制作所制造的分光光度計(jì)(裝置名:U3310)內(nèi)。在波長(zhǎng)200?600nm的范圍進(jìn)行吸光度測(cè)定，并對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度和對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的光的吸光度進(jìn)行測(cè)定。對(duì)波長(zhǎng)290nm的光的吸光度為1.192，對(duì)波長(zhǎng)450?600nm的光的吸光度小于0.010。
[0206]在Icm見(jiàn)方的單元中放入約4mL的氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液(粒子的含量:1.0質(zhì)量％)，并將該單元置于株式會(huì)社日立制作所制造的分光光度計(jì)(裝置名:U3310)內(nèi)。在波長(zhǎng)200?600nm的范圍進(jìn)行吸光度測(cè)定，并對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度和對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率進(jìn)行測(cè)定。對(duì)波長(zhǎng)400nm的光的吸光度為2.25，對(duì)波長(zhǎng)500nm的光的透光率為92% /cm。
[0207]〈CMP研磨劑的制備>
[0208][實(shí)施例1]
[0209]通過(guò)將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g、水840g以及含有作為陽(yáng)離子性聚合物的0.1質(zhì)量％聚烯丙基胺(二卜一一^ r ^力 >株式會(huì)社制造的PAA-01，重均分子量1600)的水溶液1g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.001質(zhì)量％的聚烯丙基胺的pH 6.2的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚乙二醇[獅王株式會(huì)社制造的PEG#600，重均分子量:600]5質(zhì)量％、咪唑0.08質(zhì)量％、醋酸0.05質(zhì)量％和水94.87質(zhì)量％。
[0210][實(shí)施例2]
[0211]除了聚烯丙基胺的混合量以外，其它與實(shí)施例1 一樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.0015質(zhì)量％的聚烯丙基胺的pH6.3的CMP研磨劑。
[0212][實(shí)施例3]
[0213]除了聚烯丙基胺的混合量以外，其它與實(shí)施例1 一樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.002質(zhì)量％的聚烯丙基胺的pH6.4的CMP研磨劑。
[0214][實(shí)施例4]
[0215]通過(guò)將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g、水820g、含有作為陽(yáng)離子性聚合物的0.1質(zhì)量％的二烯丙基二甲基氯化銨?丙烯酰胺共聚物[二 〃卜一一 J r^力 > 株式會(huì)社制造的PAS-J-81，重均分子量:200000]的水溶液30g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.003質(zhì)量％的二烯丙基二甲基氯化銨?丙烯酰胺共聚物的PH6.0的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚乙二醇[獅王株式會(huì)社制造的PEG#4000，重均分子量:4000] 5質(zhì)量％、咪唑0.08質(zhì)量％、醋酸0.05質(zhì)量％和水94.87質(zhì)量％。
[0216][實(shí)施例5]
[0217]除了陽(yáng)離子性聚合物的種類(lèi)和混合量、咪唑的混合量以外，其它與實(shí)施例1 一樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.003質(zhì)量％的二烯丙基二甲基氯化銨?丙烯酰胺共聚物[二卜一一力 > 株式會(huì)社制造的PAS-J-81，重均分子量:200000]的ρΗ5.0的CMP研磨劑。
[0218][實(shí)施例6]
[0219]除了陽(yáng)離子性聚合物的種類(lèi)和混合量以外，其它與實(shí)施例1 一樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.003質(zhì)量％的二烯丙基二甲基氯化銨?丙烯酰胺共聚物[二卜一# 一^ r ^力 >株式會(huì)社制造的PAS-J-81，重均分子量:200000]的 pH5.8 的 CMP 研磨劑。
[0220][實(shí)施例7]
[0221]除了陽(yáng)離子性聚合物的種類(lèi)和混合量、咪唑的混合量以外，其它與實(shí)施例1 一樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.003質(zhì)量％的二烯丙基二甲基氯化銨?丙烯酰胺共聚物[二卜一一力 > 株式會(huì)社制造的PAS-J-81，重均分子量:200000]的pH6.7的CMP研磨劑。
[0222][實(shí)施例8]
[0223]除了陽(yáng)離子性聚合物的種類(lèi)以外，其它與實(shí)施例6 —樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇、0.003質(zhì)量％的聚乙烯亞胺[株式會(huì)社日本觸媒制造的工^ ^ P-1000，重均分子量:70000]的pH6.4的CMP研磨劑。
[0224][實(shí)施例9]
[0225]通過(guò)將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g、水820g、含有作為陽(yáng)離子性聚合物的0.1質(zhì)量％的二烯丙基二甲基氯化銨?丙烯酰胺共聚物[二 〃卜一一 J r^力 > 株式會(huì)社制造的PAS-J-81，重均分子量:200000]的水溶液30g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚丙二醇、0.003質(zhì)量％的二烯丙基二甲基氯化銨?丙烯酰胺共聚物的PH6.0的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚丙二醇[和光純藥工業(yè)株式會(huì)社制造的聚丙二醇二醇型400，重均分子量:400] 5質(zhì)量％、咪唑0.08質(zhì)量％、醋酸0.05質(zhì)量％和水94.87質(zhì)量％。
[0226][比較例I]
[0227]將氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g、水940g和I質(zhì)量％的咪唑水溶液1g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子的pH5.9的CMP研磨劑。
[0228][比較例2]
[0229]將氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g、水927g、I質(zhì)量％的咪唑水溶液8g、I質(zhì)量％醋酸水溶液5g和0.1質(zhì)量％的聚烯丙基胺[二 〃卜一一 ^ r ^力 >株式會(huì)社制造的PAA-Ol，重均分子量1600]水溶液1g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.001質(zhì)量％的聚烯丙基胺的PH6.0的CMP研磨劑。
[0230][比較例3]
[0231]將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g和水850g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙二醇的pH6.2的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚乙二醇[獅王株式會(huì)社制造的PEG#600，重均分子量:600]5質(zhì)量％、咪唑0.08質(zhì)量％、醋酸0.05質(zhì)量％和水94.87質(zhì)量％。
[0232][比較例4]
[0233]將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g和水850g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙烯醇的pH5.8的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚乙烯醇[株式會(huì)社” V制造的PVA-403，平均聚合度300，皂化度80摩爾％，重均分子量:14000]5質(zhì)量％、咪唑0.08質(zhì)量％、醋酸0.05質(zhì)量％和水94.87質(zhì)量％。
[0234][比較例5]
[0235]除了加入聚烯丙基胺(二 〃卜一一 J r ^力 >株式會(huì)社制造的PAA-01，重均分子量:1600)作為陽(yáng)離子性聚合物以外，其它與比較例4 一樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙烯醇和0.0001質(zhì)量％的聚烯丙基胺的pH5.9的CMP研磨劑。
[0236][比較例6]
[0237]除了聚烯丙基胺的混合量以外，其它與比較例5 —樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙烯醇和0.001質(zhì)量％的聚烯丙基胺的pH6.0的CMP研磨劑。
[0238][比較例7]
[0239]除了加入聚烯丙基胺[二 〃卜一 *'一 J 力 >株式會(huì)社制造的PAA-08，重均分子量:8000]作為陽(yáng)離子性聚合物以外，其它與比較例4 一樣地進(jìn)行，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰顆粒、0.5質(zhì)量％的聚乙烯醇和0.0008質(zhì)量％的聚烯丙基胺的pH5.9的CMP研磨劑。
[0240][比較例8]
[0241]將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g和水850g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、I質(zhì)量％的聚乙烯醇和0.0008質(zhì)量％的聚烯丙基胺的pH6.0的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚乙烯醇[株式會(huì)社々7 >制造的PVA-403,平均聚合度300，皂化度80摩爾％，重均分子量:14000] 10質(zhì)量％、聚烯丙基胺[二卜一術(shù)一 j于''〗力 > 株式會(huì)社制造的PAA-08，重均分子量:8000] 0.008質(zhì)量％、咪唑0.08質(zhì)量％、醋酸0.05質(zhì)量％和水89.862質(zhì)量％。
[0242][比較例9]
[0243]將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g和水850g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰顆粒、0.007質(zhì)量％的聚乙二醇、0.015質(zhì)量％的殼聚糖的pH6.4的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚乙二醇[獅王株式會(huì)社制造的PEG#600，重均分子量:600]0.07質(zhì)量％、殼聚糖(大日精化工業(yè)株式會(huì)社制造的夕' 4々卜寸> 100D，脫乙?；?98%以上]0.15質(zhì)量％、咪唑0.2質(zhì)量％、醋酸0.15質(zhì)量％和水99.43質(zhì)量％。
[0244][比較例10]
[0245]將添加液用儲(chǔ)存液100g、氫氧化鈰漿液用儲(chǔ)存液50g和水850g進(jìn)行混合，制備含有0.05質(zhì)量％的氫氧化鈰粒子、0.5質(zhì)量％的聚乙烯醇、0.001質(zhì)量％的N，N- 二甲基氨基丙基丙烯酰胺的聚合物的PH6.1的CMP研磨劑，其中，添加液用儲(chǔ)存液含有聚乙烯醇[株式會(huì)社々7 >制造的PVA-403，平均聚合度300，皂化度80摩爾％，重均分子量:14000] 5質(zhì)量％、N，N- 二甲基氨基丙基丙烯酰胺的聚合物(重均分子量:23000)0.01質(zhì)量％、咪唑0.08質(zhì)量％、醋酸0.05質(zhì)量％和水94.86質(zhì)量％。
[0246]另外，N，N-二甲基氨基丙基丙烯酰胺的聚合物是按照以下程序制作的。首先，在圓底燒瓶中放入N，N- 二甲基氨基丙基丙烯酰胺(株式會(huì)社興人制造的DMAPAA) 15g、水281g，并導(dǎo)入氮?dú)?。加熱?0°C，邊攪拌，邊加入由2，2’-偶氮二(2-甲基丙脒)二鹽酸鹽696mg和水4g構(gòu)成的水溶液。在80°C下加熱攪拌2小時(shí)后，冷卻至室溫(25°C )，得到濃度5質(zhì)量％的N，N- 二甲基氨基丙基丙烯酰胺的聚合物。
[0247]<液狀特性評(píng)價(jià)>
[0248]以下述條件對(duì)CMP研磨劑的pH和CMP研磨劑中的氫氧化鈰粒子的平均粒徑進(jìn)行評(píng)價(jià)。
[0249](pH)
[0250]測(cè)定溫度:25±5 °C
[0251]測(cè)定裝置:電氣化學(xué)計(jì)器株式會(huì)社制造，型號(hào)PHL-40
[0252]測(cè)定方法:使用標(biāo)準(zhǔn)緩沖液(鄰苯二甲酸鹽？!1緩沖液，？!1:4.01(25°0);中性磷酸鹽PH緩沖液，pH6.86 (250C))進(jìn)行兩點(diǎn)校正后，將電極放入CMP研磨劑中，通過(guò)上述測(cè)定裝置，測(cè)定經(jīng)兩分鐘以上穩(wěn)定后的pH。
[0253](氫氧化鈰粒子的平均粒徑)
[0254]使用貝克曼庫(kù)爾特公司制造的商品名:N5測(cè)定CMP研磨劑中的氫氧化鈰粒子的平均粒徑。測(cè)定方法如下所述。首先,在Icm見(jiàn)方的比色皿中放入約ImL的CMP研磨劑，并將該比色皿置于N5內(nèi)。將測(cè)定樣品的折射率調(diào)整為1.333，將測(cè)定樣品的粘度調(diào)整為0.887mPa.s,在25°C下進(jìn)行測(cè)定,讀取作為單峰平均大小(Unimodal Size Mean)表示的值。
[0255]〈CMP 評(píng)價(jià) >
[0256]使用CMP研磨劑，在下述研磨條件下對(duì)被研磨基板進(jìn)行研磨。然而，對(duì)于比較例I和2,不進(jìn)行圖案晶圓的研磨。
[0257](CMP研磨條件)
[0258].研磨裝置:Ref lex1n (APPLIED MATERIALS 公司制造)
[0259].CMP研磨劑流量:200mL/分鐘
[0260].被研磨基板:
[0261](無(wú)圖案的晶圓)
[0262]作為未形成有圖案的空白晶圓(blanket wafer),使用通過(guò)等離子體CVD法在娃基板上形成厚Iym的氧化娃I吳的基板和通過(guò)CVD法在娃基板上形成厚0.2 μ m的多晶娃月旲的基板。
[0263](圖案晶圓)
[0264]作為形成有模擬圖案的圖案晶圓，使用SEMATECH公司制造的764晶圓(商品名，直徑:300mm)。該圖案晶圓是通過(guò)在硅基板上層積作為停止層膜的多晶硅膜后，在曝光工序中形成溝槽，以填充多晶硅膜和溝槽的方式，在硅基板和多晶硅膜上層積作為絕緣膜的氧化娃膜(S12膜)而得到的晶圓。氧化娃膜是通過(guò)HDP(高密度等離子體,Density PlasmaHigh)法而成膜的。
[0265].研磨墊:帶有獨(dú)立氣泡的發(fā)泡聚氨酯樹(shù)脂(口一 A.T > K * ^ 9>株式會(huì)社，型號(hào)IC1010)，邵氏D硬度:60
[0266]?研磨壓力:16.5kPa (2.4psi)
[0267].基板和研磨平臺(tái)的相對(duì)速度:85m/分鐘
[0268]?研磨時(shí)間:空白晶圓進(jìn)行I分鐘研磨。對(duì)于圖案晶圓，研磨至露出作為停止層膜的多晶硅膜。另外，通過(guò)以與直到露出多晶硅膜所耗費(fèi)的研磨時(shí)間相同的時(shí)間進(jìn)一步削去，進(jìn)行凹陷的形成程度的確認(rèn)。
[0269].洗滌:CMP處理后，通過(guò)超聲波水進(jìn)行洗滌后，以旋轉(zhuǎn)干燥器進(jìn)行干燥。
[0270]作為圖案晶圓，使用線(凸部)和空間(槽)寬度為1000 μ m間距、200 μ m間距、ΙΟΟμπι間距并且具有凸部圖案密度為50%的部分的晶圓。線和空間是模擬的圖案，是作為凸部的被多晶硅膜掩模的活性(Active)部和作為凹部的形成有槽的溝槽(Trench)部交替排列的圖案。例如，“線和空間為10ym間距”意味著線部和空間部的寬度的總計(jì)為100 μ m。另外，例如，“線和空間為10ym間距，凸部圖案密度為50%”意味著以凸部寬度50 μ m和凹部寬度50 μ m交替排列的圖案。
[0271]在圖案晶圓中，氧化硅膜的厚度，在硅基板和多晶硅膜中的任一個(gè)上都為600nm。具體來(lái)說(shuō)，如圖3所示，硅基板I上的多晶硅膜2的厚度為150nm，氧化硅膜3的凸部的厚度為600nm，氧化硅膜3的凹部的厚度為600nm，氧化硅膜3的凹部深度為500nm(溝槽深度350nm+多晶娃膜厚度150nm)。
[0272]對(duì)圖案晶圓的研磨評(píng)價(jià)時(shí)，使用以下的晶圓:使用具有自停性(模擬圖案的殘留高低平面差變小時(shí)，研磨速度下降)的公知CMP研磨劑對(duì)上述晶圓進(jìn)行研磨，殘留高低平面差變?yōu)?0nm以下的狀態(tài)。具體來(lái)說(shuō)，采用以下的晶圓:使用以2:1.2:6.8的比率混合日立化成株式會(huì)社制造的HS-8005-D4、日立化成株式會(huì)社制造的HS-7303GP和水的研磨劑，直到將100ym間距50%密度圖案中的凸部的氧化硅膜厚度研磨至130nm。
[0273]〈研磨品評(píng)價(jià)〉
[0274][空白晶圓研磨速度]
[0275]根據(jù)以下公式，求出在上述條件下進(jìn)行研磨和洗滌的被研磨膜(氧化硅膜、多晶硅膜)的研磨速度(氧化硅的研磨速度=S12RR ;多晶硅的研磨速度:p-SiRR)。另外，研磨前后的被研磨膜的膜厚度差是通過(guò)使用光干涉式膜厚裝置(7 O>卜彡々7公司制造，商品名:F80)而求出的。
[0276](研磨速度:RR)=(研磨前后的被研磨膜的膜厚度差(nm))/(研磨時(shí)間(分鐘))
[0277][圖案晶圓的評(píng)價(jià)]
[0278]測(cè)定在上述條件下進(jìn)行研磨和洗滌的圖案晶圓的凸部的多晶硅膜或氧化硅膜的殘留膜厚度以及凹部的氧化硅膜的殘留膜厚度，并根據(jù)以下公式求出殘留高低平面差量(凹陷)。另外，研磨前后的被研磨膜的膜厚度是通過(guò)使用光干涉式膜厚裝置(少V ^卜U夕7公司制造，商品名=Nanospec AFT-5100)而求出的。
[0279]殘留高低平面差(凹陷)=(350+多晶硅膜厚度(nm))_(凹部的氧化硅膜的殘留厚度(nm))
[0280][研磨損傷評(píng)價(jià)]
[0281]將在上述條件下進(jìn)行研磨和洗滌的被研磨基板(具有氧化硅膜的空白晶圓基板)浸潰于0.5質(zhì)量％的氟化氫水溶液中15秒后，水洗60秒。接著，使用聚乙烯醇刷，邊供應(yīng)水，邊洗滌被研磨膜表面I分鐘后，干燥。使用APPLIED MATERIALS公司制造的Complus，檢測(cè)被研磨膜表面的0.2μπι以上的缺陷。進(jìn)一步，使用Complus中得到的缺陷檢測(cè)坐標(biāo)與APPLIED MATERIALS公司制造的SEM Vis1n，觀測(cè)被研磨膜表面時(shí)，被研磨膜表面中的
0.2 μ m以上的研磨損傷的個(gè)數(shù)在實(shí)施例和比較例中都是O?3 (個(gè)/晶圓)左右，研磨損傷的發(fā)生被充分抑制。
[0282]實(shí)施例1?9和比較例I?10中得到的各測(cè)定結(jié)果如表I和表2所示。另外，表中，化合物A?E表示下述化合物。
[0283]化合物A:聚烯丙基胺
[0284]化合物B:二烯丙基二甲基氯化銨.丙烯酰胺共聚物
[0285]化合物C:聚乙烯亞胺
[0286]化合物D:殼聚糖
[0287]化合物E:N, N- 二甲基氨基丙基丙烯酰胺的聚合物
[0288]

【權(quán)利要求】
1.一種研磨劑，其含有:水、包含四價(jià)金屬元素的氫氧化物的磨粒、聚亞烷基二醇和陽(yáng)離子性聚合物，其中，陽(yáng)離子性聚合物選自由烯丙基胺聚合物、二烯丙基胺聚合物、乙烯基胺聚合物和乙烯亞胺聚合物構(gòu)成的組群中的至少一種。
2.如權(quán)利要求1記載的研磨劑，其中，以質(zhì)量比計(jì)，所述陽(yáng)離子性聚合物含量相對(duì)于所述聚亞烷基二醇含量的比率為0.0005以上、0.03以下。
3.如權(quán)利要求1或2記載的研磨劑，其中，所述研磨劑不含有聚乙烯醇。
4.如權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)記載的研磨劑，其中，所述聚亞烷基二醇是選自由聚乙二醇和聚丙二醇構(gòu)成的組群中的至少一種。
5.如權(quán)利要求1?4中的任一項(xiàng)記載的研磨劑，其中，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述聚亞烷基二醇的含量為0.01質(zhì)量％以上。
6.如權(quán)利要求1?5中的任一項(xiàng)記載的研磨劑，其中，所述四價(jià)金屬元素的氫氧化物是選自由稀土金屬元素的氫氧化物和鋯的氫氧化物構(gòu)成的組群中的至少一種。
7.如權(quán)利要求1?6中的任一項(xiàng)記載的研磨劑，其中，所述磨粒的平均粒徑為Inm以上、300nm以下。
8.如權(quán)利要求1?7中的任一項(xiàng)記載的研磨劑，其中，以研磨劑的總質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述磨粒的含量為0.005質(zhì)量％以上、20質(zhì)量％以下。
9.如權(quán)利要求1?8中的任一項(xiàng)記載的研磨劑，其中，pH為3.0以上、12.0以下。
10.如權(quán)利要求1?9中的任一項(xiàng)記載的研磨劑,其中,所述研磨劑用于研磨含有氧化硅的被研磨面。
11.一種研磨劑組，其是將權(quán)利要求1?10中的任一項(xiàng)記載的研磨劑的構(gòu)成成分分為多個(gè)液體而保存的；其中，第一液體含有所述磨粒，第二液體含有選自由所述聚亞烷基二醇和所述陽(yáng)離子性聚合物構(gòu)成的群中的至少一種。
12.—種基體的研磨方法，具有使用權(quán)利要求1?10中的任一項(xiàng)記載的研磨劑對(duì)基體的被研磨面進(jìn)行研磨的工序。
13.—種基體的研磨方法，具有使用研磨劑對(duì)基體的被研磨面進(jìn)行研磨的工序，其中，該研磨劑是將權(quán)利要求11記載的研磨劑組中的所述第一液體和所述第二液體混合而得到的。
14.一種基體的研磨方法，其是具有絕緣材料和多晶硅的基體的研磨方法，且所述研磨方法具有使用權(quán)利要求1?10中的任一項(xiàng)記載的研磨劑，相對(duì)于所述多晶硅對(duì)所述絕緣材料進(jìn)行選擇性研磨的工序。
15.一種基體的研磨方法，其是具有絕緣材料和多晶硅的基體的研磨方法，且所述研磨方法具有使用研磨劑，相對(duì)于所述多晶硅對(duì)所述絕緣材料進(jìn)行選擇性研磨的工序，其中，該研磨劑是將權(quán)利要求11記載的研磨劑組中的所述第一液體和所述第二液體混合而得到的。
【文檔編號(hào)】B24B37/00GK104137232SQ201380010364
【公開(kāi)日】2014年11月5日 申請(qǐng)日期:2013年2月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月21日
【發(fā)明者】阿久津利明, 南久貴, 巖野友洋, 藤崎耕司 申請(qǐng)人:日立化成株式會(huì)社