專利名稱：Led芯片的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種LED芯片的制造方法，尤其涉及金屬有機化學(xué)氣相淀積(MOCVD) 外延方法生長摻雜錐形結(jié)構(gòu)，以提高取光效率的制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的熒光燈中需使用水銀蒸汽及鉛成分，如果熒光燈破碎，水銀蒸汽和鉛則會揮發(fā)到大氣中，成為不斷污染空氣的源頭，并對人體造成傷害。因此，人們正在尋求新一代的照明光源。1964年，世界上第一只紅色III-V族稼砷磷(GaAsP)發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)誕生，這也就預(yù)示著固體發(fā)光時代的來臨，緊接著橙色、黃色和黃綠色 LED也相繼問世，唯獨藍光LED的空缺造成一直不能實現(xiàn)全色顯示。1994年，研制出氮化鎵 (GaN)LED，實現(xiàn)了藍光半導(dǎo)體發(fā)光，使LED能夠發(fā)出從紅外線到藍光之間不同波長的光線， 從而可能實現(xiàn)由藍光半導(dǎo)體發(fā)光材料轉(zhuǎn)化成白光的白光LED。白光LED無需使用水銀蒸汽和鉛，且易回收，不會對環(huán)境造成污染，從而對環(huán)境起到保護作用。由于LED不僅具有節(jié)能、 環(huán)保、壽命長三大優(yōu)點，還具有體積小、驅(qū)動電壓低、響應(yīng)快速、彩色可調(diào)、聚光性能好等優(yōu)點，因此，隨著LED發(fā)光強度的不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域也不斷擴大，并逐步進入照明領(lǐng)域。隨著以氮化物為基礎(chǔ)的高亮度LED應(yīng)用的開發(fā)，新一代綠色環(huán)保固體照明光源氮化物L(fēng)ED已成為研究的重點，尤其是以第三代半導(dǎo)體氮化鎵(feiN)為代表的藍色LED的開發(fā)。以GaN、氮化銦鎵(InGaN)和氮化鋁鎵(AWaN)合金為主的III族氮化物半導(dǎo)體材料具有寬的直接帶隙、內(nèi)外量子效率高、高熱導(dǎo)率、耐高溫、抗腐蝕、抗震性、高強度和高硬度等特性，是世界上目前制造高亮度發(fā)光器件的理想材料。由于LED器件的制造一般采用橫向結(jié)構(gòu)，體型是長方體，左右兩面相互平行，雖然有源區(qū)發(fā)出的光大部分從P型區(qū)的頂部出射，但是，由于半導(dǎo)體材料與空氣的折射率差異較大，導(dǎo)致LED光從折射率大的芯片發(fā)射到折射率小的空氣時，會在半導(dǎo)體與空氣的界面發(fā)生全發(fā)射，未經(jīng)處理的半導(dǎo)體LED結(jié)構(gòu)表面大約只有很少一部分的光從芯片內(nèi)部逃逸出來，從而導(dǎo)致芯片的出光效率非常低。由于芯片的出光效率是決定半導(dǎo)體照明芯片的發(fā)光效率的主要原因，因此，提升氮化物L(fēng)ED的發(fā)光效率和增大光的取出效率對提高器件的外部量子效率起著非常關(guān)鍵的作用。為了提高外部量子效率，人們正在試圖從技術(shù)上嘗試各種能提高芯片出光率的方法，比如表面粗化(Surface roughing)，破壞光在半導(dǎo)體與空氣界面的全反射，增加光的出射效率，提高芯片的光提取效率。另外，比較成功的提高光取出效率的方法是將LED芯片做成倒金字塔形、錐形等。當(dāng)制作成倒金字塔(TIP，Truncated Inverted Pyramid)形狀 (側(cè)面與垂直方向成一定角度)時，芯片的四個側(cè)面不再是相互平行，可以使得射到芯片側(cè)面的光，經(jīng)側(cè)面的反射到頂面，以小于全反射臨界角的角度出射；同時，射到頂面大于全反射臨界角的光可以從側(cè)面出射，從而大大提高了芯片的出光效率。表面粗化或倒金字塔型的形成是一般是通過蝕刻等工藝改變表面的腐蝕深度、形狀和坡度，因此容易造成在各個方向上腐蝕不均勻，甚至造成腐蝕不充分和過蝕的現(xiàn)象。因此，在LED芯片結(jié)構(gòu)中難以形成均勻一致的深度、形狀和坡度，提高取光效率的傾斜面也難以準確控制。還會造成裂片等問題，降低產(chǎn)品生產(chǎn)的良率。為了解決上述問題，提高III族氮化物發(fā)光器件來的內(nèi)部量子效率和出光效率， 在實際的實施過程中仍然存在相當(dāng)大的壁壘，亟待引進能有效改善上述缺陷的新方法，以解決第三代半導(dǎo)體材料使用面臨的最主要的問題
實用新型內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種實現(xiàn)LED芯片的制造方法，以提高氮化物 LED的取光效率。為解決上述問題，本發(fā)明提出的一種實現(xiàn)LED芯片的制造方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上采用MOCVD (Metal-organic Chemical Vapor Deposition)依次生長氮化物成核層、非摻雜氮化物層、N型氮化物層、多量子阱、P型氮化物層；在P型氮化物層上沉積掩膜層；蝕刻掩膜層以形成周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口，所述周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口內(nèi)暴露出P型氮化物層；采用金屬有機化學(xué)氣相淀積外延的方法，在周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口內(nèi)、P型氮化物層表面上，形成摻雜錐形結(jié)構(gòu)；去除掩膜層，形成由P型氮化物層和摻雜錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成的P型外延層。從上述技術(shù)方案可見，采用MOCVD外延的方法，在掩膜層的周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口內(nèi)、P型氮化物層上生長了摻雜錐形結(jié)構(gòu)，在去除掩膜層后，由P型氮化物層和摻雜錐形結(jié)構(gòu)形成了 P型外延層。由于在掩膜層上制備了開口尺寸大小一致、間距均勻的周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口后，結(jié)合所述MOCVD外延方法，就能得到形狀相同、大小統(tǒng)一的周期性的摻雜錐形結(jié)構(gòu)。并且，通過調(diào)整MOCVD生長條件，也可以控制摻雜錐形結(jié)構(gòu)的高度和形狀，使摻雜錐形結(jié)構(gòu)的傾斜面與垂直方向的角度統(tǒng)一，以提高準確控制取光效率的傾斜面。通常，采用濕法或干法蝕刻工藝對表面粗化形成錐形結(jié)構(gòu)。然而，由于蝕刻不僅向下而且對左右各方向都產(chǎn)生蝕刻作用，因此難以通過蝕刻等工藝控制表面的腐蝕深度、形狀和坡度，形成高度和橫向尺寸均勻的錐形結(jié)構(gòu)。不僅如此，刻蝕的方法破壞了半導(dǎo)體材料本身，造成了高密度的晶體缺陷，容易形成光子的非輻射復(fù)合中心，從而降低LED器件的發(fā)光效率。本發(fā)明通過采用生產(chǎn)中通用的掩模+腐蝕的方法，在P型氮化物的表面形成尺寸均勻的開口結(jié)構(gòu)。然后，再次使用MOCVD方法，制備所期許的錐形結(jié)構(gòu)，從而避免了蝕刻工藝的缺陷，擴大了光線在半導(dǎo)體和空氣界面發(fā)生全發(fā)射時的臨界角，從而提高出光效率； 由于在P型氮化物層表面上生長了周期性的摻雜錐形結(jié)構(gòu)，改善了以往腐蝕形成的金字塔形、錐形等結(jié)構(gòu)的密度分布不均勻的缺點，得到了密度分布均勻的摻雜錐形結(jié)構(gòu)，提高了氮化物L(fēng)ED元件的出光均勻性和出光效率。


圖1顯示了本發(fā)明一種氮化物L(fēng)ED結(jié)構(gòu)的制作流程。圖加至圖加顯示了圖1流程的制作方法。
圖3顯示了本發(fā)明一種MOCVD選區(qū)二次外延生長的尖錐狀多面體的示意圖。圖4顯示了本發(fā)明一種尖錐狀結(jié)構(gòu)取光效率示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。其次，本發(fā)明利用示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。下面以圖1所示的制作流程為例，結(jié)合附圖加至加，對LED芯片的制作工藝進行詳細描述。SlOO 提供半導(dǎo)體襯底10，在半導(dǎo)體襯底10上采用MOCVD依次生長氮化物成核層 11、非摻雜氮化物層12、N型氮化物層13、多量子阱16、P型氮化物層19。參見圖2a，提供半導(dǎo)體襯底10，在半導(dǎo)體襯底10上采用通常的MOCVD法，依次生長氮化物成核層11、未摻雜的非摻雜氮化物層12、摻雜的N型氮化物層13，然后，在N型氮化物層13上生長多量子阱16，最后在多量子阱16上生長P型氮化物層19。其中，在多量子阱16上依次生長的摻雜的第一氮化物層17和摻雜的第二氮化物層18構(gòu)成了 P型氮化物層19。上述過程具體如下首先，在半導(dǎo)體襯底10表面上形成一層厚度均勻、表面平坦的氮化物成核層11， 以改變半導(dǎo)體襯底10表面接合型，以利后續(xù)其他材料生長。氮化物成核層11可以為GaN 膜、厚度為ιο~ ιοοοΑ。其次，氮化物成核層11上生長未摻雜的非摻雜氮化物層12，以利結(jié)晶聚合成連續(xù)平整的基地層。非摻雜氮化物層12可以為6鄉(xiāng)膜、厚度為10000 ~ 20000人然后，在非摻雜氮化物層12上生長摻雜的N型氮化物層13。摻雜N型氮化物層 13可以為GaN膜、厚度為10OOO ~ 3OOOOA,其摻雜物可以為N型摻雜物，N型摻雜物可以為 Si或其它，優(yōu)選Si，其摻雜濃度為5X1017cm-3到lX1019cm-3。Si由于摻雜技術(shù)簡單、易于控制，所以是N型氮化物中常使用的N型摻雜劑。接著，在摻雜的N型氮化物層13上生長多量子阱16，作為有源區(qū)。通過調(diào)整含h 的窄禁帶寬度氮化物膜14和寬禁帶寬度的氮化物膜15的周期數(shù)，且讓窄禁帶寬度的氮化物膜14和寬禁帶寬度的氮化物膜15交替排列，形成了所述的多量子阱16。其中，含的窄禁帶寬度氮化物膜14可以為InGaN膜，厚度為10 ~ 50A,形成溫度為700 900°C;寬禁帶寬度的氮化物膜15可以為GaN膜，厚度為50 ~ 200A,形成溫度為700 900°C。緊接著，在多量子阱16上生長摻雜的第一氮化物層17，摻雜第一氮化物層17可以為氮化鋁鎵(AWaN)、厚度為100 ~ 1000 A,其摻雜物可以為P型摻雜物，P型摻雜物可以為鎂(Mg)或鋅(Zn)或其它，其摻雜濃度為lX1018cm-3到5X1019cm-3 ；最后，在摻雜的第一氮化物層17上生長摻雜的第二氮化物層18，摻雜第二氮化物層18可以為GaN膜、厚度為1000 ~ 5000 A,其摻雜物可以為P型摻雜物，P型摻雜物可以為Mg或Si或其它，其摻雜濃度為1 X 1018cm-3到5X 1019cm_3 ；在第一氮化物層17和第二氮化物層18中進行摻雜，提高空穴濃度，改善P型氮化物層19的導(dǎo)電性，從而獲得了高質(zhì)量的P型摻雜，提高了基于氮化物材料的LED結(jié)構(gòu)質(zhì)量。摻雜的N型氮化物層13為多量子阱16的電子來源，摻雜的第一氮化物層17為多量子阱16的空穴來源，電子和空穴被局限在多量子阱16中，在有源區(qū)電子和空穴復(fù)合，釋放出能量，進而發(fā)出光。同時，摻雜的第一氮化物層17利用AKiaN膜的高能隙可以阻擋來源于摻雜的N型氮化物層13的電子從多量子阱16中溢出，增強了空穴與電子復(fù)合的效率， 提高發(fā)光強度。SlOl 在P型氮化物層19上沉積掩膜層20。參見圖2b，在P型氮化物層19上采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD，Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)沉禾只掩膜層 20。PECVD法是利用反應(yīng)氣體在等離子體中發(fā)生分解而在襯底上沉積的過程。利用 PECVD制備的非晶態(tài)硅品質(zhì)高，原材料消耗少，成本低，且工藝簡單。所述掩膜層20可以是非晶態(tài)硅，該非晶態(tài)硅可以為二氧化硅(Sit)》或氮化硅 (SixNy)，優(yōu)選 Si02,厚度分別為 1 OO-lOOOOAoS102 蝕刻掩膜層20以形成周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口 21，所述周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口 21 內(nèi)暴露出P型氮化物層19。參見圖2c，在掩膜層20上沉積光刻膠(圖中未示出)，采用通常的光刻方法形成周期性圖形窗口的光刻膠，暴露出掩膜層20表面，以光刻膠為掩膜對掩膜層20進行濕法蝕刻，暴露出P型氮化物層19表面，從而在掩膜層20中制備了周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口 21。其中，周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口 21的尺寸(⑶)為100 ~10000A,各窗口 21的尺寸大小一致、間距均勻。在掩膜層20上可以用光刻技術(shù)，優(yōu)選納米壓印方法(NIL，Nano Imprint Lithography)對光刻膠進行處理，制造出周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口的光刻膠，周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口 21可以為周期性的圓形開口或其它，圓形開口的直徑大小為100 ~ 10000A。S103 在掩膜層20的周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口 21內(nèi)、P型氮化物層19表面上，采用 MOCVD外延的方法，生長摻雜錐形結(jié)構(gòu)22。參見圖2d，LED芯片采用通常的方法被清洗后，利用MOCVD選區(qū)二次外延的方法， 在圖2c所示的器件結(jié)構(gòu)表面進行外延生長，由于掩膜層20的材料為非晶態(tài)硅，采用MOCVD 選區(qū)二次外延時，掩膜層20上不發(fā)生反應(yīng)，因此，經(jīng)過該外延生長步驟后，僅在掩膜層20的周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口 21內(nèi)、P型氮化物層19表面上形成摻雜錐形結(jié)構(gòu)22，即實現(xiàn)選區(qū)(窗口 21)內(nèi)外延生長。所述摻雜錐形結(jié)構(gòu)22可以為GaN，其錐形高度為100~ 10000A,其摻雜物可以為P型摻雜物，P型摻雜物可以為Mg或Si或其它，其摻雜濃度為IX 1018cm-3到 5X1019cm-3 ；所述摻雜錐形結(jié)構(gòu)22可以為在頂部具有金字塔型、錐形、尖錐金字塔型或其它結(jié)構(gòu)，只要保證LED芯片的體型不再是左右兩面相互平行，而是側(cè)面有坡度，從而達到提高取光效率的目的。所述MOCVD選區(qū)二次外延方法的具體工藝參數(shù)包括反應(yīng)室壓強為100毫托至500毫托，反應(yīng)溫度為750攝氏度至1050攝氏度，反應(yīng)物為NH3(氨氣)與TMGa(三甲基鎵)，其中，NH 3與TMGa的摩爾比為500至2000。S104 去除掩膜層20，形成由P型氮化物層19和摻雜錐形結(jié)構(gòu)22構(gòu)成的P型外延層24。參見圖加，采用通常的濕法蝕刻去除掩膜層20，暴露出P型氮化物層19，并在P型氮化物層19表面上完全暴露出摻雜錐形結(jié)構(gòu)22。MOCVD選區(qū)二次外延方法結(jié)束后，將LED芯片放在500到800°C和在氮氣或空氣的氣氛下進行高溫退火，采用摻雜劑生長的P型外延層M利用退火工藝，以激活P型外延層 24中的摻雜物，實現(xiàn)P型摻雜，得到了濃度均勻的P型外延層M。然后，再次使用MOCVD方法，制備所期許的錐形結(jié)構(gòu)，擴大了光線在半導(dǎo)體和空氣界面發(fā)生全發(fā)射時的臨界角，從而提高出光效率；通過采用生產(chǎn)中通用的掩模+腐蝕的方法，在P型氮化物19的表面制備了尺寸均勻的開口結(jié)構(gòu)。然后，再次使用MOCVD方法，制備所期許的錐形結(jié)構(gòu)22，從而避免了蝕刻工藝造成的缺陷。并且，由于晶體生長本身的特點，參見圖3，摻雜錐形結(jié)構(gòu)22的傾斜面23與垂直方向的夾角θ也統(tǒng)一(參見圖4)。由此可見，能夠根據(jù)實際需要調(diào)整MOCVD生長條件改善以往腐蝕工藝傾斜面23角度θ不穩(wěn)定的缺陷，同時提高出光效率。由于在P型氮化物層19表面上生長了周期性的尺寸均勻的摻雜錐形結(jié)構(gòu)22，改善了以往金字塔型、錐形等密度分布不均勻的缺點，得到了密度分布均勻的摻雜錐形結(jié)構(gòu)22，提高了氮化物L(fēng)ED元件的取光效率。最后，采用通常的氮化物L(fēng)ED器件制造工藝，對LED外延片制作P型電極和N型電極。P型外延層M的表面可以提供P型電極接合的界面。N型氮化物層13可以為N型電極的金屬接觸層。P型外延層M以空穴為主，N型氮化物層13主要是電子。當(dāng)在LED芯片的電極上施加正向偏壓之后，分別注入P型外延層M內(nèi)和N型氮化物層13內(nèi)的電子和空穴復(fù)合時以光子的形式發(fā)出光亮。本發(fā)明雖然以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定權(quán)利要求，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動和修改，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種LED芯片的制造方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上采用金屬有機化學(xué)氣相淀積依次生長氮化物成核層、非摻雜氮化物層、N型氮化物層、多量子阱、P型氮化物層；在P型氮化物層上沉積掩膜層；蝕刻掩膜層以形成周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口，所述周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口內(nèi)暴露出P型氮化物層；采用金屬有機化學(xué)氣相淀積外延的方法，在周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口內(nèi)、P型氮化物層表面上，形成摻雜錐形結(jié)構(gòu)；去除掩膜層，形成由P型氮化物層和摻雜錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成的P型外延層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述氮化物成核層為氮化鎵，厚度為10~ 1000A。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述非摻雜氮化物層為氮化鎵，厚度為10000 ~ 20000A。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述N型氮化物層為N型摻雜氮化鎵層，厚度為10000 ~ 3000OA。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述N型摻雜氮化鎵層中的摻雜物為硅，摻雜濃度為5 X IO17CnT3到1 X 1019cm_3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述P型氮化物層至下而上的由摻雜第一氮化物層和摻雜第二氮化物層構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述的摻雜第一氮化物層為ρ型摻雜氮化鋁鎵層，厚度為loo ~ ιοοοΑ。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述的摻雜第一氮化物層為摻鎂或鋅的P型摻雜氮化鋁鎵層，其中鎂或鋅的摻雜濃度為1X IO18CnT3到5 X IO1W30
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述的摻雜第二氮化物層為P型摻雜氮化鎵層，厚度為1000 ~ 5000A。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述的摻雜第二氮化物層為摻鎂或鋅的P型摻雜氮化鎵層，其中鎂或鋅的摻雜濃度為IX IO18CnT3到5X 1019cnT3。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述掩膜層為非晶態(tài)硅的二氧化硅，厚度為200 ~ 1000A。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述掩膜層為非晶態(tài)硅的氮化硅，厚度為200 ~ 1000A。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口為周期性的開口。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口的大小為ιοο~ ιοοοοΑ。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述摻雜錐形結(jié)構(gòu)的頂部為錐形。
16.根據(jù)權(quán)利要求1或15所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述摻雜錐形結(jié)構(gòu)為ρ型摻雜氮化鎵材料，錐形高度為loo ~ ιοοοοΑ。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述的摻雜錐形結(jié)構(gòu)為摻鎂或鋅的P型摻雜氮化鎵層，其中鎂或鋅的摻雜濃度為IX IO18CnT3到5X 1019cnT3。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片的制造方法，其特征在于所述金屬有機化學(xué)氣相淀積外延生長的反應(yīng)室壓強為100毫托至500毫托，反應(yīng)溫度為750攝氏度至1050攝氏度， 反應(yīng)物為NH3與TMGa，其中，NH3與TMGa的摩爾比為500至2000。
全文摘要
本發(fā)明提出一種LED芯片的制造方法，包括如下步驟提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上采用金屬有機化學(xué)氣相淀積依次生長氮化物成核層、非摻雜氮化物層、N型氮化物層、多量子阱、P型氮化物層；在P型氮化物層上沉積掩膜層；蝕刻掩膜層以形成周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口，所述周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口內(nèi)暴露出P型氮化物層；采用金屬有機化學(xué)氣相淀積外延的方法，在周期性圖形結(jié)構(gòu)窗口內(nèi)、P型氮化物層表面上，形成摻雜錐形結(jié)構(gòu)；去除掩膜層，形成由P型氮化物層和摻雜錐形結(jié)構(gòu)構(gòu)成的P型外延層。由上述技術(shù)方案的實施，提供了一種實現(xiàn)LED芯片的制造方法，以提高氮化物發(fā)光二極管的取光效率。
文檔編號C23C16/34GK102255009SQ20111017221
公開日2011年11月23日 申請日期2011年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月23日
發(fā)明者于洪波, 張汝京, 程蒙召, 肖德元 申請人:映瑞光電科技(上海)有限公司