技術(shù)編號(hào):3416398
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種鍍膜用噴灑頭以及鍍膜裝置,尤其是涉及一種可于基材和基材承載盤(pán)上形成封閉流場(chǎng)的鍍膜用噴灑頭,以及應(yīng)用該鍍膜用噴灑頭的鍍膜裝置。背景技術(shù)原子層沉積技術(shù)的原理是令制作工藝用氣體與材料表面進(jìn)行化學(xué)沉積反應(yīng),以于材料表面鍍上厚度為原子等級(jí)的薄膜。如歐洲第2249379A2號(hào)專利案、美國(guó)第2007/02591 IOAl號(hào)專利案、以及美國(guó)第20060196418號(hào)專利案所示的鍍膜技術(shù),其是先將大量的芯片設(shè)置于封閉的反應(yīng)室內(nèi),接著令第一前驅(qū)物充滿整個(gè)反應(yīng)室以...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。