專利名稱：鍍膜用噴灑頭以及鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜用噴灑頭以及鍍膜裝置，尤其是涉及一種可于基材和基材承載盤上形成封閉流場的鍍膜用噴灑頭，以及應(yīng)用該鍍膜用噴灑頭的鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
原子層沉積技術(shù)的原理是令制作工藝用氣體與材料表面進(jìn)行化學(xué)沉積反應(yīng)，以于材料表面鍍上厚度為原子等級的薄膜。如歐洲第2249379A2號專利案、美國第2007/02591 IOAl號專利案、以及美國第20060196418號專利案所示的鍍膜技術(shù)，其是先將大量的芯片設(shè)置于封閉的反應(yīng)室內(nèi)，接著令第一前驅(qū)物充滿整個反應(yīng)室以使第一前驅(qū)物得沉積于所有的芯片表面上，之后，再對反 應(yīng)室進(jìn)行抽氣程序以將殘余的第一前驅(qū)物抽出，而在該抽氣程序完成后，再令第二前驅(qū)物充滿整個反應(yīng)室以使第二前驅(qū)物可再沉積于已沉積有第一前驅(qū)物的芯片表面，接著再次進(jìn)行抽氣程序以將殘余的第二前驅(qū)物抽出。然而，上揭專利案所揭露的技術(shù)雖可達(dá)成大量生產(chǎn)的目的，但由于反應(yīng)室的體積通常相當(dāng)大，不但所需花費的前驅(qū)物量相當(dāng)大，且還需要耗費大量的時間來進(jìn)行抽氣程序，故成為制造廠商的成本負(fù)擔(dān)無法降低的主因。此外，美國第7153542專利案揭露了一種將第一前驅(qū)物以及第二前驅(qū)物以分站的形式輪流沉積于芯片上的技術(shù)，其通過于旋轉(zhuǎn)工作臺上方設(shè)置多個可噴灑前驅(qū)物的工作站，并以不同的工作站來輪流噴灑第一前驅(qū)物及第二前驅(qū)物，以在芯片表面上完成鍍膜。然而，此專利案所揭示的技術(shù)卻面臨著無法完全移除殘留的前驅(qū)物與副產(chǎn)物的問題。具體來說，由于其是以不同的工作站來分別噴灑第一及第二前驅(qū)物至芯片上，但在噴灑、沉積前驅(qū)物的過程中，卻僅提供了一道粗略的屏障，所以無法充分阻隔前驅(qū)物的擴散，使得不同工作站所噴灑的前驅(qū)物會發(fā)生彼此混合的情形。而假設(shè)于噴灑第二前驅(qū)物的工作站中仍存有上一個工作站所噴灑的第一前驅(qū)物，則第一前驅(qū)物與第二前驅(qū)物因化學(xué)反應(yīng)而生成的副產(chǎn)物會造成各種鍍膜缺陷，進(jìn)而影響鍍膜的均勻性和品質(zhì)。因此，如何克服上述缺陷，實已成為目前亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述的缺點，本發(fā)明的主要目的在于提供一種可快速、均勻地完成鍍膜制作工藝，同時避免前驅(qū)物彼此交互反應(yīng)而產(chǎn)生鍍膜缺陷的制作工藝技術(shù)。為達(dá)成上述目的及其它目的，本發(fā)明提供一種鍍膜用噴灑頭，用以于具有制作工藝反應(yīng)區(qū)的基材上進(jìn)行鍍膜，該鍍膜用噴灑頭包含噴灑頭本體；前驅(qū)物通道，設(shè)置于該噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，用以供前驅(qū)物流體經(jīng)由該前驅(qū)物通道噴灑至該基材上，使該前驅(qū)物與該基材表面產(chǎn)生反應(yīng)；抽氣通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該前驅(qū)物通道的外周側(cè)，用以抽取該前驅(qū)物流體與該基材表面反應(yīng)后的殘余物；以及氣幕通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該抽氣通道的外周側(cè)，用以供隔離氣體經(jīng)由該氣幕通道噴送至該基材和用以承載該基材的基材承載 盤上，以于該基材承載盤與該鍍膜用噴灑頭間形成圍護該基材上的制作工藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場，使前驅(qū)物流體與該反應(yīng)后的殘余物不會外泄。本發(fā)明還提供一種鍍膜裝置，用以于具有制作工藝反應(yīng)區(qū)的基材上進(jìn)行鍍膜，包含基材承載盤，用以載置待鍍膜的基材并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；以及鍍膜用噴灑頭，對應(yīng)于該基材承載盤上的各基材而設(shè)于基材承載盤的上方，該鍍膜用噴灑頭包括噴灑頭本體；前驅(qū)物通道，設(shè)置于該噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，用以供前驅(qū)物流體經(jīng)由該前驅(qū)物通道噴灑至該基材上，使該前驅(qū)物與該基材表面產(chǎn)生反應(yīng)；抽氣通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該前驅(qū)物通道的外周側(cè)，用以抽取該前驅(qū)物流體與該基材表面反應(yīng)后的殘余物；及氣幕通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該抽氣通道的外周側(cè)，用以供隔離氣體經(jīng)由該氣幕通道噴送至該基材和用以承載該基材的基材承載盤上，以于該基材承載盤與該鍍膜用噴灑頭間形成圍護該基材上的制作工藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場。綜上所述，本發(fā)明的鍍膜用噴灑頭及鍍膜裝置借由前驅(qū)物通道、抽氣通道及氣幕通道的協(xié)同運作，可于噴灑前驅(qū)物的制作工藝中形成封閉的流場，借此避免前驅(qū)物外泄及副產(chǎn)物的生成，徹底解決現(xiàn)有的種種鍍膜制作工藝與裝置缺失。


圖IA為本發(fā)明的鍍膜用噴灑頭的一上視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為本發(fā)明的鍍膜用噴灑頭的另一上視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IC為圖IA沿著線段AA所視的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為圖IC所示的鍍膜用噴灑頭的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為圖IC所示的鍍膜用噴灑頭的又一結(jié)構(gòu)示意圖；圖2C為圖IC所示的鍍膜用噴灑頭的再一結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A為本發(fā)明的鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；及圖3B為圖3A沿著線段BB所視的結(jié)構(gòu)示意圖；及圖3C為圖3B所示的鍍膜裝置的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A為本發(fā)明的基材承載盤的另一結(jié)構(gòu)不意圖；以及圖4B為本發(fā)明的基材承載盤的又一結(jié)構(gòu)示意圖。主要組件符號說明I鍍膜用噴灑頭11前驅(qū)物通道(前驅(qū)物信道)12抽氣通道(抽氣信道)13氣幕通道(氣幕信道)3、3’鍍膜裝置30反應(yīng)腔體31、31’、31” 基材承載盤32第一鍍膜用噴灑頭33第二鍍膜用噴灑頭34加熱裝置35隔離氣體噴灑頭
421鏈條鏈輪422 支柱AA、BB 線段W 基材。
具體實施例方式以下借由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點與功效。本發(fā)明也可借由其它不同的具體實施例加以施行或應(yīng)用。圖標(biāo)參考編號標(biāo)志為類似組件。請一并參閱圖IA至圖1C，以了解本發(fā)明的鍍膜用噴灑頭的技術(shù)特征，其中，圖IA為本發(fā)明的鍍膜用噴灑頭I的上視結(jié)構(gòu)示意圖，圖IB為圖IA的鍍膜用噴灑頭I的另一實 施例，圖IC為沿著線段AA的剖面示意圖。在此先提出說明，本發(fā)明的鍍膜用噴灑頭可應(yīng)用于原子層外延(Atomics LayerEpitaxy,ALE/ALD)制作工藝中，以于具有制作工藝反應(yīng)區(qū)的基材上完成鍍膜程序。而所述的基材可為軟性或硬性，例如為各種形狀的玻璃基板或是芯片。如圖所示，鍍膜用噴灑頭I包含噴灑頭本體、前驅(qū)物通道11、抽氣通道12及氣幕通道13。前驅(qū)物通道11，設(shè)置于該噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，用以供前驅(qū)物流體經(jīng)由該前驅(qū)物通道11噴灑至基材W上，使該前驅(qū)物流體與該基材W表面產(chǎn)生反應(yīng)。而所述的前驅(qū)物流體，可為原子層外延制作工藝中使用的前驅(qū)物流體。抽氣通道12，可為封閉型通道，且設(shè)置于該噴灑頭本體，位于前驅(qū)物通道11的外周側(cè)，用以于前驅(qū)物通道11噴灑出的前驅(qū)物流體于基材W表面上完成化學(xué)沉積后，將殘余的反應(yīng)物予以抽除。氣幕通道13，可為封閉型通道，且設(shè)置于該噴灑頭本體，位于抽氣通道12的外周偵牝用供隔離氣體經(jīng)由該氣幕通道13噴送至該基材W和用以承載該基材W的基材承載盤，可噴送例如為氮氣的隔離氣體至該基材W和基材承載盤表面，以借由噴出的隔離氣體于該基材承載盤與該鍍膜用噴灑頭I間形成圍護基材W上的制作工藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場，以充分確保前驅(qū)物通道11所噴灑出的前驅(qū)物流體，以及前驅(qū)物流體于基材W上完成化學(xué)沉積后所生的殘余反應(yīng)物不會發(fā)生外泄的情形。在本實施例中，前驅(qū)物通道11、抽氣通道12、及氣幕通道13的開口形狀可相應(yīng)地進(jìn)行調(diào)整。舉例來說，如圖2A所示，前驅(qū)物通道11的開口端可形成為漸縮形，以更快速地將前驅(qū)物流體噴灑至基材W上。再如圖2B所示，氣幕通道13的開口端也可形成為漸縮形，以將隔離氣體更快速地噴灑至基材W上。又如圖2C所示，抽氣通道12的開口端更可形成為漸擴狀，以提供更佳的抽除效果。而抽氣通道12除了可用以將前驅(qū)物流體與基材W反應(yīng)后的殘余物抽除外，也可適度地吸取氣幕通道13噴灑出的隔離氣體。另外，鍍膜用噴灑頭I還可設(shè)置有前驅(qū)物供應(yīng)源、抽吸泵裝置、及氣幕用氣體供應(yīng)源。其中，該前驅(qū)物供應(yīng)源連通于前驅(qū)物通道11，借以對前驅(qū)物通道11供應(yīng)前驅(qū)物流體；該抽吸泵裝置連通于抽氣通道12，用以提供抽取動力以從抽氣通道12抽除由前驅(qū)物通道11噴出但未與基材W反應(yīng)的前驅(qū)物流體，及與基材W反應(yīng)后所產(chǎn)生的殘余物；該氣幕用氣體供應(yīng)源連通于氣幕通道13，用以對氣幕通道13供給氣幕用氣體。請再一并參閱圖3A及圖3B，以充分了解本發(fā)明的鍍膜裝置，其中，圖3A為本發(fā)明的鍍膜裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖3B為圖3A沿著線段BB所視的結(jié)構(gòu)示意圖。而本發(fā)明的鍍膜裝置可應(yīng)用于原子層外延(Atomics Layer Epitaxy, ALE/ALD)制作工藝中，以于基材上進(jìn)行鍍膜程序。當(dāng)然，而所述的基材可為軟性或硬性，例如為各種形狀的玻璃基板或是芯片。如圖所示，鍍膜裝置3可設(shè)置有反應(yīng)腔體30、基材承載盤31、第一鍍膜用噴灑頭32、及第二鍍膜用噴灑頭33。需注意的是，所述的第一鍍膜用噴灑頭32及第二鍍膜用噴灑頭33的結(jié)構(gòu)特征，得參照前述的鍍膜用噴灑頭I?；某休d盤31，設(shè)置于反應(yīng)腔體30內(nèi)，用以承載待鍍膜的多個基材W，并可于原子層外延制作工藝中進(jìn)行等速或非等速的水平旋轉(zhuǎn)。在本實施例中，基材承載盤31可設(shè)計為 以轉(zhuǎn)軸來驅(qū)動而進(jìn)行水平旋轉(zhuǎn)的形式。第一鍍膜用噴灑頭32，設(shè)置于反應(yīng)腔體30的內(nèi)壁，且位于基材承載盤31上方，包括第一噴灑頭本體；第一前驅(qū)物通道(參照鍍膜用噴灑頭I的前驅(qū)物通道11)，設(shè)置于該第一噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，可用以將原子層外延制作工藝的第一前驅(qū)物流體噴灑至位于第一鍍膜用噴灑頭32下方的基材W上，使第一前驅(qū)物流體與該基材W表面產(chǎn)生反應(yīng)；第一抽氣通道(參照鍍膜用噴灑頭I的抽氣通道12)，設(shè)置于該第一噴灑頭本體，位于該第一前驅(qū)物通道的外周側(cè)，用以抽除該第一前驅(qū)物流體與位于第一鍍膜用噴灑頭32下方的基材W表面反應(yīng)后的殘余物；及第一氣幕通道(參照鍍膜用噴灑頭I的氣幕通道13)，設(shè)置于該第一噴灑頭本體，位于該第一抽氣通道的外周側(cè)，用以噴灑例如為氮氣的第一隔離氣體至基材承載盤，以于第一鍍膜用噴灑頭32下方的基材承載盤與該第一鍍膜用噴灑頭32間形成圍護該制作工藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場。第二鍍膜用噴灑頭33，設(shè)置于反應(yīng)腔體30的內(nèi)壁，且位于該基材承載盤31上方，并位于第一鍍膜用噴灑頭32的側(cè)邊,而該第二鍍膜用噴灑頭33包括第二噴灑頭本體;第二前驅(qū)物通道(參照鍍膜用噴灑頭I的前驅(qū)物通道11)，設(shè)置于該第二噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，可用以將原子層外延制作工藝的第二前驅(qū)物流體噴灑至位于第二鍍膜用噴灑頭33下方的基材W上，使第二前驅(qū)物流體與該基材W表面產(chǎn)生反應(yīng)；第二抽氣通道(參照鍍膜用噴灑頭I的抽氣通道12)，設(shè)置于該第二噴灑頭本體，位于第二前驅(qū)物通道的外周側(cè)，用以抽除第二前驅(qū)物流體與位于第二鍍膜用噴灑頭33下方的基材W表面反應(yīng)后的殘余物；及第二氣幕通道(參照鍍膜用噴灑頭I的氣幕通道13)，設(shè)置于該第二噴灑頭本體，位于該第二抽氣通道的外周側(cè)，用以噴灑例如為氮氣的第二隔離氣體至該基材承載盤，以于位于第二鍍膜用噴灑頭33下方的基材承載盤與第二鍍膜用噴灑頭33間形成圍護該基材W上的制作工藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場。實際進(jìn)行制作工藝時，基材承載盤31可于制作工藝過程中進(jìn)行等速或非等速的水平旋轉(zhuǎn)，以令基材W先通過第一鍍膜用噴灑頭32下方，借此利用第一鍍膜用噴灑頭32噴灑出的第一前驅(qū)物流體于基材W表面進(jìn)行第一道的化學(xué)氣相沉積，以形成第一層的薄膜，接著，再將形成有第一層的薄膜的基材W移動至第二鍍膜用噴灑頭33下方，以利用第二鍍膜用噴灑頭33噴灑出的第二前驅(qū)物流體于基材W表面上進(jìn)行第二道的化學(xué)氣相沉積，以形成第二層的薄膜。而在整體的制作工藝中，反應(yīng)腔體30內(nèi)可借由第一鍍膜用噴灑頭32及第二鍍膜用噴灑頭33持續(xù)的噴灑與抽取，維持在常壓或稍微低于常壓的狀態(tài)。
值得一提的是，鍍膜裝置3還可包含加熱裝置34，該加熱裝置34可設(shè)置于反應(yīng)腔體30內(nèi)，且位于該基材承載盤31的下方，用以對基材承載盤31承載的基材W進(jìn)行加熱。該加熱裝置34可為射頻(RF)或紅外線(IF)的非接觸式加熱器，且可內(nèi)建有熱電偶(thermalcouple)以及熱感應(yīng)器(thermalsensor),以進(jìn)行溫度的調(diào)節(jié)與監(jiān)控。此外，鍍膜裝置中除了設(shè)置第一鍍膜用噴灑頭32及第二鍍膜用噴灑頭33之外，另可選擇性地設(shè)置有隔離氣體噴灑頭35。參考圖3C所示的鍍膜裝置3’，其與圖3A、圖3B所示的鍍膜裝置3的差別在于還包括了隔離氣體噴灑頭35，該隔離氣體噴灑頭35可設(shè)置于第二鍍膜用噴灑頭33的側(cè)邊，用以噴灑例如氮氣的第三隔離氣體至隔離氣體噴灑頭35下方的基材承載盤上。具體來說，隔離氣體噴灑頭35可于基材W通過第一鍍膜用噴灑頭32及第二鍍膜用噴灑頭33后，再提供進(jìn)一步的隔離效果。而隔離氣體噴灑頭35的細(xì)部結(jié)構(gòu)，也可設(shè)計為鍍膜用噴灑頭I的形式，只是設(shè)定成不噴灑出任何的前驅(qū)物流體。當(dāng)然，在本實施例中，鍍膜用噴灑頭32、33也可設(shè)置有前述的前驅(qū)物供應(yīng)源、抽吸泵裝置、及氣幕用氣體供應(yīng)源。
又如圖4A及圖4B所示，鍍膜裝置的基材承載盤另可設(shè)計為循環(huán)式的形式。具體 來說，在圖4A所示的實施例中，基材承載盤31’可設(shè)計為以輸送帶(conveyer)來驅(qū)動以進(jìn)行水平旋轉(zhuǎn)的形式，而于輸送帶的兩端可包含加速裝置(未圖標(biāo))，用以加速基材W的移動循環(huán)速度，避免制作工藝過程中發(fā)生阻塞的情形。而在圖4B所示的實施例中，基材承載盤31”可設(shè)計為以鏈條鏈輪421來驅(qū)動以進(jìn)行水平旋轉(zhuǎn)的形式，且利用支柱(Pin) 422來配合支撐基材。實際實施時，所述的基材承載盤更可以精密卷繞對位技術(shù)(Roll-to-Roll)來予以進(jìn)行設(shè)計。綜上所述，借由前驅(qū)物通道、抽氣通道與氣幕通道的協(xié)同運作，本發(fā)明不僅可避免不同的前驅(qū)物間發(fā)生交互反應(yīng)，免除副產(chǎn)物的生成，降低各種微粒污染的機會，進(jìn)而解決現(xiàn)有的各種鍍膜缺陷。此外，借由多對鍍膜用噴灑頭形成封閉流場來輪流噴灑前驅(qū)物流體的設(shè)計，本發(fā)明更大大地縮短了制作工藝所需的時間，進(jìn)而提高鍍膜效率，降低廠商的制作工藝成本。上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士均可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進(jìn)行修飾與改變。因此，本發(fā)明的權(quán)利保護范圍，應(yīng)如權(quán)利要求書所列。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜用噴灑頭，用以于具有制作エ藝反應(yīng)區(qū)的基材上進(jìn)行鍍膜，該鍍膜用噴灑頭包含 噴灑頭本體； 前驅(qū)物通道，設(shè)置于該噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，用以供前驅(qū)物流體經(jīng)由該前驅(qū)物通道噴灑至該基材上，使該前驅(qū)物流體與該基材表面產(chǎn)生反應(yīng)； 抽氣通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該前驅(qū)物通道的外周側(cè)，用以抽取該前驅(qū)物流體與該基材表面反應(yīng)后的殘余物；以及 氣幕通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該抽氣通道的外周側(cè)，用以供隔離氣體經(jīng)由該氣幕通道噴送至該基材和用以承載該基材的基材承載盤上，以于該基材承載盤與該鍍膜用噴灑頭間形成圍護該基材上的制作エ藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在干，該隔離氣體為氮氣。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在干，該基材為芯片或玻璃基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在于，該氣幕通道的開ロ端形成為漸縮形。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在干，該抽氣通道的開ロ端形成為漸擴形。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在干，該前驅(qū)物通道的開ロ端形成為漸縮形。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在干，該抽氣通道還用以抽取該氣幕通道噴送出的隔離氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在干，該抽氣通道及氣幕通道為封閉型通道。
9.一種鍍膜裝置，用以于具有制作エ藝反應(yīng)區(qū)的基材上進(jìn)行鍍膜，包含 基材承載盤，用以載置待鍍膜的基材并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；以及 鍍膜用噴灑頭，對應(yīng)載置于該設(shè)置于該基材承載盤上的各基材而設(shè)于基材承載盤的上方，包括 噴灑頭本體； 前驅(qū)物通道，設(shè)置于該噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，用以供前驅(qū)物流體經(jīng)由該前驅(qū)物通道噴灑至該基材上，使該前驅(qū)物流體與該基材表面產(chǎn)生反應(yīng)； 抽氣通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該前驅(qū)物通道的外周側(cè)，用以抽取該前驅(qū)物流體與該基材表面反應(yīng)后的殘余物；及 氣幕通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該抽氣通道的外周側(cè)，用以供隔離氣體經(jīng)由該氣幕通道噴送至該基材和該基材承載盤上，以于該基材承載盤與該鍍膜用噴灑頭間形成圍護該基材上的制作エ藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，該鍍膜用噴灑頭具有兩個或兩個以上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，該裝置還包含加熱裝置，設(shè)置于該基材承載盤下方。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鍍膜裝置，其特征在干，該加熱裝置為射頻或紅外線的非接觸式加熱器。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的鍍膜裝置，其特征在干，該加熱裝置還包含熱電偶以及熱感應(yīng)器。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在干，該基材承載盤為轉(zhuǎn)軸式承載盤或循環(huán)式承載盤。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的鍍膜裝置，其特征在干，該循環(huán)式承載盤為以輸送帶進(jìn)行循環(huán)或以鏈條鏈輪進(jìn)行循環(huán)的結(jié)構(gòu)。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在于，在該鍍膜用噴灑頭的側(cè)邊選擇性地設(shè)置有用以噴灑隔離氣體至該基材上的隔離氣體噴灑頭。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的鍍膜裝置，其特征在干，該隔離氣體為氮氣。
18.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜裝置，其特征在干，該基材為芯片或玻璃基板。
19.根據(jù)權(quán)利要求9所述的鍍膜用噴灑頭，其特征在干，該抽氣通道及氣幕通道為封閉型通道。
全文摘要
本發(fā)明公開一種鍍膜用噴灑頭及具有該鍍膜用噴灑頭的鍍膜裝置，用以于基材上進(jìn)行鍍膜，其中，該鍍膜用噴灑頭包含噴灑頭本體；前驅(qū)物通道，設(shè)置于該噴灑頭本體的中央?yún)^(qū)域，用以將前驅(qū)物流體噴灑至該基材上，使該前驅(qū)物流體與該基材表面產(chǎn)生反應(yīng)；抽氣通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該前驅(qū)物通道的外周側(cè)，用以抽取該前驅(qū)物流體與該反應(yīng)后的殘余物；以及氣幕通道，設(shè)置于該噴灑頭本體，位于該抽氣通道的外周側(cè)，用以向該基材噴送隔離氣體，以于該基材承載盤與該鍍膜用噴灑頭間形成圍護制作工藝反應(yīng)區(qū)的封閉流場，使前驅(qū)物流體與該反應(yīng)后的殘余物不會外泄。
文檔編號C23C16/455GK102851650SQ20111021765
公開日2013年1月2日 申請日期2011年8月1日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月1日
發(fā)明者黃振榮 申請人:財團法人工業(yè)技術(shù)研究院