一種制備金屬半固態(tài)漿料的裝置及應用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開一種制備金屬半固態(tài)漿料的裝置及應用，屬于材料科學【技術領域】；該裝置由熔爐、轉棒誘導形核系統(tǒng)、旋轉磁場發(fā)生器和結晶器三部分組成，過熱金屬熔體加熱到預定溫度后經(jīng)過澆道正對轉棒澆注，在轉棒的切向力作用下，金屬液繞轉棒鋪展形成熔體薄膜，促使熔體整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場的存在促使液膜在轉棒周圍均勻鋪展，產(chǎn)生均勻過冷，熔體薄膜短暫地鋪展后飛離轉棒，防止初生相的進一步長大，最終獲得得細小球狀或近球狀的顯微組織，在該裝置中通過控制金屬熔體的溫度、流速、轉棒的轉速、磁場發(fā)生器的電流大小來得到組織均勻、圓整的半固態(tài)合金漿料。
【專利說明】一種制備金屬半固態(tài)漿料的裝置及應用
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種制備金屬半固態(tài)漿料的裝置及應用，屬于材料科學【技術領域】。
【背景技術】
[0002]金屬半固態(tài)成形(Sem1-Solid Forming of Metals)就是在具有一定固液區(qū)間的金屬凝固過程中，通過對其進行強烈攪拌、加入晶粒細化劑等方法來改變初生固相的形核和長大過程，得到一種晶粒細小、圓整、均勻分布的固液混合漿料。
[0003]金屬半固態(tài)成形技術自從上世紀70年代被美國麻省理工學院Flemings的研究團隊發(fā)現(xiàn)并提出以來，國內外學者提出了很多制備半固態(tài)漿料的方法，其中電磁攪拌技術在其中占據(jù)了主導地位，電磁攪拌不同于機械攪拌，不會在攪拌的過程中污染合金漿料，還可以防止在攪拌過程中氣體的卷入，電磁攪拌參數(shù)容易控制，便于控制半固態(tài)漿料的生產(chǎn)。
[0004]電磁攪拌法之所以能夠作為半固態(tài)漿料的主流制備方法就是利用了電磁力產(chǎn)生的金屬液的強迫流動來影響和控制凝固過程，即利用通過磁場與金屬液的相對運動，在金屬液中產(chǎn)生感生電動勢、電流及磁場，與外加磁場的交互作用使金屬液承受洛倫茲力而產(chǎn)生強迫流動，它是屬于外場作用下枝晶破碎球化技術。
[0005]傳統(tǒng)的電磁攪拌技術就是在凝固過程中，對以枝晶方式生長的合金初生相實施劇烈攪拌，使枝晶發(fā)生斷裂，進入熔體內部，實現(xiàn)晶粒的倍增，攪拌的強大越大，晶粒倍增現(xiàn)象越明顯，晶粒越細，但是這種傳統(tǒng)的電磁攪拌技術制漿方法能量消耗大、制備時間長且當攪拌強度超過某一特定值時，由于晶粒間的相互碰撞，晶粒細化的作用反而變差。
[0006]為了解決上述問題，本發(fā)明提供了一種交變磁場耦合作用下轉棒誘導形核制備金屬半固態(tài)漿料的方法及其裝置，該方法在制漿過程中，金屬液膜在轉棒上均勻鋪展，均勻過冷，在轉的誘導作用下迅速形核，金屬液膜在與轉棒短暫接觸后迅速飛離，防止了晶粒的進一步長大，獲得均勻、細小的等軸晶粒，而且可以與具體的成型系統(tǒng)直接結合起來，具有操作簡單、能量消耗低、制備時間短的優(yōu)點。

【發(fā)明內容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種制備金屬半固態(tài)漿料裝置，實現(xiàn)金屬熔體的均勻過冷，能夠更好的促進初生相的形核且使游離晶核在熔體中均勻分布，最終獲得組織均勻的半固態(tài)漿料，提高制備半固態(tài)漿料的質量，減少制備時間。
[0008]該制備金屬半固態(tài)漿料的裝置包括支撐架1、磁場發(fā)生器3、調速電機5、速度控制器6、傳動皮帶7、轉棒10、石墨塞桿11、熱電偶12、熔爐13、澆道15、電流控制器16、結晶器17,磁場發(fā)生器3、調速電機5、熔爐13固定于支撐架I上，轉棒10固定于支撐架I上且位于磁場發(fā)生器3的內腔里，調速電機5與轉棒10通過傳動皮帶7相連，在熔爐13上設有石墨塞桿11、熱電偶12、澆道15，澆道15與熔爐13連通，澆道15的入口設于石墨塞桿11的下端，澆道15的出口正對轉棒10，在磁場發(fā)生器3的下部設有結晶器17，調速電機5與速度控制器6連接，電流控制器16和磁場發(fā)生器3相連。[0009]本發(fā)明所述轉棒10和旋轉磁場發(fā)生器3內筒為中空，轉棒10上設有轉棒冷卻水入口 8、轉棒冷卻水出口 9,旋轉磁場發(fā)生器3上設有磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口 2、磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口 4，可通入循環(huán)冷卻水。
[0010]本發(fā)明的另一目的是將制備金屬半固態(tài)漿料的裝置用于制備金屬半固態(tài)漿料，其特征在于:轉棒的轉速為10(T3000r/min，電流的大小為5?50A，在整個誘導形核過程中通入保護氣體，減少氧化和氣體卷入，提高半固態(tài)漿料的質量。
[0011]本發(fā)明所述裝置的轉棒可通過調速電機帶動并在磁場發(fā)生器產(chǎn)生的磁場中旋轉，過熱金屬熔體加熱到預定溫度后經(jīng)過澆道正對轉棒澆注，在轉棒的切向力作用下，金屬液繞轉棒鋪展形成熔體薄膜，轉棒激冷作用促使熔體薄膜整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場發(fā)生器產(chǎn)生的磁場促使液膜在轉棒周圍均勻鋪展，獲得厚度均勻的液膜，熔體薄膜短暫地鋪展后，在轉棒的離心力作用下飛離轉棒，防止進一步過冷和初生相的進一步長大，同時在交變磁場在熔體內部產(chǎn)生的感應磁場，使得熔體內部得到充分攪拌，提高溶質和溫度分布的均勻性，降低晶粒選擇性生長的程度，達到晶粒細化、球化的效果。
[0012]本發(fā)明所述裝置中澆注速度，轉棒和磁場發(fā)生器的參數(shù)容易控制，操作簡單，可連續(xù)澆注，在不改變壓鑄機、離心機等成型系統(tǒng)結構的前提下，本裝置可直接安裝在其進料口，實現(xiàn)短流程的半固態(tài)成形。
[0013]本發(fā)明所述裝置的使用過程:澆注開始前，通過速度控制器6和電流控制器16設定調速電機5的轉速和磁場發(fā)生器3的電流大小,過熱金屬熔體14在熔爐13中加熱到預定溫度后經(jīng)過澆道15正對轉棒10澆注，在轉棒10的切向力作用下，金屬液繞轉棒鋪展形成熔體薄膜，轉棒10激冷作用促使熔體薄膜整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場發(fā)生器3產(chǎn)生的磁場促使液膜在轉棒10周圍均勻鋪展，獲得厚度均勻的液膜，熔體薄膜短暫地鋪展后，在轉棒10的離心力作用下飛離轉棒10，防止進一步過冷和初生相的進一步長大，在結晶器17中獲得具有細小球狀或近球狀的顯微組織的半固態(tài)漿料，在該裝置中通過控制金屬熔體的溫度、流速、轉棒的轉速、磁場發(fā)生器的電流大小來得到組織均勻、圓整的半固態(tài)合金漿料。
[0014]本發(fā)明的有益效果:
(1)本發(fā)明的裝置及方法可以獲取組織均勻、圓整的半固態(tài)合金漿料，通過本裝置及方法制備的半固態(tài)合金漿料，其顯微組織得到明顯細化，形態(tài)更加圓整，初生相分布更均勻；
(2)本發(fā)明的裝置及方法可以獲取無污染的半固態(tài)合金漿料，在漿料的制備過程中不需添加任何變質劑且可以對其氣氛保護，不會將其它成分帶入合金中而影響實驗結果；
(3)由于轉棒轉速和磁場強度可以調節(jié)，轉棒和磁場發(fā)生器內筒的直徑大小可以改變，因此可以根據(jù)具體的實驗條件選擇適當?shù)墓に噮?shù)；
(4)裝置結構簡單、制漿流程短、可連續(xù)制漿、成本低、效率高，與此同時，能夠與其他成形設備結合，直接制備具有優(yōu)良性能的半固態(tài)器件，降低了半固態(tài)漿料儲存和輸送所需的成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]圖1是本發(fā)明的激冷棒與電磁攪拌復合制備半固態(tài)漿料裝置結構示意圖；
圖2是處理前的金相組織圖； 圖3是實施例1制備的半固態(tài)漿料金相組織圖；
圖4是實施例2制備的半固態(tài)漿料金相組織圖；
圖5是實施例3制備的半固態(tài)漿料金相組織圖；
圖中:1_支撐架，2-磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口，3-磁場發(fā)生器，4-磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口，5-調速電機，6-速度控制器，7-傳動皮帶，8-轉棒冷卻水入口，9-轉棒冷卻水出口，10-轉棒，11-石墨塞桿，12-熱電偶，13-熔爐，14-低過熱度熔體，15-澆道，16-電流控制器，17-結晶器。
【具體實施方式】
[0016]下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細說明，但本法的保護范圍并不限于所述內容。
[0017]實施例1
本實施例所述制備金屬半固態(tài)漿料裝置包括:支撐架1、磁場發(fā)生器3、調速電機5、速度控制器6、傳動皮帶7、轉棒10、石墨塞桿11、熱電偶12、熔爐13、澆道15、電流控制器16、結晶器17,磁場發(fā)生器3、調速電機5、熔爐13固定于支撐架I上,轉棒10固定于支撐架I上且位于磁場發(fā)生器3的內腔里，調速電機5與轉棒10通過傳動皮帶7相連，在熔爐13上設有石墨塞桿11、熱電偶12、澆道15，澆道15與熔爐13連通，澆道15的入口設于石墨塞桿11的下端，澆道15的出口正對轉棒10，在磁場發(fā)生器3的下部設有結晶器17，調速電機5與速度控制器6連接，電流控制器16和磁場發(fā)生器3相連，如圖1所示。
[0018]本發(fā)明所述轉棒10和旋轉磁場發(fā)生器3內筒為中空，轉棒10上設有轉棒冷卻水入口 8、轉棒冷卻水出口 9,旋轉磁場發(fā)生器3上設有磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口 2、磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口 4，可通入循環(huán)冷卻水。
[0019]本發(fā)明所述轉棒的直徑大小為100mm,磁場發(fā)生器內筒直徑大小為300mm,轉棒與磁場發(fā)生器內筒之間的距離為90mm。
[0020]將本實施例所述裝置用于制備Al_25%Si合金的半固態(tài)漿料包括如下步驟:
Cl)將采用中頻爐熔煉制備的Al-25%Si合金(液相溫度線778°C，固相線溫度577°C)低過熱度熔體14轉入熔爐13中790°C保溫2h，確保低過熱度熔體14混合均勻；
(2)設定好工藝參數(shù):轉棒10的轉速500r/min和磁場發(fā)生器3的電流強度25A,拔開石墨塞桿11，使金屬熔體通過澆道15正對轉棒10進行澆注，轉棒10作用于合金熔體，由于轉棒10的剪切作用，金屬液繞轉棒10鋪展形成熔體薄膜，轉棒10激冷作用促使熔體薄膜整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場發(fā)生器3產(chǎn)生的磁場促使液膜在轉棒周圍均勻鋪展，獲得厚度均勻的液膜，熔體薄膜短暫的鋪展后，在轉棒的離心作用下飛離轉棒，防止進一步過冷和初生相的進一步長大。
[0021]本實施例制備得到的Al_25%Si合金的半固態(tài)漿料，金相組織圖如圖3所示，處理前的半固態(tài)漿料金相組織如圖2所示，相比可以看出Al-25%Si合金的半固態(tài)漿料組織細小、均勻。
[0022]實施例2
本實施例所述制備金屬半固態(tài)漿料裝置包括:支撐架1、磁場發(fā)生器3、調速電機5、速度控制器6、傳動皮帶7、轉棒10、石墨塞桿11、熱電偶12、熔爐13、澆道15、電流控制器16、結晶器17,磁場發(fā)生器3、調速電機5、熔爐13固定于支撐架I上,轉棒10固定于支撐架I上且位于磁場發(fā)生器3的內腔里，調速電機5與轉棒10通過傳動皮帶7相連，在熔爐13上設有石墨塞桿11、熱電偶12、澆道15，澆道15與熔爐13連通，澆道15的入口設于石墨塞桿11的下端，澆道15的出口正對轉棒10，在磁場發(fā)生器3的下部設有結晶器17，調速電機5與速度控制器6連接，電流控制器16和磁場發(fā)生器3相連。
[0023]本發(fā)明所述轉棒10和旋轉磁場發(fā)生器3內筒為中空，轉棒10上設有轉棒冷卻水入口 8、轉棒冷卻水出口 9,旋轉磁場發(fā)生器3上設有磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口 2、磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口 4，可通入循環(huán)冷卻水。
[0024]本發(fā)明所述轉棒的直徑大小為200mm,磁場發(fā)生器內筒直徑大小為500mm,轉棒與磁場發(fā)生器內筒之間的距離為150mm。
[0025]將本實施例所述裝置用于制備Al_25%Si合金的半固態(tài)漿料包括如下步驟:
Cl)將采用中頻爐熔煉制備的Al-25%Si合金(液相溫度線778°C，固相線溫度577°C)低過熱度熔體14轉入熔爐13中790°C保溫2h，確保低過熱度熔體低過熱度熔體14混合均勻；
(2)設定好工藝參數(shù):轉棒10的轉速400r/min和磁場發(fā)生器3的電流強度20A,拔開石墨塞桿11，使金屬熔體通過澆道15正對轉棒10進行澆注，轉棒10作用于合金熔體，由于轉棒10的剪切作用，金屬液繞轉棒10鋪展形成熔體薄膜，轉棒10激冷作用促使熔體薄膜整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場發(fā)生器3產(chǎn)生的磁場促使液膜在轉棒周圍均勻鋪展，獲得厚度均勻的液膜，熔體薄膜短暫的鋪展后，在轉棒的離心作用下飛離轉棒，防止進一步過冷和初生相的進一步長大。
[0026]本實施例制備得到的Al_25%Si合金的半固態(tài)漿料，金相組織圖如圖4所示，由圖可以看出Al-25%Si合金的半固態(tài)漿料組織細小、均勻。
[0027]實施例3
本實施例所述制備金屬半固態(tài)漿料裝置包括:支撐架1、磁場發(fā)生器3、調速電機5、速度控制器6、傳動皮帶7、轉棒10、石墨塞桿11、熱電偶12、熔爐13、澆道15、電流控制器16、結晶器17,磁場發(fā)生器3、調速電機5、熔爐13固定于支撐架I上,轉棒10固定于支撐架I上且位于磁場發(fā)生器3的內腔里，調速電機5與轉棒10通過傳動皮帶7相連，在熔爐13上設有石墨塞桿11、熱電偶12、澆道15，澆道15與熔爐13連通，澆道15的入口設于石墨塞桿11的下端，澆道15的出口正對轉棒10，在磁場發(fā)生器3的下部設有結晶器17，調速電機5與速度控制器6連接，電流控制器16和磁場發(fā)生器3相連。
[0028]本發(fā)明所述轉棒10和旋轉磁場發(fā)生器3內筒為中空，轉棒10上設有轉棒冷卻水入口 8、轉棒冷卻水出口 9,旋轉磁場發(fā)生器3上設有磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口 2、磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口 4，可通入循環(huán)冷卻水。
[0029]本發(fā)明所述轉棒的直徑大小為30mm,磁場發(fā)生器內筒直徑大小為IOOmm,轉棒與磁場發(fā)生器內筒之間的距離為35mm。
[0030]將本實施例所述裝置用于制備Al_25%Si合金的半固態(tài)漿料包括如下步驟:
Cl)將采用中頻爐熔煉制備的Al-25%Si合金(液相溫度線778°C，固相線溫度577°C)低過熱度熔體14轉入熔爐13中790°C保溫2h，確保低過熱度熔體14混合均勻；
(2)設定好工藝參數(shù):轉棒10的轉速100r/min和磁場發(fā)生器3的電流強度25A,拔開石墨塞桿11，使金屬熔體通過澆道15正對轉棒10進行澆注，轉棒10作用于合金熔體，由于轉棒10的剪切作用，金屬液繞轉棒10鋪展形成熔體薄膜，轉棒10激冷作用促使熔體薄膜整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場發(fā)生器3產(chǎn)生的磁場促使液膜在轉棒周圍均勻鋪展，獲得厚度均勻的液膜，熔體薄膜短暫的鋪展后，在轉棒的離心作用下飛離轉棒，防止進一步過冷和初生相的進一步長大。
[0031]本實施例制備得到的Al_25%Si合金的半固態(tài)漿料，金相組織圖如圖5所示，由圖可以看出Al-25%Si合金的半固態(tài)漿料組織細小、均勻。
[0032]實施例4
本實施例所述制備金屬半固態(tài)漿料裝置包括:支撐架1、磁場發(fā)生器3、調速電機5、速度控制器6、傳動皮帶7、轉棒10、石墨塞桿11、熱電偶12、熔爐13、澆道15、電流控制器16、結晶器17,磁場發(fā)生器3、調速電機5、熔爐13固定于支撐架I上,轉棒10固定于支撐架I上且位于磁場發(fā)生器3的內腔里，調速電機5與轉棒10通過傳動皮帶7相連，在熔爐13上設有石墨塞桿11、熱電偶12、澆道15，澆道15與熔爐13連通，澆道15的入口設于石墨塞桿11的下端，澆道15的出口正對轉棒10，在磁場發(fā)生器3的下部設有結晶器17，調速電機5與速度控制器6連接，電流控制器16和磁場發(fā)生器3相連。
[0033]本發(fā)明所述轉棒10和旋轉磁場發(fā)生器3內筒為中空，轉棒10上設有轉棒冷卻水入口 8、轉棒冷卻水出口 9,旋轉磁場發(fā)生器3上設有磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口 2、磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口 4，可通入循環(huán)冷卻水。
[0034]本發(fā)明所述轉棒的直徑大小為80mm,磁場發(fā)生器內筒直徑大小為200mm,轉棒與磁場發(fā)生器內筒之間的距離為60mm。
[0035]將本實施例所述裝置用于制備過共晶高鉻鑄鐵合金(Cr: 19.4%, C:3.86%, S1:2.7%)的半固態(tài)漿料包括如下步驟:
(1)將采用中頻爐熔煉制備的過共晶高鉻鑄鐵合金(液相溫度線1337°C，固相線溫度1276°C)低過熱度熔體14轉入熔爐13中1400°C保溫2h，確保低過熱度熔體14混合均勻；
(2)設定好工藝參數(shù):轉棒10的轉速3000r/min和磁場發(fā)生器3的電流強度5A,拔開石墨塞桿11，使金屬熔體通過澆道15正對轉棒10進行澆注，轉棒10作用于合金熔體，由于轉棒10的剪切作用，金屬液繞轉棒10鋪展形成熔體薄膜，轉棒10激冷作用促使熔體薄膜整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場發(fā)生器3產(chǎn)生的磁場促使液膜在轉棒周圍均勻鋪展，獲得厚度均勻的液膜，熔體薄膜短暫的鋪展后，在轉棒的離心作用下飛離轉棒，防止進一步過冷和初生相的進一步長大。
[0036]實施例5
本實施例所述制備金屬半固態(tài)漿料裝置包括:支撐架1、磁場發(fā)生器3、調速電機5、速度控制器6、傳動皮帶7、轉棒10、石墨塞桿11、熱電偶12、熔爐13、澆道15、電流控制器16、結晶器17,磁場發(fā)生器3、調速電機5、熔爐13固定于支撐架I上,轉棒10固定于支撐架I上且位于磁場發(fā)生器3的內腔里，調速電機5與轉棒10通過傳動皮帶7相連，在熔爐13上設有石墨塞桿11、熱電偶12、澆道15，澆道15與熔爐13連通，澆道15的入口設于石墨塞桿11的下端，澆道15的出口正對轉棒10，在磁場發(fā)生器3的下部設有結晶器17，調速電機5與速度控制器6連接，電流控制器16和磁場發(fā)生器3相連。
[0037]本發(fā)明所述轉棒10和旋轉磁場發(fā)生器3內筒為中空，轉棒10上設有轉棒冷卻水入口 8、轉棒冷卻水出口 9,旋轉磁場發(fā)生器3上設有磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口 2、磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口 4，可通入循環(huán)冷卻水。
[0038]本發(fā)明所述轉棒的直徑大小為120mm,磁場發(fā)生器內筒直徑大小為400mm,轉棒與磁場發(fā)生器內筒之間的距離為130mm。
[0039]將本實施例所述裝置用于制備過共晶高鉻鑄鐵合金(Cr: 19.4%, C:3.86%, S1:2.7%)的半固態(tài)漿料包括如下步驟:
(1)將采用中頻爐熔煉制備的過共晶高鉻鑄鐵合金(液相溫度線1337°C，固相線溫度1276°C)低過熱度熔體14轉入熔爐13中1400°C保溫2h，確保低過熱度熔體14混合均勻；
(2)設定好工藝參數(shù):轉棒10的轉速2000r/min和磁場發(fā)生器3的電流強度50A，拔開石墨塞桿11，使金屬熔體通過澆道15正對轉棒10進行澆注，轉棒10作用于合金熔體，由于轉棒10的剪切作用，金屬液繞轉棒10鋪展形成熔體薄膜，轉棒10激冷作用促使熔體薄膜整體過冷，誘導熔體薄膜內部初生相大量形核，磁場發(fā)生器3產(chǎn)生的磁場促使液膜在轉棒周圍均勻鋪展，獲得厚度均勻的液膜，熔體薄膜短暫的鋪展后，在轉棒的離心作用下飛離轉棒，防止進一步過冷和初生相的進一步長大。
【權利要求】
1.一種制備金屬半固態(tài)漿料的裝置，其特征在于:該裝置包括支撐架(I)、磁場發(fā)生器(3)、調速電機(5)、速度控制器(6)、傳動皮帶(7)、轉棒(10)、石墨塞桿(11)、熱電偶(12)、熔爐(13)、澆道(15)、電流控制器(16)、結晶器(17)，磁場發(fā)生器(3)、調速電機(5)、熔爐(13)固定于支撐架(I)上，轉棒(10)固定于支撐架(I)上且位于磁場發(fā)生器(3)的內腔里，調速電機(5 )與轉棒(10 )通過傳動皮帶(7 )相連，在熔爐(13 )上設有石墨塞桿(11)、熱電偶(12)、澆道(15)，澆道(15)與熔爐(13)連通，澆道(15)的入口設于石墨塞桿(11)的下端，澆道(15)的出口正對轉棒(10)，澆道(15)的出口正對轉棒(10)，在磁場發(fā)生器(3)的下部設有結晶器(17)，調速電機(5)與速度控制器(6)連接，電流控制器(16)和磁場發(fā)生器(3)相連。
2.根據(jù)權利要求1所述的制備金屬半固態(tài)漿料的裝置，其特征在于:轉棒(10)和旋轉磁場發(fā)生器(3)內筒為中空，轉棒(10)上設有轉棒冷卻水入口(8)、轉棒冷卻水出口(9)，旋轉磁場發(fā)生器(3)上設有磁場發(fā)生器內筒冷卻水入口(2)、磁場發(fā)生器內筒冷卻水出口(4)，可通入循環(huán)冷卻水。
3.權利要求1所述的制備金屬半固態(tài)漿料的裝置在制備金屬半固態(tài)漿料中的應用，其特征在于:轉棒的轉速為10(T3000r/min，電流的大小為5?50A。
4.根據(jù)權利要求4所述的制備金屬半固態(tài)漿料的裝置在制備金屬半固態(tài)漿料中的應用，其特征在于:在整個誘導形核過程中通入保護氣體。
【文檔編號】B22D27/02GK103658608SQ201310668697
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月11日 優(yōu)先權日:2013年12月11日
【發(fā)明者】周榮鋒, 何志堅, 陳宗寶, 蔣業(yè)華, 周榮, 盧德宏 申請人:昆明理工大學