專利名稱：磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)及其生產(chǎn)工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及玻璃成型技術(shù)，具體地涉及一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)及其生產(chǎn)工藝。
背景技術(shù)：
磁控濺射鍍膜技術(shù)經(jīng)過幾十年的發(fā)展已經(jīng)進入到相對成熟的階段，它具有濺射溫升低、濺射速率高、膜層致密以及附著力好等優(yōu)點而備受青睞。特別是在一些大型鍍膜生產(chǎn)線上的成功應(yīng)用進一步奠定了它在鍍膜領(lǐng)域重要地位。隨著平板顯示器產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展， 在2004年中國LCD顯示器的產(chǎn)量首次超過了 CRT，在該領(lǐng)域是一種大面積的鍍膜技術(shù)，還不只是被鍍工件的鍍膜面積大到幾平方米，而是考慮一套鍍膜設(shè)備整個的生產(chǎn)能力和質(zhì)量的平穩(wěn)。它所面臨的主要問題有
①薄膜均勻性的控制，包括薄膜厚度、薄膜成分與薄膜特性的均勻性；
②連續(xù)生產(chǎn)的條件下，薄膜制備的可重復(fù)性與薄膜特性的一致性；
③如何控制和減少薄膜的區(qū)缺陷；
④生產(chǎn)節(jié)拍的提高使得產(chǎn)能增加從而可以一定程度上降低成本。同樣隨著低輻射率膜(LOW-Ε)、建筑玻璃、自清潔玻璃、薄膜太陽電池等日益的發(fā)展普及、大面積的磁控濺射鍍膜的應(yīng)用領(lǐng)域正在不斷的擴大?？v觀國內(nèi)的大面積磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線的結(jié)構(gòu)已經(jīng)比較落后，特別是ITO導(dǎo)電玻璃生產(chǎn)線的設(shè)計還停留在以前較傳統(tǒng)的設(shè)計方式。以下是現(xiàn)有技術(shù)中的幾種典型的玻璃鍍膜生產(chǎn)線
1、采用直線形式(IN-LINE型):這種結(jié)構(gòu)的磁控濺射生產(chǎn)線應(yīng)用很廣泛，有單面和雙面鍍膜之分。其中單面主要考慮到結(jié)構(gòu)布置簡單，基片載體運行可靠性高，加熱均勻性有所改善；雙面主要考慮到增加產(chǎn)能節(jié)約生產(chǎn)成本。這種結(jié)構(gòu)其上下片的機會車間分別在產(chǎn)線的兩端，基片載體會送裝置在真空室外面沿轉(zhuǎn)用的軌道回架。這種玻璃鍍膜線對于減反玻璃 (AR玻璃)而言存在占地過長，且很難實現(xiàn)過程膜厚的監(jiān)測，只能在所有層鍍膜結(jié)束后進行膜厚的檢測，產(chǎn)品的良率監(jiān)控難以實現(xiàn)，生產(chǎn)效率低下。2、國內(nèi)的生產(chǎn)線結(jié)構(gòu)雖然沒有大的改觀，但在吸收了一些國外的先進設(shè)計思想以后也進行了改進，采用了旋轉(zhuǎn)真空室結(jié)構(gòu)，即單面回轉(zhuǎn)式磁控濺射鍍膜生產(chǎn)線。其真空室做成一室兩工作點形式，即用隔板做成兩個獨立的空間，通過旋轉(zhuǎn)室的回轉(zhuǎn)來完成連續(xù)的鍍膜過程。它的上下片室共用一個凈化間，通過凈化間內(nèi)德回轉(zhuǎn)裝置實現(xiàn)基片載體的循環(huán)運行。也就是說整個的鍍膜過程基片載體不用暴露到生產(chǎn)車間，而只是在真空室體和百級凈化間空間內(nèi)運行。這種結(jié)構(gòu)設(shè)計的思想其實就是將單面IN-LINE線進行“對折”然后增加旋轉(zhuǎn)真空室來起連接過渡。因此較單面IN-LINE線而言有具有如下的優(yōu)勢①整個生產(chǎn)線長度大大減少，而且減少一個千級凈化間其占地面積有大的降低；②基片載體回送裝置沒有暴露在生產(chǎn)車間不會造成基片載體的污染有利于鍍膜質(zhì)量的改善。但對于AR玻璃而言， 尤其是4層膜以上的AR玻璃，其膜系結(jié)構(gòu)(膜層厚度搭配)是不對稱的，單面的回轉(zhuǎn)未能很好的解決鍍膜結(jié)構(gòu)不對稱的問題，所以生產(chǎn)效率也比較低；同時在膜厚監(jiān)控方面，不易實現(xiàn)每個單層的厚度都受到監(jiān)控。3、在國外有一種“星”型的結(jié)構(gòu)設(shè)計，同樣采用單室雙工作點的室和旋轉(zhuǎn)真空室。 它將幾個真空室在不同方向上與旋轉(zhuǎn)室連接形成一個“星”型的結(jié)構(gòu)，其分支可視不同的工藝要求進行增減，每個分支的室數(shù)量也可增減。室都采用模塊化設(shè)計以方面安裝和重新組合。這種結(jié)構(gòu)同樣具有占地面積小的優(yōu)點，而且靈活性又有了很大的提高。還可適用于鍍制別的產(chǎn)品，比如多層膜的沉積。上述現(xiàn)有技術(shù)中，存在一些問題及缺陷。采用單面或雙面IN-LINE結(jié)構(gòu)主要有以下缺點①生產(chǎn)線較長占地面積大；②上下片凈化車間分離在兩端，進一步增加占地面積和建設(shè)成本；③基片載體回送裝置暴露在生產(chǎn)車間會受到污染，不利于沉膜質(zhì)量改善；④ 生產(chǎn)線的安裝不方便，由于太長(國內(nèi)普遍采用9真空室)安裝的精度不容易保證，基片載體運行易受阻。采用單面環(huán)式結(jié)構(gòu)的主要缺點是①機構(gòu)靈活性差，加工產(chǎn)品的范圍不廣；②生產(chǎn)節(jié)拍不高，產(chǎn)能低從而增加了成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，提供一種生產(chǎn)效率高，設(shè)備的靈活性高，維護成本低及維護時間減少， 產(chǎn)品的生產(chǎn)穩(wěn)定性好的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)及其生產(chǎn)工藝。一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，包括進出片室、第一過渡室、第一旋轉(zhuǎn)室、第一鍍膜工作站、第二鍍膜工作站，所述進出片室、第一過渡室、第一旋轉(zhuǎn)室依序銜接，所述第一鍍膜工作站、第二鍍膜工作站分別銜接至所述第一旋轉(zhuǎn)室，所述第一鍍膜工作站包括第一鍍膜工作室和第二旋轉(zhuǎn)室，所述第一鍍膜工作室的兩端分別連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室和第二旋轉(zhuǎn)室，所述第二鍍膜工作站包括鍍膜單元和第三旋轉(zhuǎn)室，所述鍍膜單元的兩端分別連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室和第三旋轉(zhuǎn)室，所述鍍膜單元包括兩個串聯(lián)聯(lián)接的第二鍍膜工作室。以及，一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)工藝，其采用如上所述的生產(chǎn)系統(tǒng)，所述生產(chǎn)工藝包括如下步驟將工件由進出片室載入，經(jīng)過第一過渡室，再依次經(jīng)過所述第一鍍膜工作站和 /或第二鍍膜工作站進行多次鍍膜，工件在經(jīng)過第一鍍膜工作站和第二鍍膜工作站中的一個鍍膜后進入所述第一旋轉(zhuǎn)室，通過所述第一旋轉(zhuǎn)室旋轉(zhuǎn)切換到兩個工作站中任一個進行再次鍍膜或者經(jīng)第一過渡室和進出片室導(dǎo)出；在所述第一鍍膜工作站中，工件經(jīng)過第一鍍膜工作室進行一次鍍膜，再由第二旋轉(zhuǎn)室旋轉(zhuǎn)工件回到第一鍍膜工作室進行又一次鍍膜； 在所述第二鍍膜工作站中，工件依次經(jīng)過兩個第二鍍膜工作室進行兩次鍍膜后，由第三旋轉(zhuǎn)室旋轉(zhuǎn)工件依次回到兩個第二鍍膜工作室再進行兩次鍍膜；進入到第一旋轉(zhuǎn)室中且經(jīng)過經(jīng)過所需鍍膜后的工件再經(jīng)過第一過渡室，由進出片室導(dǎo)出，獲得所需鍍膜工件。在上述磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)及其生產(chǎn)工藝中，兩組不同的鍍膜工作站分別與第一旋轉(zhuǎn)室銜接，每個工作站中還具有旋轉(zhuǎn)室，這樣，在兩個工作站中通過自身的旋轉(zhuǎn)室進行回轉(zhuǎn)，分別實現(xiàn)雙層或四層鍍膜，而兩個工作站之間通過第一旋轉(zhuǎn)室回轉(zhuǎn)切換。因此，在上述生產(chǎn)系統(tǒng)及其生產(chǎn)工藝中，一方面，同時進行兩個方向的生產(chǎn)并通過流程控制，另一方面同時在兩個鍍膜工作站內(nèi)相對獨立完成各自兩層或四層膜的鍍膜，兩個鍍膜工作站長短結(jié)合，克服膜層厚度不對稱帶來的各濺射工作室分工不對稱的問題，很好的滿足了 4層或4層
4以上的AR玻璃的膜系對鍍膜的要求；共用主要的生產(chǎn)設(shè)備，從而實現(xiàn)2層、4層或6層，甚至任意層數(shù)的鍍膜，提高了生產(chǎn)效率，產(chǎn)能也能大大提高。另外，在鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)和工藝中，兩個鍍膜工作站是相對獨立的，當其中一個工作站需要維護時，可以將該工作站與第一旋轉(zhuǎn)室之間處于關(guān)閉狀態(tài)，另一個工作站仍然能夠繼續(xù)鍍膜作業(yè)，從而大大降低維護成本，減少維護時間。因此，上述鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)和工藝適應(yīng)性廣泛，涵蓋2-6層或以上的鍍膜。而且， 鍍膜工作室多，可通過調(diào)整不同的工藝路線來滿足產(chǎn)品的需求，采用多旋轉(zhuǎn)室，可根據(jù)工藝的要求來對工件進行有序的調(diào)度，改善了產(chǎn)品的生產(chǎn)穩(wěn)定性。
以下結(jié)合附圖描述本發(fā)明的實施例，其中


圖1是本發(fā)明實施例提供的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)立體結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是圖1的生產(chǎn)系統(tǒng)中第一旋轉(zhuǎn)室的側(cè)視平面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是圖1的生產(chǎn)系統(tǒng)中第一旋轉(zhuǎn)室的俯視平面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是圖1的生產(chǎn)系統(tǒng)中第二或第三旋轉(zhuǎn)室的側(cè)視平面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖5是圖1的生產(chǎn)系統(tǒng)中第二或第三旋轉(zhuǎn)室的俯視平面結(jié)構(gòu)示意圖； 圖6是圖1的生產(chǎn)系統(tǒng)中工件載體的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式以下基于附圖對本發(fā)明的具體實施例進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅作為實例，并不用于限定本發(fā)明的保護范圍。請參閱圖1，舉例說明本發(fā)明實施例的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)100，包括進出片室 1、第一過渡室2、第一旋轉(zhuǎn)室3、第一鍍膜工作站20、第二鍍膜工作站30，進出片室1、第一過渡室2、第一旋轉(zhuǎn)室3依序銜接，所述第一鍍膜工作站20、第二鍍膜工作站30分別銜接至所述第一旋轉(zhuǎn)室3，所述第一鍍膜工作站20包括第一鍍膜工作室5和第二旋轉(zhuǎn)室7，所述第一鍍膜工作室5的兩端分別連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室3和第二旋轉(zhuǎn)室7，所述第二鍍膜工作站 30包括鍍膜單元32和第三旋轉(zhuǎn)室13，所述鍍膜單元32的兩端分別連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室 3和第三旋轉(zhuǎn)室13，所述鍍膜單元32包括兩個串聯(lián)聯(lián)接的第二鍍膜工作室9和11。工件40從進出片室1進入或?qū)С?，既是工?0的入口，也是鍍膜后工件40的出口。其具有對稱的兩個腔室，具體地，進出片室1包括通過進入腔室Ia和導(dǎo)出腔室lb，例如通過一個隔板14分隔而成。進出片室1是真空腔室。第一過渡室2也是真空腔室，同時也通過隔板14分成兩個過渡腔室加和2b，分別與進入腔室Ia和導(dǎo)出腔室Ib對應(yīng)銜接。在本實施例中，生產(chǎn)系統(tǒng)100是雙向回路系統(tǒng)，每個室內(nèi)都分成兩個腔室，各個室內(nèi)同一側(cè)的腔室依次相通相銜接并通過旋轉(zhuǎn)室3、7、13使工件40換向而構(gòu)成回路。相鄰的室與室之間都設(shè)有閥門16，通過開合閥門16以便根據(jù)需要連通或關(guān)閉相鄰室之間的連通。具體地，在進出片室1和第一過渡室2的兩對腔室對應(yīng)銜接處分別設(shè)有所述閥門16。在本實施例中， 為描述方便，將進料方向定義為A方向，出料方向定義為B方向，每個室內(nèi)的兩個腔室都對應(yīng)于這兩個方向的腔室。由于工件40從進出片室1進入時，是從外界進入，因此通過第一過渡室2進行真空過渡，工件40被送到第一旋轉(zhuǎn)室3以及后續(xù)室時保持所需的真空要求。如圖1所示，每個鍍膜工作室也通過隔板14分成兩個腔室，例如，第一鍍膜工作室5具有對應(yīng)于A方向的鍍膜工作腔室fe和對應(yīng)于B方向的鍍膜工作腔室恥，第二鍍膜工作室9具有對應(yīng)于A方向的鍍膜工作腔室9a和對應(yīng)于B方向的鍍膜工作腔室9b，第二鍍膜工作室11具有對應(yīng)于A方向的鍍膜工作腔室Ila和對應(yīng)于B方向的鍍膜工作腔室lib。每個鍍膜工作室分別通過第二過渡室連接至對應(yīng)的旋轉(zhuǎn)室。具體地，第一鍍膜工作室5的兩端分別通過第二過渡室4、6對應(yīng)連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室3、第二旋轉(zhuǎn)室7，第二鍍膜工作室 9的一端通過第二過渡室8連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室3，第二鍍膜工作室11的一端通過第二過渡室12連接至所述第三旋轉(zhuǎn)室13。第二過渡室4、6、8、12都是真空腔室，同時也通過隔板14分成兩個腔室，分別與進入腔室11和導(dǎo)出腔室12對應(yīng)銜接。例如，第二過渡室4具有對應(yīng)于A方向的過渡腔室如和對應(yīng)于B方向的過渡腔室4b，第二過渡室6具有對應(yīng)于A方向的過渡腔室6a和對應(yīng)于B 方向的過渡腔室6b，第二過渡室8具有對應(yīng)于A方向的過渡腔室8a和對應(yīng)于B方向的過渡腔室8b，第二過渡室12具有對應(yīng)于A方向的過渡腔室1 和對應(yīng)于B方向的過渡腔室 12b。第二過渡室4、6、8、12作用基本相同，主要用于工件40的傳輸速度的過渡。進一步地，每個第二過渡室4、6、8、12設(shè)有用于對經(jīng)過鍍膜工作室鍍膜后的工件 40進行光學檢測的檢測元件。也就是說，當工件40鍍膜后進入第二過渡室，在該第二過渡室安裝有檢測元件，以對剛剛鍍膜后工件40進行檢測。如上所述，每個第二過渡室都分成兩個腔室，因此，檢測元件進一步安裝在對應(yīng)于接收鍍膜后工件40的腔室，即按照工藝流程時序，檢測元件是安裝于與鍍膜的工作腔室直接銜接連通的后一過渡腔室。例如，按照工序，在過渡腔室6a、4b、12a、8b中分別安裝有檢測元件17，用于檢測鍍膜的性能，例如，工件 40是玻璃時，檢測剛經(jīng)過鍍膜的膜層的光學性能。進一步地，兩個第二鍍膜工作室9和11之間通過氣阱室10相聯(lián)接。氣阱室10對應(yīng)于A、B方向分成兩個氣阱腔室10a、10b。由于鍍膜工作室9和11都是在真空腔室，對真空度要求嚴格，為防止空氣逸入鍍膜工作室9和11，增加一對的氣阱腔室10a、10b，同時可設(shè)有消氣裝置，確保第二鍍膜工作室9和11內(nèi)的真空條件，氣阱腔室IOa的兩端分別與鍍膜腔室9a、lla連通，氣阱腔室IOb兩端分別與鍍膜腔室9b、llb連通。每個旋轉(zhuǎn)室與相鄰的室之間設(shè)有閥門。例如，第一旋轉(zhuǎn)室3與相鄰的第一過渡室 2、第二過渡室4、第二過渡室8之間設(shè)有閥門16，第二旋轉(zhuǎn)室7與相鄰的第二過渡室6之間設(shè)有閥門16，第三旋轉(zhuǎn)室13與相鄰的第二過渡室12之間設(shè)有閥門16。進一步，在進出片室1和第一過渡室2之間也設(shè)有閥門16。所述第一旋轉(zhuǎn)室3可以作為一個中轉(zhuǎn)室，如圖2和3所示，顯示該第一旋轉(zhuǎn)室3的側(cè)視和俯視的示意性結(jié)構(gòu)，第一旋轉(zhuǎn)室3具有用于讓工件40放置以等待調(diào)度的調(diào)度工位架 3a,調(diào)度工位架3a具有支撐面，每個支撐面上具有兩個工件托盤北，這樣，調(diào)度工位架3a可以旋轉(zhuǎn)以切換支撐面，使得需要離開第一旋轉(zhuǎn)室3的工件托盤北或需要接收工件40的工件托盤北面對閥門16，而用于支撐等待中工件40的工件托盤北轉(zhuǎn)到遠離閥門，以等待調(diào)度。第二旋轉(zhuǎn)室7和第三旋轉(zhuǎn)室13結(jié)構(gòu)相同，也與第一旋轉(zhuǎn)室3主要的結(jié)構(gòu)基本相似，也具有調(diào)度工位架3a以及工件托盤北，在些不再贅述，主要的不同是第一旋轉(zhuǎn)室3中的調(diào)度工位架3a用于調(diào)度，工件40能暫時停留在處于調(diào)度狀態(tài)的工位架3a上，而不影響其他工件的正常操作過程。
請再參閱圖1和圖6，說明本實施例的一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)工藝，其采用如上所述的生產(chǎn)系統(tǒng)100，該生產(chǎn)工藝包括如下步驟將工件40由進出片室1載入，經(jīng)過第一過渡室2，再依次經(jīng)過所述第一鍍膜工作站20和/或第二鍍膜工作站30進行多次鍍膜，工件40 在經(jīng)過第一鍍膜工作站20和第二鍍膜工作站30中的一個鍍膜后進入第一旋轉(zhuǎn)室3，通過第一旋轉(zhuǎn)室3旋轉(zhuǎn)切換到兩個工作站20、30中任一個進行再次鍍膜。在第一鍍膜工作站30 中，流程為工件40經(jīng)過第一鍍膜工作室5進行一次鍍膜，再由第二旋轉(zhuǎn)室7旋轉(zhuǎn)工件40 回到第一鍍膜工作室5進行又一次鍍膜。在第二鍍膜工作站30中，流程為工件40依次經(jīng)過兩個第二鍍膜工作室9和11進行兩次鍍膜后，由第三旋轉(zhuǎn)室13旋轉(zhuǎn)工件40依次回到兩個第二鍍膜工作室9和11再進行兩次鍍膜；在第一旋轉(zhuǎn)室3經(jīng)過鍍膜后的工件40經(jīng)過第一過渡室，由進出片室導(dǎo)出，獲得所需鍍膜工件40。具體地，工件40在經(jīng)過第一鍍膜工作站20或第二鍍膜工作站30鍍膜后回到第一旋轉(zhuǎn)室3，在第一旋轉(zhuǎn)室3中等待調(diào)度，按照工序，選擇性進入第一鍍膜工作站20或第二鍍膜工作站30進行下一次鍍膜或者將工件40依次經(jīng)過第一過渡室2、進出片室1導(dǎo)出。由于，第一旋轉(zhuǎn)室3與第一過渡室2、第一鍍膜工作站20、第二鍍膜工作站30在三個不同側(cè)進行銜接，因此，到達第一旋轉(zhuǎn)室3的工件40具有三個去向，可以是待鍍工件或已鍍膜工件， 當然，待鍍工件40通常通往第一鍍膜工作站20或第二鍍膜工作站30。已鍍膜工件40可以導(dǎo)出系統(tǒng)，完成鍍膜，或者是進入第一鍍膜工作站20或第二鍍膜工作站30進行再次鍍膜。 因此，兩個鍍膜工作站20、30內(nèi)可以相對獨立完成各自兩層或四層膜的鍍膜，兩個鍍膜工作站長短結(jié)合，共用主要的生產(chǎn)設(shè)備，從而實現(xiàn)2層、4層或6層，甚至是6層以上的任意偶數(shù)層的鍍膜，從而提高了生產(chǎn)效率，產(chǎn)能也能大大提高。以下將具體介紹2層、4層、6層的鍍膜流程。在本發(fā)明的生產(chǎn)工藝的一個具體實施例，例如，鍍2層膜的實例中，如圖6所示，在工件載體41上的工件40按照工序依次經(jīng)過進入腔室la、過渡腔室2a、第一旋轉(zhuǎn)室3、過渡腔室如、鍍膜工作腔室fe、過渡腔室6a、第二旋轉(zhuǎn)室7、過渡腔室6b、鍍膜工作腔室恥、過渡腔室4b、第一旋轉(zhuǎn)室3、過渡腔室2b、導(dǎo)出腔室lb，最后得到所需的具有2層鍍膜的工件。在經(jīng)鍍膜工作腔室恥鍍膜后的工件40進入到第一旋轉(zhuǎn)室3時，本實例為導(dǎo)出，完成工件40 的鍍膜過程，實際上，鍍膜后的工40進入到第一旋轉(zhuǎn)室3時也可以等待調(diào)度，重新進入第一鍍膜工作站20進行重復(fù)鍍膜，或進入第二鍍膜工作站30進行另一種材質(zhì)的鍍膜，此工序稱為L2調(diào)度。在本發(fā)明的生產(chǎn)工藝的另一個具體實施例，例如，鍍4層膜的實例中，如圖1所示， 在工件載體18上的工件40按照工序依次經(jīng)過進入腔室la、過渡腔室2a、第一旋轉(zhuǎn)室3、過渡腔室8a、鍍膜工作腔室9a、氣阱腔室10a、鍍膜工作腔室11a、過渡腔室12a、第三旋轉(zhuǎn)室 13、過渡腔室12b、鍍膜工作腔室lib、氣阱腔室10b、鍍膜工作腔室％、過渡腔室Sb、第一旋轉(zhuǎn)室3、過渡腔室2b、導(dǎo)出腔室lb，最后得到所需的具有4層鍍膜的工件。在鍍膜工作腔室 9b鍍膜后的工件40進入到第一旋轉(zhuǎn)室3時，本實例為導(dǎo)出，完成工件40的4層鍍膜過程， 實際上，經(jīng)鍍膜工作腔室9b鍍膜后的工件40進入到第一旋轉(zhuǎn)室3時也可以等待調(diào)度，進入第一鍍膜工作站20進行另一種材質(zhì)的鍍膜，或進入第二鍍膜工作站30進行重復(fù)鍍膜，此工序稱為L4調(diào)度。在本發(fā)明的生產(chǎn)工藝的又一個具體實施例，例如，鍍6層膜的實例中，如圖1所示，在工件載體41上的工件40按照工序依次經(jīng)過進入腔室la、過渡腔室2a、第一旋轉(zhuǎn)室3、過渡腔室如、鍍膜工作腔室fe、過渡腔室6a、第二旋轉(zhuǎn)室7、過渡腔室6b、鍍膜工作腔室恥、過渡腔室4b、第一旋轉(zhuǎn)室3、過渡腔室8a、鍍膜工作腔室9a、氣阱腔室10a、鍍膜工作腔室11a、 過渡腔室12a、第三旋轉(zhuǎn)室13、過渡腔室12b、鍍膜工作腔室lib、氣阱腔室10b、鍍膜工作腔室％、過渡腔室Sb、第一旋轉(zhuǎn)室3、過渡腔室2b、導(dǎo)出腔室lb，最后得到所需的具有6層鍍膜的工件。在鍍膜工作腔室％鍍膜后的工件40進入到第一旋轉(zhuǎn)室3時，本實例為導(dǎo)出，完成工件40的6層鍍膜過程，實際上，經(jīng)鍍膜工作腔室9b鍍膜后的工件40進入到第一旋轉(zhuǎn)室3時也可以等待調(diào)度，進入第一鍍膜工作站20進行第一種材質(zhì)(在鍍膜工作腔室5中的靶材)的重復(fù)鍍膜，或進入第二鍍膜工作站30進行第二種材質(zhì)(在鍍膜工作腔室9或11中的靶材)的重復(fù)鍍膜，此工序稱為L4調(diào)度?？梢岳斫猓兡すぷ髑皇?、11中的靶材也可以是不同的材質(zhì)，并不限于以上實例。進一步地，本發(fā)明實施例的生產(chǎn)工藝為連續(xù)工藝，當工件40由第二旋轉(zhuǎn)室7旋轉(zhuǎn)回到第一鍍膜工作室5進行又一次鍍膜的同時，由進出片室1載入下一個工件40進行下一輪鍍膜。具體地，當工件40在第一鍍膜工作室5的鍍膜工作腔室恥進行鍍膜的同時，由進出片室1載入下一個工件40進行下一輪鍍膜，即兩個工件的工序時差大概為從進出片室1 至鍍膜工作腔室恥的時程，即每間隔這一工時，即進料以及有完成鍍膜的工件40出料。此外，同時本發(fā)明的鍍膜裝置采用自有專利——旋轉(zhuǎn)陰極技術(shù)，通過該技術(shù)提升橫向的均勻性，為AR玻璃的生產(chǎn)良率提供支持，具體請參閱專利號為的專利。因此，在上述磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)100及其生產(chǎn)工藝中，兩組不同的鍍膜工作站20和30分別與第一旋轉(zhuǎn)室3銜接，每個工作站中還具有第二、第三旋轉(zhuǎn)室7、13，這樣，在兩個工作站中通過自身的旋轉(zhuǎn)室7、13進行回轉(zhuǎn)，分別實現(xiàn)雙層或四層鍍膜，而兩個工作站之間通過第一旋轉(zhuǎn)室3回轉(zhuǎn)切換，且每層的鍍膜都是在獨立的真空室內(nèi)完成的，克服了各濺射室相互干擾的問題，每層膜鍍膜后均可在下一過渡室進行膜層厚度的檢測。這樣，在上述生產(chǎn)系統(tǒng)100及其生產(chǎn)工藝中，一方面，同時進行兩個方向的生產(chǎn)并通過流程控制，另一方面，同時在兩個鍍膜工作站內(nèi)相對獨立完成各自兩層或四層膜的鍍膜，兩個鍍膜工作站長短結(jié)合，共用主要的生產(chǎn)設(shè)備，從而實現(xiàn)2層、4層或6層，甚至是6層以上的任意偶數(shù)層的鍍膜，提高了生產(chǎn)效率，產(chǎn)能也能大大提高。由此實現(xiàn)每個單層無干擾的獨立濺射且其厚度可測可控，通過兩個鍍膜工作站的合理調(diào)度，可進行任意層數(shù)的組合，能滿足產(chǎn)品不斷升級的要求。此外，上述磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)100及其生產(chǎn)工藝不僅滿足對稱鍍膜的要求， 而且樣能進行不對稱膜厚的鍍膜，克服膜層厚度不對稱帶來的各濺射工作室分工不對稱的問題，很好的滿足了 4層或4層以上的AR玻璃的膜系對各種鍍膜的要求。另外，在鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)100和工藝中，兩個鍍膜工作站是相對獨立的，當其中一個工作站需要維護時，可以將該工作站與第一旋轉(zhuǎn)室3之間處于關(guān)閉狀態(tài)，另一個工作站仍然能夠繼續(xù)鍍膜作業(yè)，從而大大降低維護成本，減少維護時間。因此，上述鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)100 和工藝適應(yīng)性廣泛，涵蓋2-6層或以上的鍍膜。而且，鍍膜工作室多，可通過調(diào)整不同的工藝路線來滿足產(chǎn)品的需求，采用多旋轉(zhuǎn)室，可根據(jù)工藝的要求來對工件40進行有序的調(diào)度，改善了產(chǎn)品的生產(chǎn)穩(wěn)定性。鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)100和工藝可廣泛應(yīng)用于進行玻璃鍍膜，例如但不限于ITO玻璃鍍膜，膜層材料可以是但不限于Si02、Nb2O5, Si3N4, TiO2, Ta2O5或其他光學介質(zhì)的鍍膜。
以上僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，包括進出片室、第一過渡室、第一旋轉(zhuǎn)室、 第一鍍膜工作站、第二鍍膜工作站，所述進出片室、第一過渡室、第一旋轉(zhuǎn)室依序銜接，所述第一鍍膜工作站、第二鍍膜工作站分別銜接至所述第一旋轉(zhuǎn)室，所述第一鍍膜工作站包括第一鍍膜工作室和第二旋轉(zhuǎn)室，所述第一鍍膜工作室的兩端分別連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室和第二旋轉(zhuǎn)室，所述第二鍍膜工作站包括鍍膜單元和第三旋轉(zhuǎn)室，所述鍍膜單元的兩端分別連接至所述第一旋轉(zhuǎn)室和第三旋轉(zhuǎn)室，所述鍍膜單元包括兩個串聯(lián)聯(lián)接的第二鍍膜工作室。
2.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，每個所述鍍膜工作室分別通過一個第二過渡室連接至對應(yīng)的旋轉(zhuǎn)室。
3.如權(quán)利要求2所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，每個所述第二過渡室設(shè)有用于對經(jīng)過鍍膜工作室鍍膜后的工件進行光學檢測的檢測元件。
4.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述兩個第二鍍膜工作室之間通過氣阱室相聯(lián)接。
5.如權(quán)利要求4所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述生產(chǎn)系統(tǒng)是雙向回路系統(tǒng)，每個室內(nèi)都分成兩個腔室，各個室內(nèi)同一側(cè)的腔室依次相通相銜接并通過旋轉(zhuǎn)室使工件換向而構(gòu)成回路。
6.如權(quán)利要求5所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，每個旋轉(zhuǎn)室與相鄰的室之間設(shè)有閥門。
7.如權(quán)利要求1所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)，其特征在于，所述第一旋轉(zhuǎn)室具有用于讓工件放置以等待調(diào)度的調(diào)度工位架。
8.—種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)工藝，其采用如權(quán)利要求1-7任一項所述的生產(chǎn)系統(tǒng)，所述生產(chǎn)工藝包括如下步驟將工件由進出片室載入，經(jīng)過第一過渡室，再依次經(jīng)過所述第一鍍膜工作站和/或第二鍍膜工作站進行多次鍍膜，工件在經(jīng)過第一鍍膜工作站和第二鍍膜工作站中的一個鍍膜后進入所述第一旋轉(zhuǎn)室，通過所述第一旋轉(zhuǎn)室旋轉(zhuǎn)切換到兩個工作站中任一個進行再次鍍膜或者經(jīng)第一過渡室和進出片室導(dǎo)出；在所述第一鍍膜工作站中，工件經(jīng)過第一鍍膜工作室進行一次鍍膜，再由第二旋轉(zhuǎn)室旋轉(zhuǎn)工件回到第一鍍膜工作室進行又一次鍍膜；在所述第二鍍膜工作站中，工件依次經(jīng)過兩個第二鍍膜工作室進行兩次鍍膜后， 由第三旋轉(zhuǎn)室旋轉(zhuǎn)工件依次回到兩個第二鍍膜工作室再進行兩次鍍膜；進入到第一旋轉(zhuǎn)室中且經(jīng)過經(jīng)過所需鍍膜后的工件再經(jīng)過第一過渡室，由進出片室導(dǎo)出，獲得所需鍍膜工件。
9.如權(quán)利要求8所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，工件在經(jīng)過第一鍍膜工作站或第二鍍膜工作站鍍膜后回到第一旋轉(zhuǎn)室，在第一旋轉(zhuǎn)室中等待調(diào)度，按照工序，選擇性進入第一鍍膜工作站或第二鍍膜工作站進行下一次鍍膜或者將工件依次經(jīng)過第一過渡室、進出片室導(dǎo)出。
10.如權(quán)利要求8所述的磁控濺射鍍膜生產(chǎn)工藝，其特征在于，所述生產(chǎn)工藝為連續(xù)工藝，當工件由第二旋轉(zhuǎn)室旋轉(zhuǎn)回到第一鍍膜工作室進行又一次鍍膜的同時，由所述進出片室載入下一個工件進行下一輪鍍膜。
全文摘要
一種磁控濺射鍍膜生產(chǎn)系統(tǒng)和工藝，該系統(tǒng)包括進出片室、過渡室、第一旋轉(zhuǎn)室、兩個工作站，進出片室、過渡室、第一旋轉(zhuǎn)室依序銜接，兩個工作站分別銜接至第一旋轉(zhuǎn)室，一個工作站包括第一鍍膜室和第二旋轉(zhuǎn)室，第一鍍膜室的兩端分別連接至第一、第二旋轉(zhuǎn)室，另一工作站包括鍍膜單元和第三旋轉(zhuǎn)室，鍍膜單元的兩端分別連接至第一、第三旋轉(zhuǎn)室，鍍膜單元包括兩個串聯(lián)的第二鍍膜室。兩個工作站分別實現(xiàn)雙層或四層鍍膜，通過旋轉(zhuǎn)室調(diào)度，長短結(jié)合，適于多層減反射玻璃，生產(chǎn)效率和產(chǎn)能高，滿足如功能玻璃的多層鍍膜的需求。實現(xiàn)每個單層無干擾的獨立濺射且其厚度可測可控，通過兩工作站的合理調(diào)度，可進行任意層數(shù)的組合，能滿足產(chǎn)品不斷升級的要求。
文檔編號C23C14/35GK102517553SQ201110451479
公開日2012年6月27日 申請日期2011年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月29日
發(fā)明者張忠義, 梁銳生, 許生 申請人:深圳豪威真空光電子股份有限公司