專利名稱:氣相沉積裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實用新型的多個方面涉及氣相沉積裝置和方法以及制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù):
半導(dǎo)體器件、顯示裝置和其它電子器件包括多個薄膜??筛鶕?jù)各種方法來形成所述多個薄膜,方法之一為氣相沉積方法。在氣相沉積方法中,使用至少一種氣體來形成薄膜。氣相沉積方法的示例包括化學(xué)氣相沉積(CVD)、原子層沉積(ALD)等。與其它可比的顯示裝置比較而言,有機發(fā)光顯示裝置具有更大的視角、更好的對比度特性和更快的響應(yīng)速度,因此已經(jīng)作為下一代顯示裝置而受到關(guān)注。有機發(fā)光顯示裝置包括中間層,該中間層包括彼此相對布置的第一電極和第二電極之間的有機發(fā)射層,有機發(fā)光顯示裝置還包括至少一個薄膜??衫贸练e工藝來形成有機發(fā)光顯示裝置中的薄膜。隨著有機發(fā)光顯示裝置正朝向更大且具有更高的分辨率發(fā)展,難以沉積具有期望特性的大尺寸薄膜。而且,在提高用于形成這種薄膜的工藝的效率方面存在局限性。
實用新型內(nèi)容本實用新型的方面在于提出一種用于有效地執(zhí)行沉積工藝以在基底上形成具有改善特性的薄膜的氣相沉積裝置和方法以及一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本實用新型的實施例,提供了一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積裝置,所述氣相沉積裝置包括室,具有排放口 ;架臺,設(shè)置在室內(nèi),并包括將基底設(shè)置在其上的安裝表面;注入部分,具有至少一個注入開口,通過所述至少一個注入開口沿與基底的將形成有薄膜的表面平行的方向注入氣體;等離子體發(fā)生器,設(shè)置成與基底分開并面向基底。等離子體發(fā)生器可包括供應(yīng)部分,經(jīng)供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體;第一等離子體電極;第二等離子體電極,與第一等離子體電極分開;出口。在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間可產(chǎn)生等離子體,并且可經(jīng)等離子體發(fā)生器的出口向基底釋放等離子體。等離子體發(fā)生器可包括多個模塊。所述多個模塊中的每個模塊可包括供應(yīng)部分,經(jīng)供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體;第一等離子體電極;第二等離子體電極,與第一等離子體電極分開;出口。等離子體發(fā)生器可被設(shè)置成與基底平行。等離子體發(fā)生器可具有與基底的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于基底,或者可比基底大。所述氣相沉積裝置還可包具有孔的掩模,所述掩模用于將薄膜以期望的圖案沉積在基底上。掩??稍O(shè)置在基底上。架臺可包括多個安裝表面,所述多個基底將被分別設(shè)置在所述多個安裝表面上。所述多個安裝表面可設(shè)置成相互平行。所述多個安裝表面可分別位于架臺的第一表面和架臺的與第一表面相對的第二表面上。多個等離子體發(fā)生器可被設(shè)置成與設(shè)置在所述多個安裝表面上的所述多個基底對應(yīng)。所述氣相沉積裝置還可包括用于驅(qū)動架臺和等離子體發(fā)生器的驅(qū)動器,驅(qū)動器被構(gòu)造為使等離子體發(fā)生器和安裝在架臺上的基底在室內(nèi)移動。驅(qū)動器可使架臺和等離子體發(fā)生器移動,以使安裝在架臺上的基底沿與基底的將沉積有薄膜的表面垂直的方向移動。驅(qū)動器做往復(fù)運動。驅(qū)動器可使架臺和等離子體發(fā)生器并發(fā)地或同時地移動。驅(qū)動器可包括用于使架臺移動的第一驅(qū)動器和用于使等離子體發(fā)生器移動的第二驅(qū)動器。安裝表面可設(shè)置成與重力作用的方向平行。注入部分可設(shè)置成比架臺遠離地面。排放口可連接到泵。注入部分的至少一個注入開口可以是注入源氣的出口。注入部分的至少一個注入開口可以是經(jīng)其將反應(yīng)氣體提供到等離子體發(fā)生器的出口。排放口可設(shè)置成比基底更靠近地面。注入部分可包括多個注入孔,所述多個注入孔沿與基底的將沉積有薄膜的表面垂直的方向相互分開設(shè)置,從而可對基底執(zhí)行若干次沉積工藝。根據(jù)本實用新型的另一實施例,提供了一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積方法,所述氣相沉積方法包括將基底安裝在設(shè)置在室內(nèi)的架臺的安裝表面上;經(jīng)注入部分沿與基底的將沉積有薄膜的表面平行的方向向基底和等離子體發(fā)生器之間的空間中注入源氣,等離子體發(fā)生器設(shè)置成面向基底;通過利用室的排放口執(zhí)行排放工藝;通過利用等離子體發(fā)生器產(chǎn)生等離子體,并向基底釋放等離子體;通過利用室的排放口執(zhí)行另一排放工藝。等離子體發(fā)生器可包括供應(yīng)部分;第一等離子體電極;第二等離子體電極,與第一等離子體電極分開;出口??山?jīng)供應(yīng)部分對等離子體發(fā)生器提供反應(yīng)氣體,反應(yīng)氣體可經(jīng)第一等離子體電極和第二等離子體電極變成等離子體,然后可經(jīng)等離子體發(fā)生器的出口向基底釋放等尚子體。反應(yīng)氣體可經(jīng)注入部分被提供給等離子體發(fā)生器,經(jīng)等離子體發(fā)生器反應(yīng)氣體變成等離子體,然后向基底釋放等離子體。注入部分可包括注入孔,可經(jīng)注入孔順序注入源氣和反應(yīng)氣體。[0036]注入部分可包括多個注入孔,可經(jīng)不同的注入孔注入源氣和反應(yīng)氣體??衫帽脠?zhí)行排放工藝。安裝基底的步驟可包括在基底上設(shè)置掩模,其中,掩模具有用于在基底上以期望圖案沉積薄膜的孔。在安裝在架臺上的基底在室內(nèi)沿與基底的將沉積有薄膜的表面垂直的方向正移動的同時可執(zhí)行沉積工藝。架臺可包括多個安裝表面。在基底安裝在架臺上的過程中,多個基底可分別被安裝在架臺的所述多個安裝表面上。多個等離子體發(fā)生器可被設(shè)置成對應(yīng)于多個基底。根據(jù)本實用新型的另一實施例,提供了一種制造有機發(fā)光顯示裝置的方法,在所述有機發(fā)光顯示裝置中,薄膜形成在基底上,所述薄膜至少包括第一電極、第二電極以及位于第一電極和第二電極之間的具有有機發(fā)射層的中間層,所述方法包括將基底安裝在設(shè)置在室內(nèi)的架臺的安裝表面上;經(jīng)注入部分沿與基底的將沉積有薄膜的表面平行的方向向基底和等離子體發(fā)生器之間的空間中注入源氣,等離子體發(fā)生器設(shè)置成面向基底;通過利用室的排放口執(zhí)行排放工藝;通過利用等離子體發(fā)生器產(chǎn)生等離子體,并向基底釋放等離子體;通過利用室的排放口執(zhí)行另一排放工藝。形成薄膜的步驟可包括在第二電極上形成包封層。形成薄膜的步驟可包括形成絕緣層。形成薄膜的步驟可包括形成導(dǎo)電層。
通過參照附圖詳細描述本實用新型的示例性實施例,本實用新型的以上和其它特征和方面將變得更清楚,在附圖中圖I是根據(jù)本實用新型實施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖;圖2是根據(jù)本實用新型實施例的圖I中的等離子體發(fā)生器的示意性透視圖;圖3是沿圖2中的線III-III截取的剖視圖;圖4是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖;圖5是沿箭頭A指示的方向觀察的圖4中的氣相沉積裝置的俯視圖;圖6是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖;圖7是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置400的示意性剖視圖;圖8是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖;圖9是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖;圖10是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖;圖11是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置的示意性剖視圖;圖12是根據(jù)本實用新型實施例的基于制造有機發(fā)光顯示裝置的方法制造的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。
具體實施方式
在下文中,將參照附圖更充分地描述本實用新型的示例性實施例。[0059]圖I是根據(jù)本實用新型實施例的氣相沉積裝置100的示意性剖視圖。參照圖1,氣相沉積裝置100包括室110、架臺120、注入部分130和等離子體發(fā)生器180。室110包括位于其底部上的排放口(例如,開口、孔等)111。排放口 111是氣體經(jīng)其被排放的出口,并可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,但是使用泵來控制施加到室110的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室110的內(nèi)部或外部,以加熱室110的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺120設(shè)置在室110內(nèi)。架臺120包括安裝表面121。安裝表面121被設(shè)置成與重力作用的方向平行。即,安裝表面121垂直于地面。為此,架臺120垂直于地面設(shè)置?;?01設(shè)置在架臺120上。具體地講,基底101安裝在架臺120的安裝表面121上??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的基底101固定到安裝表面121上??墒褂美鐘A具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。等離子體發(fā)生器180設(shè)置成面向基底101。具體地講,基底101和等離子體發(fā)生器180設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。等離子體發(fā)生器180可平行于基底101設(shè)置。另外,等離子體發(fā)生器180可具有與基底101的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于基底101,或者可比基底101大。等離子體發(fā)生器180的形狀不限于如所示出的形狀。換言之,等離子體發(fā)生器180可具有各種形狀中的任意形狀,只要等離子體發(fā)生器180可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體并向基底101釋放等離子體。圖2和圖3具體示出了根據(jù)一個實施例的等離子體發(fā)生器180。參照圖3,等離子體發(fā)生器180包括多個模塊180a、180b、180c、180d和180e。模塊180a包括第一等離子體電極181、第二等離子體電極182、供應(yīng)部分183和出口 185。其它模塊180b、180c、180d和180e與模塊180a相同,這里將不再詳細描述。圖3示出了多個模塊180a、180b、180c、180d和180e設(shè)置成相互分隔開,但是本實用新型的方面不限于此,并且多個模塊180a、180b、180c、180d和180e可以一起集成在一個單元內(nèi)。當(dāng)通過等離子體發(fā)生器180經(jīng)供應(yīng)部分183注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極181和第二等離子體電極182之間的空間184內(nèi)產(chǎn)生等離子體,然后經(jīng)出口 185向基底101釋放產(chǎn)生的等離子體。注入部分130連接到室110。經(jīng)注入部分130向基底101注入至少一種氣體。具體地講,注入部分130包括第一注入孔(或開口)131和第二注入孔132。通過第一注入孔131和第二注入孔132沿平行于基底101的平坦表面的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔131和第二注入孔132沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。具體地講,通過第一注入孔131注入源氣S。由于通過等離子體發(fā)生器180注入處于等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可不需要形成第二注入孔132。然而,本實用新型的方面不限于此,并且可通過第二注入孔132注入反應(yīng)氣體,而不是通過等離子體發(fā)生器180的供應(yīng)部分183注入反應(yīng)氣體。即,反應(yīng)氣體可通過第二注入孔132注入,在等離子體發(fā)生器180內(nèi)可變成等離子體的形式,然后可向基底101注入??蛇x擇地,如果沒形成第二注入孔132,則可通過第一注入孔131注入源氣S,可使用源氣S來執(zhí)行適合的工藝(例如,預(yù)定的工藝),然后,可通過第一注入孔131注入反應(yīng)氣體。第一注入孔131和第二注入孔132的形狀不受限制。例如,第一注入孔131和第二注入孔132可均為與第一基底101的寬度對應(yīng)的點或線的形式。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置100的操作。將基底101安裝在架臺120的安裝表面121上。然后,通過注入部分130的第一注入孔131注入源氣S。在這種情況下,可向基底101和等離子體發(fā)生器180之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,將等離子體發(fā)生器180控制成非工作狀態(tài)。具體地講,源氣S可含有鋁(Al)原子。源氣S被吸附到基底101上。然后,利用排放口 111執(zhí)行排放工藝,以在基底101上形成源氣S的單原子層或多原子層。即,形成單層鋁(Al)原子或多層鋁(Al)原子。然后,通過等離子體發(fā)生器180的供應(yīng)部分183注入反應(yīng)氣體。其后,在第一等離子體電極181和第二等離子體電極182之間的空間184中產(chǎn)生等離子體。經(jīng)出口 185向基底101釋放等離子體。具體地講,反應(yīng)氣體可含有氧(O)原子。反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到基底101的上表面(例如,與面向架臺120的表面相對的表面)上。然后,利用排放口 111執(zhí)行排放工藝,以在基底101上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。換言之,形成單層氧原子或多層氧原子。因此,在基底101上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單層或多層。換言之,形成氧化鋁層AlxOy,其中,可根據(jù)工藝條件調(diào)整X和y。在當(dāng)前的實施例中,為了便于解釋,描述的是形成氧化鋁層AlxOy的工藝,但是本實用新型的方面不限于此。即,本實用新型可應(yīng)用于用于形成其它各種層中的任意層(例如,絕緣層和導(dǎo)電層)的工藝。在當(dāng)前的實施例中,通過注入部分130沿與基底101的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,基底101垂直于地面設(shè)置,S卩,沿重力作用的方向設(shè)置。由于經(jīng)注入部分130提供源氣S,所以當(dāng)源氣S被吸附到基底101上時能夠減少基底101上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的等離子體發(fā)生器180產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到基底101上的量。換言之,吸附到基底101上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余等離子體的量。通過利用基底101下方的排放口 111(例如,與基底101設(shè)置成靠近地面相比,排放口 111設(shè)置成更靠近地面)執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分130的第一注入孔131注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過等離子體發(fā)生器180注入反應(yīng)氣體,然后在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,等離子體發(fā)生器180設(shè)置成面向基底101。等離子體發(fā)生器180與經(jīng)其注入源氣S的注入部分130分開設(shè)置。因此,可單獨地(獨立地)執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,由于等離子體發(fā)生器180和基底101相互分開設(shè)置并且通過注入部分130經(jīng)它們之間的空間注入源氣S,所以可使用等離子體發(fā)生器180作為阻擋不期望的雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,等離子體發(fā)生器180可形成為具有與基底101相同的尺寸或比基底101的尺寸大的尺寸。[0083]因此,可極大地提高形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。而且,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到基底101上且不使用吹掃工藝,所以可排除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在基底101上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的一致性的薄膜。圖4是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置200的示意性剖視圖。圖5是沿箭頭A指示的方向觀察的圖4中的氣相沉積裝置200的平面圖。參照圖4和圖5,氣相沉積裝置200包括室210、架臺220、注入部分230、掩模240和等離子體發(fā)生器280。室210包括位于其底部的排放口 211。排放口 211是排放氣體的出口,并且可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,但是使用泵來控制施加到室210的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室210的內(nèi)部或外部,以加熱室210的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺220設(shè)置在室210內(nèi)。架臺220包括安裝表面221。安裝表面221設(shè)置成與重力作用的方向平行。即,安裝表面221垂直于地面。為此,架臺220垂直于地面設(shè)置?;?01設(shè)置在架臺220上。具體地講,基底201安裝在架臺220的安裝表面221上??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的基底201固定到安裝表面221上。可使用例如夾具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。等離子體發(fā)生器280設(shè)置成面向基底201。具體地講,基底201和等離子體發(fā)生器280設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。等離子體發(fā)生器280可平行于基底201設(shè)置。另外,等離子體發(fā)生器280可具有與基底201的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于基底201,或者可比基底201大。掩模240設(shè)置在基底201上。參照圖5,掩模240包括多個孔240a,每個孔240a具有適當(dāng)?shù)男螤?例如,預(yù)定的形狀)。多個孔240a中的每個具有與將形成在基底201上的薄膜的圖案中的對應(yīng)圖案對應(yīng)的形狀。例如,掩模240可以是具有一個孔240a的開口型掩模。圖5示出了總共六個孔240a,但是本實用新型的方面不限于此。根據(jù)將形成在基底201上的圖案的總數(shù)量和形狀確定孔240a的總數(shù)量和形狀。等離子體發(fā)生器280的形狀不限于如所示出的形狀。換言之,等離子體發(fā)生器280可具有各種形狀的任意形狀,只要等離子體發(fā)生器280可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體并向基底201釋放等離子體。例如,等離子體發(fā)生器280可具有與圖3中示出的等離子體發(fā)生器180的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。注入部分230連接到室210。經(jīng)注入部分230向基底201注入至少一種氣體。具體地講,注入部分230包括第一注入孔231和第二注入孔232。通過第一注入孔231和第二注入孔232沿與基底201的平坦表面平行的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔231和第二注入孔232沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。詳細地講,通過第一注入孔231注入源氣S。由于經(jīng)等離子體發(fā)生器280注入等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可不需要形成第二注入孔232。然而,本實用新型的方面不限于此,并且可通過第二注入孔232注入反應(yīng)氣體,而不是等離子體發(fā)生器280的供應(yīng)部分(未示出)。即,反應(yīng)氣體可通過第二注入孔232注入,可在等離子體發(fā)生器280內(nèi)變成等離子體的形式,然后可向基底201注入。第一注入孔231和第二注入孔232的形狀不受限制。例如,第一注入孔231和第二注入孔232可均為與第一基底201的寬度對應(yīng)的點或線的形式。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置200的操作。將基底201安裝在架臺220的安裝表面221上。在基底201上設(shè)置具有與將形成在基底201上的薄膜的圖案對應(yīng)的孔240a的掩模240。然后,通過注入部分230的第一注入孔231注入源氣S。在這種情況下,可向基底201和等離子體發(fā)生器280之間的空間注入源氣S。在正注入源氣S時,控制等離子體發(fā)生器280為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到基底201上。具體地講,源氣S被吸附到基底201的上表面的與孔240a對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放口 211執(zhí)行排放工藝,以在基底201的與孔240a對應(yīng)的區(qū)域上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過等離子體發(fā)生器280的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間中產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器280的出口向基底201釋放等離子體。反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到基底201的與孔240a對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放孔211執(zhí)行排放工藝,以在基底201上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在基底201上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。在當(dāng)前實施例中,通過注入部分230沿與基底201的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,基底201垂直于地面設(shè)置,S卩,沿重力作用的方向設(shè)置。由于經(jīng)注入部分230提供源氣S,所以能夠減少源氣S被吸附到基底201上時基底201上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的等離子體發(fā)生器280產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到基底201上的量。換言之,吸附到基底201上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余的等離子體的量。通過利用基底201下方的排放口 211執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分230的第一注入孔231注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過等離子體發(fā)生器280注入反應(yīng)氣體,然后在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,等離子體發(fā)生器280設(shè)置成面向基底201。等離子體發(fā)生器280與經(jīng)其注入源氣S的注入部分230分開設(shè)置。因此,可單獨地執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,由于等離子體發(fā)生器280和基底201設(shè)置成相互分開,并且通過注入部分230經(jīng)等離子體發(fā)生器280和基底201之間的空間注入源氣S,所以可使用等離子體發(fā)生器280作為阻擋不期望雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,等離子體發(fā)生器280可形成為具有與基底201的尺寸相同的尺寸或大于基底201的尺寸的尺寸。另外,在當(dāng)前實施例中,掩模240設(shè)置在基底201上,以有助于在基底201上形成薄膜的圖案。因此,可以極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。此外,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到基底201上并且不使用吹掃工藝,所以可消除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在基底201上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的一致性的薄膜。圖6是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置300的示意性剖視圖。參照圖6,氣相沉積裝置300包括室310、架臺320、注入部分330、第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382。室310包括位于其底部的排放口 311。排放口 311是排放氣體的出口,并且可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,但是使用泵來控制施加到室310的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室310的內(nèi)部或外部,以加熱室310的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺320包括第一安裝表面321和第二安裝表面322。第一安裝表面321和第二安裝表面322設(shè)置成與重力作用的方向平行。換言之,第一安裝表面321和第二安裝表面322垂直于地面設(shè)置。為此,架臺320垂直于地面設(shè)置。第一基底301和第二基底302設(shè)置在架臺320上。具體地講,第一基底301和第二基底302分別安裝在架臺320的第一安裝表面321和第二安裝表面322上。第一安裝表面321和第二安裝表面322被設(shè)置成相互平行??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的第一基底301和第二基底302分別固定到第一安裝表面321和第二安裝表面322上??墒褂美鐘A具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382設(shè)置成面向第一基底301和第二基底302。具體地講,第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382分別設(shè)置成面向第一基底301和第二基底302。第一基底301和第一等離子體發(fā)生器381設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間,第二基底302和第二等離子體發(fā)生器382設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382可分別平行于第一基底301和第二基底302設(shè)置。另外,第一等離子體發(fā)生器381可具有與第一基底301的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第一基底301,或者可比第一基底301大,第二等離子體發(fā)生器382可具有與第二基底302的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第二基底302,或者可比第二基底302大。第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382的形狀不受限制。換言之,第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382可具有各種形狀中的任意形狀,只要它們可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體,然后分別向第一基底301和第二基底302釋放等離子體。第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382為如先前的實施例所述,因此這里不對其進行詳細描述。注入部分330連接到室310。經(jīng)注入部分330向基底301和302注入至少一種氣體。具體地講,注入部分330包括第一注入孔331和第二注入孔332。通過第一注入孔331和第二注入孔332沿與第一基底301和第二基底302的平坦表面平行的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔331和第二注入孔332沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。具體地講,通過第一注入孔331注入源氣S。由于經(jīng)第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382注入等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可無需形成第二注入孔332。然而,本實用新型的各個方面不限于此,并且可通過第二注入孔332注入反應(yīng)氣體,而不是通過第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382的供應(yīng)部分(未示出)注入反應(yīng)氣體。第一注入孔331和第二注入孔332的形狀不受限制。例如,第一注入孔331和第二注入孔332可均為與第一基底301的寬度對應(yīng)的點或線的形式。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置300的操作。分別將第一基底301和第二基底302安裝在架臺320的第一安裝表面321和第二安裝表面322上。然后,通過注入部分330的第一注入孔331注入源氣S。在這種情況下,可向第一基底301和第一等離子體發(fā)生器381之間的空間以及第二基底302和第二等離子體發(fā)生器382之間的空間注入源氣S。在正注入源氣S的同時,將第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382控制為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到第一基底301和第二基底302的上表面上。然后,利用排放口 311執(zhí)行排放工藝,以在第一基底301和第二基底302上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間中產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器381和382的出口向第一基底301和第二基底302釋放等離子體。因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到第一基底301和第二基底302上。然后,利用排放口 311執(zhí)行排放工藝,以在第一基底301和第二基底302上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在第一基底301和第二基底302上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多
原子層。在當(dāng)前實施例中,通過注入部分330沿與第一基底301和第二基底302的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,第一基底301和第二基底302垂直于地面設(shè)置,S卩,沿重力作用的方向設(shè)置。因此,當(dāng)經(jīng)注入部分330提供源氣S且源氣S被吸附到第一基底301和第二基底302上時,能夠減少當(dāng)源氣S被吸附到第一基底301和第二基底302上時第一基底301和第二基底302上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到第一基底301和第二基底302上的量。換言之,吸附到第一基底301和第二基底302上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余的等離子體的量。通過利用第一基底301和第二基底302下方的排放口 311執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分330的第一注入孔331注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382注入反應(yīng)氣體,然后在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382
12設(shè)置成分別面向第一基底301和第二基底302。第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382與經(jīng)其注入源氣S的注入部分330分開設(shè)置。因此,可單獨地執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382與第一基底301和第二基底302分開設(shè)置,并且通過注入部分330經(jīng)第一等離子體發(fā)生器381和第一基底301之間的空間以及第二等離子體發(fā)生器382和第二基底301之間的空間注入源氣S。因此,第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382可用作阻擋不期望雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,第一等離子體發(fā)生器381和第二等離子體發(fā)生器382可形成為具有與第一基底301和第二基底302的尺寸相同的尺寸或比第一基底301和第二基底302大。因此,可極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。而且,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到第一基底301和第二基底302上且不使用吹掃工藝,所以可排除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在第一基底301和第二基底302上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的均勻特性的薄膜。另外,在當(dāng)前實施例中,第一安裝表面321和第二安裝表面322分別形成在架臺320的兩個表面上,并且第一基底301和第二基底302并發(fā)地或同時安裝在架臺320上。因此,可以提高沉積工藝的效率。而且,由于第一基底301和第二基底302分別設(shè)置在架臺320的兩個表面上而相互平行,所以第一基底301和第二基底302上的將形成有薄膜的表面不設(shè)置成彼此面向。因此,對第一基底301執(zhí)行的沉積工藝和對第二基底302執(zhí)行的沉積工藝不會相互影響。因此,能夠在第一基底301和第二基底302上均形成具有均勻且改善特性的薄膜。圖7是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置400的示意性剖視圖。參照圖7,氣相沉積裝置400包括室410、架臺420、注入部分430、第一掩模441、第二掩模442、第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482。室410包括位于其底部上的排放口 411。排放口 411是經(jīng)其排放氣體的出口,并可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,使用泵來控制施加到室410的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室410的內(nèi)部或外部,以加熱室410的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺420包括第一安裝表面421和第二安裝表面422。第一安裝表面421和第二安裝表面422設(shè)置成與重力作用的方向平行。換言之,第一安裝表面421和第二安裝表面422垂直于地面設(shè)置。為此,架臺420垂直于地面設(shè)置。第一基底401和第二基底402設(shè)置在架臺420上。具體地講,第一基底401和第二基底402分別安裝在架臺420的第一安裝表面421和第二安裝表面422上。第一安裝表面421和第二安裝表面422被設(shè)置成相互平行??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的第一基底401和第二基底402分別固定到第一安裝表面421和第二安裝表面422上??墒褂美鐘A具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。第一掩模441和第二掩模442設(shè)置在第一基底401和第二基底402上。具體地講,第一掩模441和第二掩模442可分別設(shè)置在第一基底401和第二基底402上。[0143]盡管未示出,第一掩模441和第二掩模442中的每個包括如前面實施例中的孔。每個孔具有與將形成在第一基底401和第二基底402中的每個基底上的薄膜的圖案中的對應(yīng)圖案對應(yīng)的形狀。第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482設(shè)置成面向第一基底401和第二基底402。具體地講,第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482被分別設(shè)置成分別面向第一基底401和第二基底402。第一基底401和第一等離子體發(fā)生器481被設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間,第二基底402和第二等離子體發(fā)生器482被設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482可設(shè)置成分別與第一基底401和第二基底402平行。另外,第一等離子體發(fā)生器481可具有與第一基底401的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第一基底401,或者可比第一基底401大,第二等離子體發(fā)生器482可具有與第二基底402的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第二基底402,或者可比第二基底402大。第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482的形狀不受限制。換言之,第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482可具有各種形狀中的任意形狀,只要它們可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體,并分別向第一基底401和第二基底402釋放等離子體。第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482為如以上前面的實施例所述,因此這里不對其進行詳細描述。注入部分430連接到室410。經(jīng)注入部分430向基底401和402注入至少一種氣體。具體地講,注入部分430包括第一注入孔431和第二注入孔432。通過第一注入孔431和第二注入孔432沿與基底401和402的平坦表面平行的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔431和第二注入孔432沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。詳細地講,通過第一注入孔431注入源氣S。由于經(jīng)第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482注入等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可不需要形成第二注入孔432。然而,本實用新型的方面不限于此,并且可通過第二注入孔432注入反應(yīng)氣體,而不是通過第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482的供應(yīng)部分(未示出)注入反應(yīng)氣體。第一注入孔431和第二注入孔432的形狀不受限制。例如,第一注入孔431和第二注入孔432可均為與第一基底401的寬度對應(yīng)的點或線的形式。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置400的操作。分別將第一基底401和第二基底402安裝在架臺420的第一安裝表面421和第二安裝表面422上。第一掩模441包括與將沉積在第一基底401上的薄膜的圖案對應(yīng)的孔(未示出),并且第一掩模441設(shè)置在第一基底401上。第二掩模442包括與將沉積在第二基底402上的薄膜的圖案對應(yīng)的孔(未示出),并且第二掩模442設(shè)置在第二基底402上。然后,通過注入部分430的第一注入孔431注入源氣S。在這種情況下,可向第一基底401和第一等離子體發(fā)生器481之間的空間以及第二基底402和第二等離子體發(fā)生器482之間的空間注入源氣S。在正注入源氣S的同時,將第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482控制為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到第一基底401和第二基底402的上表面上。具體地講,源氣S被吸附到第一基底401和第二基底402上的與孔對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放口 411執(zhí)行排放工藝,以在第一基底401和第二基底402上的與孔對應(yīng)的區(qū)域上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間中產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器481和482的出口向第一基底401和第二基底402釋放等離子體。反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到第一基底401和第二基底402上的與孔對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放口 411執(zhí)行排放工藝,以在第一基底401和第二基底402上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在第一基底401和第二基底402上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。在當(dāng)前實施例中,通過注入部分430沿與第一基底401和第二基底402的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,第一基底401和第二基底402垂直于地面設(shè)置,即,沿重力作用的方向設(shè)置。因此,當(dāng)經(jīng)注入部分430提供源氣S且源氣S被吸附到第一基底401和第二基底402上時,能夠減少當(dāng)源氣S被吸附到第一基底401和第二基底402上時第一基底401和第二基底402上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到第一基底401和第二基底402上的量。換言之,吸附到第一基底401和第二基底402上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余的等離子體的量。通過利用第一基底401和第二基底402下方的排放口 411執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分430的第一注入孔431注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482注入反應(yīng)氣體,然后在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482設(shè)置成分別面向第一基底401和第二基底402。第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482與經(jīng)其注入源氣S的注入部分430分開設(shè)置。因此,可單獨地執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482與第一基底401和第二基底402分開設(shè)置,并且通過注入部分430經(jīng)第一等離子體發(fā)生器481和第一基底401之間的空間以及第二等離子體發(fā)生器482和第二基底402之間的空間注入源氣S。因此,第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482可用作阻擋不期望雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,第一等離子體發(fā)生器481和第二等離子體發(fā)生器482可形成為具有與第一基底401和第二基底402的尺寸相同的尺寸或比第一基底401和第二基底402大。另外,在當(dāng)前的實施例中,第一掩模441和第二掩模442設(shè)置在第一基底401和第二基底402上,以有助于在第一基底401和第二基底402上形成薄膜的圖案。因此,可極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。而且,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到第一基底401和第二基底402上且不使用吹掃工藝,所以可消除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在第一基底401和第二基底402上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的均勻特性的薄膜。另外,在當(dāng)前實施例中,第一安裝表面421和第二安裝表面422分別形成在架臺420的兩個表面上,并且第一基底401和第二基底402并發(fā)地或同時安裝在架臺420上。因此,可以提高沉積工藝的效率。而且,由于第一基底401和第二基底402設(shè)置在架臺420的兩個表面上而相互平行,所以第一基底401和第二基底402的將形成有薄膜的表面不設(shè)置成彼此面向。因此,對第一基底401執(zhí)行的沉積工藝和對第二基底402執(zhí)行的沉積工藝不會相互影響。因此,能夠在第一基底401和第二基底402上形成具有均勻且改善特性的薄膜。圖8是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置500的示意性剖視圖。參照圖8,氣相沉積裝置500包括室510、架臺520、注入部分530、第一驅(qū)動器551、第二驅(qū)動器552和等離子體發(fā)生器580。室510包括位于其底部上的排放口 511。排放口 511是經(jīng)其排放氣體的出口,并可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,使用泵來控制施加到室510的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室510的內(nèi)部或外部,以加熱室510的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺520設(shè)置在室510內(nèi)。架臺520包括安裝表面521。安裝表面521設(shè)置成與重力作用的方向平行。即,安裝表面521垂直于地面。為此,架臺520垂直于地面設(shè)置?;?01設(shè)置在架臺520上。具體地講,基底501安裝在架臺520的安裝表面521上??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的基底501固定到安裝表面521上??墒褂美鐘A具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。等離子體發(fā)生器580設(shè)置成面向基底501。具體地講,基底501和等離子體發(fā)生器580設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。等離子體發(fā)生器580可平行于基底501設(shè)置。另外,等離子體發(fā)生器580可具有與基底501的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于基底501,或者可比基底501大。等離子體發(fā)生器580的形狀不受限制。換言之,等離子體發(fā)生器580可具有各種形狀的任意形狀,只要等離子體發(fā)生器580可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體并向基底501釋放等離子體。等離子體發(fā)生器580的結(jié)構(gòu)與前面實施例中的結(jié)構(gòu)相同,因此這里不對其進行詳細描述。第一驅(qū)動器551和第二驅(qū)動器552連接到架臺520和等離子體發(fā)生器580。具體地講,第一驅(qū)動器551連接到架臺520,第二驅(qū)動器552連接到等離子體發(fā)生器580。圖8示出了兩個分開的驅(qū)動器,即,第一驅(qū)動器551和第二驅(qū)動器552,但是本實用新型的方面不限于此。換言之,可使用一個驅(qū)動器并發(fā)地或同時地移動架臺520和等離子體發(fā)生器580。參照圖8,第一驅(qū)動器551使架臺520沿箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第一驅(qū)動器551使架臺520沿X軸方向移動。因此,基底501可沿與基底501的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。第二驅(qū)動器552使等離子體發(fā)生器580沿箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第二驅(qū)動器552使等離子體發(fā)生器580沿X軸方向移動。因此,等離子體發(fā)生器580可沿與基底501的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。[0175]在這種情況下,控制第一驅(qū)動器551和第二驅(qū)動器552以保持基底501和等離子體發(fā)生器580之間的空間恒定。注入部分530連接到室510。經(jīng)注入部分530向基底501注入至少一種氣體。具體地講,注入部分530包括第一注入孔531、第二注入孔532、第三注入孔533、第四注入孔534、第五注入孔535和第六注入孔536。沿基底501移動的方向布置第一注入孔531至第六注入孔536。換言之,將第一注入孔531至第六注入孔536設(shè)置成沿X軸方向彼此分開。第一注入孔531至第六注入孔536的形狀不受限制。例如,它們可均為與基底501的寬度對應(yīng)的點或線的形式。具體地講,通過第一注入孔531至第六注入孔536沿與基底501的平坦表面平行的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔531至第六注入孔536沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。具體地講,通過第一注入孔531、第三注入孔533和第五注入孔535順序地或并發(fā)地或同時地注入源氣S。由于經(jīng)等離子體發(fā)生器580注入等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可不需要形成第二注入孔532、第四注入孔534和第六注入孔536。然而,本實用新型的方面不限于此,并且可通過第二注入孔532、第四注入孔534和第六注入孔536注入反應(yīng)氣體,而不是通過等離子體發(fā)生器580的供應(yīng)部分(未示出)注入反應(yīng)氣體。即,可通過第二注入孔
532、第四注入孔534和第六注入孔536注入反應(yīng)氣體,在等離子體發(fā)生器480內(nèi)可變成等離子體的形式,然后可向基底501注入。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置500的操作。將基底501安裝在架臺520的安裝表面521上。然后,通過注入部分530的第一注入孔531注入源氣S。在這種情況下,可向基底501和等離子體發(fā)生器580之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,控制等離子體發(fā)生器580為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到基底501上。然后,利用排放口 511執(zhí)行排放工藝,以在基底501上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過等離子體發(fā)生器580的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器580的出口向基底501釋放等離子體。因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到基底501上。然后,利用排放口 511執(zhí)行排放工藝,以在基底501上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在基底501上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。然后,利用第一驅(qū)動器551和第二驅(qū)動器552使架臺520和等離子體發(fā)生器580沿X軸方向(即,箭頭M指示的方向)移動。因此,即使基底501和等離子體發(fā)生器580被移動之后,基底501和等離子體發(fā)生器580之間的空間也保持恒定。然后,通過注入部分530的第三注入孔533注入源氣S。在這種情況下,可向基底501和等離子體發(fā)生器580之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,控制等離子體發(fā)生器580為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到基底501上。然后,利用排放口 511執(zhí)行排放工藝,以在基底501上形成源氣S的單原子層或多原子層。[0190]然后,通過等離子體發(fā)生器580的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器580的出口向第一基底501釋放等離子體。因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到基底501上。然后,利用排放口 511執(zhí)行排放工藝,以在基底501上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在薄膜(S卩,在驅(qū)動第一驅(qū)動器551和第二驅(qū)動器552之前通過利用第一注入孔531和等離子體發(fā)生器580在基底501上形成的源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層)上又形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。然后,通過利用第一驅(qū)動器551和第二驅(qū)動器552使架臺520和等離子體發(fā)生器580沿X軸方向(S卩,箭頭M指示的方向)移動。然后,通過利用第五注入孔535和等離子體發(fā)生器580按照與利用第一注入孔531和等離子體發(fā)生器580形成前面的薄膜的方式相同的方式在基底501上另外地形成薄膜。因此,能夠在室510內(nèi)在基底501上將薄膜形成為期望的厚度。換言之,可根據(jù)薄膜的期望厚度來控制架臺520和等離子體發(fā)生器580的移動。在當(dāng)前的實施例中,通過注入部分530沿與基底501的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,基底501垂直于地面設(shè)置,S卩,沿重力作用的方向設(shè)置。由于經(jīng)注入部分530提供源氣S,所以當(dāng)源氣S被吸附到基底501上時,能夠減少基底501上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的等離子體發(fā)生器180產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到基底501上的量。換言之,吸附到基底501上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余的等離子體的量。通過利用基底501下方的排放口 511執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分530的第一注入孔531注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過等離子體發(fā)生器580注入反應(yīng)氣體,然后在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,等離子體發(fā)生器580設(shè)置成面向基底501。等離子體發(fā)生器580與經(jīng)其注入源氣S的注入部分530分開設(shè)置。因此,可單獨地執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,由于等離子體發(fā)生器580和基底501相互分開設(shè)置并且通過注入部分530經(jīng)它們之間的空間注入源氣S,所以可使用等離子體發(fā)生器580作為阻擋不期望的雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,等離子體發(fā)生器580可形成為具有與基底501相同的尺寸或比基底501大。例如,當(dāng)通過第三注入孔533注入源氣S時,通過第一注入孔531注入的源氣S與基底501反應(yīng)時產(chǎn)生并吸附到基底501上的多余雜質(zhì)氣體經(jīng)排放口 511可能沒有被完全排出。在這種情況下,利用經(jīng)第三注入孔533注入的源氣S的工藝可能會受到多余雜質(zhì)氣體的影響,從而劣化將形成在基底501上的薄膜的特性。然而,根據(jù)當(dāng)前的實施例,經(jīng)第三注入孔533向基底501和等離子體發(fā)生器580之間的空間注入源氣S。因此,等離子體發(fā)生器580可防止或阻擋源氣S與這種多余的雜質(zhì)氣體混合。因此,可極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。而且,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到基底501上且不使用吹掃工藝,所以可排除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在基底501上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的一致性的薄膜。另外,在當(dāng)前的實施例中,在利用第一驅(qū)動器551和第二驅(qū)動器552使架臺520和等離子體發(fā)生器580移動的同時,執(zhí)行沉積工藝。另外,利用第一注入孔531、第三注入孔
533、第五注入孔535和等離子體發(fā)生器580順序執(zhí)行多個沉積工藝。因此,能夠極大地減少將薄膜形成為期望的厚度所需的時間量,從而提高沉積工藝的效率。圖9是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置600的示意性剖視圖。參照圖9,氣相沉積裝置600包括室610、架臺620、注入部分630、掩模640、第一驅(qū)動器651、第二驅(qū)動器652和等離子體發(fā)生器680。室610包括位于其底部的排放口 611。排放口 611是經(jīng)其排放氣體的出口,并且可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,但是使用泵來控制施加到室610的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室610的內(nèi)部或外部,以加熱室610的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺620設(shè)置在室610內(nèi)。架臺620包括安裝表面621。安裝表面621設(shè)置成與重力作用的方向平行。即,安裝表面621垂直于地面。為此,架臺620垂直于地面設(shè)置?;?01設(shè)置在架臺620上。具體地講,基底601安裝在架臺620的安裝表面621上??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的基底601固定到安裝表面621上。可使用例如夾具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。掩模640設(shè)置在基底601上。掩模640包括以適合圖案(例如,預(yù)定圖案)形成的孔(未示出)。每個孔具有與將形成在基底601上的薄膜的圖案中的對應(yīng)圖案對應(yīng)的形狀。等離子體發(fā)生器680設(shè)置成面向基底601。具體地講,基底601和等離子體發(fā)生器680設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。等離子體發(fā)生器680可平行于基底601設(shè)置。另外,等離子體發(fā)生器680可具有與基底601的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于基底601,或者可比基底601大。等離子體發(fā)生器680的形狀不受限制。換言之,等離子體發(fā)生器680可具有各種形狀的任意形狀,只要等離子體發(fā)生器680可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體并向基底601釋放等離子體。等離子體發(fā)生器680的結(jié)構(gòu)與前面的實施例中的結(jié)構(gòu)相同,因此這里不對其進行詳細描述。第一驅(qū)動器651和第二驅(qū)動器652連接到架臺620和等離子體發(fā)生器680。具體地講,第一驅(qū)動器651連接到架臺620,第二驅(qū)動器652連接到等離子體發(fā)生器680。圖9示出了兩個分開的驅(qū)動器,即,第一驅(qū)動器651和第二驅(qū)動器652,但是本實用新型的方面不限于此。換言之,可使用一個驅(qū)動器并發(fā)地或同時地移動架臺620和等離子體發(fā)生器680。參照圖9,第一驅(qū)動器651使架臺620沿箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第一驅(qū)動器651使架臺620沿X軸方向移動。因此,基底601可沿與基底601的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。第二驅(qū)動器652使等離子體發(fā)生器680沿箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第二驅(qū)動器652使等離子體發(fā)生器680沿X軸方向移動。因此,等離子體發(fā)生器680可沿與基底601的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。在這種情況下,控制第一驅(qū)動器651和第二驅(qū)動器652以保持基底601和等離子體發(fā)生器680之間的空間恒定。注入部分630連接到室610。經(jīng)注入部分630向基底601注入至少一種氣體。具體地講,注入部分630包括第一注入孔631、第二注入孔632、第三注入孔633、第四注入孔634、第五注入孔635和第六注入孔636。沿基底601移動的方向布置第一注入孔631至第六注入孔636。換言之,將第一注入孔631至第六注入孔636設(shè)置成沿X軸方向彼此分開。第一注入孔631至第六注入孔636的形狀不受限制。例如,它們可均為與基底601的寬度對應(yīng)的點或線的形式。具體地講,通過第一注入孔631至第六注入孔636沿與基底601的平坦表面平行的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔631至第六注入孔636沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。具體地講,通過第一注入孔631、第三注入孔633和第五注入孔635順序地或并發(fā)地或同時地注入源氣S。由于經(jīng)等離子體發(fā)生器680注入等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可不需要形成第二注入孔632、第四注入孔634和第六注入孔636。然而,本實用新型的方面不限于此,并且可通過第二注入孔632、第四注入孔634和第六注入孔636注入反應(yīng)氣體,而不是通過等離子體發(fā)生器680的供應(yīng)部分(未示出)注入反應(yīng)氣體。即,反應(yīng)氣體可通過第二注入孔632、第四注入孔634和第六注入孔636注入,在等離子體發(fā)生器680內(nèi)可變成等離子體的形式,然后可向基底601注入。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置600的操作。將基底601安裝在架臺620的安裝表面621上。在基底601上設(shè)置具有與將形成在基底601上的薄膜的圖案對應(yīng)的孔的掩模640。然后,通過注入部分630的第一注入孔631注入源氣S。在這種情況下,可向基底601和等離子體發(fā)生器680之間的空間注入源氣S。在正注入源氣S時,控制等離子體發(fā)生器680為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到基底601上。具體地講,源氣S被吸附到基底601上的與孔對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放口 611執(zhí)行排放工藝,以在基底601上形成源氣S的單原子層或
多原子層。然后,通過等離子體發(fā)生器680的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間中產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器680的出口向基底601釋放等離子體。反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到基底601的與孔對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放孔611執(zhí)行排放工藝,以在基底601上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在基底601上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。然后,利用第一驅(qū)動器651和第二驅(qū)動器652使架臺620和等離子體發(fā)生器680沿X軸方向(即,箭頭M指示的方向)移動。因此,即使在基底601和等離子體發(fā)生器680被移動之后,基底601和等離子體發(fā)生器680之間的空間也保持恒定。然后,通過注入部分630的第三注入孔633注入源氣S。在這種情況下,可向基底601和等離子體發(fā)生器680之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,控制等離子體發(fā)生器680為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到基底601上。然后,利用排放口 611執(zhí)行排放工藝,以在基底601上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過等離子體發(fā)生器680的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器680的出口向第一基底601釋放等離子體。因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到基底601上。然后,利用排放口 611執(zhí)行排放工藝,以在基底601上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在薄膜(S卩,在驅(qū)動第一驅(qū)動器651和第二驅(qū)動器652之前通過利用第一注入孔631和等離子體發(fā)生器680在基底601上形成的源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層)上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。然后,通過利用第一驅(qū)動器651和第二驅(qū)動器652使架臺620和等離子體發(fā)生器680沿X軸方向(S卩,箭頭M指示的方向)移動。然后,通過利用第五注入孔635和等離子體發(fā)生器680按照與利用第一注入孔631和等離子體發(fā)生器680形成前面的薄膜的方式相同的方式在基底601上另外地形成薄膜。因此,能夠在室610內(nèi)在基底601上將薄膜形成為期望的厚度。換言之,可根據(jù)薄膜的期望厚度來控制架臺620和等離子體發(fā)生器680的移動。在當(dāng)前的實施例中,通過注入部分630沿與基底601的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,基底601垂直于地面設(shè)置,S卩,沿重力作用的方向設(shè)置。由于經(jīng)注入部分630提供源氣S,所以當(dāng)源氣S被吸附到基底601上時,能夠減少基底601上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的等離子體發(fā)生器680產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到基底601上的量。換言之,吸附到基底601上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余的等離子體的量。通過利用基底601下方的排放口 611執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分630的第一注入孔631注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過等離子體發(fā)生器680注入反應(yīng)氣體,并且在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,等離子體發(fā)生器680設(shè)置成面向基底601。等離子體發(fā)生器680與經(jīng)其注入源氣S的注入部分630分開設(shè)置。因此,可單獨地執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,由于等離子體發(fā)生器680和基底601相互分開設(shè)置并且通過注入部分630經(jīng)它們之間的空間注入源氣S,所以可使用等離子體發(fā)生器680作為阻擋不期望的雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,等離子體發(fā)生器680可形成為具有與基底601相同的尺寸或比基底601大。例如,當(dāng)通過第三注入孔633注入源氣S時,通過第一注入孔631注入的源氣S與基底601反應(yīng)時產(chǎn)生并吸附到基底601上的多余雜質(zhì)氣體經(jīng)排放口 611可能沒有被完全排出。在這種情況下,利用經(jīng)第三注入孔633注入的源氣S的工藝可能會受到多余雜質(zhì)氣體的影響,從而劣化將形成在基底601上的薄膜的特性。然而,根據(jù)當(dāng)前的實施例,經(jīng)第三注入孔633向基底601和等離子體發(fā)生器680之間的空間注入源氣S。因此,等離子體發(fā)生器680可防止或阻擋源氣S與這種多余的雜質(zhì)氣體混合。因此,可極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。而且,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到基底601上且不使用吹掃工藝,所以可排除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在基底601上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的均勻特性的薄膜。另外,在當(dāng)前的實施例中,在利用第一驅(qū)動器651和第二驅(qū)動器652使架臺620和等離子體發(fā)生器680移動的同時執(zhí)行沉積工藝。另外,另外,利用第一注入孔631、第三注入孔633、第五注入孔635和等離子體發(fā)生器680順序執(zhí)行多個沉積工藝。因此,能夠極大地減少將薄膜形成為期望的厚度所需的時間量,從而提高沉積工藝的效率。另外,在當(dāng)前的實施例中,掩模640設(shè)置在基底601上,從而有助于在基底601上形成薄膜的圖案。圖10是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置700的示意性剖視圖。參照圖10,氣相沉積裝置700包括室710、架臺720、注入部分730、第一驅(qū)動器751、第二驅(qū)動器752、第三驅(qū)動器753、第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782。室710包括位于其底部上的排放口 711。排放口 711是經(jīng)其排放氣體的出口,并且可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,但是使用泵來控制施加到室710的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室710的內(nèi)部或外部,以加熱室710的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺720包括第一安裝表面721和第二安裝表面722。第一安裝表面721和第二安裝表面722設(shè)置成與重力作用的方向平行。換言之,第一安裝表面721和第二安裝表面722垂直于地面設(shè)置。為此,架臺720垂直于地面設(shè)置。第一基底701和第二基底702設(shè)置在架臺720上。具體地講,第一基底701和第二基底702分別安裝在架臺720的第一安裝表面721和第二安裝表面722上。第一安裝表面721和第二安裝表面722被設(shè)置成相互平行??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的第一基底701和第二基底702分別固定到第一安裝表面721和第二安裝表面722上。可使用例如夾具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。第一基底701和第一等離子體發(fā)生器781設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間,第二基底702和第二等離子體發(fā)生器782設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782可分別平行于第一基底701和第二基底702設(shè)置。另外,第一等離子體發(fā)生器781可具有與第一基底701的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第一基底701,或者可比第一基底701大。第二等離子體發(fā)生器782可具有與第二基底702的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第二基底702,或者可比第二基底702大。第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782的形狀不受限制。換言之,第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782可具有各種形狀中的任意形狀,只要它們可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體,然后分別向第一基底701和第二基底702釋放等離子體。第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782為如先前的實施例所
22述,因此這里不對其進行詳細描述。第一驅(qū)動器751至第三驅(qū)動器753分別連接到架臺720、第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782。具體地講,第一驅(qū)動器751連接到架臺720,第二驅(qū)動器752連接到第一等離子體發(fā)生器781,第三驅(qū)動器753連接到第二等離子體發(fā)生器782。圖10示出了三個分開的驅(qū)動器,即,第一驅(qū)動器751至第三驅(qū)動器753,但是本實用新型的方面不限于此。換言之,可使用一個驅(qū)動器并發(fā)地或同時地移動架臺720、第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782。參照圖10,第一驅(qū)動器751使架臺720沿由箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第一驅(qū)動器751使架臺720沿X軸方向移動。因此,第一基底701和第二基底702可沿與第一基底701和第二基底702的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。第二驅(qū)動器752和第三驅(qū)動器753分別使第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782沿箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第二驅(qū)動器752和第三驅(qū)動器753分別使第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782沿X軸方向移動。因此,第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782可分別沿與第一基底701和第二基底702的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。在這種情況下,控制第一驅(qū)動器751至第三驅(qū)動器753以保持第一基底701與第一等離子體發(fā)生器781之間以及第二基底702與第二等離子體發(fā)生器782之間的空間恒定。注入部分730連接到室710。經(jīng)注入部分730向第一基底701和第二基底702注入至少一種氣體。具體地講,注入部分730包括第一注入孔731、第二注入孔732、第三注入孔733、第四注入孔734、第五注入孔735和第六注入孔736。沿第一基底701和第二基底702移動的方向布置第一注入孔731至第六注入孔736。換言之,將第一注入孔731至第六注入孔736設(shè)置成沿X軸方向彼此分開。第一注入孔731至第六注入孔736的形狀不受限制。例如,它們可均為與第一基底701和第二基底702中的每個基底的寬度對應(yīng)的點或線的形式。具體地講,通過第一注入孔731至第六注入孔736沿與第一基底701和第二基底702的平坦表面平行的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔731至第六注入孔736沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。 通過第一注入孔731、第三注入孔733和第五注入孔735順序地或并發(fā)地或同時地注入源氣S。由于經(jīng)第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782注入等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可不需要形成第二注入孔732、第四注入孔734和第六注入孔736。然而,本實用新型的方面不限于此,并且可通過第二注入孔732、第四注入孔734和第六注入孔736注入反應(yīng)氣體,而不是通過第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782的供應(yīng)部分(未示出)注入反應(yīng)氣體。即,反應(yīng)氣體可通過第二注入孔732、第四注入孔734和第六注入孔736注入,可在第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782內(nèi)變成等離子體的形式,然后可向第一基底701和第二基底702注入。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置700的操作。將第一基底701和第二基底702安裝在架臺720的第一安裝表面721和第二安裝表面722上。然后,通過注入部分730的第一注入孔731注入源氣S。在這種情況下,可向第一基底701和第一等離子體發(fā)生器781之間的空間以及第二基底702和第二等離子體發(fā)生器782之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,將第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782控制為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到第一基底701和第二基底702上。然后,利用排放口 711執(zhí)行排放工藝,以在第一基底701和第二基底702上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器781和782的出口向第一基底701和第二基底702釋放等離子體。因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到第一基底701和第二基底702上。然后,利用排放口 711執(zhí)行排放工藝,以在第一基底701和第二基底702上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在第一基底701和第二基底702上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多
原子層。然后,利用第一驅(qū)動器751至第三驅(qū)動器753使架臺720及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782沿X軸方向(即,箭頭M指示的方向)移動。因此,即使在架臺720及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782移動之后,也能保持第一基底701和第一等離子體發(fā)生器781之間的空間以及第二基底702和第二等離子體發(fā)生器782之間的空間恒定。然后,通過注入部分730的第三注入孔733注入源氣S。在這種情況下,可向第一基底701和第一等離子體發(fā)生器781之間的空間以及第二基底702和第二等離子體發(fā)生器782之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,將第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782控制成非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到第一基底701和第二基底702上。然后,利用排放口 711執(zhí)行排放工藝,以在第一基底701和第二基底702上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間中產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器781和782的出口向第一基底701和第二基底702釋放等離子體。因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到第一基底701和第二基底702上。然后,利用排放口 711執(zhí)行排放工藝,以在第一基底701和第二基底702上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在薄膜(B卩,在驅(qū)動第一驅(qū)動器751至第三驅(qū)動器753之前通過利用第一注入孔731及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782在第一基底701和第二基底702上形成的源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層)上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。然后,通過利用第一驅(qū)動器751至第三驅(qū)動器753使架臺720及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782沿X軸方向(即,箭頭M指示的方向)移動。[0275]然后,通過利用第五注入孔735及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782按照與利用第一注入孔731及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782形成前面的薄膜的方式相同的方式在第一基底701和第二基底702上另外地形成薄膜。因此,能夠在室710內(nèi)在第一基底701和第二基底702上將薄膜形成為期望的厚度。換言之,可根據(jù)薄膜的期望厚度來控制架臺720及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782的移動。在當(dāng)前的實施例中,通過注入部分730沿與第一基底701和第二基底702的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,第一基底701和第二基底702垂直于地面設(shè)置,S卩,沿重力作用的方向設(shè)置。因此,當(dāng)經(jīng)注入部分730提供源氣S且源氣S被吸附到第一基底701和第二基底702上時,能夠減少當(dāng)源氣S被吸附到第一基底701和第二基底702上時第一基底701和第二基底702上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到第一基底701和第二基底702上的量。換言之,吸附到第一基底701和第二基底702上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余的等離子體的量。通過利用第一基底701和第二基底702下方的排放口 711執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分730的第一注入孔731注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782注入反應(yīng)氣體,然后在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782設(shè)置成分別面向第一基底701和第二基底702。第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782與經(jīng)其注入源氣S的注入部分730分開設(shè)置。因此,可單獨地執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782與第一基底701和第二基底702相互分開設(shè)置,并且通過注入部分730經(jīng)第一等離子體發(fā)生器781與第一基底701之間的空間以及第二等離子體發(fā)生器782與第二基底702之間的空間注入源氣S。因此,第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782可被用作阻擋不期望的雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782可形成為具有與第一基底701和第二基底702的尺寸相同的尺寸或比第一基底701和第二基底702大。例如,當(dāng)通過第三注入孔733注入源氣S時,通過第一注入孔731注入的源氣S與第一基底701和第二基底702反應(yīng)時產(chǎn)生并吸附到第一基底701和第二基底702上的多余雜質(zhì)氣體經(jīng)排放口 711可能沒有被完全排出。在這種情況下,利用經(jīng)第三注入孔733注入的源氣S的工藝可能會受到多余雜質(zhì)氣體的影響,從而劣化將形成在第一基底701和第二基底702上的薄膜的特性。然而,根據(jù)當(dāng)前的實施例,經(jīng)第三注入孔733向第一基底701和第一等離子體發(fā)生器781之間的空間以及第二基底702和第二等離子體發(fā)生器782之間的空間注入源氣S。因此,第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782可防止或阻擋源氣S與這種多余的雜質(zhì)氣體混合。因此,可極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。而且,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到第一基底701和第二基底702上且不使用吹掃工藝,所以可排除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在第一基底701和第二基底702上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的均勻特性的薄膜。另外,在當(dāng)前的實施例中,在利用第一驅(qū)動器751至第三驅(qū)動器753使架臺720及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782移動的同時,執(zhí)行沉積工藝。另外,利用第一注入孔731、第三注入孔733、第五注入孔735及第一等離子體發(fā)生器781和第二等離子體發(fā)生器782順序執(zhí)行多個沉積工藝。因此,能夠極大地減少將薄膜形成為期望的厚度所需的時間量,從而提高沉積工藝的效率。另外,在當(dāng)前實施例中,第一安裝表面721和第二安裝表面722分別形成在架臺720的兩個表面上,并且第一基底701和第二基底702并發(fā)或同時安裝在架臺720上。因此,可以提高沉積工藝的效率。此外,由于第一基底701和第二基底702設(shè)置在架臺720的兩個表面上且相互平行,所以第一基底701和第二基底702的將形成有薄膜的表面不設(shè)置成彼此面向。因此,對第一基底701執(zhí)行的沉積工藝和對第二基底702執(zhí)行的沉積工藝彼此不影響。因此,能夠在第一基底701和第二基底702上均形成具有一致性和改善特性的薄膜。圖11是根據(jù)本實用新型另一實施例的氣相沉積裝置800的示意性剖視圖。參照圖11,氣相沉積裝置800包括室810、架臺820、注入部分830、第一掩模841、第二掩模842、第一驅(qū)動器851、第二驅(qū)動器852、第三驅(qū)動器853、第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882。室810包括位于其底部上的排放口 811。排放口 811是氣體經(jīng)其被排放的出口,并可連接到泵(未示出)以有助于排放氣體。盡管未示出,但是使用泵來控制施加到室810的壓力,從而使壓力保持恒定。加熱單元(未示出)可設(shè)置在室810的內(nèi)部或外部,以加熱室810的內(nèi)部,從而提高沉積工藝的效率。架臺820包括第一安裝表面821和第二安裝表面822。第一安裝表面821和第二安裝表面822設(shè)置成與重力作用的方向平行。換言之,第一安裝表面821和第二安裝表面822垂直于地面設(shè)置。為此,架臺820垂直于地面設(shè)置。第一基底801和第二基底802設(shè)置在架臺820上。具體地講,第一基底801和第二基底802分別安裝在架臺820的第一安裝表面821和第二安裝表面822上。第一安裝表面821和第二安裝表面822被設(shè)置成相互平行??墒褂霉潭▎卧?未示出)將安裝的第一基底801和第二基底802分別固定到第一安裝表面821和第二安裝表面822上??墒褂美鐘A具、加壓構(gòu)件和粘附材料的各種構(gòu)件中的任意構(gòu)件作為固定單元。第一基底801和第一等離子體發(fā)生器881設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間,第二基底802和第二等離子體發(fā)生器882設(shè)置成彼此分開以在它們之間形成空間。第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882可分別平行于第一基底801和第二基底802設(shè)置。另外,第一等離子體發(fā)生器881可具有與第一基底801的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第一基底801,或者可比第一基底801大,第二等離子體發(fā)生器882可具有與第二基底802的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于第二基底802,或者可比第二基底802大 。[0292]第一掩模841和第二掩模842設(shè)置在第一基底801和第二基底802上。具體地講,第一掩模841和第二掩模842可分別設(shè)置在第一基底801和第二基底802上。盡管未示出,第一掩模841和第二掩模842中的每個掩模包括如前面實施例中的孔。每個孔具有與將形成在第一基底801和第二基底802中的每個基底上的薄膜的圖案中的對應(yīng)圖案對應(yīng)的形狀。第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882的形狀不受限制。換言之,第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882可具有各種形狀中的任意形狀,只要它們可容納反應(yīng)氣體,由反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體,并且分別向第一基底801和第二基底802釋放等離子體。第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882為如先前的實施例所述,因此這里不對其進行詳細描述。 第一驅(qū)動器851至第三驅(qū)動器853分別連接到架臺820及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882。具體地講,第一驅(qū)動器851連接到架臺820,第二驅(qū)動器852連接到第一等離子體發(fā)生器881,第三驅(qū)動器853連接到第二等離子體發(fā)生器882。圖11示出了三個分開的驅(qū)動器,S卩,第一驅(qū)動器851至第三驅(qū)動器853,但是本實用新型的方面不限于此。換言之,可使用一個驅(qū)動器并發(fā)地或同時地移動架臺820及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882。參照圖11,第一驅(qū)動器851使架臺820沿由箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第一驅(qū)動器851使架臺820沿X軸方向移動。因此,第一基底801和第二基底802可沿與第一基底801和第二基底802的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。第二驅(qū)動器852和第三驅(qū)動器853分別使第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882沿箭頭M指示的方向或與上述方向相反的方向移動。換言之,第二驅(qū)動器852和第三驅(qū)動器853分別使第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882沿X軸方向移動。因此,第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882可沿與第一基底801和第二基底802的將形成有薄膜的表面垂直的方向移動。在這種情況下,控制第一驅(qū)動器851至第三驅(qū)動器853以保持第一基底801與第一等離子體發(fā)生器881之間的空間以及第二基底802與第二等離子體發(fā)生器882之間的空間恒定。注入部分830連接到室810。經(jīng)注入部分830向第一基底801和第二基底802注入至少一種氣體。具體地講,注入部分830包括第一注入孔831、第二注入孔832、第三注入孔833、第四注入孔834、第五注入孔835和第六注入孔836。沿第一基底801和第二基底802移動的方向布置第一注入孔831至第六注入孔836。換言之,將第一注入孔831至第六注入孔836設(shè)置成沿X軸方向彼此分開。第一注入孔831至第六注入孔836的形狀不受限制。例如,它們可均為與第一基底801和第二基底802中的每個基底的寬度對應(yīng)的點或線的形式。通過第一注入孔831至第六注入孔836沿與第一基底801和第二基底802的平坦表面平行的方向注入氣體。換言之,通過第一注入孔831至第六注入孔836沿與重力作用的方向平行的方向注入氣體。具體地講,通過第一注入孔831、第三注入孔833和第五注入孔835順序地或并發(fā)地或同時地注入源氣S。由于經(jīng)第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882注入等離子體狀態(tài)的反應(yīng)氣體,所以可不需要形成第二注入孔832、第四注入孔834和第六注入孔836。然而,本實用新型的方面不限于此,并且可通過第二注入孔832、第四注入孔834和第六注入孔836注入反應(yīng)氣體,而不是通過第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882的供應(yīng)部分(未示出)注入反應(yīng)氣體。即,反應(yīng)氣體可通過第二注入孔832、第四注入孔834和第六注入孔836注入,可在第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882內(nèi)變成等離子體的形式,然后可向第一基底801和第二基底802注入。下面簡要描述根據(jù)當(dāng)前實施例的氣相沉積裝置800的操作。分別將第一基底801和第二基底802安裝在架臺820的第一安裝表面821和第二安裝表面822上。在第一基底801上設(shè)置第一掩模841,第一掩模841包括與將沉積在第一基底801上的薄膜的圖案對應(yīng)的孔(未示出)。在第二基底802上設(shè)置第二掩模842,第二掩模842包括與將沉積在第二基底802上的薄膜的圖案對應(yīng)的孔(未示出)。然后,通過注入部分830的第一注入孔831注入源氣S。在這種情況下,可向第一基底801和第一等離子體發(fā)生器881之間的空間以及第二基底802和第二等離子體發(fā)生器882之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,控制第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882為非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到第一基底801和第二基底802上。具體地講,源氣S被吸附到第一基底801和第二基底802上的與孔對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放口 811執(zhí)行排放工藝, 以在第一基底801和第二基底802上形成源氣S的單原子層或多原子層。然后,通過第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間內(nèi)產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器881和882的出口向第一基底801和第二基底802釋放等離子體。因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到第一基底801和第二基底802上的與孔對應(yīng)的區(qū)域上。然后,利用排放口 811執(zhí)行排放工藝,以在第一基底801和第二基底802上的與孔對應(yīng)的區(qū)域上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在第一基底801和第二基底802的與孔對應(yīng)的區(qū)域上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。然后,利用第一驅(qū)動器851至第三驅(qū)動器853使架臺820及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882沿X軸方向(即,箭頭M指示的方向)移動。因此,即使在架臺820及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882移動之后,也能保持第一基底801和第一等離子體發(fā)生器881之間的空間以及第二基底802和第二等離子體發(fā)生器882之間的空間恒定。然后,通過注入部分830的第三注入孔833注入源氣S。在這種情況下,可向第一基底801和第一等離子體發(fā)生器881之間的空間以及第二基底802和第二等離子體發(fā)生器882之間的空間注入源氣S。當(dāng)正注入源氣S時,將第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882控制成非工作狀態(tài)。源氣S被吸附到第一基底801和第二基底802上。然后,利用排放口 811執(zhí)行排放工藝,以在第一基底801和第二基底802上形成源氣S的單原子層或多原子層。[0315]然后,通過第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882的供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體。當(dāng)注入反應(yīng)氣體時,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間的空間中產(chǎn)生等離子體。經(jīng)等離子體發(fā)生器881和882的出口向第一基底801和第二基底802釋放等離子體。 因此,反應(yīng)氣體的等離子體被吸附到第一基底801和第二基底802上。然后,利用排放口 811執(zhí)行排放工藝,以在第一基底801和第二基底802上形成反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。因此,在薄膜(S卩,在驅(qū)動第一驅(qū)動器851至第三驅(qū)動器853之前通過利用第一注入孔831及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882在第一基底801和第二基底802上形成的源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層)上形成源氣S和反應(yīng)氣體的單原子層或多原子層。然后,通過利用第一驅(qū)動器851至第三驅(qū)動器853使架臺820及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882沿X軸方向(即,箭頭M指示的方向)移動。然后,通過利用第五注入孔835及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882按照與利用第一注入孔831及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882形成前面的薄膜的方式相同的方式在第一基底801和第二基底802上另外地形成薄膜。因此,能夠在室810內(nèi)在第一基底801和第二基底802上將薄膜形成為期望的厚度。換言之,可根據(jù)薄膜的期望厚度來控制架臺820及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882的移動。在當(dāng)前的實施例中,通過注入部分830沿與第一基底801和第二基底802的上表面平行的方向注入源氣S。具體地講,第一基底801和第二基底802垂直于地面設(shè)置,即,沿重力作用的方向設(shè)置。因此,當(dāng)經(jīng)注入部分830提供源氣S且源氣S被吸附到第一基底801和第二基底802上時,能夠減少當(dāng)源氣S被吸附到第一基底801和第二基底802上時第一基底801和第二基底802上的不必要的吸附量。同樣,能夠減少豎直的第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882產(chǎn)生的等離子體中被不必要地吸附到第一基底801和第二基底802上的量。換言之,吸附到第一基底801和第二基底802上的多余組分的量或所述組分的不均勻塊由于重力而下落,從而減少了多余源氣S和多余的等離子體的量。通過利用第一基底801和第二基底802下方的排放口 811執(zhí)行排放工藝,可容易地去除這樣的多余組分。因此,通過注入部分830的第一注入孔831注入源氣S,在不利用另外的吹掃氣體執(zhí)行吹掃工藝的情況下執(zhí)行排放工藝,通過第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882注入反應(yīng)氣體,然后在不執(zhí)行吹掃工藝的情況下再次執(zhí)行排放工藝,從而完成沉積工藝。具體地講,在當(dāng)前實施例中,第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882設(shè)置成分別面向第一基底801和第二基底802。第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882與經(jīng)其注入源氣S的注入部分830分開設(shè)置。因此,可單獨地執(zhí)行使用源氣S的工藝和使用反應(yīng)氣體的工藝,從而容易形成不含雜質(zhì)的薄膜。另外,第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882與第一基底801和第二基底802相互分開設(shè)置,并且通過注入部分830經(jīng)第一等離子體發(fā)生器881與第一基底801之間的空間以及第二等離子體發(fā)生器882與第二基底802之間的空間注入源氣S。因此,第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882可被用作阻擋不期望的雜質(zhì)的引導(dǎo)構(gòu)件。為此,第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882可形成為具有與第一基底801和第二基底802的尺寸相同的尺寸或者可形成為比第一基底801和第二基底802大。例如,當(dāng)通過第三注入孔833注入源氣S時,通過第一注入孔831注入的源氣S與第一基底801和第二基底802反應(yīng)時產(chǎn)生并吸附到第一基底801和第二基底802上的多余雜質(zhì)氣體經(jīng)排放口 811可能沒有被完全排出。在這種情況下,利用經(jīng)第三注入孔833注入的源氣S的工藝可能會受到多余雜質(zhì)氣體的影響,從而劣化將形成在第一基底801和第二基底802上的薄膜的特性。然而,根據(jù)當(dāng)前的實施例,經(jīng)第三注入孔833向第一基底801和第一等離子體發(fā)生器881之間以及第二基底802和第二等離子體發(fā)生器882之間的空間注入源氣S。因此,第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882可防止或阻擋源氣S與這 種多余的雜質(zhì)氣體混合。因此,可極大地提高用于形成期望的薄膜的沉積工藝的效率。而且,由于可容易地防止或阻擋不期望的組分被吸附到第一基底801和第二基底802上且不使用吹掃工藝,所以可排除使用吹掃氣體時產(chǎn)生的吹掃氣體雜質(zhì)與期望的薄膜一起沉積在第一基底801和第二基底802上的可能性。因此,能夠形成具有物理性能和化學(xué)性能都得以提高的一致特性的薄膜。另外,在當(dāng)前的實施例中,在利用第一驅(qū)動器851至第三驅(qū)動器853使架臺820及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882移動的同時,執(zhí)行沉積工藝。另外,利用第一注入孔831、第三注入孔833、第五注入孔835及第一等離子體發(fā)生器881和第二等離子體發(fā)生器882順序執(zhí)行多個沉積工藝。因此,能夠極大地減少將薄膜形成為期望的厚度所需的時間量,從而提高沉積工藝的效率。另外,在當(dāng)前實施例中,第一安裝表面821和第二安裝表面822分別形成在架臺820的兩個表面上,并且第一基底801和第二基底802并發(fā)或同時安裝在架臺820上。因此,可以提高沉積工藝的效率。此外,由于第一基底801和第二基底802設(shè)置在架臺820的兩個表面上而相互平行,所以第一基底801和第二基底802的將形成有薄膜的表面不設(shè)置成彼此面向。因此,對第一基底801執(zhí)行的沉積工藝和對第二基底802執(zhí)行的沉積工藝彼此不影響。因此,能夠在第一基底801和第二基底802上形成具有均勻的和改善的特性的薄膜。另外,在當(dāng)前的實施例中,第一掩模841和第二掩模842設(shè)置在第一基底801和第二基底802上,以有助于在第一基底801和第二基底802上形成薄膜的圖案。圖12是根據(jù)本實用新型實施例的基于制造有機發(fā)光顯示裝置的方法制造的有機發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖。具體地講,圖12示出了利用根據(jù)上面描述的本實用新型的多個實施例的氣相沉積裝置100至800中的一個氣相沉積裝置制造的有機發(fā)光顯示裝置。參照圖12,有機發(fā)光顯示裝置10形成在基底30上。基底30可由例如玻璃、塑料或金屬形成。在基底30上,形成緩沖層31以在基底30上提供平坦化的表面并保護基底30免于濕氣或外來物質(zhì)的影響。薄膜晶體管(TFT) 40、電容器50和有機發(fā)光器件(OLED) 60設(shè)置在緩沖層31上。TFT 40包括有源層41、柵極42和源/漏極43。OLED 60包括第一電極61、第二電極62和中間層63。[0332]具體地講,有源層41形成為在緩沖層31上具有適合圖案(例如,預(yù)定圖案)。有源層41可包括p型或n型半導(dǎo)體材料。柵極絕緣層32形成在有源層41上。柵極42形成在柵極絕緣層32的與有源層41對應(yīng)的區(qū)域上。層間絕緣層33形成為覆蓋柵極42,源/漏極43設(shè)置在層間絕緣層33上并接觸有源層41的適當(dāng)區(qū)域(例如,預(yù)定區(qū)域)。鈍化層34形成為覆蓋源/漏極43,并且另外的絕緣層(未示出)可形成在鈍化層34上以使鈍化層34平坦化。第一電極61形成在鈍化層34上。第一電極61電連接至漏極43。像素限定層35形成為覆蓋第一電極61。開口 64形成在像素限定層35內(nèi),包括有機發(fā)射層(未示出)的中間層63形成在由開口 64限定的區(qū)域中。第二電極62形成在中間層63上。包封層70形成在第二電極62上。包封層70可含有有機或無機材料,并且可具有有機層和無機層交替堆疊的結(jié)構(gòu)。可利用氣相沉積裝置100至800中的一個來形成包封層70。換言之,可通過將形成有第二電極20的基底30移動到室(未示出)內(nèi),然后對基底30執(zhí)行如上所述的氣相沉積工藝來形成包封層70。然而,本實用新型的方面不限于此。例如,可通過利用根據(jù)本實用新型實施例的氣相沉積裝置來形成包括在有機發(fā)光顯示裝置10內(nèi)的絕緣層,例如,緩沖層31、柵極絕緣層32、層間絕緣層33、純化層34和像素限定層35。另外,還可以利用根據(jù)本實用新型實施例的氣相沉積裝置來形成各種導(dǎo)電薄膜,例如,有源層41、柵極42、源/漏極43、第一電極61、中間層63和第二電極62。利用根據(jù)本實用新型實施例的氣相沉積裝置和方法以及制造有機發(fā)光顯示裝置的方法,能夠有效地執(zhí)行沉積工藝并容易改善薄膜的特性。盡管已經(jīng)參照本實用新型的示例性實施例具體地示出并描述了本實用新型,但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解的是,在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本實用新型的精 神和范圍的情況下,可以在此做出各種形式和細節(jié)上的修改。
權(quán)利要求1.一種用于在基底上形成薄膜的氣相沉積裝置,其特征在于所述氣相沉積裝置包括 室,具有排放口; 架臺,設(shè)置在室內(nèi),并包括被構(gòu)造成將基底安裝在其上的安裝表面; 注入部分,具有至少一個注入開口,通過所述至少一個注入開口沿與基底的將形成有薄膜的表面平行的方向注入氣體; 等離子體發(fā)生器,設(shè)置成與基底分開并面向基底。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發(fā)生器包括 供應(yīng)部分,經(jīng)供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體; 第一等離子體電極; 第二等離子體電極,與第一等離子體電極分開; 出口。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣相沉積裝置,其特征在于,在第一等離子體電極和第二等離子體電極之間產(chǎn)生等離子體,并且經(jīng)出口向基底釋放等離子體。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發(fā)生器包括多個模塊,其中,所述多個模塊中的每個模塊包括 供應(yīng)部分,經(jīng)供應(yīng)部分注入反應(yīng)氣體; 第一等離子體電極; 第二等離子體電極,與第一等離子體電極分開; 出口。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發(fā)生器被設(shè)置成與基底平行。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,等離子體發(fā)生器具有與基底的尺寸相同的尺寸以對應(yīng)于基底,或者等離子體發(fā)生器比基底大。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述氣相沉積裝置還包具有孔的掩模,所述掩模將薄膜以期望的圖案沉積在基底上, 其中,掩模設(shè)置在基底上。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,架臺包括多個安裝表面,所述多個基底將被分別設(shè)置在所述多個安裝表面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述多個安裝表面設(shè)置成相互平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述多個安裝表面分別位于架臺的第一表面和架臺的與第一表面相對的第二表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的氣相沉積裝置,其特征在于,多個等離子體發(fā)生器被設(shè)置成與設(shè)置在所述多個安裝表面上的所述多個基底對應(yīng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,所述氣相沉積裝置還包括驅(qū)動架臺和等離子體發(fā)生器的驅(qū)動器,驅(qū)動器被構(gòu)造為使等離子體發(fā)生器和安裝在架臺上的基底在室內(nèi)移動。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅(qū)動器被構(gòu)造成使架臺和等離子體發(fā)生器移動,從而使安裝在架臺上的基底沿與基底的將沉積有薄膜的表面垂直的方向移動。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅(qū)動器被構(gòu)造為做往復(fù)運動。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅(qū)動器被構(gòu)造為使架臺和等離子體發(fā)生器并發(fā)地移動。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的氣相沉積裝置,其特征在于,驅(qū)動器包括 第一驅(qū)動器,使架臺移動; 第二驅(qū)動器,使等離子體發(fā)生器移動。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,安裝表面設(shè)置成與重力作用的方向平行。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分設(shè)置成比架臺遠離地面。
19.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,排放口連接到泵。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分的至少一個注入開口是注入源氣的出口。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分的至少一個注入開口是經(jīng)其將反應(yīng)氣體提供到等離子體發(fā)生器的出口。
22.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,排放口設(shè)置成比基底更靠近地面。
23.根據(jù)權(quán)利要求I所述的氣相沉積裝置,其特征在于,注入部分包括多個注入孔,所述多個注入孔沿與基底的將沉積有薄膜的表面垂直的方向相互分開設(shè)置,從而對基底執(zhí)行若干次沉積工藝。
專利摘要一種用于有效地執(zhí)行沉積工藝以在基底上形成具有改善特性的薄膜的氣相沉積裝置。氣相沉積裝置包括室,包括排放口;架臺,設(shè)置在室內(nèi),并包括將基底設(shè)置在其上的安裝表面;注入部分,包括至少一個注入開口,通過所述至少一個注入開口沿與基底的將形成有薄膜的表面平行的方向注入氣體;等離子體發(fā)生器,設(shè)置成與基底分開并面向基底。
文檔編號C23C16/44GK202808936SQ20122033848
公開日2013年3月20日 申請日期2012年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月13日
發(fā)明者俆祥準(zhǔn), 許明洙, 金勝勛, 金鎮(zhèn)壙, 宋昇勇 申請人:三星顯示有限公司