專利名稱：防著板、防著板-靶材組件及等離子體濺射設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于等離子體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種防著板和防著板-靶材組件及等離子體濺射設(shè)備。
背景技術(shù)：
在沉積鍍膜工藝中，尤其是薄膜晶體管液晶顯示器(Thin FilmTransistorLiquid Crystal Display，TFT-LCD)的生產(chǎn)制造過程中，需要使用等離子體濺射設(shè)備、例如使用磁控濺射機進行鍍膜。采用磁控濺射機進行鍍膜時，磁控濺射機中的濺射源在電場的作用下產(chǎn)生加速電子，這些加速電子與磁控濺射機真空腔中預(yù)先充入的惰性氣體碰撞得到帶正電的粒子，帶正電的粒子受到陰極(靶材)的吸引而撞擊靶材表面的原子，這些原子因受到帶正電的粒子的撞擊而獲得動量轉(zhuǎn)移，進而產(chǎn)生垂直靶材表面的作用力，將靶材表面的原子碰撞出去而沉積在被鍍物上完成鍍膜。為防止靶材原子濺射到被鍍物以外的其它位置，需要在真空腔室中設(shè)置防著板，例如，腔室的四周。目前高世代TFT-1XD生產(chǎn)線所用的銦錫氧化物(ITO)立式磁控濺射設(shè)備中，ITO靶材通常是多聯(lián)的，例如12塊ITO靶材并排排列稱為12聯(lián)靶材。然而，每兩聯(lián)(塊)ITO靶材之間的邊緣由于ITO粉塵的回落沉積，會形成一定的非侵蝕區(qū)域，且鍍膜工藝中形成顆粒和缺陷較多，良品率下降；并且長時間沉積可能造成短路。為了防止ITO粉塵回落到靶材上需要設(shè)置防著板，該防著板能附著ITO粉塵保護靶材，但使用一段時間后，防著板的附著ITO粉塵的能力下降，需要對防著板進行更換。同時，防著板能減少靶材的非侵蝕區(qū)域，從而減少鍍膜工藝中形成顆粒和缺陷，防止良品率下降。防著板的形狀以及與靶材之間相對位置關(guān)系影響非侵蝕區(qū)域的大小，現(xiàn)有技術(shù)常見的防著板如圖1所示，靶材2和防著板I并排放置，防著板I在垂直于靶材2方向上與靶材2沒有重疊的部分，使防著板I不能有效的遮擋ITO粉塵回落至靶材2，造成非侵蝕區(qū)域4較大，在5mm以上。非侵蝕區(qū)域4較大會縮短防著板的使用壽命，造成需要更頻繁地更換防著板，增加了人工工作量，而且使磁控濺射設(shè)備的停機和恢復(fù)時間延長，稼動率較低。因此，設(shè)計合適形狀的防著板降低非侵蝕區(qū)域成為研發(fā)的重點。

實用新型內(nèi)容本實用新型的一個目的是提供一種減少非侵蝕區(qū)域，延長更換周期的防著板。解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種防著板，設(shè)置于設(shè)有靶材的等離子體濺射設(shè)備中，所述的防著板包括用于遮擋靶材上表面邊緣的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等離子體轟擊的表面。具有突出部的防著板能夠防止ITO粉塵回落到靶材上；同時，防著板能減少靶材的非侵蝕區(qū)域，延長了防著板的更換周期，從而減少鍍膜工藝中形成顆粒和缺陷，防止鍍膜的良品率下降。[0010]優(yōu)選的是，所述突出部的縱截面為矩形。優(yōu)選的是，所述防著板的突出部具有向外傾斜的側(cè)面。優(yōu)選的是，所述的防著板還具有設(shè)在靶材側(cè)方的支撐部，所述突出部連接于所述支撐部。優(yōu)選的是，所述防著板的支撐部的兩側(cè)各連接有一個突出部。本實用新型的另一目的是提供一種減少非侵蝕區(qū)域，延長更換周期的防著板-靶材組件。解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種防著板-靶材組件，包括靶材和設(shè)在靶材邊緣處的防著板，所述的防著板包括用于遮擋靶材上表面邊緣的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等離子體轟擊的表面。優(yōu)選的是，所述的靶材的縱截面為矩形。優(yōu)選的是，所述的靶材靠近防著板的一側(cè)具有從靶材中心向外向下傾斜的上表面。本實用新型的另一目的是提供一種稼動率高的等離子體濺射設(shè)備。解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種等離子體濺射設(shè)備包括上述的防著板-靶材組件。本實用新型通過測試選取適當(dāng)?shù)男螤罘乐搴头乐?靶材組件，減少了非侵蝕區(qū)域，延長了防著板的更換周期，提升了等離子體濺射設(shè)備的稼動率，同時使鍍膜工藝的良品率得到了提升。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的防著板的縱向剖面示意圖。圖2為本實用新型實施例1的一種防著板的縱向剖面示意圖。圖3為本實用新型實施例1的另一種防著板的縱向剖面示意圖。圖4為本實用新型實施例2的一種靶材-防著板組件的縱向剖面示意圖。其中:1.防著板；2.靶材；3.突出部；4.非侵蝕區(qū)域；5.支撐部；6.上表面。
具體實施方式
為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細(xì)描述。實施例1如圖2至圖3所示，本實施例提供一種設(shè)置于設(shè)有靶材的等離子體濺射設(shè)備中的防著板1，該防著板I包括用于遮擋靶材2的上表面6的邊緣的突出部3，這里，靶材2的上表面6是指被等離子體轟擊的表面。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在靶材2周圍ITO粉塵大量回落，而該防著板I的突出部3能夠像雨傘一樣防止ITO粉塵回落到祀材2上；同時,防著板I能減少革巴材2的非侵蝕區(qū)域4，延長了防著板I的更換周期，從而減少鍍膜工藝中形成顆粒和缺陷，防止鍍膜的良品率下降。優(yōu)選的，如圖2所示，防著板I的突出部3具有向外傾斜的側(cè)面。經(jīng)過測試，這種截面可以更好地壓縮非侵蝕區(qū)域4的面積。[0030]優(yōu)選的，突出部3的縱截面也可以為矩形。如圖3所示，優(yōu)選的，防著板I還具有用于設(shè)在靶材2側(cè)面方的支撐部5，該支撐部5用于支撐防著板I。當(dāng)然，突出部3也可以采用其它方式固定于靶材2的上方，例如，懸掛
坐寸ο優(yōu)選的，如圖3所示，防著板I的支撐部5的頂部兩側(cè)各連接有一個突出部3，防著板I位于多聯(lián)靶材2的每兩聯(lián)靶材2之間時，每個支撐部5可以同時支撐兩個突出部3，防止ITO粉塵回落到支撐部5兩側(cè)的靶材2上(即防著板I為中心防著板)。優(yōu)選的，兩個突出部3也可以對稱分布，并一體成型。優(yōu)選的，突出部3和支撐部5也可以一體成型。經(jīng)過測試，上述形狀的防著板I均能使非侵蝕區(qū)域4的長度控制在3mm以下，減少了非侵蝕區(qū)域4 ;延長了防著板I的更換周期，相同靶材2周期內(nèi)更換次數(shù)由通常的5次降低到2次，提高了設(shè)備的稼動率；減少鍍膜工藝中形成顆粒和缺陷，提升了鍍膜的良品率。實施例2如圖4所示，本實施例提供一種防著板-靶材組件，包括靶材2和設(shè)在靶材2邊緣處的防著板1，防著板I的突出部3遮擋在靶材2邊緣。優(yōu)選的，如圖4所示，防著板I的突出部3也可以是縱截面為矩形；當(dāng)然，防著板I也可以為實施例1中的任一其它形狀。優(yōu)選的，靶材2也可以為縱截面為矩形的靶材2。優(yōu)選的，如圖4所示，靶材2也可在靠近防著板I的一側(cè)具有從靶材2中心向外向下傾斜的上表面6。更優(yōu)選的，如圖4所示，防著板I的支撐部5的頂部兩側(cè)各連接有一個突出部3，突出部3對稱分布，縱截面為矩形；支撐部5的兩側(cè)各有一個靶材2，靶材2靠近防著板I的一側(cè)具有從靶材2中心向外向下傾斜的上表面6。實施例3本實施例提供一種等離子體濺射設(shè)備，該等離子體濺射設(shè)備包括上述的防著板-靶材組件。經(jīng)過測試，上述形狀的防著板-靶材組件均能使非侵蝕區(qū)域4的長度控制在2_以下；減少了非侵蝕區(qū)域4 ;延長了防著板I的更換周期，相同靶材2周期內(nèi)更換次數(shù)有通常的5次降低到2次，提高了等離子體濺射設(shè)備的稼動率；減少鍍膜工藝中形成顆粒和缺陷，提升了鍍膜的良品率?？梢岳斫獾氖牵陨蠈嵤┓绞絻H僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種防著板，設(shè)置于設(shè)有靶材的等離子體濺射設(shè)備中，其特征在于，所述的防著板包括用于遮擋靶材上表面邊緣的突出部，所述靶材的上表面是指所述靶材的被等離子體轟擊的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的防著板，其特征在于，所述突出部的縱截面為矩形。
3.如權(quán)利要求1所述的防著板，其特征在于，所述防著板的突出部具有向外傾斜的側(cè)面。
4.如權(quán)利要求1至3中任意一項所述的防著板，其特征在于，所述的防著板還具有設(shè)在靶材側(cè)方的支撐部，所述突出部連接于所述支撐部。
5.如權(quán)利要求4所述的防著板，其特征在于，所述防著板的支撐部的兩側(cè)各連接有一個關(guān)出部。
6.一種防著板-靶材組件，包括靶材和設(shè)在靶材邊緣處的防著板，其特征在于，所述防著板為權(quán)利要求1至5中任意一項所述的防著板。
7.如權(quán)利要求6所述的防著板-靶材組件，其特征在于，所述的靶材的縱截面為矩形。
8.如權(quán)利要求6所述的防著板-靶材組件，其特征在于，所述的靶材靠近防著板的一側(cè)具有從靶材中心向外向下傾斜的上表面。
9.一種等離子體濺射設(shè)備，其包括如權(quán)利要求6-8任一所述的防著板-靶材組件。
專利摘要本實用新型提供一種防著板、防著板-靶材組件及等離子體濺射設(shè)備，屬于等離子技術(shù)領(lǐng)域，其可解決現(xiàn)有的防著板和防著板-靶材組件的導(dǎo)致非侵蝕區(qū)域較大，防著板需要頻繁更換的問題。本實用新型的防著板包括用于遮擋靶材上表面邊緣的突出部。本實用新型的防著板能夠防止ITO粉塵回落到靶材上；同時，防著板能減少靶材的非侵蝕區(qū)域，延長了防著板的更換周期，從而減少鍍膜工藝中形成顆粒和缺陷，防止鍍膜的良品率下降。
文檔編號C23C14/34GK203007392SQ20122063254
公開日2013年6月19日 申請日期2012年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月26日
發(fā)明者趙欣凱, 劉勃, 李勝斌, 李正勛, 金相起, 車奉周, 劉占偉 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司