技術(shù)特征：
1.一種化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置具有反應(yīng)室和基座，所述基座由基座支承軸支承在所述反應(yīng)室中，所述化學(xué)氣相沉積裝置包括：熱防護(hù)件，所述熱防護(hù)件用于阻隔從所述基座的下方的一部分或從所述基座支承軸輻射的輻射熱，其中，所述熱防護(hù)件包括圓筒形的第一防護(hù)板以及聯(lián)接至所述第一防護(hù)板的第二防護(hù)板，所述第二防護(hù)板設(shè)置在所述基座的下方并且在所述第二防護(hù)板的中央部分處是開(kāi)放的；以及輔助防護(hù)件，所述輔助防護(hù)件以與所述第一防護(hù)板間隔開(kāi)的方式設(shè)置在所述第一防護(hù)板的下方，所述輔助防護(hù)件阻隔從所述基座的中央部分朝向所述反應(yīng)室的底部輻射的熱量，其中，所述反應(yīng)室包括保護(hù)殼以保護(hù)所述基座的下方的元件，并且在所述保護(hù)殼的頂部上設(shè)置有頂板，所述頂板的中央部分是開(kāi)放的，并且所述第二防護(hù)板保持在所述保護(hù)殼上或聯(lián)接至所述保護(hù)殼。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其中，所述基座支承軸以穿過(guò)所述第一防護(hù)板的方式設(shè)置在所述第一防護(hù)板的內(nèi)部。3.一種化學(xué)氣相沉積裝置，所述化學(xué)氣相沉積裝置具有反應(yīng)室和基座，所述基座由基座支承軸支承在所述反應(yīng)室中，所述化學(xué)氣相沉積裝置包括：熱防護(hù)件，所述熱防護(hù)件用于阻隔從所述基座的下方的一部分或從所述基座支承軸輻射的輻射熱；以及上部輻射熱防護(hù)件，所述上部輻射熱防護(hù)件呈環(huán)形地設(shè)置在所述基座的下方，其中，所述熱防護(hù)件呈圓筒形狀設(shè)置在所述基座支承軸的外側(cè)，其中，所述熱防護(hù)件包括：圓筒形的下部防護(hù)件；以及上部防護(hù)件，所述上部防護(hù)件聯(lián)接至所述下部防護(hù)件的頂部，所述下部防護(hù)件和所述上部防護(hù)件由不同的材料制成，所述下部防護(hù)件的傳熱系數(shù)低于所述上部防護(hù)件的傳熱系數(shù)，其中，所述反應(yīng)室包括保護(hù)殼以保護(hù)所述基座的下方的元件，并且在所述保護(hù)殼的頂部上設(shè)置有頂板，所述頂板的中央部分是開(kāi)放的，并且所述上部輻射熱防護(hù)件保持在所述保護(hù)殼上或聯(lián)接至所述保護(hù)殼。