專利名稱：濺鍍裝置及濺鍍方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于在玻璃或硅晶片等基板上形成規(guī)定的薄膜的濺鍍裝置及濺鍍方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造エ藝中得到所需的器件結(jié)構(gòu)時，有ー個對作為待處理基板的硅晶片(下稱“晶片”)成膜的步驟，一直以來，在這種成膜步驟中使用的是濺鍍裝置。在該濺鍍裝置中，向真空氣氛的真空室中導(dǎo)入氬氣等非活性氣體的濺鍍氣體，同時通過直流電源或高頻電源，在形成對應(yīng)要在基板表面形成薄膜的組成的靶上輸入規(guī)定功率使之輝光放電形成等離子體。并通過使在等離子體中電離的氬氣離子等非活性氣體的離子撞擊靶，而使靶的原子、分子從靶釋放出來，通過這些濺鍍粒子在基板表面附著沉積而成膜。此時，待處理基板靶被定位保持在與靶相向配置的基板保持裝置上。 對于基板保持裝置，已知其由以下各部分構(gòu)成具有正負(fù)電極的卡盤本體；具有基板的外周邊部可面接觸的擋邊部及以規(guī)定間隔垂直設(shè)立在所述擋邊部所圍繞的內(nèi)部空間內(nèi)的多個支持部的作為電介質(zhì)的卡板；以及向兩電極間施加直流電壓的直流電源(例如參照專利文獻I)。再有，對于以高底部覆蓋率(對底面的成膜速度與對孔周圍面成膜速度的比)對長寬比高的細孔形成規(guī)定薄膜的濺鍍裝置，已知的裝置是使用由CiuTa或Ti等金屬材料構(gòu)成的靶，在等離子體中將通過濺鍍產(chǎn)生的濺鍍粒子離子化，并且向基板施加高頻偏壓將離子化的濺鍍粒子導(dǎo)入基板使之入射(例如參照專利文獻2)。此處，在具有上述基板保持裝置的濺鍍裝置中，由于是在給正負(fù)電極通電狀態(tài)下保持基板的，在等離子體中電離的電子使基板表面帶電而使基板表面的電位移向負(fù)側(cè)。再有，向基板施加高頻偏壓時，則和電子比較質(zhì)量大的離子無法適應(yīng)交流電場的快速變化，電子使基板表面帶電而使基板表面的電位移向負(fù)側(cè)。像這樣基板電位移向負(fù)側(cè)，則等離子體中非活性氣體的離子也被導(dǎo)入基板側(cè)，附著、沉積在基板表面的物質(zhì)被濺鍍，發(fā)生所謂的逆濺鍍。該逆濺鍍量可由濺鍍時真空室內(nèi)氣氛或濺鍍時間而引起變化。因此，將基板搬運到與靶相對的位置，進行成膜時，即便通過給靶的輸入功率或濺鍍時間等來管理濺鍍條件在基板表面形成薄膜，例如被逆濺鍍的量(下稱“逆濺鍍量”)增多，則無法以需要的薄膜厚度來成膜，存在各基板間薄膜厚度或者有時是薄膜質(zhì)量參差不齊的問題。在先技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I:專利公開平I 一 321136號公報專利文獻2:專利公開2002 — 80962號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題
本發(fā)明鑒于以上內(nèi)容，要解決的技術(shù)問題是提供一種濺鍍裝置及濺鍍方法，能夠抑制基板間薄膜厚度的參差不齊。解決技術(shù)問題的手段為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的濺鍍裝置具有設(shè)置有靶的真空室；向該靶輸入功率的電源；向真空室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的濺鍍氣體的氣體導(dǎo)入裝置；把真空室內(nèi)真空排氣的排氣裝置；將待處理基板保持在真空室內(nèi)的基板保持裝置，基板保持裝置具有卡盤本體，所述卡盤本體具有正負(fù)電扱；作為電介質(zhì)的卡板，所述卡板具有與基板的外周邊部可面接觸的擋邊部及在所述擋邊部所圍繞的內(nèi)部空間以規(guī)定間隔垂直設(shè)立的多個支持部；在兩電極間施加直流電壓的直流電源；以及流出經(jīng)過卡板的靜電電容的交流電流的交流電源及測量此時的交流電流的測量裝置，還具有控制真空室內(nèi)壓カ的控制裝置，以便在通過氣體導(dǎo)入裝置向真空室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體，向靶輸入功率濺鍍該靶，基板表面形成規(guī)定的薄膜時，將測量裝置所測量的交流電流值保持為規(guī)定值。根據(jù)本發(fā)明，向基板保持裝置的兩電極間施加直流電壓并保持基板后，將真空室 抽真空。真空室內(nèi)的壓カー達到規(guī)定值，則經(jīng)氣體導(dǎo)入裝置導(dǎo)入規(guī)定的氣體，同時向靶輸入功率并濺鍍靶，對保持在基板保持裝置上的基板成膜。濺鍍過程中，電子使基板表面充電，基板表面的電位移向負(fù)側(cè)，與之對應(yīng)地，等離子體中的濺鍍氣體的離子被導(dǎo)入基板側(cè)，附著、沉積在基板表面的物質(zhì)被逆濺鍍。此處，本發(fā)明者的發(fā)明人經(jīng)過反復(fù)研究，得知濺鍍時的基板表面的電位依賴真空室內(nèi)的壓カ(非活性氣體的分壓)，再有，等離子體中的濺鍍氣體的離子被導(dǎo)入基板時的輸入能量表現(xiàn)為通過卡板的靜電電容的交流電流的變化、進而阻抗的變化，由此，得知該阻抗依賴真空室內(nèi)的壓カ，阻抗和基板表面的電位之間有相關(guān)性。此時，例如，隨著阻抗降低，逆濺鍍量増大。因此，在本發(fā)明中，用測量裝置測量通過卡板的靜電電容的交流電流值(阻抗值)，通過該測量值控制真空室內(nèi)的壓カ(非活性氣體的分壓)，以此可以控制逆濺鍍量。由此，將基板搬運到與靶相對的位置，在進行成膜時，通過阻抗來控制真空室內(nèi)的壓カ(濺鍍氣體的導(dǎo)入量)，以此能抑制各基板間的薄膜厚度或有時是薄膜質(zhì)量的參差不齊。另外，靶的輸入功率固定而使濺鍍氣體的導(dǎo)入量(真空室內(nèi)的壓力)變化，則靶的濺鍍量也能變動，但在基板表面的成膜率上逆濺鍍量的變化有很大影響，因此，通過維持該逆濺鍍量固定而能將各基板間的薄膜厚度或薄膜質(zhì)量的參差不齊抑制在最小限度。另外，在本發(fā)明中，所述控制裝置增減氣體導(dǎo)入裝置的氣體導(dǎo)入量或排氣裝置的排氣速度來控制真空室內(nèi)的壓力、進而非活性氣體的分壓即可。然而，有時在濺鍍成膜過程中向基板輸入偏置功率，離子化的濺鍍粒子被導(dǎo)入基板并入射成膜。此時，發(fā)現(xiàn)増減輸入的偏置功率，則逆濺鍍量變化基板表面的成膜率變化，該偏置功率與阻抗值有相關(guān)性。即例如阻抗越小基板表面的成膜率越高。因此，在本發(fā)明中，還具有對所述基板保持裝置所保持的基板輸入偏置功率的電源，優(yōu)選所述控制裝置優(yōu)先控制偏置功率，以便在通過氣體導(dǎo)入裝置向真空室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體，向靶輸入功率濺鍍該靶，向基板輸入偏壓的同時在基板表面形成規(guī)定的薄膜時，使通過測量裝置測量的交流電流值保持為規(guī)定值。由此，能夠抑制在各基板間薄膜厚度或有時是薄膜質(zhì)量的參差不齊。


圖I是說明本發(fā)明的實施方式的濺鍍裝置的圖。圖2是說明使用圖I所示的濺鍍基板的基板保持裝置的放大圖。圖3 (a)及(b)是說明氣體流量和阻抗及基板電位的關(guān)系的圖表。圖4 (a)及(b)是說明偏置功率和阻抗及成膜率的關(guān)系的圖表。
具體實施例方式以下參照附圖，以晶片W為待處理基板，說明最適合在晶片W表面形成Cu、Ti或Ta等薄膜的本發(fā)明的實施方式的濺鍍裝置。參照圖1，濺鍍裝置M具有可形成真空氣氛的 真空室1，真空室I的天花板部安裝有陰極單元C。以下內(nèi)容中，以向真空室I的天花板部偵_方向為“上”，以向其底部側(cè)的方向為“下”來進行說明。陰極單元C由靶2和配置在該靶2上側(cè)的磁鐵單元3構(gòu)成。靶2是對應(yīng)要在待處理晶片W上形成的薄膜的組成而適當(dāng)選擇的材料，例如由Cu、Ti或Ta制成，以公知的方法形成俯視圓形或矩形。而且，靶2以安裝在圖示省略的支撐板上的狀態(tài)經(jīng)絕緣體I安裝在
真空室I上。磁鐵單元3，是使靶2的濺鍍面2a的下方空間產(chǎn)生磁場，濺鍍時捕捉在濺鍍面2a的下方電離的電子等，將從靶2飛濺的濺鍍粒子高效離子化的裝置。另外，對于磁鐵單元3，能夠使用各種方式的公知裝置，所以此處省略詳細說明。靶2與作為濺鍍電源的DC電源El連接，濺鍍中給靶2施加負(fù)的直流電位。另外，濺鍍電源并不受上述限定，也可使用高頻電源等。真空室I內(nèi)配置有具有導(dǎo)電性的陽極屏蔽4。陽極屏蔽4是覆蓋在靶2的周圍向下方延伸的筒狀部件。此時，也可在陽極屏蔽4上連接另一 DC電源E2，以使在濺鍍過程中，能施加正直流電位。由此，能夠輔助由陽極屏蔽4離子化的濺鍍粒子的離子被反射，帶著強線性向基板W釋放。在真空室I的底部，與陰極單元C相對配置有臺架5。在臺架上部安裝有基板保持裝置EC。如圖2所示，基板保持裝置EC是所謂的靜電卡盤，由配置在臺架5上的卡盤本體61，和安裝在該卡盤本體61的上面的作為電介質(zhì)的卡板62構(gòu)成?？ūP本體61，例如由氮化鋁制成，經(jīng)圖示省略的絕緣層組裝有正負(fù)電極63a、63b，在兩電極63a、63b間，由電源電路64內(nèi)的直流電源64a施加直流電壓。再有，在卡盤本體61上，形成有貫通上下方向的氣體通道65，該氣體通道65的下端經(jīng)插設(shè)有APC (自動壓カ控制器)65a的氣管65b與收容由非活性氣體構(gòu)成的輔助氣體的氣體源65c連通。此時，在APC65a的下游側(cè)插設(shè)公知的質(zhì)量流量計65d，以便能夠監(jiān)控氣體流量。在卡盤本體61上還內(nèi)置有電阻加熱式加熱器66，以便能將晶片W加熱并保持在規(guī)定溫度。另外，也可以在卡盤本體61上形成冷卻通道使冷媒循環(huán)能夠冷卻晶片W。另一方面，卡板62例如由氮化鋁制成，具有晶片W背面的外周邊可面接觸的環(huán)狀擋邊部62a和在擋邊部62a所圍繞的內(nèi)部空間62b內(nèi)同心垂直設(shè)立的多個棒狀的支持部62c。將晶片W載置于卡板62上之后，經(jīng)直流電源64a在兩電極63a、63b間施加直流電壓而產(chǎn)生靜電力，以此將晶片W吸附在卡板62的表面。此時，晶片W背面的外周邊部與擋邊部62a在其全周上面接觸，以此來大致密封內(nèi)部空間62b(此時，晶片W為與卡板62表面呈大致平行的狀態(tài))，在此狀態(tài)下，經(jīng)氣體供給裝置提供輔助氣體，則在內(nèi)部空間62b形成氣體氣氛。由此,在擋邊部62a和晶片W背面隔出的內(nèi)部空間62b中形成氣體氣氛，由此能夠輔助對晶片W的熱傳導(dǎo)高效地進行加熱或冷卻。設(shè)置為在卡盤電源64內(nèi)將交流電源64b并列連接在直流電源64a上，從交流電源64b流出通過靜電卡盤的靜電電容的交流電流，以便能通過電流計A測量出的電流值來監(jiān)控阻抗值。此時，電流計A構(gòu)成本實施方式的測量裝置。而且，如上述那樣以卡板62表面吸附晶片W吋，預(yù)先取得當(dāng)晶片W與卡板62表面呈大致平行的狀態(tài)時的阻抗值及氣體流量，在重新吸附了晶片W時或濺鍍成膜過程中，若阻抗值及氣體流量的至少一方超過規(guī)定范圍變動，則通過改變來自直流電源64a的吸附電壓改變晶片W的吸附カ，控制晶片W與卡板62表面呈大致平行的狀態(tài)，即控制卡盤本體61上面到晶片W背面的距離彼此一致。另外，在本實施方式中，雖然并未特別圖示說明，但例如，可以設(shè)置為負(fù)載鎖定經(jīng)閘閥連接在真空室內(nèi)，在真空氣氛中能夠相對臺架5依次搬運基板。 再有，在真空室I的側(cè)壁上，連接有導(dǎo)入氬氣等非活性氣體的濺鍍氣體氣管7，該氣管7經(jīng)質(zhì)量流量控制器7a與圖示省略的氣體源連通。而且，這些部件構(gòu)成氣體導(dǎo)入裝置，控制了流量的濺鍍氣體能導(dǎo)入真空室I內(nèi)。再有，在真空室I的底部連接有排氣管8a，該排氣管8a與由渦輪分子泵或旋轉(zhuǎn)泵等構(gòu)成的真空排氣裝置8相通。在臺架5上連接有高頻電源E3，在濺鍍過程中，設(shè)置為向臺架5，進而向基板W施加偏置電壓，尤其是將濺鍍粒子的離子積極地導(dǎo)入基板W。上述濺鍍裝置M，具有控制裝置9，所述控制裝置9具有微機、存儲器或序列器等?？刂蒲b置9設(shè)置為統(tǒng)ー控制上述各電源El E3的啟動、濺鍍氣體導(dǎo)入用的質(zhì)量流量控制器7a的啟動或真空排氣裝置8的啟動等。再有，控制裝置9還統(tǒng)ー控制基板保持裝置EC的各電源64b的啟動或APC65a的啟動，再有，還存儲了預(yù)先取得的、晶片W變?yōu)榕c卡板62表面呈大致平行的狀態(tài)時的阻抗值及氣體流量。但是，以上述濺鍍裝置M的基板保持裝置EC來吸附晶片W，通過濺鍍進行成膜，則在等離子體中電離的電子使基板表面帶電，基板表面的電位移向負(fù)側(cè)。再有，成膜過程中，經(jīng)電源E3向晶片W施加高頻偏壓，則和電子比較質(zhì)量大的離子不能適應(yīng)交流電場的快速變化，電子給基板表面充電基板表面的電位移向負(fù)側(cè)。此時，等離子體中的濺鍍氣體的離子也被吸入晶片W側(cè)，在晶片W表面上附著、堆積的則被逆濺鍍。該逆濺鍍量，由于能在濺鍍時的真空室內(nèi)氣氛或濺鍍時間而引起變化，所以需要設(shè)置為對臺架5順次搬運晶片W，以便在成膜時在晶片W間不會出現(xiàn)薄膜質(zhì)量有時是薄膜厚度參差不齊。此處，本發(fā)明的發(fā)明者們進行了如下試驗。即在上述濺鍍裝置M中使用Cu制的靶，使用氬氣作為濺鍍氣體，在硅基板上形成了 Cu膜。濺鍍條件設(shè)定為靶的輸入功率為5kW，濺鍍時間為60秒。再有，通過直流電源64a向兩電極3a、3b間施加的直流電壓設(shè)定為O. 8kV。通過來自電流計A的交流電流值測量此時的阻抗值，約為17. 5k Ω。而且，適當(dāng)控制質(zhì)量流量控制器7a使濺鍍成膜時的濺鍍氣體的導(dǎo)入量在8 40scc m的范圍內(nèi)變化，測量此時的阻抗值的變化和基板表面的電位(通過插入真空室的探測器來測量)。圖3 (a)和圖3 (b)是顯示濺鍍氣體導(dǎo)入量和阻抗值及基板表面電位的關(guān)系的圖表。據(jù)此，可知使濺鍍時的氣體導(dǎo)入量増加，則基板電位持續(xù)上升(參照圖3(a))，阻抗值也上升。而且，可知對應(yīng)氣體導(dǎo)入量(在成膜時的真空室內(nèi)壓力)的增減而變化的基板電位和阻抗值之間有相關(guān)性。此時，測量在基板表面形成的Cu膜的薄膜厚度，證實隨著阻抗值變低，Cu膜的薄膜厚度變薄，逆濺鍍量増加。接著，在上述濺鍍裝置M中以7scc m向真空室I內(nèi)導(dǎo)入濺鍍氣體，其后，停止濺鍍氣體的導(dǎo)入通過自持放電在晶片W上形成Cu膜。濺鍍條件設(shè)定為靶的輸入功率是ISkWJi鍍時間是60秒。而且進行了下述實驗在濺鍍成膜過程中，通過電源E3對晶片W施加規(guī)定的偏置功率。圖4 (a)及圖4 (b)是示出使偏置功率在到800W為止的范圍變化時的該偏置功率和在基板表面形成的Cu膜的成膜率(從Cu膜的薄膜厚度計算得出)及阻抗值的變化的圖表。據(jù)此可知，使偏壓增加，則成膜率持續(xù)降低(參照圖4 (a))，阻抗值也降低(參照圖4(b))。而且，可知對應(yīng)偏置功率的増減而變化的成膜率和阻抗值之間有相關(guān)性。此時，證實隨著阻抗值變低，逆濺鍍量増加而成膜率降低。 因此，在本實施方式中，通過控制裝置9經(jīng)質(zhì)量流量控制器7a控制氣體導(dǎo)入量，控制真空室內(nèi)的壓カ(濺鍍氣體的分壓)，以便在通過氣體導(dǎo)入裝置7、7a導(dǎo)入濺鍍氣體，不向晶片W輸入偏置功率，僅向靶2輸入功率進行濺鍍成膜時(包含成膜過程中)，使阻抗保持在規(guī)定值。以下，對本實施方式的濺鍍成膜進行說明。即將待成膜晶片W搬運到真空氣氛的真空室I的基板保持裝置EC上，載置為位置固定狀態(tài)。而且，在兩電極63a、63b間，經(jīng)直流電源64a施加直流電壓而產(chǎn)生靜電力，以該靜電カ將晶片W吸附在卡板62的表面上。以此狀態(tài)，從交流電源64b流出經(jīng)過靜電卡盤的靜電電容的交流電流，以此時的電流計A測量的交流電流值被輸出給控制裝置9，通過控制裝置9取得阻抗值。而且，與預(yù)先存儲在控制裝置9中的、晶片W與卡板62表面呈大致平行的狀態(tài)時的設(shè)定阻抗值相比較，設(shè)定直流電源64a的吸附電壓以使取得的阻抗值存在于規(guī)定的范圍內(nèi)。由此，晶片W保持與卡板62表面呈大致平行的狀態(tài)。接著，通過氣體導(dǎo)入裝置7、7a導(dǎo)入濺鍍氣體，不向晶片W輸入偏置功率，只向靶2輸入功率。此時，經(jīng)電流計A持續(xù)取得阻抗值。此處，在控制裝置9中，存儲了對靶2的輸入電壓固定的條件下阻抗值和濺鍍氣體導(dǎo)入量之間的關(guān)系，若取得的阻抗值超過規(guī)定的范圍，則通過控制質(zhì)量流量控制器7a改變氣體流量。即例如取得的阻抗超出規(guī)定范圍而變小的情況下，則判定晶片W的電位低(向負(fù)側(cè)適量移動)，逆濺鍍量增多，此時通過增加氣體導(dǎo)入量減低逆濺鍍量。由此，通過將該逆濺鍍量維持固定能在各晶片W間將薄膜厚度有時是薄膜質(zhì)量的參差不齊控制在最小限度內(nèi)。此時，若通過將阻抗值保持固定而大致水平地吸附基板，由于來自靶2的濺鍍粒子到達在晶片W整個面上都大致均等，所以，各晶片W表面上的薄膜的膜厚分布面內(nèi)均勻性也很好，也能減小基板彼此間的膜厚分布面內(nèi)均勻性的參差不齊。另ー方面，在濺鍍成膜時，經(jīng)電源E3向晶片W輸入高頻功率時，預(yù)先在控制裝置9中存儲阻抗值和偏壓的關(guān)系，取得的阻抗值超過規(guī)定的范圍，則控制裝置9優(yōu)先控制偏置功率。即由于阻抗值降低，則逆濺鍍量増加成膜率降低，所以相應(yīng)地使偏壓降低。由此，與上述相同，能在各基板間將薄膜厚度有時是薄膜質(zhì)量的參差不齊控制在最小限度。以上對本發(fā)明的實施方式的濺鍍裝置M進行了說明，但本發(fā)明并不受上述限定。只要是將基板保持在作為所謂靜電卡盤的基板保持裝置，并同時進行濺鍍成膜的裝置，不論濺鍍裝置的形態(tài)。再有，在上述實施方式中，為通過阻抗值控制真空室內(nèi)的壓力，以使氣體導(dǎo)入量發(fā)生變化的裝置為例進行了說明，但并不僅限于此。例如，也能通過在與真空排氣裝置8連通的排氣管8a中設(shè)置導(dǎo)閥，控制該導(dǎo)閥來控制真空室內(nèi)的壓力。再有，在本發(fā)明中，能將按氣體導(dǎo)入量(在成膜時的真空室內(nèi)壓力)的増減而變化的基板電位和阻抗值之間的相關(guān)性或按偏置功率的増減而變化的成膜率和阻抗值之間的相關(guān)性用于利用蝕刻裝置控制蝕刻率。
附圖標(biāo)記說明M…濺鍍裝置、I…真空室、2…靶、7、7a···氣體導(dǎo)入裝置、8…真空排氣裝置、EC…基板保持裝置(靜電卡盤)、61—^盤本體、62—板、62a…擋邊部、62b…內(nèi)部空間、62c…支持部、63a、63b…(正負(fù))電極、C…控制裝置、El E3…電源、64—_盤用電源電路、64a···直流電源、64b…交流電源、A…電流計、W…晶片(基板)。
權(quán)利要求
1.一種濺鍍裝置，具有配置了靶的真空室；向該靶輸入功率的電源；向真空室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的濺鍍氣體的氣體導(dǎo)入裝置；將真空室內(nèi)真空排氣的排氣裝置；在真空室內(nèi)保持待處理基板的基板保持裝置； 基板保持裝置包括卡盤本體，所述卡盤本體具有正負(fù)電極；作為電介質(zhì)的卡板，所述卡板具有與基板的外周邊部能面接觸的擋邊部及在所述擋邊部圍繞的內(nèi)部空間里以規(guī)定的間隔垂直設(shè)立的多個支持部；直流電源，所述直流電源在兩電極間施加直流電壓；流出通過卡板的靜電電容的交流電流的交流電源及測量此時的交流電流的測量裝置； 其中所述濺鍍裝置還具有控制裝置，以便在氣體導(dǎo)入裝置向真空室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體，向靶輸入功率濺鍍該靶，在基板表面形成規(guī)定的薄膜時，控制真空室內(nèi)的壓力，使測量裝置測量的交流電流值保持在規(guī)定值。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的濺鍍裝置，其特征在于 所述控制裝置，增減氣體導(dǎo)入裝置的氣體導(dǎo)入量或排氣裝置的排氣速度而控制真空室內(nèi)的壓力。
3.一種濺鍍裝置，其特征在于 還具備給保持在所述基板保持裝置上的基板輸入偏置功率的電源，所述控制裝置優(yōu)先控制偏置功率，以便在通過氣體導(dǎo)入裝置向真空室內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定的氣體，向靶輸入功率濺鍍該靶，向基板輸入偏壓并在基板表面形成規(guī)定的薄膜時，使測量裝置測量出的交流電流值保持在規(guī)定值。
全文摘要
提供一種濺鍍裝置，來抑制基板間薄膜厚度的參差不齊，所述濺鍍裝置具有配置了靶的真空室；向靶輸入功率的電源；氣體導(dǎo)入裝置；排氣裝置；保持待處理基板的基板保持裝置，基板保持裝置具有卡盤本體，所述卡盤本體有正負(fù)電極；卡板，所述卡板具有與基板的外周邊部能面接觸的擋邊部及在擋邊部所圍繞的內(nèi)部空間里以規(guī)定間隔垂直設(shè)立的多個支持部；直流電源，所述直流電源向兩電極間施加直流電壓。所述控制裝置具有流出通過卡板(62)的靜電電容的交流電流的交流電源(64b)及測量該交流電流的測量裝置(A)，具有控制裝置，控制真空室內(nèi)的壓力，以便在真空室(1)內(nèi)導(dǎo)入規(guī)定氣體，向靶(2)輸入功率并濺鍍靶，在基板表面形成規(guī)定薄膜時，保持測量裝置測量出的交流電流值是規(guī)定值。
文檔編號C23C14/34GK102822380SQ20118001692
公開日2012年12月12日 申請日期2011年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月2日
發(fā)明者森本直樹, 石田正彥 申請人:株式會社愛發(fā)科