技術(shù)特征：
1.一種用于整修化學(xué)機械拋光墊的表面的化學(xué)機械拋光墊整修工具，所述工具包括具有工具面的工具主體，所述工具主體和工具面由選自多晶金剛石、多晶立方氮化硼、碳化硼或碳化硅的材料形成；并且所述工具面具有至少一個從所述工具面延伸的整體的磨料突出物；所述至少一個整體的磨料突出物具有至少一個如下的側(cè)面，所述側(cè)面相對于待整修化學(xué)機械拋光墊的表面成大于90度的角，其特征在于由單塊材料形成所述整體的磨料突出物和基體，其中所述整體的磨料突出物存在于所述基體上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具，其中所述至少一個整體的磨料突出物包括整體的磨料突出物的陣列。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具，其中所述整體的磨料突出物的陣列包括角錐體、圓錐體或其它多邊形的陣列，條件是所述角錐體、圓錐體或其它多邊形具有至少一個如下的側(cè)面，所述側(cè)面相對于待整修化學(xué)機械拋光墊的表面成大于90度的角。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具，其中所述角錐體是四面體。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具，其中所述選自多晶金剛石、多晶立方氮化硼、碳化硼、碳化硅及其組合中的材料為SiC-金剛石復(fù)合材料。6.一種對化學(xué)機械拋光墊的表面進(jìn)行整修的方法，所述方法包括：a)使所述化學(xué)機械拋光墊的表面與化學(xué)機械拋光墊整修工具接觸，所述化學(xué)機械拋光墊整修工具包括：具有工具面的工具主體，所述工具主體和工具面由選自多晶金剛石、多晶立方氮化硼、碳化硼或碳化硅的材料形成；所述工具面具有至少一個從所述工具面延伸的整體的磨料突出物；所述至少一個整體的磨料突出物具有至少一個如下的側(cè)面，所述側(cè)面相對于所述化學(xué)機械拋光墊整修工具所接觸的化學(xué)機械拋光墊的表面成大于90度的角；以及b)對所述化學(xué)機械拋光墊的表面進(jìn)行整修，任選地，在一種或多種整修流體存在下實施所述整修，其特征在于由單塊材料形成所述整體的磨料突出物和基體，其中所述整體的磨料突出物存在于所述基體上。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述至少一個整體的磨料突出物包括整體的磨料突出物的陣列。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述整體的磨料突出物的陣列包括角錐體、圓錐體或其它多邊形的陣列，條件是所述角錐體、圓錐體或其它多邊形具有至少一個如下的側(cè)面，所述側(cè)面相對于所述化學(xué)機械拋光墊整修工具所接觸的化學(xué)機械拋光墊的表面成大于90度的角。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述角錐體是四面體。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述選自多晶金剛石、多晶立方氮化硼、碳化硼、碳化硅及其組合中的材料為SiC-金剛石復(fù)合材料。11.一種用于對化學(xué)機械拋光墊的表面進(jìn)行整修的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：至少一個適用于容納至少一個化學(xué)機械拋光墊的化學(xué)機械拋光墊整修系統(tǒng)；和至少一個化學(xué)機械拋光墊整修工具，所述工具包含：具有工具面的工具主體，所述工具主體和工具面由選自多晶金剛石、多晶立方氮化硼、碳化硼或碳化硅的材料形成；所述工具面具有至少一個從所述工具面延伸的整體的磨料突出物；且所述至少一個整體的磨料突出物具有至少一個如下的側(cè)面，所述側(cè)面相對于待整修化學(xué)機械拋光墊的表面成大于90度的角，其特征在于由單塊材料形成所述整體的磨料突出物和基體，其中所述整體的磨料突出物存在于所述基體上。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述至少一個整體的磨料突出物包括整體的磨料突出物的陣列。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的系統(tǒng)，其中所述整體的磨料突出物的陣列包括角錐體、圓錐體或其它多邊形的陣列，條件是所述角錐體、圓錐體或其它多邊形具有至少一個如下的側(cè)面，所述側(cè)面相對于所述化學(xué)機械拋光墊整修工具所接觸的化學(xué)機械拋光墊的表面成大于90度的角。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中所述角錐體是四面體。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中所述選自多晶金剛石、多晶立方氮化硼、碳化硼、碳化硅及其組合中的材料為SiC-金剛石復(fù)合材料。16.一種制備用于整修化學(xué)機械拋光墊表面的化學(xué)機械拋光墊整修工具的方法，所述方法包括：對坯料的表面進(jìn)行加工以制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具，所述坯料包含選自多晶金剛石、多晶立方氮化硼、碳化硼、碳化硅及其組合中的材料。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述加工導(dǎo)致多個整體的磨料突出物。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述多個突出物為整體的磨料突出物的規(guī)則陣列。19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述加工方法為線EDM。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中所述加工方法為切入式EDM。21.一種制備根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具的方法，所述方法包括：將粉末混合物壓入負(fù)形中，所述粉末混合物包含90重量％的金剛石粉末、9.5重量％的硅粉末和0.5重量％的Si3N4，所述負(fù)形包含硅塊；以及在壓力下對所述粉末和所述塊進(jìn)行加熱以制造根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具。22.一種制備根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機械拋光墊整修工具的方法，所述方法包括：將包含90重量％的金剛石粉末、9.5重量％的硅粉末和0.5重量％的Si3N4的粉末與粘結(jié)劑混合以形成粉末/粘結(jié)劑混合物；對所述粉末/粘結(jié)劑混合物進(jìn)行壓制以形成預(yù)制體，所述預(yù)制體具有預(yù)制體面，所述預(yù)制體面包括至少一個從所述預(yù)制體面延伸的整體的磨料突出物；將所述預(yù)制體在如下氣氛下加熱至如下溫度，所述溫度和氣氛適用于通過焚化從所述預(yù)制體除去所有粘結(jié)劑；以及在至少1000℃的溫度下將所述預(yù)制體燒制至少5分鐘以使得粉末粒子部分反應(yīng)并形成多孔剛性預(yù)制體。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中所述粘結(jié)劑為聚乙二醇或聚乙烯醇。24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中在至少1450℃的溫度下將所述預(yù)制體燒制至少5分鐘。25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中在1300℃的溫度下將所述預(yù)制體燒制5分鐘。26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，還包括：在第二溫度下在惰性氣體中或在真空下對所述多孔剛性預(yù)制體進(jìn)行加熱；以及使加熱至所述第二溫度的所述剛性多孔預(yù)制體與液體硅接觸，使得所述液體硅滲入所述預(yù)制體中并與所述預(yù)制體中的金剛石反應(yīng)以形成SiC。