專利名稱：研磨墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于半導(dǎo)體集成電路的制造器件，尤其涉及一種 研磨墊。
背景技術(shù)：
在化學(xué)機(jī)械平坦化(Chemical Mechanical Planarization，簡稱CMP) 的制作工藝過程中，硅片表面的氧化膜厚度的均勻性非常重要。硅片表面 的氧化膜厚度將會影響到電子器件的電性能參數(shù)，厚度不均勻會使同一硅 片上制作出的器件性能產(chǎn)生差異，影響成品率。
而氧化膜的均勻性受到CMP耗材的影響很大，尤其受到與硅片直接接 觸的研磨墊的影響，在研磨過程中，研磨墊與氧化膜表面接觸產(chǎn)生摩擦， 將氧化膜磨掉，而同時研磨墊本身同樣會磨損，在磨損達(dá)到一定程度時， 研磨墊對氧化膜的研磨作用下降，這時可認(rèn)為研磨墊己達(dá)到使用壽命。
現(xiàn)在的CMP工藝并無直接的方法判斷CMP研磨墊是否達(dá)到使用壽命， 一般通過間接方法來監(jiān)控，比如研磨速率的變化，此類方法有滯后性和不 準(zhǔn)確性，通常會造成工藝的不穩(wěn)定或材料的浪費。

實用新型內(nèi)容
本實用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種研磨墊，通過目測即可簡 單監(jiān)控該研磨墊的使用壽命。
為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的技術(shù)方案是 一種研磨墊，該研磨墊采用雙層、雙色結(jié)構(gòu)，其上層和下層分別采用不同的顏色。
本實用新型通過改變研磨墊結(jié)構(gòu)來監(jiān)控研磨墊的使用壽命，當(dāng)研磨墊 開始使用后，由于摩擦作用，其表面的材料將逐漸磨損，研磨墊的厚度將 逐漸變薄，本實用新型采用一種雙層、雙色結(jié)構(gòu)的研磨墊，其上下層采用 不同的顏色，當(dāng)上層材料被磨損掉，露出下層結(jié)構(gòu)時，即判斷為研磨墊已 達(dá)到使用壽命，采用該雙層、雙色結(jié)構(gòu)的研磨墊，很容易通過目測的方法發(fā) 現(xiàn)并判斷研磨墊是否己達(dá)到使用壽命。

圖1為現(xiàn)有的研磨墊的結(jié)構(gòu)示意圖；其中，1是熱硬化性樹脂頂層研磨 墊(Thermoset Polyurethane Top Pad) ， 2是膠水茅占合層(Glue Layer Type 1) ， 3是聚脂薄膜防水層(Mylar Interposer) ， 4是底層軟墊(Impregnated Felt Sub-Pad);
圖2為本實用新型研磨墊的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3為本實用新型研磨墊達(dá)到使用壽命時的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2和圖3中，11是熱硬化性樹脂頂層研磨墊，2是膠水粘合層，3 是聚脂薄膜防水層，4是底層軟墊，a是熱硬化性樹脂頂層研磨墊的上層，b 是熱硬化性樹脂頂層研磨墊的下層。
具體實施方式

如圖1所示，現(xiàn)有的研磨墊的熱硬化性樹脂頂層研磨墊1為單一材料， 單一顏色，無法直接監(jiān)控其厚度變化。而圖2所示的結(jié)構(gòu)為本實用新型所 采用的結(jié)構(gòu)，其熱硬化性樹脂頂層研磨墊11為單一材料,兩種顏色的雙層、雙色結(jié)構(gòu)，熱硬化性樹脂頂層研磨墊ll包括上層a和下層b，上層a和下 層b分別采用不同的顏色，例如，上層a采用綠色，下層b采用紅色，當(dāng) 熱硬化性樹脂頂層研磨墊ll的綠色的上層a被磨損完，會露出紅色的下層 b，顯示研磨墊的使用壽命已到，如圖3所示。
本實用新型通過在熱硬化性樹脂頂層研磨墊中注入不同的顏色，并使 其有明顯的顏色分層，達(dá)到如圖2所示的效果。在使用過程中，研磨墊的 上層a被磨損后露出不同顏色的下層b即可判斷研磨墊的使用壽命終了， 因此，采用該雙層、雙色結(jié)構(gòu)的研磨墊，很容易通過目測的方法發(fā)現(xiàn)并判 斷研磨墊是否已達(dá)到使用壽命。
權(quán)利要求1. 一種研磨墊，其特征在于該研磨墊采用雙層、雙色結(jié)構(gòu)，其上層和下層分別采用不同的顏色。
專利摘要本實用新型公開了一種研磨墊，該研磨墊采用雙層、雙色結(jié)構(gòu)，其上層和下層分別采用不同的顏色。當(dāng)上層材料被磨損掉，露出下層結(jié)構(gòu)時，即判斷為研磨墊已達(dá)到使用壽命，采用該雙層、雙色結(jié)構(gòu)的研磨墊，很容易通過目測的方法發(fā)現(xiàn)并判斷研磨墊是否已達(dá)到使用壽命。
文檔編號B24D11/00GK201283536SQ20082006083
公開日2009年8月5日 申請日期2008年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月21日
發(fā)明者張震宇, 趙正元 申請人:上海華虹Nec電子有限公司