專利名稱：合金、保護(hù)層和構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的合金、一種根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于尤其在高溫下保護(hù)構(gòu)件免受腐蝕和/或氧化的保護(hù)層和一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的構(gòu)件。
背景技術(shù)：
用于金屬構(gòu)件的能夠提高其抗腐蝕性和/或抗氧化性的保護(hù)層在現(xiàn)有技術(shù)中是廣泛已知的。大部分所述保護(hù)層以總名稱MCrAH已知，其中M代表選自包括鐵、鈷和鎳的組中的至少一種元素，并且其它主要組分是鉻、鋁和釔。
所述類型的典型的覆層從美國(guó)專利4，005, 989和4，034, 142中已知。也已知的是將錸(Re)添加至NiCoCrAH合金。
在靜態(tài)燃?xì)廨啓C(jī)或飛行器推進(jìn)器中提高進(jìn)氣溫度的努力在燃?xì)廨啓C(jī)的專業(yè)領(lǐng)域中具有重大意義，因?yàn)檫M(jìn)氣溫度對(duì)可借助燃?xì)廨啓C(jī)實(shí)現(xiàn)的熱力學(xué)效率而言是重要的決定因素。通過(guò)將專門研發(fā)的合金用作用于例如為導(dǎo)向葉片和轉(zhuǎn)子葉片的過(guò)高熱負(fù)荷的構(gòu)件的基本材料，尤其是通過(guò)使用單晶超合金，進(jìn)氣溫度可以明顯高于1000°c。在此期間，現(xiàn)有技術(shù)在靜態(tài)燃?xì)廨啓C(jī)中允許950°c和更高的進(jìn)氣溫度以及在飛行器推進(jìn)器的燃?xì)廨啓C(jī)中允許1100°C和更高的進(jìn)氣溫度。
用于構(gòu)造具有單晶基質(zhì)的、就其而言能夠復(fù)雜地構(gòu)造的渦輪葉片的實(shí)例從W091/01433A1 中得出。
當(dāng)用于高熱負(fù)荷構(gòu)件的在此期間研發(fā)的基本材料的物理負(fù)荷能力在可能進(jìn)一步提高進(jìn)氣溫度方面盡可能沒(méi)有問(wèn)題時(shí)，必須借助于保護(hù)層以實(shí)現(xiàn)足夠的抗氧化性和抗腐蝕性。除保護(hù)層在1000°c數(shù)量級(jí)的溫度下能夠預(yù)期由廢氣引起侵蝕的情況下存在足夠的化學(xué)穩(wěn)定性之外，保護(hù)層也必須具有足夠良好的機(jī)械特性，尤其是在保護(hù)層和基本材料之間的機(jī)械相互作用的方面。特別地，保護(hù)層必須是足夠可延展的，以便能夠適應(yīng)基本材料的可能的變形并且不斷裂，因?yàn)橐栽摲绞侥転檠趸透g提供侵蝕點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容
與此相應(yīng)地，本發(fā)明基于下述目的，提出一種合金和保護(hù)層，所述保護(hù)層在腐蝕和氧化時(shí)具有良好的耐高溫性、具有良好的持久穩(wěn)定性并且所述保護(hù)層此外尤其良好地適應(yīng)于尤其在高溫下預(yù)期在燃?xì)廨啓C(jī)中出現(xiàn)的機(jī)械應(yīng)力。
所述目的通過(guò)一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的合金和一種根據(jù)權(quán)利要求6所述的保護(hù)層來(lái)實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種構(gòu)件，所述構(gòu)件具有提高的抵抗腐蝕和抗氧化的保護(hù)。
所述目的同樣通過(guò)一種根據(jù)權(quán)利要求7所述的構(gòu)件來(lái)實(shí)現(xiàn)，尤其是燃?xì)廨啓C(jī)或蒸汽輪機(jī)的構(gòu)件，所述構(gòu)件 具有上述類型的保護(hù)層以保護(hù)所述構(gòu)件免受高溫下的腐蝕和氧化。
在從屬權(quán)利要求中列舉出能夠以有利的方式和方法任意相互結(jié)合的其它有利措施。此外，本發(fā)明基于下述知識(shí):保護(hù)層在層中和在保護(hù)層和基本材料之間的過(guò)渡區(qū)域中表現(xiàn)出脆性的錸沉淀。隨著在使用中的時(shí)間和溫度而加強(qiáng)地構(gòu)成的該脆性相在運(yùn)行中導(dǎo)致層中的和層-基本材料分界面中的極其明顯的縱向裂縫，并且層隨后脫落。通過(guò)與能夠從基本材料擴(kuò)散到層中或者在爐中的熱處理期間穿過(guò)表面擴(kuò)散到層中的碳的共同作用，附加地提高錸沉淀的脆性。由于錸相的氧化，進(jìn)一步增強(qiáng)裂縫形成的推動(dòng)力。在下文中詳細(xì)地闡明本發(fā)明。


附圖示出:圖1示出具有保護(hù)層的層系統(tǒng)，圖2示出超合金的組分，圖3示出燃?xì)廨啓C(jī)，圖4示出渦輪葉片，以及圖5示出燃燒室。附圖和說(shuō)明書(shū)僅代表本發(fā)明的實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
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根據(jù)本發(fā)明，用于在高溫下保護(hù)構(gòu)件免受腐蝕和氧化的保護(hù)層7 (圖1)基本上具有下述元素(數(shù)據(jù)以重量百分比的比例來(lái)表示):24% 至 26% 的鈷(Co )，10% 至 12% 的鋁(Al )，0.2%至0.5%的釔(Y)和/或包括鈧和稀土元素的組中的至少一種等價(jià)金屬，12% 至 14% 的鉻(Cr )，鎳(Ni)(NiCoCrAlY)0所述列表不是最終的。一個(gè)有利的實(shí)施方案由元素鎳、鈷、鉻、鋁和釔元素組成。在更高的氧化負(fù)荷(純的燃燒氣體)的情況下，必須通過(guò)釔結(jié)合更多氧，以便保護(hù)性的氧化鋁層不能夠過(guò)快地生長(zhǎng)，其中因此釔的值有利地為直至0.7%重量百分比。然而，釔的含量在合金中通常不應(yīng)過(guò)高，因?yàn)榉駝t這導(dǎo)致變脆。優(yōu)選的實(shí)施例是J1-25Co-13Cr-1lAl-0.饑。確定的是，各個(gè)元素的比例在其尤其能夠結(jié)合不存在的錸元素而示出的作用方面尤其適合。當(dāng)以所述方式確定比例時(shí)，能夠放棄添加錸(Re)，使得也沒(méi)有形成錸沉淀。在使用保護(hù)層期間有利地沒(méi)有形成脆性相，使得改進(jìn)并且延長(zhǎng)運(yùn)行時(shí)間性能。連同脆性相的降低，通過(guò)由于所選擇的鎳含量而引起機(jī)械應(yīng)力的下降來(lái)改進(jìn)機(jī)械特性，其中所述脆性相尤其在機(jī)械特性較高的情況下產(chǎn)生負(fù)面作用。保護(hù)層在抗腐蝕性良好的情況下具有尤其良好的抗氧化性并且其特征也在于尤其良好的可延展性特性，使得所述保護(hù)層尤其適合于在進(jìn)氣溫度繼續(xù)升高的情況下應(yīng)用在燃?xì)廨啓C(jī)100 (圖3)中。
粉末例如通過(guò)等離子噴涂來(lái)施加(大氣等離子噴涂APS、低壓等離子噴涂LPPS、真空等離子噴涂VPS……)。同樣也能夠考慮其它方法(物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、冷氣噴涂，......)。
所描述的保護(hù)層7也作用為到超合金的增附劑層。優(yōu)選地，僅將單獨(dú)的保護(hù)層7用于構(gòu)件，因此沒(méi)有用于粘結(jié)層的雙重層。能夠?qū)⑵渌膶印⒂绕涫翘沾傻母魺釋?0施加到所述保護(hù)層7上。
在構(gòu)件I中有利地將保護(hù)層7施加到由鎳基或鈷基超合金制成的基質(zhì)4上。作為基質(zhì)尤其能夠考慮下述組分(以重量百分比說(shuō)明):
0.1% 至 0.15% 碳
18% 至 22% 鉻
18% 至 19% 鈷
0% 至 2%鎢
0% 至 4% 鑰
0%至1.5% 鉭
0% 至 1%鈮
1% 至 3%鋁
2% 至 4% 鈦
0% 至 0.75% 鉿
可選地少量的硼和/或鋯，其余為鎳。
所述類型的組分作為鑄造合金以名稱GTD222、IN939、IN6203和Udimet500已知。在圖2中列出構(gòu)件1、120、130、155的基質(zhì)4的替選方案。
構(gòu)件I上的保護(hù)層7的厚度優(yōu)選地被確定尺寸到大約100 μ m和300 μ m之間的數(shù)值。
保護(hù)層7尤其適合于保護(hù)構(gòu)件1、120、130、155免受腐蝕和氧化，而構(gòu)件在材料溫度大約為950°C時(shí)、在飛行器渦輪機(jī)的情況下甚至大約為1100°C時(shí)加載有廢氣。
因此，根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)層7尤其適合于保護(hù)燃?xì)廨啓C(jī)100的構(gòu)件、尤其是導(dǎo)向葉片120、轉(zhuǎn)子葉片130或熱屏蔽元件155，所述熱屏蔽元件在燃?xì)廨啓C(jī)100的或蒸汽輪機(jī)的渦輪機(jī)之前或之中加載有熱氣體。保護(hù)層7能夠用作覆蓋層(保護(hù)層是外部層)或用作粘結(jié)層(保護(hù)層是中間層)。所述保護(hù)層優(yōu)選用作“單”層，也就是說(shuō)，不存在其它的金屬層。
圖1示出作為構(gòu)件的層系統(tǒng)I。層系統(tǒng)I由基質(zhì)4組成?；|(zhì)4能夠是金屬的和/或陶瓷的。尤其在渦輪機(jī)構(gòu)件中，例如在渦輪機(jī)轉(zhuǎn)子葉片120 (圖4)或渦輪機(jī)導(dǎo)向葉片130 (圖3、4)、熱屏蔽元件155 (圖5)以及蒸汽輪機(jī)的或燃?xì)廨啓C(jī)100 (圖3)的其它殼體部件中，基質(zhì)4由鎮(zhèn)基、鉆基或鐵基超合金制成。優(yōu)選地使用鎮(zhèn)基超合金。
在基質(zhì)4上存在根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)層7。所述保護(hù)層優(yōu)選地用作“單”層，也就是說(shuō)，不存在其它的金屬層。優(yōu)選地，所述保護(hù)層7通過(guò)等離子噴涂(真空等離子噴涂、低壓等離子噴涂、大氣等離子噴涂……)來(lái)施加。
所述保護(hù)層能夠用作外部層(沒(méi)有示出)或中間層(圖1)。在后一種情況下，在保護(hù)層7上存在陶瓷的隔熱層10。
能夠?qū)⒈Ｗo(hù)層7施加到新制造的構(gòu)件和源自整修的再處理的構(gòu)件上。
再處理(整修，Refurbishment)意味著,將構(gòu)件I在其使用之后必要時(shí)與層(隔熱層)分開(kāi)并且例如通過(guò)酸處理(酸剝離)來(lái)移除腐蝕產(chǎn)物和氧化產(chǎn)物。必要時(shí)，還必須修復(fù)裂縫。隨后能夠?qū)λ鰳?gòu)件進(jìn)行再覆層，因?yàn)榛|(zhì)4是極其昂貴的。圖3示例性地示出燃?xì)廨啓C(jī)100的縱向部分剖面圖。燃?xì)廨啓C(jī)100在內(nèi)部具有帶有軸101的、可圍繞旋轉(zhuǎn)軸線102轉(zhuǎn)動(dòng)地安裝的轉(zhuǎn)子103，該轉(zhuǎn)子也稱為渦輪機(jī)轉(zhuǎn)子。沿著轉(zhuǎn)子103依次為進(jìn)氣殼體104、壓縮機(jī)105、帶有多個(gè)同軸設(shè)置的燃燒器107的尤其為環(huán)形燃燒室的例如環(huán)面狀的燃燒室110、渦輪機(jī)108和排氣殼體109。環(huán)形燃燒室110與例如環(huán)形的熱氣體通道111連通。在那里例如四個(gè)相繼連接的渦輪級(jí)112形成渦輪機(jī)108。每個(gè)渦輪級(jí)112例如由兩個(gè)葉片環(huán)形成。沿工質(zhì)113的流動(dòng)方向觀察，在熱氣體通道111中，由轉(zhuǎn)子葉片120形成的排125跟隨導(dǎo)向葉片排115。在此，導(dǎo)向葉片130固定在定子143的內(nèi)殼體138上，相對(duì)地，該排125的轉(zhuǎn)子葉片120例如借助渦輪盤(pán)133安裝在轉(zhuǎn)子103上。發(fā)電機(jī)或者做功機(jī)械(未示出)耦接于轉(zhuǎn)子103。 在燃?xì)廨啓C(jī)100工作期間，壓縮機(jī)105通過(guò)進(jìn)氣殼體104將空氣135吸入并且壓縮。在壓縮機(jī)105的渦輪側(cè)端部處提供的壓縮空氣被引至燃燒器107并且在那里與燃料混合。接著混合物在燃燒室110中燃燒，從而形成工質(zhì)113。工質(zhì)113從那里起沿著熱氣體通道111流過(guò)導(dǎo)向葉片130和轉(zhuǎn)子葉片120。工質(zhì)113在轉(zhuǎn)子葉片120處以傳遞動(dòng)量的方式膨脹，使得轉(zhuǎn)子葉片120 驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)子103，并且該轉(zhuǎn)子驅(qū)動(dòng)耦接在其上的做功機(jī)械。暴露于熱工質(zhì)113的構(gòu)件在燃?xì)廨啓C(jī)100工作期間承受熱負(fù)荷。除了加襯于環(huán)形燃燒室110的熱屏蔽元件之外，沿工質(zhì)113的流動(dòng)方向觀察的第一渦輪機(jī)級(jí)112的導(dǎo)向葉片130和轉(zhuǎn)子葉片120承受最高的熱負(fù)荷。為了經(jīng)受住那里存在的溫度，可借助冷卻劑來(lái)冷卻第一渦輪機(jī)級(jí)的導(dǎo)向葉片和轉(zhuǎn)子葉片。同樣，構(gòu)件的基質(zhì)可以具有定向結(jié)構(gòu)，這就是說(shuō)它們是單晶的(SX結(jié)構(gòu))或僅具有縱向定向的晶粒(DS結(jié)構(gòu))。例如，鐵基、鎳基或鈷基超合金用作構(gòu)件的材料，特別是用作渦輪葉片120、130和燃燒室 110 的構(gòu)件的材料。例如由 EP1204776Bl、EP1306454、EP1319729Al、W099/67435 或W000/44949已知這樣的超合金。導(dǎo)向葉片130具有朝向渦輪機(jī)108的內(nèi)殼體138的導(dǎo)向葉片根部(這里未示出)，以及與導(dǎo)向葉片根部相對(duì)置的導(dǎo)向葉片頂部。導(dǎo)向葉片頂部朝向轉(zhuǎn)子103并固定在定子143的固定環(huán)140處。圖4在立體圖中示出流體機(jī)械的沿著縱軸線121延伸的轉(zhuǎn)子葉片120或?qū)蛉~片130。所述流體機(jī)械可以是飛機(jī)的或用于發(fā)電的發(fā)電廠的燃?xì)廨啓C(jī)，也可以是蒸汽輪機(jī)或壓縮機(jī)。葉片120、130沿著縱軸線121相繼具有:固定區(qū)域400、鄰接于固定區(qū)域的葉片平臺(tái)403以及葉身406和葉片梢部415。作為導(dǎo)向葉片130，葉片130可以在其葉片梢部415
處具有另一平臺(tái)(未示出)。
在固定區(qū)域400中形成有用于將轉(zhuǎn)子葉片120、130固定在軸或盤(pán)上的葉片根部183 (未示出)。葉片根部183例如構(gòu)成為錘頭形。作為揪樹(shù)形根部或燕尾形根部的其它構(gòu)形是可行的。
葉片120、130對(duì)于流過(guò)葉身406的介質(zhì)具有迎流棱邊409和出流棱邊412。
在傳統(tǒng)葉片120、130中，在葉片120、130的所有區(qū)域400、403、406中使用例如實(shí)心的金屬材料、尤其是超合金。
例如由EP1204776B1、EP1306454、EP1319729A1、W099/67435 或 W000/44949 已知這樣的超合金。
在這種情況下，葉片120、130可以通過(guò)鑄造法，也可以借助定向凝固、通過(guò)鍛造法、通過(guò)銑削法或其組合來(lái)制造。
將帶有一個(gè)或多個(gè)單晶結(jié)構(gòu)的工件用作機(jī)器的在運(yùn)行中承受高的機(jī)械的、熱的和/或化學(xué)的負(fù)荷的構(gòu)件。
這種單晶工件的制造例如通過(guò)由熔融物的定向凝固來(lái)進(jìn)行。在此，這涉及一種澆注法，其中液態(tài)金屬合金凝固為單晶結(jié)構(gòu)、即單晶工件，或者定向凝固。
在這種情況下，枝狀晶體沿?zé)崃鞫ㄏ?，并且形成柱狀晶體的晶粒結(jié)構(gòu)(柱狀地，這就是說(shuō)在工件的整個(gè)長(zhǎng)度上分布的晶粒，并且在此根據(jù)一般的語(yǔ)言習(xí)慣稱為定向凝固)，或者形成單晶結(jié)構(gòu)，這就是說(shuō)整個(gè)工件由唯一的晶體構(gòu)成。在這些方法中，必須避免過(guò)渡成球形(多晶的)凝固，因?yàn)橥ㄟ^(guò)非定向的生長(zhǎng)不可避免地構(gòu)成橫向和縱向晶界，所述橫向和縱向晶界使定向凝固的或單晶的構(gòu)件的良好特性不起作用。
如果一般性地提到定向凝固組織，則是指不具有晶界或最多具有小角度晶界的單晶和確實(shí)具有沿縱向方向分布的晶界但不具有橫向晶界的柱狀晶體結(jié)構(gòu)。第二種所提到的晶體結(jié)構(gòu)也稱為定向凝固組織(directionally solidified structures)。
由US-PS6, 024, 792 和 EP0892090A1 已知這樣的方法。
葉片120、130同樣可以具有根據(jù)本發(fā)明的抗腐蝕或抗氧化的保護(hù)層7。密度優(yōu)選地是理論密度的95%。在MCrAlX層上形成保護(hù)性氧化招層(TG0=thermal grown oxidelayer (熱生長(zhǎng)氧化層))(作為中間層或最外層)。
在MCrAlX上還可以有隔熱層，隔熱層優(yōu)選是最外層并例如由ZrO2J2O3-ZrO2組成，即，隔熱層通過(guò)氧化釔和/或氧化鈣和/或氧化鎂非穩(wěn)定、部分穩(wěn)定或完全穩(wěn)定。
隔熱層覆蓋整個(gè) MCrAlX層。通過(guò)例如電子束氣相淀積(EB-PVD)的適當(dāng)?shù)母矊臃椒ㄔ诟魺釋又挟a(chǎn)生柱狀晶粒。
其它覆層方法也是可以考慮的，例如大氣等離子噴涂(APS)、LPPS (低壓等離子噴涂)、VPS (真空等離子噴涂)或CVD (化學(xué)氣相沉積)。隔熱層可以具有多孔的、有微觀裂縫或宏觀裂縫的晶粒，用于更好地耐熱沖擊。因此，隔熱層優(yōu)選地比MCrAlX層更為多孔。
葉片120、130可以構(gòu)造成空心的或?qū)嵭牡摹?br> 如果要冷卻葉片120、130，則葉片為空心的并且必要時(shí)還具有薄膜冷卻孔418 (由虛線表示)。
圖5示出燃?xì)廨啓C(jī)的燃燒室110。燃燒室110例如構(gòu)成為所謂環(huán)形燃燒室，其中多個(gè)在周向上圍繞旋轉(zhuǎn)軸線102設(shè)置的燃燒器107通到共同的燃燒室腔154中，所述燃燒器產(chǎn)生火焰156。為此，燃燒室110以其整體構(gòu)成為環(huán)形的結(jié)構(gòu)，所述環(huán)形的結(jié)構(gòu)圍繞旋轉(zhuǎn)軸線102定位。為了實(shí)現(xiàn)相對(duì)高的效率，針對(duì)為大約1000° C至1600° C的工作介質(zhì)M的相對(duì)高的溫度來(lái)設(shè)計(jì)燃燒室110。為了還在這些對(duì)材料不利的工作參數(shù)的情況下實(shí)現(xiàn)相對(duì)長(zhǎng)的工作持續(xù)時(shí)間，燃燒室壁153在其朝向工作介質(zhì)M的側(cè)上設(shè)有由熱屏蔽元件155形成的內(nèi)襯。由于在燃燒室110的內(nèi)部中的高溫，此外可為熱屏蔽元件155或者為保持元件設(shè)置冷卻系統(tǒng)。那么，熱屏蔽元件155例如是空心的或者必要時(shí)還具有通到燃燒室腔154中的冷卻孔(未示出)。每個(gè)由合金構(gòu)成的熱屏蔽元件155在工作介質(zhì)側(cè)配備有尤其耐熱的保護(hù)層(MCrAlX層和/或陶瓷覆層)或者由耐高溫的材料(實(shí)心陶瓷石)制成。所述保護(hù)層7能夠類似渦輪葉片。在MCrAlX上還可以有例如陶瓷的隔熱層，并且隔熱層例如由ZrO2J2O3-ZrO2構(gòu)成，即，隔熱層通過(guò)氧化釔和/或氧化鈣和/或氧化鎂非穩(wěn)定、部分穩(wěn)定或完全穩(wěn)定。通過(guò)例如電子束氣相淀積(EB-PVD)的適當(dāng)?shù)母矊庸に囋诟魺釋又挟a(chǎn)生柱狀晶粒。其他覆層工藝，例如氣相等離子噴涂(APS)、LPPS、VPS或CVD也是可行的。隔熱層可以具有多孔的、有微觀裂縫或宏觀裂縫的晶粒，用于更好的耐熱沖擊性。再處理(Refurbishment)意味著在使用潤(rùn)輪葉片120、130和熱屏蔽元件155之后，必要時(shí)必須將保護(hù)層從渦輪葉片120、130和熱屏蔽元件155上去除(例如通過(guò)噴砂)。接著，去除腐蝕層和/或氧化層及腐蝕產(chǎn)物和/或氧化產(chǎn)物。必要時(shí)，還修復(fù)在渦輪葉片120、130或熱屏蔽元件155中的裂縫。然后， 進(jìn)行渦輪葉片120、130和熱屏蔽元件155的再覆層以及渦輪葉片120、130或熱屏蔽元件155的重新使用。
權(quán)利要求
1.合金，所述合金包含下述元素(數(shù)據(jù)以重量百分比來(lái)表示): 24%至26%、尤其是25%的鈷(Co)； 12%至14%、尤其是13%的鉻(Cr)； 10%至12%、尤其是11%的鋁(Al)； 0.2%至0.5%、更尤其是0.3%的選自包括鈧和稀土元素的組中的至少一種元素，尤其是釔(Y)； 鎳，尤其其余為鎳。
2.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的合金， 所述合金不包含錸。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的合金， 所述合金不包含娃(Si)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的合金， 所述合金不包含錯(cuò)(Zr ),和/或 所述合金不包含鈦(Ti)，和/或 所述合金不包含鎵(Ga),和/或 所述合金不包含鍺(Ge)。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的合金， 所述合金由鈷(Co)、鉻(Cr)、鋁(Al)、釔(Y)、鎳(Ni)組成。
6.用于尤其在高溫下保護(hù)構(gòu)件(I)免受腐蝕和/或氧化的保護(hù)層， 所述保護(hù)層具有根據(jù)權(quán)利要求1至5中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的合金的組分并且尤其作為單層存在。
7.構(gòu)件，尤其是燃?xì)廨啓C(jī)(100)的構(gòu)件(120，130，155)， 尤其是其中，所述構(gòu)件(120，130，155)的基質(zhì)(4)是鎳基或鈷基的，所述構(gòu)件具有根據(jù)權(quán)利要求6所述的保護(hù)層(7)以在高溫下保護(hù)所述構(gòu)件免受腐蝕和氧化，尤其是僅具有一個(gè)金屬保護(hù)層(7)，并且，尤其是其中，在所述保護(hù)層(7)上施加陶瓷的隔熱層(10)。
全文摘要
具有高的鉻含量和附加的硅的已知的保護(hù)層構(gòu)成脆性相，所述脆性相在使用期間在受碳影響的情況下附加地變脆。根據(jù)本發(fā)明的保護(hù)層具有下述組分24%至26%的鈷(Co)、10%至12%的鋁(Al)、0.2%至0.5%的釔(Y)、12%至14%的鉻(Cr)，其余為鎳。
文檔編號(hào)C23C28/00GK103189545SQ201180052316
公開(kāi)日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2011年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月2日
發(fā)明者弗里德黑爾姆·施米茨, 沃納·斯塔姆 申請(qǐng)人:西門子公司