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研磨墊的制作方法

文檔序號:3287576閱讀:204來源:國知局
研磨墊的制作方法
【專利摘要】一種研磨墊,是至少具有研磨層和緩沖層的研磨墊,其特征在于,上述研磨層在研磨面具備槽,該槽具有側(cè)面和底面,上述側(cè)面的至少一方由第一側(cè)面和第二側(cè)面構(gòu)成,第一側(cè)面與上述研磨面連續(xù),且與上述研磨面所成的角度為α,第二側(cè)面與該第一側(cè)面連續(xù),且與平行于上述研磨面的面所成的角度為β,與上述研磨面所成的角度α大于90度,與平行于上述研磨面的面所成的角度β為85度以上,并且與平行于上述研磨面的面所成的角度β比與上述研磨面所成的角度α更小,從上述研磨面到上述第一側(cè)面與上述第二側(cè)面的曲折點(diǎn)為止的曲折點(diǎn)深度為0.4mm以上、3.0mm以下,上述緩沖層的應(yīng)變常數(shù)為7.3×10-6μm/Pa以上、4.4×10-4μm/Pa以下。
【專利說明】研磨墊【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及研磨墊。更詳細(xì)而言,本發(fā)明涉及為了在半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體和集成電路等中形成平坦面而優(yōu)選地使用的研磨墊。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體設(shè)備高密度化,多層布線和與此相伴的層間絕緣膜形成或插塞、鑲嵌等的電極形成等技術(shù)重要度增加。與此相伴,這些層間絕緣膜或電極的金屬膜的平坦化工藝的重要度增加,作為用于該平坦化工藝的高效技術(shù),普及稱為CMP (Chemical MechanicalPolishing,化學(xué)機(jī)械拋光)的研磨技術(shù)。 [0003]一般而言,CMP裝置由保持作為被處理物的半導(dǎo)體晶片的研磨頭、用于進(jìn)行被處理物的研磨處理的研磨墊、以及保持上述研磨墊的研磨臺板構(gòu)成。而且,半導(dǎo)體晶片的研磨處理使用研磨液(slurry),通過使半導(dǎo)體晶片與研磨墊相對運(yùn)動,從而除去半導(dǎo)體晶片表面層的突出的部分,使晶片表面層平坦化。墊表面通過使用金剛石修整器等的修整而更新,防止阻塞而進(jìn)行整修。
[0004]關(guān)于CMP的研磨特性,存在以晶片的局部平坦性、總體平坦性的確保、擦傷的防止、高研磨速率的確保等為代表那樣的各種要求特性。因此,為了這些的達(dá)成,在對研磨特性賦予影響的因素之中作為大的一個因素的研磨墊的槽的構(gòu)成(槽的圖案和槽的截面形狀等)上,進(jìn)行各種設(shè)想。
[0005]例如,已知以下技術(shù):通過使施加于研磨層表面的槽的圖案為同心圓狀且使上述槽的截面形狀為大致矩形,從而謀求晶片的平坦性和研磨速率的提高(例如,參照專利文獻(xiàn)I)。
[0006]然而,在該技術(shù)中,有時候槽的截面形狀中的角部和由于在研磨前后或研磨中進(jìn)行的修整等而在角部形成的毛刺狀物使擦傷產(chǎn)生。為了解決該問題,公開了在研磨面與槽的邊界部設(shè)置傾斜面的技術(shù)(例如,參照專利文獻(xiàn)2、3)。
[0007]在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-144219號公報(bào);
專利文獻(xiàn)2:日本特開2004-186392號公報(bào);
專利文獻(xiàn)3:日本特開2010-45306號公報(bào)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]發(fā)明要解決的問題
在槽的截面形狀為大致矩形的情況下,除了如上所述的問題以外,還存在研磨速率不充分的問題和特別是在研磨初期至中期時研磨速率容易變動的問題。
[0009]在此,本
【發(fā)明者】們發(fā)現(xiàn),通過在研磨面與槽的邊界部設(shè)置傾斜面,從而不僅擦傷減少,而且在晶片與研磨墊之間發(fā)現(xiàn)吸引力和研磨液流動的改善,與槽的截面形狀為大致矩形的情況相比,研磨速率變高。但是,還發(fā)現(xiàn):這樣的構(gòu)造的槽,如果通過金剛石修整器的修整而磨削研磨層,則槽寬逐漸變窄,因而槽體積變小,在研磨后期,研磨速率降低。另外,還發(fā)現(xiàn):在緩沖層的特定物性中,研磨速率的變動增大。
[0010]本發(fā)明鑒于相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的問題,其目的在于,提供在研磨特性中特別是能夠保持高研磨速率同時抑制研磨速率的變動的研磨墊。
[0011]用于解決問題的方案

【發(fā)明者】們考慮到研磨面與槽的邊界部的角度影響研磨速率的變動。另外考慮到,受到緩沖層的影響而在研磨面的吸引力或研磨液流動上產(chǎn)生不均勻,變動波及到研磨速率,為了防止該情況,考慮到是否能夠通過在緩沖層組合具有剛性的物件而消除。
[0012]于是,本發(fā)明為了解決上述問題而采用如下方案。即,為一種研磨墊,是至少具有研磨層和緩沖層的研磨墊,其特征在于,上述研磨層在研磨面具備槽,該槽具有側(cè)面和底面,上述側(cè)面的至少一方由第一側(cè)面和第二側(cè)面構(gòu)成,第一側(cè)面與上述研磨面連續(xù),且與上述研磨面所成的角度為α,第二側(cè)面與該第一側(cè)面連續(xù),且與平行于上述研磨面的面所成的角度為β,與上述研磨面所成的角度α大于90度,與平行于上述研磨面的面所成的角度β為85度以上,并且與平行于上述研磨面的面所成的角度β比與上述研磨面所成的角度α更小,從上述研磨面到上述第一側(cè)面與上述第二側(cè)面的曲折點(diǎn)為止的曲折點(diǎn)深度為
0.4mm以上、3.0mm以下,上述緩沖層的應(yīng)變常數(shù)為7.3X10_Vm/Pa以上、4.4X IO-4μ m/Pa以下。
[0013]發(fā)明效果
根據(jù)本發(fā)明,能夠提供能夠保持高研磨速率同時抑制研磨速率的變動的研磨墊。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是示出本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的研磨墊的主要部分的構(gòu)成的局部截面圖。
[0015]圖2是示出本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的研磨墊的主要部分的構(gòu)成(第2例)的局部截面圖。
[0016]圖3是示出本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的研磨墊的主要部分的構(gòu)成(第3例)的局部截面圖。
[0017]圖4是示出本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的研磨墊的主要部分的構(gòu)成(第4例)的局部截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0018]以下,說明用于實(shí)施本發(fā)明的方式。
[0019]本
【發(fā)明者】專心研究能夠保持高研磨速率同時抑制研磨速率的變動的研磨墊。結(jié)果,本
【發(fā)明者】查明,通過構(gòu)成以下研磨墊而能夠一舉解決問題:該研磨墊是至少具有研磨層和緩沖層的研磨墊,其特征在于,上述研磨層在研磨面具備槽,該槽具有側(cè)面和底面,上述側(cè)面的至少一方由第一側(cè)面和第二側(cè)面構(gòu)成,第一側(cè)面與上述研磨面連續(xù),且與上述研磨面所成的角度為α,第二側(cè)面與該第一側(cè)面連續(xù),且與平行于上述研磨面的面所成的角度為β,與上述研磨面所成的角度α大于90度,與平行于上述研磨面的面所成的角度β為85度以上,并且與平行于上述研磨面的面所成的角度β比與上述研磨面所成的角度α更小,從上述研磨面到上述第一側(cè)面與上述第二側(cè)面的曲折點(diǎn)為止的曲折點(diǎn)深度為0.4mm以上、3.0mm以下,上述緩沖層的應(yīng)變常數(shù)為7.3X10、m/Pa以上、4.4X IO-4 μ m/Pa以下。
[0020]在本發(fā)明中,研磨墊至少具有研磨層和緩沖層是重要的。在沒有緩沖層的情況下,不能緩沖由研磨層的吸水等引起的應(yīng)變,因而被研磨材料的研磨速率和面內(nèi)均勻性不穩(wěn)定地變動。另外,即使具有緩沖層,如果應(yīng)變常數(shù)過大,則被研磨材料的研磨速率和面內(nèi)均勻性也不穩(wěn)定地變動,因而應(yīng)變常數(shù)在7.3X IO^6 μ m/Pa以上、4.4X 10_4 μ m/Pa以下的范圍內(nèi)。緩沖層的應(yīng)變常數(shù)在該范圍內(nèi),由此,能夠保持由具有傾斜的槽引起的研磨速率提高效果而大幅地抑制研磨速率變動。從被研磨材料的研磨速率變動和局部平坦性的觀點(diǎn)來看,作為上限,更優(yōu)選3.0 X 10_4 μ m/Pa以下,進(jìn)一步優(yōu)選1.5 X 10_4 μ m/Pa以下。另外,作為下限,更優(yōu)選1.0X 10_5 μ m/Pa以上,進(jìn)一步優(yōu)選1.2X 10_5 μ m/Pa以上。在研磨速率變動大的情況下,被研磨材料的研磨量變動,結(jié)果,被研磨材料的殘余膜厚變動且使惡劣影響波及到半導(dǎo)體設(shè)備的性能。所以,研磨速率變動率優(yōu)選15%以下,更優(yōu)選10%以下。
[0021]此外,本發(fā)明中的應(yīng)變常數(shù)是使用頂端直徑為5_的壓頭、將用測微器施加27kPa的壓力達(dá)60秒時的厚度作為(Tl) μ m、將繼續(xù)施加177kPa下的壓力達(dá)60秒時的厚度作為(T2) μ m、根據(jù)下式算出的值:
應(yīng)變常數(shù)(μ m/Pa) = (Tl - T2) / (177 - 27) /1000。
[0022]作為這樣的緩沖層,能夠列舉天然橡膠、腈橡膠、“NEOPRENE (注冊商標(biāo))”橡膠、聚丁二烯橡膠、熱固性聚氨酯橡膠、熱塑性聚氨酯橡膠、硅橡膠、“HYTREL (注冊商標(biāo))”等不起泡的彈性體、“T0RAYPEF(注冊商標(biāo)、東麗(股份)制PEF) ”等聚烯烴起泡體、NITTA HAAS (股份)制“suba400”等無紡布,但是不限于此。
[0023]緩沖層的應(yīng)變常數(shù),根據(jù)其材質(zhì)的調(diào)整是可能的。例如,在緩沖層為起泡體的情況下,如果增大起泡的程度,則有變?nèi)彳浀膬A向,因而有應(yīng)變常數(shù)變大的傾向。另外,在緩沖層為不起泡的情況下,通過調(diào)整緩沖層內(nèi)的交聯(lián)的程度,使得硬度的調(diào)節(jié)是可能的。
[0024]緩沖層的厚度優(yōu)選0.1至2_的范圍。從半導(dǎo)體基板整個面的面內(nèi)均勻性的觀點(diǎn)來看,優(yōu)選0.25mm以上,更優(yōu)選0.3mm以上。另外,從局部平坦性的觀點(diǎn)來看,優(yōu)選2mm以下,更優(yōu)選Imm以下。
[0025]本發(fā)明中的研磨墊的研磨層表面具有槽。作為從研磨層表面觀察的槽的形狀,列舉了格子狀、放射狀、同心圓狀、螺旋狀等,但是不限于此。關(guān)于槽,沿圓周方向延伸的開放系能夠更高效地更新研磨液,因而最優(yōu)選格子狀。
[0026]本發(fā)明中的槽具有側(cè)面和底面,上述側(cè)面的至少一方由第一側(cè)面和第二側(cè)面構(gòu)成,第一側(cè)面從研磨面連續(xù),且與研磨面所成的角度為α,第二側(cè)面從該第一側(cè)面連續(xù),且與平行于研磨面的面所成的角度為β。第一側(cè)面、第二側(cè)面和底面分別可為平面(在槽的截面形狀中為直線狀),也可為曲面(在槽的截面形狀中為曲線狀)。
[0027]而且,在本發(fā)明中,角度α大于90度,角度β為85度以上,并且角度β小于角度α。由此,能夠保持高研磨速率同時抑制研磨速率的變動。這如以下那樣說明。一般而言,研磨速率的變動在研磨初期至中期較大,但是通過在研磨面與槽的邊界部設(shè)置大于90度的傾斜面,從而不僅研磨速率變高,而且還能夠有效地抑制這樣的初期至中期的研磨速率的變動。
[0028]另一方面,這樣的構(gòu)造的槽中,如果伴隨金剛石修整器的修整而研磨層被磨削,則槽寬逐漸變窄,槽體積變小。槽體積的減少速度與為一般的矩形形狀的情況相比更快。所以擔(dān)心,研磨越進(jìn)行,研磨液的排出能力越降低且被研磨材料上的缺陷越增加,研磨后期的研磨速率變緩。因此,槽優(yōu)選如下構(gòu)造:在一定深度以后,槽體積的減少速度變小。通過如上所述調(diào)整角度α和角度β,從而能夠達(dá)成這樣的目的。角度α與角度β之差優(yōu)選10度以上、65度以下,更優(yōu)選20度以上、60度以下。
[0029]從研磨液的保持性和流動性的觀點(diǎn)來看,角度α中,作為下限,優(yōu)選105度以上,更優(yōu)選115度以上。另外,角度α中,作為上限,優(yōu)選150度以下,更優(yōu)選140度以下。形成槽的相向兩側(cè)面可以為相同的形狀,但研磨液因離心力而流動,因而在形成槽的相向側(cè)面之中,至少在位于圓周側(cè)的側(cè)面具有傾斜是更有效的。
[0030]另外,為了使研磨速率的變動特別穩(wěn)定,由第二側(cè)面和底面構(gòu)成的形狀優(yōu)選大致矩形(C字型)。這是因?yàn)?,這樣做的話,在研磨后期研磨速率也幾乎不變動,反之,能夠在更長期間使研磨速率穩(wěn)定化。如果考慮到如現(xiàn)有技術(shù)那樣在槽為簡單的大致矩形的情況下不能夠保持高研磨速率,則這是預(yù)想外的效果。其理由是不明確的,但考慮到這是因?yàn)樵谘心ズ笃?,槽寬被保持為大致一定,槽體積的減少速度特別小,因而研磨的穩(wěn)定化效果進(jìn)一步變大。
[0031]在此所說的大致矩形并不限于完全的正方形或長方形,也可以是,槽的側(cè)面具有稍微的傾斜,或者槽的側(cè)面或底部的至少一部分為曲面。平行于研磨面的面與第二側(cè)面所成的角度β優(yōu)選85度以上、95度以下,從槽加工的簡便來看,更優(yōu)選88度以上、92度以下,最優(yōu)選90度。
[0032]從研磨液排出能力的觀點(diǎn)來看,矩形部的槽底寬度優(yōu)選0.1mm以上,且優(yōu)選4.0mm以下,以免排出能力過高而研磨面的研磨液不足。更優(yōu)選0.3mm以上、2mm以下,進(jìn)一步優(yōu)選
0.5mm以上、1.5mm以下。另外,從槽加工的簡便來看,優(yōu)選比研磨面上的槽開口寬度更小。
[0033]伴隨被研磨材料的研磨而研磨層被磨削,當(dāng)研磨面通過作為第一側(cè)面與第二側(cè)面的邊界的曲折點(diǎn)時,看到研磨速率的變動,因而能夠容易地了解研磨墊的壽命。優(yōu)選地,從研磨面到曲折點(diǎn)的深度優(yōu)選為不降低研磨面?zhèn)鹊膬A斜的槽部分的效果的程度的深度以上,且為能夠維持矩形形狀的效果的程度的深度以下,優(yōu)選研磨墊的壽命長,具體而言,優(yōu)選槽整體的深度的50%以上、95%以下,更優(yōu)選66%以上、90%以下。
[0034]再者,當(dāng)伴隨金剛石修整器的修整而研磨層被磨削且最淺部的槽側(cè)面從第一側(cè)面變?yōu)榈诙?cè)面時,看到研磨速率的變動,并且研磨液排出能力也變化。使研磨后期的研磨速率變動穩(wěn)定是問題,因而從研磨面到第一側(cè)面與第二側(cè)面的曲折點(diǎn)為止的曲折點(diǎn)深度在
0.4mm以上、3.0mm以下的范圍內(nèi)。在曲折點(diǎn)深度深的情況下,研磨液排出能力不足。在曲折點(diǎn)深度淺的情況下,到獲得穩(wěn)定的研磨速率的曲折點(diǎn)的距離短,因而研磨墊的壽命變短。作為曲折點(diǎn)深度的上限,優(yōu)選2.5mm以下,更優(yōu)選2.0mm以下,進(jìn)一步優(yōu)選1.8mm以下。作為下限,優(yōu)選0.5mm以上,更優(yōu)選0.65mm以上,進(jìn)一步優(yōu)選1.0mm以上。
[0035]通過【專利附圖】
附圖
【附圖說明】以上這樣的本發(fā)明的槽的具體形狀。圖1是示出本發(fā)明的一個實(shí)施方式所涉及的研磨墊的主要部分的構(gòu)成的局部截面圖。同圖所示的研磨墊I具有研磨層10和在與研磨層10的研磨面11相反側(cè)的面上層積的緩沖層30。在研磨層10的研磨面11形成有槽12。槽12具有與研磨面11連續(xù)且相對于研磨面11成角度α傾斜的第一側(cè)面13、與該第一側(cè)面13連續(xù)且相對于第一側(cè)面13經(jīng)由曲折點(diǎn)14曲折的第二側(cè)面15、以及槽最深部16。第二側(cè)面相對于與研磨面11平行的面的角度β比第一側(cè)面13相對于研磨面11的角度ct更小。
[0036]此外,由槽的第二側(cè)面15和最深部16構(gòu)成的形狀不限于圖1所示的形狀。例如,如圖2所示的研磨墊2的槽17那樣,最深部18也可具有與研磨面11大致平行的底面。另夕卜,如圖3所示的研磨墊3的槽19那樣,第二側(cè)面15與最深部20的邊界部分也可為曲面。另外,如圖4所示的研磨墊4的槽21那樣,第二側(cè)面15與最深部22的截面形狀也可為U字狀(大致矩形的一部分)。
[0037]如圖1至圖4所示,如果將本實(shí)施方式所涉及的槽的截面形狀具體化,則能夠以大致Y字型表示。此外,這些形狀是舉例示出的,本發(fā)明的大致矩形的形狀并不限于此。
[0038]作為構(gòu)成研磨墊的研磨層,具有獨(dú)立氣泡的構(gòu)造在半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體以及集成電路等中形成平坦面因而優(yōu)選。另外,研磨層的硬度優(yōu)選地在ASKER D硬度計(jì)中為45至65度。在ASKER D硬度不足45度的情況下,被研磨材料的平坦化特性(平面性)降低,另外,在大于65度的情況下,平坦化特性(平面性)良好,但存在以下傾向:隨著被研磨材料的研磨速率的晶片面內(nèi)的均勻性(均勻度)的降低,在晶片面內(nèi)平坦化特性(平面性)的均勻性(均勻度)降低。
[0039]雖然未特別限定,但是作為形成相關(guān)構(gòu)造體的材料,列舉了聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氨酯、聚脲、聚酰胺、聚氯乙烯、聚縮醛、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚四氟乙烯、環(huán)氧樹脂、ABS樹脂、AS樹脂、酚樹脂、三聚氰胺樹脂、“NEOPRENE(注冊商標(biāo))”橡膠、丁二烯橡膠、苯乙烯丁二烯橡膠、乙丙橡膠、硅橡膠、氟橡膠以及以這些為主要成分的樹脂等。也可使用兩種以上這些物質(zhì)。在這樣的樹脂中,也能夠比較容易地控制獨(dú)立氣泡直徑,在這點(diǎn),更優(yōu)選以聚氨酯為主要成分的原料。
[0040]聚氨酯是指通過聚異氰酸酯的加聚反應(yīng)或聚合反應(yīng)而合成的高分子。作為聚異氰酸酯的對稱而使用的化合物是含活性氫化合物,即,含有兩種以上的多羥基或氨基的化合物。作為聚異氰酸酯,能夠列舉甲苯基二異氰酸酯、二苯基亞甲基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯等,但不限于此。也可使用兩種以上這些物質(zhì)。
[0041]作為含有多羥基的化合物,多元醇是代表性的,列舉了聚醚多元醇、聚四亞甲基醚二醇、環(huán)氧樹脂變性多元醇、聚酯多元醇、丙烯酸多元醇、聚丁二烯多元醇、硅多元醇等。也可使用兩種以上這些物質(zhì)。優(yōu)選地,根據(jù)硬度、氣泡直徑和起泡倍率來決定聚異氰酸酯與多元醇和催化劑、起泡劑、穩(wěn)泡劑的組合和最適宜量。
[0042]作為獨(dú)立氣泡向這些聚氨酯中的形成方法,在聚氨酯制造時各種起泡劑向樹脂中配合的化學(xué)起泡法是普遍的,但還能夠優(yōu)選地使用通過機(jī)械攪拌而使樹脂起泡后硬化的方法。另外,還能夠在聚氨酯制造時糅合在內(nèi)部具有空隙的中空粒子聚合物。
[0043]獨(dú)立氣泡的平均氣泡直徑從減少擦傷的觀點(diǎn)來看優(yōu)選30μπι以上。另一方面,從被研磨材料的局部凹凸的平坦性的觀點(diǎn)來看,平均氣泡直徑優(yōu)選150μπι以下,更優(yōu)選140 μ m以下,進(jìn)一步優(yōu)選130 μ m以下。此外,平均氣泡直徑通過以下求得:當(dāng)用KEYENCE制VK-8500超深度顯微鏡以倍率400倍觀察樣品截面時,在一個視野內(nèi)觀察到的氣泡之中,對除了觀察為在視野端部缺損的圓狀的氣泡之外的圓狀氣泡,用圖像處理裝置根據(jù)截面面積測定圓當(dāng)量直徑,算出算數(shù)平均值。[0044]作為本發(fā)明的研磨墊的一個實(shí)施方式,優(yōu)選含有乙烯基化合物的聚合體和聚氨酯且具有獨(dú)立氣泡的墊。僅以來自乙烯基化合物的聚合體就能夠提高韌性和硬度,但是難以獲得具有獨(dú)立氣泡的均質(zhì)的研磨墊。另外,聚氨酯若提高硬度則變脆。通過使乙烯基化合物浸潰于聚氨酯中,從而能夠得到含有獨(dú)立氣泡且韌性和硬度高的研磨墊。
[0045]乙烯基化合物是具有聚合性的碳-碳雙鍵的化合物。具體而言,列舉了丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸乙酯、η-丙烯酸正丁酯、η-甲基丙烯酸正丁酯、2-甲基丙烯酸異辛酯、甲基丙烯酸異癸酯、η-甲基丙烯酸月桂酯、2-甲基丙烯酸羥乙酯、2-甲基丙烯酸羥丙酯、2-甲基丙烯酸羥丁酯、甲基丙烯酸二甲氨基乙酯、甲基丙烯酸二乙氨基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、富馬酸、富馬酸二甲酯、富馬酸二乙酯、富馬酸二丙酯、馬來酸、馬來酸二甲酯、馬來酸二乙酯、馬來酸二丙酯、苯基馬來酰亞胺、環(huán)己基馬來酰亞胺、異丙基馬來酰亞胺、丙烯腈、丙烯酰胺、氯乙烯、偏二氯乙烯、苯乙烯、α -甲基苯乙烯、二乙烯苯、二甲基丙烯酸乙二醇酯、二乙二醇二丙烯酸酯等。也可使用兩種以上這些物質(zhì)。
[0046]在上述乙烯基化合物中,優(yōu)選CH2 = CR1COOR2 (R1:甲基或乙基,R2:甲基、乙基、丙基
或丁基)。其中,甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、η-甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸異丁酯在獨(dú)立氣泡向聚氨酯的形成容易方面、單體的浸潰性良好方面、聚合硬化容易方面、含有被聚合硬化的乙烯基化合物的聚合體和聚氨酯的起泡構(gòu)造體的硬度高且平坦化特性良好方面是優(yōu)選的。
[0047]作為為了獲得這些乙烯基化合物的聚合體而優(yōu)選地使用的聚合引發(fā)劑,能夠列舉偶氮二異丁腈、偶氮(2,4_ 二異庚腈)、偶氮二環(huán)己基甲腈、過氧苯甲酰、過氧化月桂酰、過氧二碳酸異丙酯等自由基引發(fā)劑。也可使用兩種以上這些物質(zhì)。另外,還能夠使用氧化還原系的聚合引發(fā)劑,例如過氧化物與胺類的組合。
[0048]作為乙烯基化合物向聚氨酯中的浸潰方法,列舉了在乙烯基化合物所放入的容器中浸潰聚氨酯的方法。此外,此時為了加快浸潰速度的目的,施以加熱、加壓、減壓、攪拌、振蕩、超聲波振動等處理也是優(yōu)選的。
[0049]乙烯基化合物向聚氨酯中的浸潰量應(yīng)當(dāng)由所使用的乙烯基化合物及聚氨酯的種類和被制造的研磨墊的特性來決定,不能一概而論,但是例如,由聚合硬化的起泡構(gòu)造體中的乙烯基化合物獲得的聚合體與聚氨酯的含有比率按重量比優(yōu)選30/70至80/20。如果由乙烯基化合物獲得的聚合體的含有比率按重量比為30/70以上,則能夠使研磨墊的硬度充分高。另外,如果含有比率為80/20以下,則能夠使研磨層的彈性充分高。
[0050]此外,由聚氨酯中的聚合硬化的乙烯基化合物獲得的聚合體和聚氨酯的含有率能夠通過熱分解氣相色譜分析/質(zhì)量分析方法來測定。作為能夠在本方法中使用的裝置,能夠列舉雙擊熱裂解儀“PY-2010D”(FRONTIER LAB(股份)制)作為熱分解裝置,列舉“TRIO-1”(VG公司制)作為氣相色譜分析和質(zhì)量分析裝置。
[0051]在本發(fā)明中,從半導(dǎo)體基板的局部凹凸的平坦性的觀點(diǎn)來看,優(yōu)選地,含有而不分離由乙烯基化合物獲得的聚合體相和聚氨酯相。若定量地表示,則優(yōu)選地,用光點(diǎn)大小為50 μ m的顯微紅外分光裝置觀察研磨墊后的紅外光譜具有由乙烯基化合物聚合的聚合體的紅外吸收峰和聚氨酯的紅外吸收峰,各部位的紅外光譜大體相同。作為在此使用的顯微紅外分光裝置,能夠列舉SPECTRA-TEC公司制的IRy S。[0052]研磨墊以特性改良為目的,也可含有研磨劑、防帶電劑、潤滑劑、穩(wěn)定劑、染料等各種添加劑。
[0053]在本發(fā)明中,從減少局部的平坦性不良或整體階梯差的觀點(diǎn)來看,研磨層的密度優(yōu)選0.3g/cm3以上,更優(yōu)選0.6g/cm3以上,進(jìn)一步優(yōu)選0.65g/cm3以上。另一方面,從減少擦傷的觀點(diǎn)來看,優(yōu)選1.lg/cm3以下,更優(yōu)選0.9g/cm3以下,進(jìn)一步優(yōu)選0.85g/cm3以下。此外,本發(fā)明中的研磨層的密度是使用HARVARD型比重瓶(JIS R-3503基準(zhǔn))以水為介質(zhì)測定的值。
[0054]作為在本發(fā)明中被研磨的被研磨材料,列舉了例如形成于半導(dǎo)體晶片上的絕緣層或金屬布線的表面。作為絕緣層,能夠列舉金屬布線的層間絕緣膜或金屬布線的下層絕緣膜或用于元件分離的淺溝道隔離。作為金屬布線,能夠列舉鋁、鎢、銅以及它們的合金等,在構(gòu)造上有鑲嵌、雙鑲嵌、插塞等。在將銅作為金屬布線的情況下,氮化硅等阻擋金屬也成為研磨對象。絕緣膜中,現(xiàn)在氧化硅是主流,但也使用低介電常數(shù)絕緣膜。除了半導(dǎo)體晶片以夕卜,還能夠用于磁頭、硬盤、藍(lán)寶石、SiC、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微機(jī)電系統(tǒng))等的研磨。
[0055]本發(fā)明的研磨方法優(yōu)選地用于在玻璃、半導(dǎo)體、電介質(zhì)/金屬復(fù)合體以及集成電路等形成平坦面。
實(shí)施例
[0056]以下,通過實(shí)施例進(jìn)一步說明本發(fā)明的細(xì)節(jié)。但是,本發(fā)明并非由本實(shí)施例限定并解釋。此外,如下地進(jìn)行測定。
[0057]〈氣泡直徑測定〉
當(dāng)用KEYENCE制VK-8500超深度顯微鏡以倍率400倍觀察樣品截面時,在一個視野內(nèi)觀察的氣泡中,對除了觀察為在視野端部缺損的圓狀的氣泡以外的圓狀氣泡,用圖像處理裝置根據(jù)截面面積測定圓當(dāng)量直徑,將算出的算數(shù)平均值作為平均氣泡直徑。
[0058]〈硬度測定〉
以JIS K6253-1997為基準(zhǔn)進(jìn)行。將把制作的聚氨酯樹脂切成2cmX 2cm(厚度:任意)大小的物件作為硬度測定用試料,在溫度23°C ±2°C、濕度50%±5%的環(huán)境下靜置16小時。在測定時,使試料重合而為厚度6mm以上。使用硬度計(jì)(高分子計(jì)器(股份)制、ASKER D型硬度計(jì))測定硬度。
[0059]<微型橡膠A硬度測定>
將把緩沖層切成3cmX 3cm大小的物件作為硬度測定用試料,在溫度23°C ±2°C、濕度50%±5%的環(huán)境下靜置16小時。使用高分子計(jì)器(股份)制微型橡膠硬度計(jì)MD-1在一塊試料中測定不同的三點(diǎn),將算出的平均值作為微型橡膠A硬度。
[0060]<傾斜角度測定>
將在研磨層表面形成槽的墊以刀刃相對于槽方向垂直的方式配置而沿槽深方向切片,用KEYENCE制VK-8500超深度顯微鏡觀察槽的截面,測定研磨面與和上述槽的研磨面連續(xù)的側(cè)面所成的角度(角度α)。在從墊的中心起半徑的1/3位置和2/3位置,測定最近的槽,將各一處合計(jì)兩點(diǎn)的均值作為傾斜角度。角度β也同樣地測定。
[0061]<曲折點(diǎn)深度測定> 將在研磨層表面形成槽的墊以刀刃相對于槽方向垂直的方式配置而沿槽深方向切片,用KEYENCE制VK-8500超深度顯微鏡觀察槽的截面,測定從研磨面到由第一側(cè)面和第二側(cè)面構(gòu)成的相向的兩個曲折點(diǎn)的中點(diǎn)的垂直距離。在從墊的中心起半徑的1/3位置和2/3位置,測定最近的槽,將各一處合計(jì)兩點(diǎn)的均值作為曲折點(diǎn)深度。
[0062]〈應(yīng)變常數(shù)算出〉
使用頂端的直徑為5mm的壓頭,將用測微器施加27kPa壓力達(dá)60秒時的厚度作為(Tl)μ m,接著,將施加177kPa下的壓力達(dá)60秒時的厚度作為(T2) μ m,根據(jù)下式算出應(yīng)變常數(shù):
應(yīng)變常數(shù)(μ m/Pa) = (Tl — T2)/(177 — 27)/1000。
[0063]<平均研磨速率算出>
使用APPLIED MATERIALS(股份)公司制的300mm晶片用研磨機(jī)“Reflexion”,在規(guī)定的研磨條件下進(jìn)行終點(diǎn)檢測同時進(jìn)行研磨。將12英寸晶片的最外周不足16_除外而測定研磨特性。
[0064]測定晶片中心一點(diǎn)、從晶片中心沿直徑方向半徑5mm的位置兩點(diǎn)、大于5mm且1 25mm以下每20.0mm十二點(diǎn)、大于125_且130_以下的面內(nèi)每5.0mm四點(diǎn)、134mm兩點(diǎn),算出平均研磨速率(nm/分)。
[0065]<研磨速率的面內(nèi)均勻性算出>
與前述同樣地對第200塊測定研磨的晶片的研磨特性,根據(jù)下式算出:
研磨速率的面內(nèi)均勻性(%) = {(面內(nèi)的最大研磨速率)一(面內(nèi)的最小研磨速率)}/(平均研磨速率)X 100。
[0066]<研磨速率變動率算出>
(研磨200塊的情況)
在研磨200塊晶片且測定每個晶片的平均研磨速率之后,根據(jù)下式算出從第I塊到第200塊的研磨速率變動率(200塊研磨后的研磨速率變動率):
研磨速率變動率(%) = {(最大晶片平均研磨速率)一(最小晶片平均研磨速率)} /(第200塊晶片平均研磨速率)。
[0067](研磨追加500塊的情況)
在追加晶片而研磨500塊并測定每個晶片的平均研磨速率之后,根據(jù)下式算出從第I塊到第700塊的研磨速率變動率(700塊研磨后的研磨速率變動率):
研磨速率變動率(%) = {(最大晶片平均研磨速率)一(最小晶片平均研磨速率)} /(第700塊晶片平均研磨速率)。
[0068]在研磨速率的變動大的情況下,有時候因研磨不足或研磨過多而引起設(shè)備的不良,因而研磨速率變動率越小越好,優(yōu)選30%以下,更優(yōu)選20%以下。
[0069]以下,說明實(shí)施例1至16、比較例I至5。
[0070](實(shí)施例1)
將聚丙二醇30重量份、二苯基亞甲基二異氰酸酯40重量份、水0.5重量份、三乙胺0.3重量份、硅穩(wěn)泡劑1.7重量份以及辛酸錫0.09重量份用RIM成型機(jī)混合并吐出至金屬模具而進(jìn)行加壓成型,制作獨(dú)立氣泡的起泡聚氨酯片材。
[0071]將上述起泡聚氨酯片材浸潰在添加了偶氮二異丁腈0.2重量份的甲基丙烯酸甲酯中60分鐘。接著,將上述起泡聚氨酯片材浸潰在由聚乙烯醇“CP” (聚合度:約500、NACALAI TESQUE (股份)制)15重量份、乙醇(試劑特級、片山化學(xué)(股份)制)35重量份、水50重量份構(gòu)成的溶液中后干燥,由此用聚乙烯醇覆蓋上述起泡聚氨酯片材表層。
[0072]接著,將上述起泡聚氨酯片材經(jīng)由氯乙烯制墊片夾入兩塊玻璃板間,通過以65°C加熱6小時、以120°C加熱3小時而使其聚合硬化。在從玻璃板間脫模且水洗之后,以50°C進(jìn)行真空干燥。將如此獲得的硬質(zhì)起泡片材切片加工成厚度約2mm,從而制作研磨層。研磨層中的甲基丙烯酸甲酯含有率為重量的66%。另外,研磨層的D硬度為54度,密度為0.81g/cm3,獨(dú)立氣泡的平均氣泡直徑為45 μ m。
[0073]將所獲得的硬質(zhì)起泡片材雙面研磨而制作厚度2mm的研磨層。
[0074]在通過上述方法獲得的研磨層上,作為緩沖層,使用輥涂機(jī)經(jīng)由三井化學(xué)聚氨酯(股份)制MA-6203粘結(jié)層將應(yīng)變常數(shù)1.5X 10_5 μ m/Pa(微型橡膠A硬度89)的日本MATAI (股份)制的熱塑性聚氨酯(緩沖層厚度:0.3mm,作為緩沖層A)層積,進(jìn)而作為背面帶,將積水化學(xué)工業(yè)(股份)制雙面帶5604TDM貼合至背面。將該層積體沖裁成775mm直徑的圓,在研磨層表面,以槽距為15mm、角度α為135度、角度β為90度、最深部的槽深為1.5mm、曲折點(diǎn)深度為1mm、槽底部形狀為矩形、且槽寬為Imm,將槽形成為XY格子狀而作為研磨墊。
[0075]將通過上述方法獲得的研磨墊粘附于研磨機(jī)(APPLIED MATERIALS (股份)制“Reflexion”)的臺板。在保持壓力=67kPa(9.7psi)、區(qū)域 I 壓力=48kPa(7psi)、區(qū)域 2壓力=28kPa(4psi)、區(qū)域3壓力=28kPa(4psi)、臺板轉(zhuǎn)速=59rpm、研磨頭轉(zhuǎn)速=60rpm、研磨液(CAB0T公司制、SS-25)以300m L /分的流量流過、用CECILE公司制修整器負(fù)荷為17.6 N (41bf)、研磨時間I分鐘的條件下,研磨200塊氧化膜的12英寸晶片。第200塊氧化膜的平均研磨速率為307.7nm/分、研磨速率的面內(nèi)均勻性為6.2%。200塊研磨后的研磨速率變動率為7.2%。由于至少能夠研磨700塊晶片的墊壽命是必要的,并且在研磨了 500塊晶片時的700塊研磨后的研磨速率變動率為11.3%,因而是良好的結(jié)果。
[0076](實(shí)施例2)
除了將研磨層表面的槽的角度α變更為145度、將槽底部的槽寬變更為0.7mm、將曲折點(diǎn)深度變更為1.15mm以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為326.4nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為8.3%,200塊研磨后的研磨速率變動率為8.5%。并且,在研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為13.2%,是良好的結(jié)果。
[0077](實(shí)施例3)
除了將研磨層表面的槽的角度α變更為113度、將槽底部的槽寬變更為0.7mm、將曲折點(diǎn)深度變更為1.15mm以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為279.6nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為8.3%,200塊研磨后的研磨速率變動率為8.2%。并且,在研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為14.6%,是良好的結(jié)果。
[0078](實(shí)施例4)
除了將研磨層表面的槽的角度α變更為120度、將槽底部的槽寬變更為0.7mm、將曲折點(diǎn)深度變更為1.15mm以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為288.6nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為7.6%,200塊研磨后的研磨速率變動率為7.8%。并且,在研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為12.7%,是良好的結(jié)果。[0079](實(shí)施例5)
除了將研磨層表面的槽的角度α變更為100度、將槽底部的槽寬變更為0.7mm、將曲折點(diǎn)深度變更為1.15mm以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為267.1nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為12.1%,200塊研磨后的研磨速率變動率為11.8%。并且,在研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為13.8%,是良好的結(jié)果。
[0080](實(shí)施例6)
除了將研磨層表面的槽的角度α變更為155度、將槽底部的槽寬變更為0.7mm、將曲折點(diǎn)深度變更為1.15mm以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為327.8nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為9.5%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為10.9%。并且,在研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為19.9%,是良好的結(jié)果。
[0081](實(shí)施例7)
除了變更為應(yīng)變常數(shù)為2.6 X 10_4 μ m/Pa (微型橡膠A硬度65度)的聚烯烴起泡體(東麗(股份)制PEF、起泡倍率3倍、緩沖層厚度:1.0mm)的緩沖層(作為緩沖層B)以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為275.8nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為6.3%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為15.4%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為14.8%,是良好的結(jié)果。
[0082](實(shí)施例8)
除了將研磨層表面的槽距變更為11.5mm、將曲折點(diǎn)深度變更為1.15mm、將槽底部的槽寬變更為0.7mm以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為307.2nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為4.4%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為3.9%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為6.6%,是良好的結(jié)果。
[0083](實(shí)施例9)
除了將研磨層厚度變更為2.7mm、將曲折點(diǎn)深度變更為1.8mm以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為300.4nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為4.6%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為4.4%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為9.3%,是良好的結(jié)果。
[0084](實(shí)施例10)
除了將研磨層厚度變更為3.1mm、將曲折點(diǎn)深度變更為2.2mm以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為298.0nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為4.8%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為4.7%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為9.4%,是良好的結(jié)果。
[0085](實(shí)施例11)
除了將研磨層厚度變更為3.6mm、將曲折點(diǎn)深度變更為2.7mm以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為297.7nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為5.2%,200塊研磨后的研磨速率變動率為5.1%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為9.9%,是是良好的結(jié)果。
[0086](實(shí)施例12)
除了將曲折點(diǎn)深度變更為0.8mm以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為287.8nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為6.1%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為8.1%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為16.6%,是良好的結(jié)果。
[0087](實(shí)施例13)
除了將曲折點(diǎn)深度變更為0.45mm以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為287.2nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為6.5%,200塊研磨后的研磨速率變動率為8.8%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為19.1%,是良好的結(jié)果。
[0088](實(shí)施例14)
除了變更成使隔著研磨層表面的槽而相向的兩個角度α為135度和130度且使相向的兩個角度不同以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為306.7nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為4.6%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為4.1%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為6.9%,是良好的結(jié)果。
[0089](實(shí)施例15)
除了經(jīng)由粘結(jié)劑使厚度188 μ m的聚酯膜貼合至研磨層背面且使緩沖層貼合至聚酯膜面以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為312.6nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為4.1%,200塊研磨后的研磨速率變動率為4.2%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為6.5%,是良好的結(jié)果。
[0090](實(shí)施例16)
除了變更為應(yīng)變常數(shù)為3.8 X 10_4 μ m/Pa (微型橡膠A硬度57度)的聚烯烴起泡體(東麗(股份)制PEF、起泡倍率4倍、緩沖層厚度:1.0mm)的緩沖層(作為緩沖層C)以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為279.8nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為11.3%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為18.3%。并且,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為17.3%,是良好的結(jié)果。
[0091](比較例I)
除了將研磨層表面的槽的角度α變更為90度且使槽為簡單的C字型形狀以外,與實(shí)施例I同樣地研磨。平均研磨速率為255.3nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為14.2%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為42.3%。研磨速率小,研磨速率的面內(nèi)均勻性差,研磨速率變動率大。即,直到晶片200塊為止不能很好地研磨,不能提供第200塊以后(例如700塊)的研磨。
[0092](比較例2)
除了將應(yīng)變常數(shù)為6.5 X 10_4 μ m/Pa的無紡布(緩沖層厚度:1.3mm)變更為緩沖層(作為緩沖層D)以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為275.8nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為8.9%,200塊研磨后的研磨速率變動率為78.8%,研磨速率變動率大。S卩,直到晶片200塊為止不能很好地研磨,不能提供第200塊以后(例如700塊)的研磨。
[0093](比較例3)
除了將曲折點(diǎn)深度變更為0.2mm以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為286.9nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為10.4%,200塊研磨后的研磨速率變動率為11.4%,但是700塊研磨后的研磨速率變動率為35.5%,研磨速率變動率大。
[0094](比較例4)
除了將曲折點(diǎn)深度變更為0.3mm以外,與實(shí)施例8同樣地研磨。平均研磨速率為285.5nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為9.8%, 200塊研磨后的研磨速率變動率為10.9%,但是進(jìn)一步,研磨了 500塊時的700塊研磨后的研磨速率變動率為32.7%,研磨速率變動率大。
[0095](比較例5)
除了將緩沖層變更為應(yīng)變常數(shù)為5.2X IO-4 μ m/Pa(微型橡膠A硬度59度)的日本發(fā)條(股份)制Nipparon EXT (緩沖層厚度:0.8mm,作為緩沖層E)以外,與實(shí)施例1同樣地研磨。平均研磨速率為280.6nm/分,研磨速率的面內(nèi)均勻性為12.8%,200塊研磨后的研磨速率變動率為74.8%,研磨速率變動率大。即,直到晶片200塊為止不能很好地研磨,不能提供第200塊以后(例如700塊)的研磨。
[0096]表1中示出通過以上說明的實(shí)施例1至16、比較例I至5所獲得的結(jié)果。
[0097][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種研磨墊,是至少具有研磨層和緩沖層的研磨墊,其特征在于: 所述研磨層在研磨面具備槽,該槽具有側(cè)面和底面, 所述側(cè)面的至少一方由第一側(cè)面和第二側(cè)面構(gòu)成,所述第一側(cè)面與所述研磨面連續(xù),且與所述研磨面所成的角度為α,所述第二側(cè)面與該第一側(cè)面連續(xù),且與平行于所述研磨面的面所成的角度為β, 與所述研磨面所成的角度α大于90度,與平行于所述研磨面的面所成的角度β為85度以上,并且與平行于所述研磨面的面所成的角度β比與所述研磨面所成的角度α更小, 從所述研磨面到所述第一側(cè)面與所述第二側(cè)面的曲折點(diǎn)為止的曲折點(diǎn)深度為0.4mm以上、3.0mm以下, 所述緩沖層的應(yīng)變常數(shù)為7.3X 10_6 μ m/Pa以上、4.4X 10_4 μ m/Pa以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨墊,其特征在于,與所述研磨面所成的角度α和與平行于所述研磨面的面所成的角度β之差為10度以上、65度以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨墊,其特征在于,與所述研磨面所成的角度α為105度以上、150度以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的研磨墊,其特征在于,與平行于所述研磨面的面所成的角度β為85度以上、95度以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的研磨墊,其特征在于,所述研磨面的槽的圖案為格子狀。
【文檔編號】B24B37/26GK103648717SQ201280034910
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2012年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月15日
【發(fā)明者】竹內(nèi)奈奈, 福田誠司, 奧田良治, 笠井重孝 申請人:東麗株式會社
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