專利名稱：：氧化物燒結(jié)體及其制造方法、靶、使用該靶得到的透明導(dǎo)電膜以及透明導(dǎo)電性基材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及氧化物燒結(jié)體及其制造方法、靶、使用該靶得到的透明導(dǎo)電膜以及透明導(dǎo)電性基材，更詳細(xì)地，涉及可以實(shí)現(xiàn)高速成膜和無結(jié)節(jié)的濺射用靶或者離子電鍍用片料、用于得到它們的最佳氧化物燒結(jié)體及其制造方法、使用該方法得到的藍(lán)色光吸收少、低電阻的透明導(dǎo)電膜。
背景技術(shù)：
：透明導(dǎo)電膜由于具有高導(dǎo)電性和可見光區(qū)域的高透光率，所以除了被用于太陽能電池、液晶顯示元件和其它各種感光元件的電極等以外，還被用作為汽車窗和建筑用的熱線反射膜、抗靜電膜、冷凍陳列柜等的各種防模糊用的透明發(fā)熱體。在實(shí)際應(yīng)用的透明導(dǎo)電膜中，已知氧化錫(SnO2)類、氧化鋅(ZnO)類、氧化銦(In2O3)類薄膜。在氧化錫類中，已被使用的有含銻作為摻雜劑的薄膜(ATO)和含氟作為摻雜劑的薄膜(FTO)。在氧化鋅類中，已被使用的有含鋁作為摻雜劑的薄膜(AZO)和含鎵作為摻雜劑的薄膜(GZO)。但是，工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的透明導(dǎo)電膜是氧化銦類薄膜。其中含錫作為摻雜物的氧化銦被稱作為ITO(銦錫氧化物)膜，特別由于其易于制得低電阻的膜而一直被廣泛地應(yīng)用。低電阻的透明導(dǎo)電膜適用于太陽能電池、液晶、有機(jī)電致發(fā)光和無機(jī)電致發(fā)光等的表面元件和接觸面板等眾多用途中。作為這些透明導(dǎo)電膜的制造方法，較多采用濺射法和離子電鍍法。特別是濺射法，是低蒸氣壓材料成膜時(shí)以及需要控制精密膜厚時(shí)的有效方法，由于其操作非常簡便，因而在工業(yè)上被廣泛地應(yīng)用。濺射法中采用濺射靶作為薄膜的原料。靶是構(gòu)成所要形成薄膜的含金屬元素的固體，其采用金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物等的燒結(jié)體或者根據(jù)情況采用單晶。在該方法中，通常采用真空裝置，在暫時(shí)形成高真空后，通入氬氣等稀有氣體，在約IOPa以下的氣壓下，以基板為陽極、靶作為陰極，在它們之間引起輝光放電，產(chǎn)生氬等離子體，并使等離子體中的氬陽離子轟擊陰極的靶，使如此被彈出的靶成分的粒子堆積在基板上、形成膜。濺射法以氬等離子體的發(fā)生方法而進(jìn)行分類，采用高頻等離子體的稱作為高頻濺射法，采用直流等離子體的稱作為直流濺射法。通常，直流濺射法由于與高頻濺射法相比成膜速率更快、電源設(shè)備更廉價(jià)、成膜操作更簡便等原因而在工業(yè)上被廣泛地應(yīng)用。但是，相對于采用絕緣性靶也能成膜的高頻濺射法，直流濺射法中必須采用導(dǎo)電性靶。濺射的成膜速率與靶物質(zhì)的化學(xué)鍵有密切的關(guān)系。濺射是利用具有動能的氬陽離子沖擊靶表面，使靶表面物質(zhì)獲取能量而彈出的現(xiàn)象，靶物質(zhì)的離子間的鍵或者原子間的鍵越弱，則由濺射彈出的概率就越高。在通過濺射法形成ITO等氧化物的透明導(dǎo)電膜時(shí)，包括使用作為膜構(gòu)成金屬的合金靶(對于ITO膜的情況為In-Sn合金)，在氬氣和氧氣的混合氣體中通過反應(yīng)性濺射法形成氧化物膜的方法，和使用作為膜構(gòu)成金屬的氧化物燒結(jié)體靶(對于ITO膜的情況為In-Sn-O燒結(jié)體)，在氬氣和氧氣的混合氣體中通過進(jìn)行濺射的反應(yīng)性濺射法形成氧化物膜的方法。其中使用合金靶的方法，濺射中的氧氣供給量很大，而成膜速率和膜的性能(電阻率、透光率)對成膜過程中通入的氧氣量的依賴性極大，因而難以穩(wěn)定地制造具有一定膜厚、性能的透明導(dǎo)電膜。采用氧化物靶的方法，一部分供給膜的氧是通過濺射由靶提供的，剩下的不足的氧量由以氧氣的方式提供，與使用合金靶時(shí)相比，成膜速率和膜的性能(電阻率、透光率)對成膜過程中通入的氧氣量的依賴性較小，能夠更穩(wěn)定地制造具有一定厚度、性能的透明導(dǎo)電膜，因此，工業(yè)上采用的是使用氧化物靶的方法?？紤]到這些
背景技術(shù)：
，通過濺射法進(jìn)行透明導(dǎo)電膜的量產(chǎn)成膜時(shí)，幾乎都是采用使用氧化物靶的直流濺射法。這種情況下，若考慮生產(chǎn)力和制造成本，直流濺射時(shí)的氧化物靶的性質(zhì)變得很重要。也就是，如果輸入相同的功率的情況下，有用的是成膜速度更高的氧化物靶。此外，輸入越高的直流功率，成膜速度越快，因此，在工業(yè)上有用的是下述氧化物靶即使輸入高的直流功率，也不會產(chǎn)生靶的破裂、或者產(chǎn)生結(jié)節(jié)導(dǎo)致飛弧等異常放電，可以穩(wěn)定地成月吳。這里所述的結(jié)節(jié)是指如果繼續(xù)濺射靶，則在靶表面的腐蝕部分中，除去腐蝕最深部的極少一部分，所產(chǎn)生的黑色的析出物(突起物)。一般來說，結(jié)節(jié)不是外來的飛濺物的堆積或表面的反應(yīng)產(chǎn)物，而是濺射挖剩的部分。結(jié)節(jié)成為飛弧等異常放電的原因，減少結(jié)節(jié)可以抑制飛弧(參照非專利文獻(xiàn)I)。因此，適合的是沒有產(chǎn)生結(jié)節(jié)，也就是濺射產(chǎn)生的挖剩部分的氧化物靶。另一方面，離子電鍍法是在10_310_2Pa這樣的壓力下，通過電阻加熱或電子束加熱使金屬或金屬氧化物蒸發(fā)，進(jìn)而將蒸發(fā)物和反應(yīng)氣體(氧氣)一起，通過等離子活化，然后堆積在基板上的方法。形成透明導(dǎo)電膜使用的離子電鍍用靶(也稱作片料(tablet)或粒料(pellet))也和濺射用靶同樣地，使用氧化物片料可以穩(wěn)定地制造一定膜厚、一定性質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。氧化物片料要求均勻地蒸發(fā)，化學(xué)鍵穩(wěn)定且難以蒸發(fā)的物質(zhì)優(yōu)選不和作為主相存在的容易蒸發(fā)的物質(zhì)共存。如上文所述，直流濺射法以及離子電鍍法形成的ITO在工業(yè)上廣泛使用，但是對于近年來明顯進(jìn)步的LED(LightEmittingDiode)以及有機(jī)EL(ElectroLuminescence)來說，還可能需要ITO無法獲得的性質(zhì)。作為其中的一個例子，以藍(lán)色LED為例，波長400nm附近的藍(lán)光的透過性高的透明導(dǎo)電膜，必須要提高光的選取效率。ITO的可視區(qū)域的光吸收具有在越短波長側(cè)越大的趨勢，以紅光、綠光、藍(lán)光的順序，光吸收依次變大。因此，在使用ITO作為藍(lán)色LED透明電極使用時(shí)，光吸收產(chǎn)生損失。為了避免該問題，最近，作為各種發(fā)光設(shè)備的電極提出了可視光、特別是藍(lán)光的吸收少，代替ITO的透明導(dǎo)電膜，該透明導(dǎo)電膜由含有銦和鎵的氧化物膜形成。然而，還未充分開發(fā)出作為靶或片料使用的氧化物燒結(jié)體，因此實(shí)際上無法量產(chǎn)優(yōu)質(zhì)的透明導(dǎo)電膜，無法實(shí)用。關(guān)于藍(lán)光吸收少的透明導(dǎo)電膜，提出了含有摻雜了少量四價(jià)原子這樣的異種摻雜物的鎵銦氧化物(GaInO3)的透明導(dǎo)電性材料(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。其中，記載了該氧化物的結(jié)晶膜透明性優(yōu)異，顯示出約1.6的較低的折射率，除了改善和玻璃基板的折射率匹配以外，還可以獲得和目前使用的寬禁帶半導(dǎo)體相同程度的電傳導(dǎo)率。而且，在綠到藍(lán)的區(qū)域中，顯示出優(yōu)于銦-錫氧化物的透光率，貫穿可視光譜顯示出均勻的少量吸收，或作為該氧化物成膜使用的原料的粒料是以GaIrvxMxO3表示的這種GaInO3型結(jié)構(gòu)的單一相材料。但是，使用GaInO3型結(jié)構(gòu)的單一相材料作為濺射用靶或蒸鍍用粒料時(shí)，該單一相材料具有復(fù)合氧化物特有的穩(wěn)定的化學(xué)鍵，所以濺射效率低，成膜速度為ITO的1/2左右，變得極慢，所以不適合工業(yè)生產(chǎn)。另外，由于濺射效率低，在提高濺射電壓等，選擇提高成膜速度的條件時(shí)，對可抑制成為前述飛弧原因的結(jié)節(jié)產(chǎn)生的氧化物燒結(jié)體的組成、構(gòu)造等的研究還不完全。也就是，成為上述透明導(dǎo)電膜原料的氧化物燒結(jié)體還不能考慮用于工業(yè)實(shí)用上。另外，作為和上述專利文獻(xiàn)I相同的氧化物系透明導(dǎo)電膜和氧化物燒結(jié)體，提出了下述透明導(dǎo)電膜和現(xiàn)有已知的GaInO3的組成范圍極為不同，是與GaInO3和In2O3相比，導(dǎo)電性更好，也就是電阻率更低，而且具有優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì)的透明導(dǎo)電膜，在Ga2O3-1n2O3表不的模擬二兀系統(tǒng)中，含有Ga/(Ga+In)表不的Ga量為1549原子％的透明導(dǎo)電膜(例如，參照專利文獻(xiàn)2)。但是，對成為得到上述透明導(dǎo)電膜的原料的氧化物燒結(jié)體的制造條件幾乎沒有詳細(xì)地記載，透明導(dǎo)電膜的組成可以是非晶質(zhì)、或者由GaIn03、GaIn03和In203、GaIn03和Ga2O3等的混合相形成微晶體，但是對作為原料的氧化物燒結(jié)體沒有記載。因此，和前述內(nèi)容同樣地，對成為原料的氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造沒有確認(rèn)成膜速度以及抑制結(jié)節(jié)等從工業(yè)、實(shí)用的觀點(diǎn)組合出最佳狀態(tài)。此外，作為和上述專利文獻(xiàn)I相同的氧化物系透明導(dǎo)電膜，提出了與現(xiàn)有的ITO膜(由添加了Sn的In2O3構(gòu)成的透明導(dǎo)電膜)相比，電阻率更低且透光率更高，特別是能夠適應(yīng)液晶顯示器(LCD)的大型化、彩色化和高精細(xì)化的透明導(dǎo)電膜(有時(shí)也稱作IGO膜)，該透明導(dǎo)電膜的特征在于通過濺射法等成膜方法形成，由含有I10at%Ga的In2O3構(gòu)成(例如，參照專利文獻(xiàn)3)。該文獻(xiàn)還記載了上述結(jié)構(gòu)的IGO膜與現(xiàn)有的ITO膜相比，電阻率更低，即使在100°C下成膜，電阻率也為IX10_3Qcm以下，而且透光率更高，在可見光區(qū)域?yàn)?5%以上，因此，特別適合作為LCD的透明電極使用，可以滿足今后的LCD的大型化、彩色化、高精細(xì)化等高功能化和品質(zhì)提高的要求。但是，作為用于得到上述透明導(dǎo)電膜的靶只是提示了在In2O3靶上配置Ga基片的復(fù)合靶，或者含有規(guī)定量的Ga的In2O3靶，對氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造等沒有任何的研究，也沒有成膜速度和抑制結(jié)節(jié)等工業(yè)上、實(shí)用上的最佳狀態(tài)的組合。相對于此，本申請人提出了和前述專利文獻(xiàn)相同的氧化物系的透明導(dǎo)電膜、透明導(dǎo)電膜制造用燒結(jié)體靶、透明導(dǎo)電膜基材以及使用該基材的顯示裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)4)。其中，關(guān)于氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造記載了由Ga、In和O構(gòu)成,前述Ga相對全部金屬原子，含有35原子％以上、45原子％以下，主要由β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和方鐵錳礦(bixbyite)型結(jié)構(gòu)的In2O3相構(gòu)成,且In2O3相(400)相對于β-GaInO3相(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為50%以上、110%以下，且密度為5.8g/cm3以上。另外，氧化物燒結(jié)體的導(dǎo)電性是電阻率值為4.OX10_2Ωcm以下，如果超過該值，則即使可以進(jìn)行DC磁控管濺射，也會因?yàn)槌赡に俣鹊拖?，?dǎo)致生產(chǎn)性變差。另外，上述氧化物燒結(jié)體的組成、組織結(jié)構(gòu)主要考慮到對以氧化物燒結(jié)體為原料形成的透明導(dǎo)電膜的電阻率或透光率的影響，在Ga量小于35原子％時(shí)，可見光短波長區(qū)域的透光性低下；如果Ga量超過45原子％，則導(dǎo)電性低下。作為電阻率為1.2Χ10_3Ω^cm以上、8.0Χ10_3Ω.cm以下，雖然小于1.2Χ10_3Ω·cm的區(qū)域是很好的，但是該透明導(dǎo)電膜的組成中Ga量必須小于35原子％。因此，還要從所得的膜的導(dǎo)電性、光學(xué)性質(zhì)的觀點(diǎn)出發(fā)，選擇最佳組成，以氧化物燒結(jié)體的組成、構(gòu)造以及產(chǎn)生結(jié)節(jié)的影響等作為課題進(jìn)行研究?？紤]到以上的這些問題，希望出現(xiàn)下述氧化物燒結(jié)體能夠量產(chǎn)藍(lán)光吸收少、低電阻的含有銦和鎵的透明導(dǎo)電膜，而且能夠解決成膜速度的高速化以及抑制結(jié)節(jié)等重要的實(shí)用課題的含有銦和鎵的氧化物燒結(jié)體。專利文獻(xiàn)1:日本特開平7-182924號公報(bào)專利文獻(xiàn)2日本特開平9-259640號公報(bào)專利文獻(xiàn)3:日本特開平9-50711號公報(bào)專利文獻(xiàn)4:日本特開2005-347215號公報(bào)非專利文獻(xiàn)I透明導(dǎo)電膜的技術(shù)(修訂第2版)”，才一^公司，2006年12月20日發(fā)行，第238-239頁
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供能實(shí)現(xiàn)高速成膜和無結(jié)節(jié)的濺射用靶或離子電鍍用片料，用于得到它們的最佳氧化物燒結(jié)體及其制造方法，使用該氧化物燒結(jié)體得到的藍(lán)光吸收少的低電阻的透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明人對由含有銦和鎵的氧化物形成的氧化物燒結(jié)體的結(jié)構(gòu)相和構(gòu)造對氧化物透明導(dǎo)電膜的成膜速度等制造條件，以及成為形成飛弧的原因的結(jié)節(jié)產(chǎn)生有何種影響，進(jìn)行了詳細(xì)地研究，其中該氧化物透明導(dǎo)電膜通過使用以該氧化物燒結(jié)體為原料的濺射用靶的濺射法或使用離子電鍍用片料的離子電鍍法形成。結(jié)果是，發(fā)現(xiàn)了一種含有銦和鎵的氧化物燒結(jié)體，(I)由固體溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相和由銦和鎵構(gòu)成的P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相，或者由固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相和由鎵和銦構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、(Ga,Ιη)203相構(gòu)成，由GaInO3相或由GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成的晶粒的平均粒徑為5μπι以下；(2)通過使氧化物燒結(jié)體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)，為10原子％以上、小于35原子％，在基板上形成透明導(dǎo)電膜時(shí)，即使增大輸入功率，提高成膜速度，也可以抑制成為飛弧原因的結(jié)節(jié)產(chǎn)生，得到藍(lán)光吸收少、低電阻的透明導(dǎo)電膜；而且還發(fā)現(xiàn)⑶鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為230原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為I11原子％，同樣地可以抑制成為飛弧原因的結(jié)節(jié)的產(chǎn)生，可以得到藍(lán)光吸收少、低電阻的透明導(dǎo)電膜，從而完成本發(fā)明。也就是，根據(jù)本發(fā)明的第I發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，在主結(jié)晶相中，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細(xì)地分散，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)，為10原子％以上、小于35原子％。另外，根據(jù)本發(fā)明的第2發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在第I發(fā)明中，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)，為1025原子％。另外，根據(jù)本發(fā)明的第3發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在第I或第2發(fā)明中，下式定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比為8%58%，I[GaInO3相(111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(111)]}X100[%](式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(111)]表示P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物P-GaInOjg(111)的峰強(qiáng)度)。另外，根據(jù)本發(fā)明的第4發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，在主結(jié)晶相中，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細(xì)地分散，除了銦和鎵以外，進(jìn)一步含有選自錫及/或鍺的的添加成分，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為230原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為I11原子％。此外，根據(jù)本發(fā)明的第5發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在第4發(fā)明中，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為220原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為210原子％。另外，根據(jù)本發(fā)明的第6發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在第4或第5發(fā)明中，下式定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比為4%84%。I[GaInO3相(-111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(-111)]}X100[%](式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(-111)]表示P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物β-GaInO3相(-111)峰強(qiáng)度)。另外，根據(jù)本發(fā)明的第7發(fā)明，提供上述第I6任一項(xiàng)記載的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于該方法是混合含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末后，或者在該原料粉末中添加氧化錫粉末和/或氧化鍺粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法將成形物燒結(jié)，或者通過熱壓法將混合粉末成形、燒結(jié)，來制造第I6任一發(fā)明中的氧化物燒結(jié)體的方法，其中通過使原料粉末的平均粒徑為Iμm以下而形成氧化物燒結(jié)體，該氧化物燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主晶相，在主晶相中，由GaInO3相或由GaInO3相和(Ga，Ιη)203相形成的平均粒徑為5μm以下的晶粒細(xì)微分散。另外，根據(jù)本發(fā)明的第8發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于在第7發(fā)明中，采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在12501450°C下燒結(jié)1030小時(shí)。另外，根據(jù)本發(fā)明的第9發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于在第7發(fā)明中，采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在10001200V下燒結(jié)1030小時(shí)。另外，根據(jù)本發(fā)明的第10發(fā)明，提供一種氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于在第7發(fā)明中，采用熱壓法，在不活潑氣體氣氛或真空中，將混合粉末在2.4529.40MPa的壓力下，在700950°C下、進(jìn)行I10小時(shí)成形、燒結(jié)。此外，根據(jù)本發(fā)明的第11發(fā)明，提供對前述第I6任何一項(xiàng)發(fā)明中的前述氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工而得到的靶。此外，根據(jù)本發(fā)明的第12發(fā)明，提供一種靶，其特征在于該靶是對第8或第10發(fā)明任一方法制造的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工而得到的，氧化物燒結(jié)體的密度為6.3g/cm3以上，該靶在用濺射法形成透明導(dǎo)電膜時(shí)使用。另外，根據(jù)本發(fā)明的第13發(fā)明，提供一種靶，其特征在于該靶是對第9發(fā)明制造的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工而得到的，氧化物燒結(jié)體的密度是3.45.5g/cm3，該靶在用離子電鍍法形成透明導(dǎo)電膜時(shí)使用。此外，根據(jù)本發(fā)明的第14發(fā)明，提供一種非晶質(zhì)透明導(dǎo)電膜，其使用第1113任一發(fā)明的靶，通過濺射法或離子電鍍法形成在基板上而得到。另外，根據(jù)本發(fā)明的第15發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于在第14發(fā)明中，膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于35原子％。另外，根據(jù)本發(fā)明的第16發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于在第14發(fā)明中，膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為230原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為I11原子％。另外，根據(jù)本發(fā)明的第17發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于在第14發(fā)明中，濺射是在即使輸入電流的直流功率密度為1.103.29W/cm2，也不會產(chǎn)生飛弧的條件下進(jìn)行的。另外，根據(jù)本發(fā)明的第18發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于在第1417任一發(fā)明中，算術(shù)平均高度Ra為1.Onm以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第19發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于在第1418任一發(fā)明中，波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.04以下。另外，根據(jù)本發(fā)明的第20發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電膜，其特征在于在第1419任一發(fā)明中，電阻率為2X103Ω·cm以下。另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第21發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，通過在透明基板的一面或兩面上形成第1420任一發(fā)明的透明導(dǎo)電膜而成。另外，根據(jù)本發(fā)明的第22發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于在第21發(fā)明中，透明基板是玻璃板、石英板、樹脂板或樹脂膜中的任意一種。另外，根據(jù)本發(fā)明的第23發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于在第22發(fā)明中，樹脂板或樹脂膜是選用以聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、聚芳酯或聚碳酸酯為材料的單成分單層結(jié)構(gòu)體，或者是在單成分單層結(jié)構(gòu)體表面覆蓋丙烯酸類有機(jī)物而形成的層疊結(jié)構(gòu)體。另外，根據(jù)本發(fā)明的第24發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于在第22或23發(fā)明中，樹脂板或樹脂膜是一面或兩面被隔氣膜覆蓋，或者是在中間插入隔氣膜而形成的層疊體。此外，根據(jù)本發(fā)明的第25發(fā)明，提供一種透明導(dǎo)電性基材，其特征在于在第24發(fā)明中，前述隔氣膜是選自氧化硅膜、氧化氮化硅膜、鋁酸鎂膜、氧化錫系膜或金剛石狀碳膜的I種以上的隔氣膜。本發(fā)明的由鎵和銦形成的氧化物燒結(jié)體以方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，在主結(jié)晶相中，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相或GaInO3相和(Ga，In)203相以平均粒徑5ym以下的晶粒微細(xì)地分散，氧化物燒結(jié)體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于35原子％，或者鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為230原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為I11原子％，通過濺射法或離子電鍍法，得到氧化物透明導(dǎo)電膜時(shí)，可以提高成膜速度，還可以抑制成為飛弧原因的結(jié)節(jié)的產(chǎn)生，還可以轉(zhuǎn)為提高成膜速度這種成膜條件，從而可以得到藍(lán)光吸收少、含有銦和鎵的低電阻的透明導(dǎo)電膜，在工業(yè)上極為有用。圖1是通過掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的SEM圖像。圖2是表示本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的X射線衍射結(jié)果圖。圖3是表示對加工氧化物燒結(jié)體形成的靶，進(jìn)行濺射時(shí)，輸入的直流功率和飛弧產(chǎn)生的次數(shù)的關(guān)系的圖。具體實(shí)施方式在下文中，對本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體及其制造方法、靶、使用靶得到的透明導(dǎo)電膜以及透明導(dǎo)電性基材，進(jìn)行詳細(xì)說明。1.氧化物燒結(jié)體到目前為止，雖然已經(jīng)提出了由含有銦和鎵的氧化物形成的透明導(dǎo)電膜濺射用靶或離子電鍍用片料，但是對于形成該材料的氧化物燒結(jié)體，對在通過濺射法或離子電鍍法得到氧化物透明導(dǎo)電膜時(shí)的制造條件和氧化物燒結(jié)體的組成相和構(gòu)造的最佳配比等沒有充分研究。在本發(fā)明中，明確了氧化物燒結(jié)體的組成相和構(gòu)造涉及的成膜速度以及成為飛弧原因的結(jié)節(jié)產(chǎn)生的影響。在本發(fā)明中，含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體包括具有特定相結(jié)構(gòu)，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于35原子％的氧化物燒結(jié)體(在下文中，將其稱作第一氧化物燒結(jié)體)；以及除了銦和鎵以外，進(jìn)一步含有選自錫及/或鍺的，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為230原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為I11原子％的氧化物燒結(jié)體(在下文中，將其稱作第二氧化物燒結(jié)體)這兩類氧化燒結(jié)體。(I)第一氧化物燒結(jié)體本發(fā)明的第一氧化物燒結(jié)體的特征是在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體中，JCPDS卡06-0416記載的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，JCPDS卡21-0334記載的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或由GaInO3相和JCPDS卡14-0564記載的(Ga,Ιη)203相以平均粒徑5μπι以下的晶粒微細(xì)地分散在主結(jié)晶相中，鎵的含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于35原子％。(a)組成和燒結(jié)體的構(gòu)造在本發(fā)明中，為了使用第一氧化物燒結(jié)體，通過濺射法或離子電鍍法得到的透明導(dǎo)電膜的藍(lán)光吸收少、顯示出低電阻，第一氧化物燒結(jié)體的組成必須是鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于35原子％。氧化物燒結(jié)體不僅是上述組成范圍，而且燒結(jié)體的構(gòu)造是以方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，Ιη)203相以平均粒徑5μm以下的晶粒微細(xì)地分散在主結(jié)晶相中。上述固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、(Ga，IrO2O3相可以用鎵替換一部分銦，或者鎵的一部分用銦替換，可以包含和化學(xué)計(jì)量組成有一定偏差的金屬元素的缺失或者氧的缺失。另外，(Ga，IrO2O3相是在常壓燒結(jié)時(shí)燒結(jié)溫度為1500°C以上的高溫下形成的相。(Ga，In)203相與GaInOJH相比，電阻略高，成膜速度略慢，但是只是少量存在的話，就沒有問題?？墒牵绻罅看嬖?，則產(chǎn)生成膜速度低下，生產(chǎn)性低下等問題。為了減少透明導(dǎo)電膜的藍(lán)光吸收，如前述專利文獻(xiàn)I所記載，必須在得到透明導(dǎo)電膜的靶中使用的氧化物燒結(jié)體中，含有由銦和鎵構(gòu)成的P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相，此外還可以含有(Ga，Ιη)203相。另外，本發(fā)明的第一氧化物燒結(jié)體如上所述，特征是固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主相，由于由銦和鎵構(gòu)成的i3-Ga203型結(jié)構(gòu)的GaInO3相少，所以下式⑴定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比為8%58%。X射線衍射峰強(qiáng)度比如果小于8%，則氧化物燒結(jié)體中的GaInO3相過少，透明導(dǎo)電膜對藍(lán)光的吸收變大；另一方面，如果超過58%，則出現(xiàn)形成的透明導(dǎo)電膜的電阻率過高，或者濺射時(shí)，大量產(chǎn)生飛弧等問題，所以不合適。I[GaInO3相(111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(111)]}X100[%](I)(式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(111)]表示P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物P-GaInOjg(111)的峰強(qiáng)度)。(b)鎵含量第一氧化物燒結(jié)體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于35原子％。鎵含量以Ga/(In+Ga)原子·數(shù)比計(jì)小于10原子％時(shí),氧化物燒結(jié)體幾乎只由固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相構(gòu)成。因此，無法形成不含上述復(fù)合氧化物，而具有上述光學(xué)性質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。另一方面，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)超過35原子％時(shí)，氧化物燒結(jié)體中含有由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相以及(Ga，In)203相，但是該比例增加了上述2相作為主相存在，在它們之中，存在固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相。這種氧化物燒結(jié)體和專利文獻(xiàn)4的已有的燒結(jié)體相同，在通過濺射法等形成時(shí)，由于成膜速度慢，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相以及(Ga，Ιη)203相增多，所以成膜速度低下，工業(yè)生產(chǎn)效率低下。另外，形成的透明導(dǎo)電膜的電阻率難以顯示為2X10_3Ω·cm以下，進(jìn)而難以實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的基本目標(biāo)，也就是104Ω·cm等級的電阻率。(C)燒結(jié)體構(gòu)成和結(jié)節(jié)加工本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，例如形成直流濺射用靶時(shí)，在靶表面存在In2O3相和GaInO3相、和/或(Ga，Ιη)203相的晶粒，如果以體積比例進(jìn)行比較，氧化物燒結(jié)體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)如果在10原子％以上、小于35原子％，則如上所述，In2O3相的晶粒的體積比例高。假設(shè)是這種靶，通常不會在靶表面產(chǎn)生結(jié)節(jié)。但是，即使是銦和鎵為上述組成范圍的氧化物燒結(jié)體，也可能會出現(xiàn)在祀表面產(chǎn)生結(jié)節(jié)的問題。這是大量存在GaInO3相以及(Ga,Ιη)203相的情形。GaInO3相以及(Ga,Ιη)203相如果和In2O3相相比，電阻更高，而且具有復(fù)合氧化物所特有的強(qiáng)力化學(xué)鍵，所以難以濺射。一般的ITO氧化物燒結(jié)體由平均粒徑為10μm這樣的粗大的In2O3相的晶粒構(gòu)成，但是含有上述組成范圍的銦和鎵氧化物燒結(jié)體由和ITO同樣粗大的晶粒構(gòu)成時(shí)，In2O3相的晶粒優(yōu)先被濺射，另一方面，GaInO3相或GaInO3相和(Ga，Ιη)203相的晶粒無法濺射，GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，In)203相的粗大晶粒挖剩在靶表面。以該挖剩部為起點(diǎn)，馬上就產(chǎn)生結(jié)節(jié)，頻繁產(chǎn)生飛弧等異常發(fā)電。為了抑制上述挖剩效果、也就是結(jié)節(jié)，必須使含有上述組成范圍的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造微細(xì)化。也就是，有效的是使該氧化物燒結(jié)體中的GaInO3相或GaInO3相和(Ga，IrO2O3相的晶粒微細(xì)地分散。由于GaInO3相和(Ga，In)203相最初是導(dǎo)電體，其本身不會成為異常放電的原因，微細(xì)分散也難以成為結(jié)節(jié)生長的起點(diǎn)。在圖1中表示鎵以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)含有20原子％的氧化物燒結(jié)體的掃描型電子顯微鏡(SEM)的SEM圖像，其中該氧化物燒結(jié)體是使GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，IrO2O3相的晶粒微細(xì)分散的一個例子。在白色陣列中，存在無定形的黑色的粒點(diǎn)。從EDS(能量散射光譜，EnergyDispersiveSpectroscopy)分析的結(jié)果可以知道黑色的晶粒是GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)203相,周圍的白色晶粒是In2O3的晶粒。GaInOjg、或GaInO3相和(Ga，In)203相的晶粒平均粒徑為5μm以下，而且如果使用加工該燒結(jié)體形成的靶，則濺射時(shí)，幾乎不會以挖剩部為起點(diǎn)產(chǎn)生結(jié)節(jié)。由此表明只要是如圖1所示在In2O3相中微細(xì)分散GaInO3相的構(gòu)造，在濺射時(shí)可以有效抑制結(jié)節(jié)。因此，為了抑制結(jié)節(jié)，由GaInOJH、或由GaInO3相和(Ga，In)203相形成的晶粒的平均粒徑必須是5μπι以下。更優(yōu)選控制為3μπι以下。另外，氧化物燒結(jié)體中的鎵含量小于10原子％時(shí),如上所述，由于是In2O3單相結(jié)構(gòu),所以本發(fā)明的通過分散GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，IrO2O3相的微細(xì)晶粒來抑制結(jié)節(jié)的方法是無效的。這樣，在規(guī)定氧化物燒結(jié)體中的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，Ιη)203相的分散狀態(tài)的同時(shí)，還要規(guī)定和In2O3相的構(gòu)成比。本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中，主相In2O3相和分散相GaInO3的構(gòu)成比以前述(I)式定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比計(jì)為858%。相對于此，本申請人的專利文獻(xiàn)4中，記載了透明導(dǎo)電膜制造用燒結(jié)體靶的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為35原子％以上、45原子％以下，和本發(fā)明的組成范圍雖不同，下式(2)定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比為50110%，也就是如果換算為前述(I)式定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比，為4867%，和本發(fā)明的X射線衍射峰強(qiáng)度比的范圍部分重疊。這可以推測主要是由于原料粉末的平均粒徑的差異產(chǎn)生的GaInO3相的粒徑和分散性不同，以及燒結(jié)反應(yīng)中擴(kuò)散行為不同的影響。I[In2O3相(400)]/I[GaInO3相(111)]X100[%](2)(式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(111)]表示P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物P-GaInOjg(111)的峰強(qiáng)度)。一般來說，通過使構(gòu)成氧化物燒結(jié)體的晶粒微細(xì)化，可以提高強(qiáng)度。在本發(fā)明中，由于具有上述燒結(jié)體的構(gòu)造，通過提高輸入的直流功率，即使受到熱等的沖擊，氧化物燒結(jié)體也難以破裂。(II)第二氧化物燒結(jié)體另外，本發(fā)明的第二氧化物燒結(jié)體的特征是在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，在主結(jié)晶相中，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細(xì)地分散，除了銦和鎵以外，進(jìn)一步含有選自錫及/或鍺的的添加成分，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為230原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為I11原子％。也就是說，在本發(fā)明中，在含有銦和鎵的氧化物燒結(jié)體中，可以進(jìn)一步含有選自錫、鍺、硅、鈮、鈦、鋯、鉿、鈰、鑰或鎢的I種以上的添加成分。作為添加成分特別有效的是錫、鍺。添加成分的含量沒有特別的限定，以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，優(yōu)選為I11原子％。添加成分的含量更優(yōu)選為210原子％。氧化物燒結(jié)體由于含有選自錫、鍺的I種以上的添加成分，所以氧化物燒結(jié)體不僅電阻率降低，成膜速度提高，而且形成的透明導(dǎo)電膜的電阻率也進(jìn)一步降低。在這種情況下，選自錫、鍺的I種以上的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)小于I原子％時(shí)，無法得到這樣的效果；如果超出11原子％，反而有損本發(fā)明的目的。另外，如果考慮到形成的透明導(dǎo)電膜的低電阻率化，選自錫、鍺的I種以上的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)更優(yōu)選為210原子％。另外，在工業(yè)有用的低溫成膜條件下，必須降低可視區(qū)域短波長側(cè)、也就是藍(lán)光的吸收，在這種情況下，如果添加選自錫、鍺的I種以上，則可能損害上述性質(zhì)。這是因?yàn)榭紤]到下述場合，在低溫成膜時(shí)，從形成的非晶質(zhì)膜的錫、鍺選出的I種以上的一部分有可能形成光吸收大的Sn0、Ge0。在含有上述原子比范圍的選自錫、鍺的I種以上時(shí)，鎵的含量以Ge/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)優(yōu)選為230原子％。鎵含量更優(yōu)選為220原子％。與不含錫、鍺的情形相比，在本發(fā)明的組成范圍中含有更低的Ga原子比的理由是在含有錫、鍺時(shí)，即使是相同的Ga原子比，也可以大量形成前述GaInO3相和(Ga,Ιη)203相。Ga原子比低于該范圍時(shí)，和不含錫、鍺的情形同樣地，氧化物燒結(jié)體只由固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相構(gòu)成，所以不合適。另一方面，如果超過該范圍，則GaInO3相和(Ga，IrO2O3相成為主相，In2O3相成為分散相。在將這種燒結(jié)體在濺射靶等中使用進(jìn)行成膜時(shí)，沒有產(chǎn)生起初擔(dān)心的結(jié)節(jié)問題。另外，不僅成膜速度低下，而且形成的透明導(dǎo)電膜也難以顯示出低電阻率。另外，在含有上述原子比范圍的選自錫、鍺的I種以上的情況下，也就是，在第二氧化物燒結(jié)體中，和第一氧化物燒結(jié)體同樣地，以固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相作為主相，以由銦和鎵構(gòu)成的P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相為分散相。但是，和第一氧化物燒結(jié)體不同的是，通過添加選自錫、鍺的I種以上，在GaInO3相中產(chǎn)生取向性。因此，X射線衍射峰強(qiáng)度比優(yōu)選不是前述式(I)，而是由下式(3)定義。此時(shí)，下式(3)定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比優(yōu)選為484%。I[GaInO3相(-111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(-111)]}X100[%](3)(式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(-111)]表示P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物P-GaInOjg(-111)峰強(qiáng)度)。可以推測在第二氧化物燒結(jié)體中，由于選自錫、鍺的I種以上固溶在GaInO3相中，所以產(chǎn)生(-111)面優(yōu)先成長這樣的取向性。由于有取向性，所以在表觀上，式⑶定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比選取的值范圍比前述式(I)的更寬。另外，X射線衍射峰強(qiáng)度比如果小于4%，則氧化物燒結(jié)體中的GaInO3相過少，透明導(dǎo)電膜對藍(lán)光的吸收變大；另一方面，如果超過84%，則產(chǎn)生形成的透明導(dǎo)電膜的電阻率過高，或者濺射時(shí)大量產(chǎn)生飛弧等問題，所以不合適。另外，為了抑制飛弧，第二氧化物燒結(jié)體中，由GaInO3相、或由GaInO3相和(Ga,IrO2O3相形成的晶粒的平均粒徑也必須是5μm以下,更優(yōu)選為控制在3μηι以下,這方面和第一氧化物燒結(jié)體相同。另外，通過添加選自錫、鍺的I種以上，有可能在一定程度上產(chǎn)生不同的復(fù)合氧化物相。例如，可以列舉出JCPDS卡51-0204記載的Ga2.4In5.6Sn2016相、JCPDS卡51-0205記載的Ga2In6Sn2O16相或JCPDS卡51-0206記載的Gah6Ir^4Sn2O16相等通式Ga3_xIn5+xSn2016(O.3<χ<1.5)所示的四方晶的復(fù)合氧化物相等。這些復(fù)合氧化物相的導(dǎo)電性等各種性質(zhì)不會影響In2O3相，但由于具有和GaInO3相同等的性質(zhì)，所以即使在氧化物燒結(jié)體中少量分散，在濺射等成膜時(shí)也不會有任何問題。另外，形成的透明導(dǎo)電膜也顯示出相同的各種性質(zhì)，沒有任何問題。當(dāng)然，為了抑制結(jié)節(jié)，氧化物燒結(jié)體中的這些復(fù)合氧化物相的晶粒的平均粒徑和GaInO3相同樣地,必須是5μm以下,更優(yōu)選為控制為3μηι以下。另外，本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體希望基本上不含Zn。因?yàn)樵诤\時(shí)，以其作為原料形成透明導(dǎo)電膜對可見光的吸收變大。還可以認(rèn)為因?yàn)榈蜏爻赡r(shí)，透明導(dǎo)電膜中，鋅以金屬的狀態(tài)存在。另外，雖然描述的是錫、鍺和鋅，但是以它們?yōu)榇?，也可以以雜質(zhì)元素的形式含有娃、銀、欽、錯、給、鋪、鑰、鶴，以及銥、釕、鍊等。2.氧化物燒結(jié)體的制造方法
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：本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的制造方法的特征在于混合含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末后，或者在該原料粉末中添加氧化錫粉末和/或氧化鍺粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法將成形物燒結(jié)，或者通過熱壓法將混合粉末成形、燒結(jié)，來制造氧化物燒結(jié)體的方法，其中通過使原料粉末的平均粒徑為Iμm以下而形成氧化物燒結(jié)體，該氧化物燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主晶相，在主晶相中，由GaInO3相或由GaInO3相和(Ga，Ιη)203相形成的平均粒徑為5μm以下的晶粒細(xì)微分散。也就是，具有上述的相結(jié)構(gòu)以及各相組成的氧化物燒結(jié)體的性能極大依賴于氧化物燒結(jié)體的制造條件，例如原料粉末的粒徑、混合條件和燒制條件。本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體必須使用平均粒徑調(diào)節(jié)為Iμm以下的氧化銦粉末和氧化鎵粉末作為原料粉末。作為本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造必須同時(shí)存在下述構(gòu)造=In2O3相為主相，由GaInOjg、或由GaInO3相和(Ga,IrO2O3相形成的晶粒的平均粒徑為5μm以下。更優(yōu)選為由GaInO3相、或由GaInO3相和(Ga，Ιη)203相形成的晶粒在主相中微細(xì)分散，平均粒徑為3μπι以下的構(gòu)造。另外，有可能在第二氧化物燒結(jié)體中產(chǎn)生的其它復(fù)合氧化物，例如Ga2.4In5.6Sn2016相、Ga2In6Sn2O16相以及Gah6Inf^4Sn2O16相等也優(yōu)選為同樣的微細(xì)構(gòu)造。為了形成這樣的微細(xì)構(gòu)造，必須將原料粉末的平均粒徑調(diào)節(jié)為Iym以下。如果使用平均粒徑超過Iμm的氧化銦粉末和氧化鎵粉末為原料粉末，則所得的氧化物燒結(jié)體中，和作為主相的In2O3相一起存在的由GaInO3相、或由GaInO3相和(Ga,IrO2O3相形成的晶粒的平均粒徑超過5μm。如前所述,GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,Ιη)203相的平均粒徑超過5μm的大晶粒難以濺射，如果連續(xù)地濺射，則成為靶表面比較大的殘留物，其成為結(jié)節(jié)的起點(diǎn)，成為飛弧等異常放電的原因。在前述專利文獻(xiàn)4中，雖然顯示了存在由6&11103相、或由GaInO3相和(Ga,In)203相形成的晶粒,但是并未關(guān)注晶粒的構(gòu)造和抑制結(jié)節(jié)的關(guān)系。氧化銦粉末是ΙΤ0(銦-錫氧化物)的原料，燒結(jié)性優(yōu)異的微細(xì)氧化銦粉末的開發(fā)隨著ITO的改良進(jìn)行。而且，到目前為止氧化銦粉末一直作為ITO原料大量使用，所以容易獲得平均粒徑Iμm以下的原料粉末。然而，使用氧化鎵粉末時(shí)，與氧化銦粉末相比，由于用量少，所以難以獲得平均粒徑Iym以下的原料粉末。因此，必須將粗大的氧化鎵粉末粉碎到平均粒徑為Iym下。另外，用于得到第二氧化物燒結(jié)體添加的氧化錫粉末和氧化鍺粉末的情況分別和氧化銦粉末、氧化鈣粉末的情況相同，對氧化鍺也必須將粗大粉末粉碎到平均粒徑Iym以下。為了得到本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體，將含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法，將成形物燒結(jié)，或者通過熱壓法將混合粉末成形燒結(jié)。常壓燒制法是簡單且工業(yè)有利的方法，是優(yōu)選的方法，但是根據(jù)需要也可以使用熱壓法。使用常壓燒制法時(shí)，首先制造成形體。將原料粉末放入樹脂制的瓶中，和粘合劑(例如，PVA)—起，用濕式球磨等混合。本發(fā)明的和作為主相的In2O3相一起存在的由GaInO3相、或由GaInO3相和(Ga，Ιη)203相形成的晶粒的平均粒徑為5μm以下，為了得到晶粒微細(xì)分散的氧化物燒結(jié)體，優(yōu)選進(jìn)行18小時(shí)以上的上述球磨混合。此時(shí)，作為混合使用的球可以使用硬質(zhì)的ZrO2球。混合后，取出漿液，過濾、干燥、制粒。之后，將所得的制粒顆粒通過冷等靜壓壓機(jī)施加9.8MPa(O.lton/cm2)294MPa(3ton/cm2)這樣的壓力，成形,作為成形體。常壓燒制法的燒結(jié)工序中，在存在氧氣的氣氛下，加熱到規(guī)定的溫度范圍。溫度范圍根據(jù)是將燒結(jié)體在濺射時(shí)使用，或者在離子電鍍中使用來決定。假設(shè)是濺射使用，在12501450°C，更優(yōu)選在燒結(jié)爐內(nèi)的空氣中導(dǎo)入氧氣形成的氣氛中，在13001400°C下燒結(jié)。燒結(jié)時(shí)間優(yōu)選為1030小時(shí)，更優(yōu)選為1525小時(shí)。另一方面，假設(shè)是離子電鍍使用，在存在氧氣的氣氛中，在10001200°C下，將成形體燒結(jié)1030小時(shí)。更優(yōu)選的是在燒結(jié)內(nèi)的空氣中導(dǎo)入氧氣的形成的氣氛中，在10001100°C下燒結(jié)。燒結(jié)時(shí)間優(yōu)選為1525小時(shí)。燒結(jié)溫度選取上述范圍，使用前述平均粒徑調(diào)節(jié)為Iym以下的氧化銦粉末和氧化鎵粉末作為原料粉末，可以得到在In2O3相陣列中，由晶粒平均粒徑為5μπι以下，更優(yōu)選為3μπι以下的GaInO3相，或者GaInO3相和(Ga，In)203相形成的晶粒微細(xì)分散的致密的氧化物燒結(jié)體。如果燒結(jié)溫度過低，則燒結(jié)反應(yīng)無法充分進(jìn)行。特別是為了得到密度6.Og/cm3以上的氧化物燒結(jié)體，希望燒結(jié)溫度是1250°C以上。另一方面，如果燒結(jié)溫度超過1450°C，則明顯形成(Ga，IrO2O3相，In2O3相和GaInO3相的體積比例減少，難以將氧化物燒結(jié)體控制為上述微細(xì)分散的構(gòu)造。燒結(jié)氣氛優(yōu)選為存在氧氣的氣氛，更優(yōu)選燒結(jié)爐內(nèi)的空氣導(dǎo)入氧氣形成的氣氛。通過在燒結(jié)時(shí)存在氧氣，可以使氧化物燒結(jié)體的密度很高。升溫到燒結(jié)溫度時(shí)，為了防止燒結(jié)體破裂，脫去粘合劑，升溫速度優(yōu)選為O.25°C/分鐘的范圍。另外，根據(jù)需要，可以組合不同的升溫速度，升溫到燒結(jié)溫度。在升溫過程中，基于脫去粘合劑和進(jìn)行燒結(jié)的目的，可以在特定溫度下保持一定時(shí)間。優(yōu)選在燒結(jié)后，冷卻時(shí)，停止輸入氧氣，以O(shè).25°C/分鐘、特別是O.2V/分鐘以上、小于1°C/分鐘范圍的降溫速度，降溫到1000°C。在本發(fā)明中，采用熱壓法的情形，將混合粉末在不活潑氣體氣氛或真空中，在2.4529.40MPa的壓力下、700950°C下成形、燒結(jié)I10小時(shí)。熱壓法與上述常壓燒制法相比，在還原氣氛下，將氧化物燒結(jié)體的原料粉末成形、燒結(jié)，所以可以降低燒結(jié)體中的含氧量。但是，在超過950°C的高溫下，氧化銦被還原，以金屬銦的形式熔融，所以要注意。舉出本發(fā)明通過熱壓法制造氧化物燒結(jié)體的條件的一個例子。也就是，以平均粒徑Iμm以下的氧化銦粉末以及平均粒徑Iμm以下的氧化鎵粉末，或者平均粒徑Iμm以下的氧化錫粉末或平均粒徑IymWT的氧化鍺粉末為原料粉末，將這些粉末調(diào)配為規(guī)定比例。調(diào)配的原料粉末和常壓燒制法的球磨混合同樣地，優(yōu)選的混合時(shí)間是18小時(shí)以上，充分混合、制粒。接著，將制粒的混合粉末供應(yīng)給碳容器中，通過熱壓法燒結(jié)。燒結(jié)溫度是700950°C，壓力是2.45MPa29.40MPa(25300kgf/cm2)，燒結(jié)時(shí)間是I10小時(shí)。熱壓時(shí)的氣氛優(yōu)選為氬氣等不活潑氣體氣氛或者真空。得到濺射用靶時(shí)，更優(yōu)選的燒結(jié)溫度是800900°C，壓力是9.8029.40MPa(100300kgf/cm2)，燒結(jié)時(shí)間為I3小時(shí)。另外，得到離子電鍍用靶時(shí)，更優(yōu)選的燒結(jié)溫度是700800°C，壓力是2.459.80MPa(25100kfg/cm2)，燒結(jié)時(shí)間為I3小時(shí)。另外，在前述專利文獻(xiàn)2中，記載的主旨是氧化物燒結(jié)體的制造條件為將Ga2O3和In2O3各種粉末分別以33.0、67mol%的摩爾比例均勻地混合后，在氬氣中、1000°C燒制5小時(shí)(實(shí)施例1)。然而，沒有記載Ga2O3和In2O3粉末的平均粒徑，而且是在1000°C這樣比較低的溫度下燒制。這樣制造的靶無法燒結(jié)，而且是低密度的，所以如果在濺射時(shí)輸入高直流功率，則大量產(chǎn)生飛弧。另外，特別是沒有記載將Ga2O3粉末調(diào)節(jié)為微細(xì)粉末等內(nèi)容，所以推測使用的是平均粒徑超過Iμm的粗大粉末，在這種情況下，作為原料的氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造是由GaInO3相、或由GaInO3相和(Ga,IrO2O3相形成的晶粒的平均粒徑大幅度地超過5μm,提高成膜速度進(jìn)行濺射，從而產(chǎn)生結(jié)節(jié)。3.革巴本發(fā)明的靶是將上述氧化物燒結(jié)體切斷為規(guī)定大小，對表面研磨加工，粘合到支撐板上得到。本發(fā)明中，靶包含濺射用靶和離子電鍍用靶。在為濺射用靶時(shí)，密度優(yōu)選為6.3g/cm3以上。在密度小于6.3g/cm3時(shí)，成為產(chǎn)生裂紋、破碎、結(jié)節(jié)的原因。另外，作為離子電鍍用靶使用時(shí)，密度優(yōu)選控制為3.45.5g/cm3。如果低于3.4g/cm3，則由于燒結(jié)體自身的強(qiáng)度差，所以僅僅由于局部的熱膨脹，就容易產(chǎn)生裂紋、破碎。如果密度超過5.5g/cm3，則輸入電子束時(shí)，無法吸收局部產(chǎn)生的應(yīng)力和扭曲，容易產(chǎn)生裂紋。在上述氧化物燒結(jié)體的制造方法中，濺射用靶和離子電鍍用靶的燒結(jié)條件不同就是因?yàn)檫@個原因。濺射使用時(shí)，優(yōu)選的是采用常壓燒制法，將成形體在存在氧氣的氣氛下，在12501450°C下燒結(jié)1030小時(shí)，或者采用熱壓法，在不活潑氣體氣氛或真空中，將混合粉末在2.4529.40MPa的壓力、700950°C下，成形燒結(jié)I10小時(shí)。另外，在離子電鍍使用時(shí)，優(yōu)選采用常壓燒制法，將成形體在存在氧氣的氣氛下，在10001200°C下燒結(jié)1030小時(shí)，使密度范圍比如上述的濺射用靶的更低。4.含銦和鎵的透明導(dǎo)電膜及其成膜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜是使用上述靶，通過濺射法或離子電鍍法，在基板上形成得到的非晶質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜包括下述這兩類鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于35原子％的透明導(dǎo)電膜(以下，將其稱作第一透明導(dǎo)電膜)，或者除了銦和鎵以外，進(jìn)一步含有選自錫及/或鍺的，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為230原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為I11原子％的透明導(dǎo)電膜(以下，稱作第二透明導(dǎo)電膜)。對于形成透明導(dǎo)電膜的濺射法等來說，為了提高成膜速度，一般是提高輸入的直流功率。在本發(fā)明中，含有銦和鎵的第一氧化物燒結(jié)體如上所述，是將該氧化物燒結(jié)體中的In2O3相和GaInO3相,或In2O3相和GaInO3相、(Ga,IrO2O3相的晶粒細(xì)微化,該氧化物燒結(jié)體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為1030原子％;而且第二氧化物燒結(jié)體是鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為230原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為I11原子％。由于GaInO3相和(Ga，Ιη)203相在In2O3相中微細(xì)地分散，所以難以成為結(jié)節(jié)的起點(diǎn)，即使提高輸入的直流功率，也可以抑制結(jié)節(jié)產(chǎn)生，從而可以抑制飛弧等異常放電。通過濺射法在基板上形成本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜時(shí)，特別是，直流(DC)濺射法，成膜時(shí)的熱影響小，可以高速成膜，所以在工業(yè)上有利。通過直流濺射法形成本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜時(shí)，作為濺射氣體優(yōu)選使用不活潑氣體和氧氣，特別是由氬氣和氧氣形成的混合氣體。另外，更優(yōu)選使濺射裝置的腔室內(nèi)壓力為O.1IPa，特別是O.2O.8Pa，進(jìn)行濺射。在本發(fā)明中，例如真空抽氣到2X10_4Pa以下后，導(dǎo)入由氬氣和氧氣形成的混合氣體，使氣壓為O.2O.5Pa，施加直流功率以使直流功率相對于靶的面積，也就是直流功率密度為I3W/cm2這樣范圍，產(chǎn)生直流等離子體，進(jìn)行預(yù)濺射。優(yōu)選進(jìn)行530分鐘該濺射后，根據(jù)需要修正基板位置后，進(jìn)行濺射。在本發(fā)明中，可以不加熱基板在室溫下成膜，也可以將基板加熱到50300°C，特別是80200°C?；迨菢渲?、樹脂薄膜等低熔點(diǎn)基板時(shí)，希望是在不加熱下成膜。使用由上述本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體制造的濺射靶的話，可以通過直流濺射法，以比較高的成膜速度，在基板上制造光學(xué)性質(zhì)、導(dǎo)電性優(yōu)異的透明導(dǎo)電膜。另外，使用從上述氧化物燒結(jié)體制造的離子電鍍用靶(也稱作片料或粒料)時(shí)，也可以同樣地形成透明導(dǎo)電膜。如前所述，在使用離子電鍍法時(shí)，如果對作為蒸發(fā)源的靶，照射電子束或電弧放電的熱量等，照射的部分局部形成高溫，蒸發(fā)粒子蒸發(fā)，在基板上堆積。此時(shí)，蒸發(fā)粒子由于電子束和電弧放電離子化。離子化的方法包括各種方法，但是使用等離子體發(fā)生裝置(等離子體槍)的高密度等離子體加速蒸鍍法(HDPE法)適合形成優(yōu)質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。在該方法中，利用使用等離子體槍進(jìn)行電弧放電。該等離子體槍內(nèi)藏的陰極和蒸發(fā)源的坩堝(陽極)間，保持電弧放電。從陽極放出的電子通過磁場轉(zhuǎn)向，引入坩堝內(nèi)，集中照射在裝在坩堝內(nèi)的靶的局部位置。從通過該電子束局部形成高溫的部分蒸發(fā)粒子蒸發(fā)，堆積在基板上。作為氣化的蒸發(fā)粒子和反應(yīng)氣體輸入的O2氣用于在該等離子體內(nèi)離子化和活化，可以制造優(yōu)質(zhì)的透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜使用加工本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體制造的靶，如上所述，通過濺射法或離子電鍍法制造，與基板溫度無關(guān)，以非晶質(zhì)狀態(tài)存在。一般來說，ITO膜在室溫下是非晶質(zhì)的，在基板溫度為200°C左右時(shí)，為晶體。但是，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜即使基板溫度為300°C，也可以保持非晶質(zhì)。作為在高溫下也保持非晶質(zhì)的理由，可以認(rèn)為是在作為原料的本發(fā)明的氧化物燒結(jié)體中，存在微細(xì)分散為5μπι以下、優(yōu)選為3μπι以下的GaInOJg、或者GaInO3相和(Ga，Ιη)203相。可以認(rèn)為在本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜中，混合存在來自這些微細(xì)分散的復(fù)合氧化物相的非晶質(zhì)部分和來自In2O3相的非晶質(zhì)部分。可以推測因?yàn)榍罢呒词故浅^400°C的高溫，也不能簡單地形成結(jié)晶，所以本來容易形成結(jié)晶的后者也無法形成結(jié)晶。由于本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜如上所述是非晶質(zhì)膜，所以表示膜的表面粗糙度的算術(shù)平均高度Ra為1.Onm以下，非常平坦。如上所述，表面是平坦的膜適合避免膜的凹凸產(chǎn)生的漏電的有機(jī)EL等用途。另外，非晶質(zhì)的透明導(dǎo)電膜具有在濕法蝕刻時(shí)，不會產(chǎn)生殘?jiān)膬?yōu)點(diǎn)。因此，在要求透明導(dǎo)電膜的布線圖案細(xì)線化的液晶顯示器的TFT的用途等中特別有用。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的膜厚根據(jù)用途而異，沒有特別的規(guī)定，可以是10500nm，優(yōu)選為50300nm。如果小于IOnm,則無法保證有足夠的電阻率；另一方面，如果超過500nm，則膜的著色產(chǎn)生問題，所以不優(yōu)選。另外，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜的可視區(qū)域(400800nm)下的平均透光率為80%以上，優(yōu)選為85%以上，更優(yōu)選為90%以上。如果平均透光率小于80%，則對有機(jī)EL元件的應(yīng)用產(chǎn)生問題。本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜特別是在可視區(qū)域短波長側(cè)的光吸收少，透光率高。通常，室溫下成膜的ITO膜，與波長400nm附近相比，短波長側(cè)的吸收更大，波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)超過O.04。相對于此，本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜在波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)顯示為O.04以下，對于第一透明導(dǎo)電膜來說，在鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為20原子％以上、小于35原子％時(shí)，為O.03以下。因此，適合作為輸出波長400nm左右的光的藍(lán)色LED的透明電極。一般來說，為了在寬范圍用途中使用透明導(dǎo)電膜，電阻率優(yōu)選為2Χ10_3Ω·cm以下。在上述的液晶顯示器和藍(lán)色LED等用途中，要求電阻率小于1Χ10_3Ω*cm.使用本發(fā)明的含銦和鎵的氧化物燒結(jié)體得到的透明導(dǎo)電膜的電阻率由于In成分增加而降低。由于本發(fā)明的透明導(dǎo)電膜顯示出2Χ10_3Ω·cm以下的電阻率，所以可以適合各種裝置使用。此外，對于第一透明導(dǎo)電膜來說，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)，為1025原子％的組成范圍顯示出小于1Χ10_3Ω·cm的電阻率，而且，對第二透明導(dǎo)電膜來說，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為220原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為210原子％時(shí)，同樣顯示出小于IX1(Γ3Ω·cm的電阻率，在上述可視區(qū)域短波長側(cè)的光學(xué)性質(zhì)也有優(yōu)越性，所以特別適合藍(lán)色LED等用途使用。5.透明導(dǎo)電性基材本發(fā)明的透明導(dǎo)電性基材是在透明基板的一面或兩面上形成上述透明導(dǎo)電膜。透明基板通常選自玻璃板、石英板、樹脂板或樹脂膜。該透明導(dǎo)電性基材是使前述透明導(dǎo)電膜起到IXD、PDP或EL元件等顯示板的陽極和/或陰極功能的基材。作為基材由于兼作透光性的支持體，所以必須具有一定強(qiáng)度和透明性。作為構(gòu)成樹脂板或樹脂膜的材料，可以列舉出例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)等，可以是在它們的表面覆蓋丙烯酸樹脂的結(jié)構(gòu)的樹脂板或樹脂膜?；牡暮穸葲]有特別的限定，只要是玻璃板或石英板，可以是O.510mm，優(yōu)選為I5mm,為樹脂板或樹脂膜時(shí),為O.15mm,優(yōu)選為I3mm。如果厚度比該范圍更薄,則強(qiáng)度差，使用也困難。另一方面，如果比該范圍更厚，則不僅透明性差，而且重量也變大，不優(yōu)選。在上述基材上，可以形成單層或多層構(gòu)成的絕緣層、半導(dǎo)體層、隔氣層或保護(hù)層的任意的層。作為絕緣層包括氧化硅(S1-O)膜或氮化氧化硅(S1-O-N)膜等，作為半導(dǎo)體層，包括薄膜晶體管(TFT)等，主要在玻璃基板上形成；隔氣層作為水蒸氣隔氣膜等，在樹脂板或樹脂膜上形成氧化硅(S1-O)膜、氮化氧化硅(S1-O-N)膜、鋁酸鎂(Al-Mg-O)膜或氧化錫類(例如，Sn-S1-O)膜等。保護(hù)層是用于防止基材表面的損傷或沖擊的層，可以使用Si系、Ti系、丙烯酸樹脂系等各種涂層。另外，能在基材上形成的層沒有特別的限定，還可以設(shè)置具有導(dǎo)電性的薄金屬膜等。根據(jù)本發(fā)明得到的透明導(dǎo)電性基材可以形成在電阻率、透光率、表面平整性等方面具有優(yōu)異的性質(zhì)的透明導(dǎo)電膜，所以作為各種顯示板的構(gòu)成部件極為有用。另外，作為具有上述透明導(dǎo)電性基材的電子電路的封裝部件，除了有機(jī)EL元件以外，還可以列舉出激光部件等。實(shí)施例在下文中，使用本發(fā)明的實(shí)施例，進(jìn)行更詳細(xì)地說明，但是本發(fā)明并不受到這些實(shí)施例的限定。<氧化物燒結(jié)體的評價(jià)>使用所得的氧化物燒結(jié)體的端材，通過阿基米德法求得燒結(jié)體的密度。接著，將端材的一部分粉碎，使用X射線衍射裝置(飛利浦制造)，通過粉末法對生成相鑒定。然后，對含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體，求得通過下述式(I)定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比。I[GaInO3相(111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(111)]}X100[%](I)但是，對除了銦和鎵以外，進(jìn)一步含有選自錫及/或鍺的添加成分的氧化物燒結(jié)體(實(shí)施例8、1115)，求得下述式(3)定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比。I[GaInO3相(_111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(-111)]}X100[%](3)(式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(111)]或I[GaInO3相(-111)]表示β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物P-GaInOjg(111)或(-111)峰強(qiáng)度)。使用一部分粉末，通過氧化物燒結(jié)體的ICP發(fā)光分光法，進(jìn)行組成分析。此外，使用SEM(力Dr4^制造)，觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造。從SEM圖像的圖像分析結(jié)果，求得由GaInO3相形成的晶粒的平均粒徑?！丛u價(jià)透明導(dǎo)電膜的基本性質(zhì)〉通過ICP發(fā)光分光法，研究所得的透明導(dǎo)電膜的組成。透明導(dǎo)電膜的膜厚通過表面粗糙度計(jì)(今>-一力公司制造)測定。成膜速度從膜厚和成膜時(shí)間算出。膜的電阻率由通過四探針法測定的表面電阻和膜厚的積算出。膜的生成相和氧化物燒結(jié)體同樣地，通過X射線衍射測定鑒定。另外，衰減系數(shù)通過分光偏振光橢圓率測量儀(ellipsometer)(J.A.Woolam制造)測定，特別是為了評價(jià)藍(lán)光的吸收性質(zhì)，和波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)進(jìn)行比較。(實(shí)施例1)將氧化銦粉末和氧化鎵粉末調(diào)節(jié)為平均粒徑為Iμm以下，作為原料粉末。調(diào)合這些粉末以使鎵含量以Ga/(In+Ga)所示的原子數(shù)比計(jì)為10原子％，和水一起加入樹脂制的罐中，通過濕式球磨混合。此時(shí),使用硬質(zhì)的ZrO2球，混合時(shí)間為18小時(shí)?；旌虾?，取出漿液，過濾、干燥、制粒。將制粒的粒子通過冷等靜壓壓機(jī)，施加3ton/cm2的壓力成形。接著，如下燒結(jié)成形體。以每O.1m3的爐內(nèi)面積，5L/分鐘的比例，往燒結(jié)爐內(nèi)的空氣中導(dǎo)入氧氣，在形成氣氛中，在1400°C的燒結(jié)溫度下，燒結(jié)20小時(shí)。此時(shí)，以1°C/分鐘升溫，燒結(jié)后冷卻時(shí)，停止輸入氧氣，以10°C/分鐘降溫到1000°C。將所得的氧化物燒結(jié)體加工為直徑152mm、厚度5mm的大小，用杯形(力)砂輪，研磨濺射面以使最大高度Rz為3.Oμm以下。加工的氧化物燒結(jié)體在無氧銅制的支持片上，使用金屬銦粘結(jié)，形成濺射靶。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga，IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為8%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.97g/cm3。接著，通過SHM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.9μm。接著，在裝備了沒有抑制飛弧功能的直流電源的直流磁控管濺射裝置(7木力〃制造)的非磁性靶用陰極上，安裝上述濺射靶?；迨褂脽o堿玻璃基板(一二W#7059)，以靶-基板間的距離固定為60mm。真空抽氣到小于IX10_4Pa后，導(dǎo)入氬氣和氧氣的混合氣體以使氧氣比例為1.5%，將氣壓調(diào)節(jié)為O.5Pa。另外，上述氧氣比例為1.5%時(shí)，顯示為最低電阻率。施加直流功率200W(1.lOW/cm2)，產(chǎn)生直流等離子體，進(jìn)行濺射。繼續(xù)進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh,其中累積輸入功率是從輸入的直流功率和濺射時(shí)間的乘積算出的。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定飛弧產(chǎn)生的次數(shù)。任何的功率下，都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。在10分鐘的預(yù)濺射后，在濺射靶正上方，也就是在靜止相對的位置上配置基板，不加熱，在室溫下進(jìn)行濺射，形成膜厚200nm的透明導(dǎo)電膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為93nm/min。接著，測定膜的電阻率為4.9Χ10_4Ω膜的生成相通過X射線衍射測定調(diào)查的結(jié)果，確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03198。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例2)除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計(jì)的鎵含量改變?yōu)?0原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例1相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga，IrO2O3相構(gòu)成。接著，在圖2中表示氧化物燒結(jié)體的X射線衍射圖。前述式(I)所示的GaInO3相(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為30%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.84g/cm3。接著,通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.6μm。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。在圖3中表示各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)。無論哪個功率均沒有產(chǎn)生飛弧，各直流功率的每一分鐘的飛弧發(fā)生平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為86nm/min。接著，測定膜的電阻率為7.8Χ10_4Ω.cm。膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.02769。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例3)除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計(jì)的鎵含量改變?yōu)?5原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例1相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為39%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.77g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.5μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為86nm/min。接著，測定膜的電阻率為8.8X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.02591。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例4)除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計(jì)的鎵含量改變?yōu)?0原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例1相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為49%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.70g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.8μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為84nm/min。接著，測定膜的電阻率為1.4Χ10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定而調(diào)查的結(jié)果，確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.02361。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例5)除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計(jì)的鎵含量改變?yōu)?4原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例1相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為58%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.63g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為4.Ιμπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為81nm/min。接著，測定膜的電阻率為2.OX10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.02337。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例6)除了將燒結(jié)溫度改變?yōu)?250°C以外，條件不變，通過和實(shí)施例2相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為28%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.33g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.4μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。確認(rèn)為所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為83nm/min。接著，測定膜的電阻率為9.1X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.02743。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例7)除了將燒結(jié)溫度改變?yōu)?450°C以外，條件不變，通過和實(shí)施例2相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3·相構(gòu)成。前述式(I)所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為31%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.88g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為3.3μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為87nm/min。接著，測定膜的電阻率為8.OX10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.02776。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例8)除了采用和實(shí)施例2相同的鎵原子數(shù)比，也就是使Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計(jì)為20原子％，進(jìn)而，作為添加成分，添加了平均粒徑Iym以下的氧化錫粉末以Sn/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計(jì)為6原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例2相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式(3)所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為51%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.71g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.9μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為89nm/min。接著，測定膜的電阻率為9.1X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定調(diào)查結(jié)果，確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03482。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。另外，在使用氧化鍺粉末代替氧化錫粉末時(shí)，或者同時(shí)使用氧化錫粉末和氧化鍺粉末時(shí)，確認(rèn)可以得到大致相同的結(jié)果。(實(shí)施例9)將成膜方法改變?yōu)殡x子電鍍法，使用由和實(shí)施例2相同組成的氧化物燒結(jié)體形成的靶成膜。氧化物燒結(jié)體的制造方法是和實(shí)施例2的濺射靶的情形相同的制造方法，但是如前所述，在作為離子電鍍用片料使用時(shí)，由于必須降低密度，所以燒結(jié)溫度為1100°C以上。將片料預(yù)先成形，以使燒結(jié)后的尺寸為直徑30mm，高度40mm。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga，In)203相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為27%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為4.79g/cm3。接著,通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.1μm。使用這種氧化物燒結(jié)體為片料，通過離子電鍍法持續(xù)使用等離子體槍進(jìn)行放電，直到片料無法使用。作為離子電鍍裝置使用可以進(jìn)行高密度等離子體加速蒸鍍法(HDPE法)的反應(yīng)性等離子體蒸鍍裝置。作為成膜條件是使蒸發(fā)源和基板間距為O.6m，等離子體槍的放電電流為100A，Ar流量為30SCCm，O2流量為lOsccm。直到片料無法使用這期間，也沒有產(chǎn)生飛濺等問題。交換片料后，進(jìn)行成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和片料大致相同。成膜速度可以為122nm/min，已知是和ITO相當(dāng)?shù)母咚俪赡?。接著，測定膜的電阻率為6.5Χ1(Γ4Ω·cm。膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.02722。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例10)在厚度100μm的PES(聚醚砜)膜基板上預(yù)先形成厚度IOOnm的氧化氮化硅膜作為隔氣膜，在該隔氣膜上通過和實(shí)施例2相同的工序，形成膜厚IOOnm的由含有銦和鎵的氧化物形成的透明導(dǎo)電膜，制作透明導(dǎo)電性基材。研究所得的透明導(dǎo)電性基材時(shí)，和實(shí)施例2同樣地形成的透明導(dǎo)電膜是非晶質(zhì)的，電阻率為.5Χ10_4Ω·cm，可視區(qū)域的平均透光率顯示為85%以上，所以確認(rèn)獲得良好的性質(zhì)。(實(shí)施例11)除了將實(shí)施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?原子％，將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計(jì)為10原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例8相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式(3)所示的GalnOjH(-111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為4%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.87g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.8μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為92nm/min。接著，測定膜的電阻率為5.2X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定的調(diào)查結(jié)果，確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03891。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。另外，在使用氧化鍺粉末代替氧化錫粉末時(shí)，或者同時(shí)使用氧化錫粉末和氧化鍺粉末時(shí)，確認(rèn)可以得到大致相同的結(jié)果。(實(shí)施例12)除了將實(shí)施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計(jì)為10原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例8相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式(3)所示的GalnOjH(-111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為7%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.90g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.7μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，沒有發(fā)現(xiàn)特別結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為92nm/min。接著，測定膜的電阻率為5.OX10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03711。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例13)除了將實(shí)施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?0原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計(jì)為10原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例8相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga，IrO2O3相構(gòu)成。前述式(3)所示的GaInO3相(-111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為48%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.99g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.5μm。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為90nm/min。接著，測定膜的電阻率為6.4X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03663。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例14)除了將實(shí)施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?5原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計(jì)為2原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例8相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)主要由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga，IrO2O3相構(gòu)成。另外，雖然很微弱，但是還確認(rèn)有一部分Ga2In6Sn2O16相存在。前述式(3)所示的GaInO3相(-111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為32%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為7.01g/cm3。接著,通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí),GaInOjg的平均粒徑為2.6μm。另外，Ga2In6Sn2O16相的結(jié)晶粒徑確認(rèn)為3μm以下。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為89nm/min。接著，測定膜的電阻率為6.2X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03402。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(實(shí)施例15)除了將實(shí)施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?0原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計(jì)為3原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例8相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga，IrO2O3相構(gòu)成。前述式(3)所示的GaInO3相(-111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為84%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.71g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.8μm。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為85nm/min。接著，測定膜的電阻率為1.8Χ10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定的調(diào)查結(jié)果，確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03213。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(比較例I)除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計(jì)的鎵含量改變?yōu)?原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例1相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為7.06g/cm3。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)只由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相構(gòu)成。也就是，可以判定在該組成中，無法得到本發(fā)明的實(shí)質(zhì)上由固溶了鎵的方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和/或(Ga，Ιη)203相構(gòu)成的氧化物燒結(jié)體。因此，無法進(jìn)行上述的靶評價(jià)，只能通過直流濺射成膜。通過直流濺射得到的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為86nm/min。接著,測定膜的電阻率為8.3X1(Γ4Ω·cm。膜的生成相通過X射線衍射測定的調(diào)查結(jié)果，確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.04188。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(比較例2)除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計(jì)的鎵含量改變?yōu)?0原子％以外，條件不變，通過和實(shí)施例1相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為74%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.54g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為4.2μπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結(jié)束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結(jié)節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(直流功率密度為1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為62nm/min。接著，測定膜的電阻率為3.5X10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.01811。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(比較例3)除了使用平均粒徑為3μm的氧化銦粉末和氧化鎵粉末以外，條件不變，通過和實(shí)施例2相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為42%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為6.23g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為5.8μm。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。濺射開始后，暫時(shí)沒有產(chǎn)生飛弧，但是在接近累積時(shí)間時(shí)，立即產(chǎn)生飛弧。到達(dá)累積時(shí)間后，觀察靶表面時(shí)，確認(rèn)產(chǎn)生大量結(jié)節(jié)。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.103.29W/cm2)，在各功率下分別進(jìn)行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。在圖3中和實(shí)施例2同樣地，表示各直流功率下，每I分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)。從圖3表明隨著直流功率的增加，飛弧頻發(fā)。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，直流濺射成膜。成膜時(shí)，經(jīng)常產(chǎn)生飛弧。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為71nm/min。接著，膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。測定膜的電阻率為4.1X10_3Ω·cm。另外,測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.03323。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(比較例4)除了將燒結(jié)溫度改變?yōu)?000°C以外，條件不變，通過和實(shí)施例2相同的方法制造氧化物燒結(jié)體。所得的氧化物燒結(jié)體通過ICP發(fā)光分光法進(jìn)行組成分析的話，可以確認(rèn)和混合原料粉末時(shí)的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結(jié)體進(jìn)行相鑒定時(shí)，可以確認(rèn)由方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相、由銦和鎵構(gòu)成的β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相和(Ga,IrO2O3相構(gòu)成。前述式⑴所示的GaInOjH(111)的X射線衍射峰強(qiáng)度比為26%。測定氧化物燒結(jié)體的密度時(shí)，為5.73g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結(jié)體的構(gòu)造時(shí)，GaInO3相的平均粒徑為2.Ιμπι。以該氧化物燒結(jié)體為濺射靶，進(jìn)行直流濺射。開始濺射后，在早期產(chǎn)生飛弧，無法持續(xù)濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。觀察靶表面，確認(rèn)產(chǎn)生裂紋。因此，放棄測定飛弧產(chǎn)生的次數(shù)，嘗試在低功率下進(jìn)行直流濺射。在到輸入功率為30W左右，可以濺射，但是如果超過50W，則產(chǎn)生飛弧。由此，可以判定無法實(shí)際成膜。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。(比較例5)使用市售的ITO靶(In203-10wt%Sn02，住友金屬礦山制造)，通過直流濺射成膜。測定ITO靶的密度時(shí)，為7.llg/cm3。所得的透明導(dǎo)電膜的組成確認(rèn)和靶大致相同。測定成膜速度為92nm/min。接著，膜的生成相通過X射線衍射測定確認(rèn)為非晶質(zhì)。測定膜的電阻率為4.9Χ10_4Ω·cm。另外，測定波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.04308。以上的靶的評價(jià)結(jié)果和成膜評價(jià)結(jié)果如表I所示。權(quán)利要求1.一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，在主結(jié)晶相中，P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細(xì)地分散，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)，為10原子％以上、小于20原子％，而且，下式定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比為8%58%，I[GaInO3相(111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(111)]}X100[%](式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(111)]表示P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物β-GaInO3相(111)的峰強(qiáng)度)。2.一種氧化物燒結(jié)體，其特征在于在含有氧化物形式的銦和鎵的燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，在主結(jié)晶相中，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga，111)203相以平均粒徑為5μπι以下的晶粒微細(xì)地分散，除了銦和鎵以外，進(jìn)一步含有選自錫及/或鍺的添加成分，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為2原子％以上、小于15原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為I11原子％，而且，下式定義的X射線衍射峰強(qiáng)度比為4%84%，I[GaInO3相(-111)]/{I[In2O3相(400)]+I[GaInO3相(-111)]}X100[%](式中，I[In2O3相(400)]是方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相的(400)峰強(qiáng)度，I[GaInO3相(-111)]表示P-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的復(fù)合氧化物β-GaInO3相(-111)的峰強(qiáng)度)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所記載的氧化物燒結(jié)體，其特征在于鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為2原子％以上、小于15原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)，為210原子％。4.權(quán)利要求13任一項(xiàng)所記載的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于該方法是混合含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末后，或者在該原料粉末中添加氧化錫粉末和/或氧化鍺粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法將成形物燒結(jié)，或者通過熱壓法將混合粉末成形、燒結(jié)來制造氧化物燒結(jié)體的方法，其中通過使原料粉末的平均粒徑為Iym以下而形成氧化物燒結(jié)體，該氧化物燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主晶相，在主晶相中，由GaInO3相或由GaInO3相和(Ga，Ιη)203相形成的平均粒徑為5μm以下的晶粒細(xì)微分散。5.根據(jù)權(quán)利要求4所記載的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在12501450°C下燒結(jié)1030小時(shí)。6.根據(jù)權(quán)利要求4所記載的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在10001200°C下燒結(jié)1030小時(shí)。7.根據(jù)權(quán)利要求4所記載的氧化物燒結(jié)體的制造方法，其特征在于采用熱壓法，在不活潑氣體氣氛或真空中，將混合粉末在2.4529.40MPa的壓力下，在700950°C下、進(jìn)行I10小時(shí)成形、燒結(jié)。8.對權(quán)利要求13任一項(xiàng)所記載的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工而得到的靶。9.一種靶，其特征在于該靶是對根據(jù)權(quán)利要求5或7記載的方法制造的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工而得到的，氧化物燒結(jié)體的密度為6.3g/cm3以上，該靶在用濺射法形成透明導(dǎo)電膜時(shí)使用。10.一種靶，其特征在于該靶是對根據(jù)權(quán)利要求6記載的方法制造的氧化物燒結(jié)體進(jìn)行加工而得到的，氧化物燒結(jié)體的密度是3.45.5g/cm3，該靶在用離子電鍍法形成透明導(dǎo)電膜時(shí)使用。11.一種非晶質(zhì)透明導(dǎo)電膜，其特征在于，使用權(quán)利要求810任一項(xiàng)所記載的靶，通過濺射法或離子電鍍法形成在基板上而得到。12.根據(jù)權(quán)利要求11記載的透明導(dǎo)電膜，其特征在于膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)為10原子％以上、小于20原子％。13.根據(jù)權(quán)利要求11所記載的透明導(dǎo)電膜，其特征在于膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為2原子％以上、小于15原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計(jì)為I11原子％。14.根據(jù)權(quán)利要求11所記載的透明導(dǎo)電膜，其特征在于濺射是在即使輸入電流的直流功率密度為1.103.29W/cm2，也不會產(chǎn)生飛弧的條件下進(jìn)行的。15.根據(jù)權(quán)利要求1114任一項(xiàng)所記載的透明導(dǎo)電膜，其特征在于算術(shù)平均高度Ra為1.Onm以下。16.根據(jù)權(quán)利要求1014任一項(xiàng)所記載的透明導(dǎo)電膜,其特征在于波長400nm時(shí)的衰減系數(shù)為O.04以下。17.根據(jù)權(quán)利要求1116任一項(xiàng)所記載的透明導(dǎo)電膜，其特征在于電阻率為2X103Ω·cm以下。18.一種透明導(dǎo)電性基材，通過在透明基板的一面或兩面上形成權(quán)利要求1117任一項(xiàng)所記載的透明導(dǎo)電膜而成。19.根據(jù)權(quán)利要求18所記載的透明導(dǎo)電性基材，其特征在于透明基板是玻璃板、石英板、樹脂板或樹脂膜中的任意一種。20.根據(jù)權(quán)利要求19所記載的透明導(dǎo)電性基材，其特征在于樹脂板或樹脂膜是選用以聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、聚芳酯或聚碳酸酯為材料的單成分單層結(jié)構(gòu)體，或者是在單成分單層結(jié)構(gòu)體表面覆蓋丙烯酸類有機(jī)物而形成的層疊結(jié)構(gòu)體。21.根據(jù)權(quán)利要求19或20所記載的透明導(dǎo)電性基材，其特征在于樹脂板或樹脂膜是一面或兩面被隔氣膜覆蓋，或者是在中間插入隔氣膜而形成的層疊體。22.根據(jù)權(quán)利要求21所記載的透明導(dǎo)電性基材，其特征在于前述隔氣膜是選自氧化硅膜、氧化氮化硅膜、鋁酸鎂膜、氧化錫系膜或金剛石狀碳膜的I種以上的隔氣膜。全文摘要本發(fā)明涉及一種氧化物燒結(jié)體及其制造方法、靶、使用該靶得到的透明導(dǎo)電膜以及透明導(dǎo)電性基材。本發(fā)明提供可以實(shí)現(xiàn)高速成膜和無結(jié)節(jié)的濺射用靶或離子電鍍用片料，用于得到它們的最佳氧化物燒結(jié)體及其制造方法，以及使用該氧化物燒結(jié)體得到的藍(lán)光吸收少的低電阻透明導(dǎo)電膜。本發(fā)明提供的氧化物燒結(jié)體等的特征在于在含有銦和鎵作為氧化物的燒結(jié)體中，方鐵錳礦型結(jié)構(gòu)的In2O3相為主結(jié)晶相，在主結(jié)晶相中，β-Ga2O3型結(jié)構(gòu)的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細(xì)地分散，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計(jì)，為10原子%以上、小于20原子%。文檔編號C23C14/34GK103030381SQ201210572958公開日2013年4月10日申請日期2008年7月2日優(yōu)先權(quán)日2007年7月6日發(fā)明者中山德行,阿部能之申請人:住友金屬礦山株式會社