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使用溶液過程制造鋁電極的方法以及由此制造的鋁電極的制作方法

文檔序號:3411841閱讀:364來源:國知局
專利名稱:使用溶液過程制造鋁電極的方法以及由此制造的鋁電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于使用溶液過程制造鋁電極的方法以及一種使用該方法制造的鋁電極。
背景技術(shù)
具有低功函數(shù)的鋁通常用作用于需要歐姆接觸的環(huán)保節(jié)能器件(例如,太陽能電池和有機發(fā)光二極管(OLED))的陰極的材料。由于快速氧化特性,用作用于有機太陽能電池和OLED器件的陰極的材料的鋁電極是利用在真空中熱蒸發(fā)和濺涂法來制造的。
熱蒸發(fā)方法如下通過使用電熱對由陶瓷形成的坩堝進行加熱,并將材料蒸發(fā)至坩堝以形成膜。通常,具有高溫的點源(point source)可用于以電熱來蒸發(fā)金屬電極如Mg-Al, Al-Li和Al。為了形成金屬陰極,需要1300°C的溫度,其使用材料的效率為30%或更少。上述工藝條件引起原料的過量損耗以及有機物的劣化,并且由于鋁和陶瓷之間非常大的潤濕角(wetting angle),鋁隨著高溫在陶瓷坩堝的壁上蔓延遍布坩堝,由此降低了替換周期并增加了維護設備的成本。此外,濺涂方法如下通過在真空系統(tǒng)中對濺射槍施加負偏壓所產(chǎn)生的電子使惰性氣體分解以產(chǎn)生等離子體,所產(chǎn)生的具有高能量的離子微粒因此與靶(其上將沉積離子微粒)的表面碰撞,并且交換動能,從而使得原子或分子濺出所述表面并且被吸附至基底上。濺涂法具有如下問題具有能量的微粒的碰撞產(chǎn)生缺陷并形成局部陷阱點,由此引起有機膜的有機結(jié)構(gòu)變形。此外,碰撞使表面的溫度升高并劣化有機層的特性。為了解決上述問題,Plasma Process. Polym. 2009,6, S808公開了一種通過調(diào)節(jié)施加至DC磁控管的電壓來減少有機層的缺陷的方法。同樣地,在Applied Physics Letters88,083513(2006)和 J. KIEEME Vol. 85, No. 19,8(2004)中,通過使用 Ar 和 Kr 的混合氣體用于濺射來防止有機層的缺陷。然而,上述方法難以制造具有大面積的電極。韓國專利公報第2010-0111411號公開了鋁電極漿以及使用該鋁電極漿的太陽能電池。根據(jù)其描述,鋁電極漿包括微粒大小彼此不同的三種類型的鋁粉、玻璃粉以及有機粘合劑。該漿通過增加與硅晶片接觸的面積并增加擴散面積來有效地形成背表面場,通過將大小彼此不同的顆?;旌蟻碓黾愉X粉的填充密度以提高電特性,并且通過降低熱過程中金屬元素的熱膨脹來減小微粒的收縮因子。然而,為了干燥所述漿料,該方法包括以80°C至200°C的第一加熱以及以700°C至900°C的第二加熱,因此引起有機層的熱損傷。近來,為了大量生產(chǎn)大尺寸的有機發(fā)光二極管,已經(jīng)研究了用于改善濺射工藝的方法。例如,在Applied Physics Letters Vol. 85(2004)的19頁公開了通過使用鏡形革巴濺射(MSTS)來形成OLED的鋁陰極而不具有等離子體缺陷的方法。此外,存在通過改進該方法對20X20的基底進行涂層的示例。然而,如上所述,根據(jù)熱蒸發(fā)方法和濺射方法,引起了材料的過量損耗,還需要用于制造和維護蒸發(fā)裝置的大筆費用,并且由于真空室的容積增加的限制,上述方法難以制造大尺寸電極。此外,近來,不僅擴大了對環(huán)保節(jié)能器件例如OLED和有機太陽能電池的需求,而且還擴大了對用于具有1870 X 2200mm的第七代顯示器和具有2200 X 2500mm的第八代顯示器的電極的需求。因此,本發(fā)明提供了一種用于制造鋁前體溶液的方法以及一種用該鋁前體溶液進行涂布以使用溶液過程制造鋁電極的方法,該鋁電極的電特性與通過真空蒸發(fā)制造的鋁電極的電特性不相上下,并且該鋁電極能夠適用于大面積。

發(fā)明內(nèi)容
[技術(shù)問題]本發(fā)明提供了一種使用溶液過程制造鋁電極的方法。本發(fā)明還提供了一種使用該方法制造的鋁電極。 [技術(shù)方案]根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供了一種使用溶液過程制造鋁電極的方法,所述方法包括制造鋁前體溶液(步驟I);使用所述前體溶液對基底進行涂布(步驟2);以及在80°C至150°C的低溫下對經(jīng)涂布的基底進行熱處理(步驟3)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供了一種使用該方法制造的鋁電極。[優(yōu)勢效果]本發(fā)明提供了一種在短時間內(nèi)、在大氣壓和在150°C以下的溫度下進行的低溫烘焙過程來制造電極的方法,因此解決了由于根據(jù)常見方法的高溫烘焙過程所引起的電極的熱損傷。同樣地,能夠防止鋁材料的過量損耗并且通過在大氣壓下形成電極來減少制造成本,還能夠降低用于制造和維護的費用。此外,能夠制造具有從小尺寸到大尺寸的各種尺寸的鋁電極,該鋁電極的電特性例如電阻率與普通鋁電極的電特性不相上下。


圖I為示出制造鋁前體溶液的過程的視圖;圖2為示出根據(jù)本發(fā)明的實施方案在無機材料表面上形成鋁電極的過程的視圖;圖3為不出根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案在有機材料表面和無機材料表面之一上形成鋁電極的過程的視圖;圖4示出在實施方案I、實施方案2和實施方案3中制造的鋁電極的照片;圖5為示出圖4中示出的鋁電極的X射線衍射(XRD)的結(jié)果的曲線圖;圖6示出鋁電極的掃描電子顯微鏡(SEM)的照片;以及圖7為示出鋁電極的不同位置處的電阻率的曲線圖。最佳實施方案在下文中,將詳細地描述本發(fā)明。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案,提供了一種用于使用溶液過程制造鋁電極的方法,該方法包括制造鋁前體溶液(步驟I);使用前體溶液對基底進行涂布(步驟2);以及在80°C至150°C的低溫下對經(jīng)涂布的基底進行熱處理(步驟3)。以下,將詳細地描述本實施方案的步驟。步驟I為制造鋁前體溶液的過程。鋁前體溶液允許使用溶液過程來形成鋁電極??梢詫⒙然X(AlCl3)和氫化鋁鋰(LiAlH4)以I : 3的摩爾比混合來制造鋁前體溶液。通過如下化學反應式I的反應來制造招前體溶液。〈化學反應式1>AlCl3+3LiAlH4 — 4AlH3+3LiCl如化學反應式I所示,以I : 3的摩爾比將AlCl3和LiAlH4混合,由此生成AlH3和LiCl0在步驟I中使用的溶劑可以具有150°C以下的沸點。為了使用鋁前體溶液作為環(huán)保節(jié)能器件(例如,太陽能電池和0LED)的陰極的材料,需要通過以最多150°C的溫度進行的低溫烘焙過程來形成鋁電極,在該低溫烘焙過程中,在其上形成有鋁電極的有機材料基
底例如電子注入層是熱安全的。取決于生成鋁的溫度和形成電極的溫度,可以使用具有適當?shù)姆悬c和熱分解點的I,3,5-三甲基苯和乙醚有機溶劑作為溶劑。在步驟I中,可以將六1(13和1^41!14放入溶劑中以處于過飽和狀態(tài)。當放入作為基本材料的AlCl3和LiAlH4以處于過飽和狀態(tài)時,化學反應式I中的平衡向右移動,由此生成大量的A1H3。因此,為了更容易并更快速地形成鋁電極,需要將AlCl3和LiAlH4放入溶劑中以處于過飽和狀態(tài)。將選擇的溶劑放入其中并攪拌,并在室溫至100°C的溫度下反應一小時,由此制造出鋁前體溶液。在該情形下,可以在氬氛圍下進行反應以防止鋁被氧化。至于步驟1,當使用例如二丁基醚作為溶劑時,完成反應之后的溶液包括包含有AlH3的溶液H3AlO(C4H9)2以及沉淀物LiCl。當過濾該溶液時,獲得作為鋁前體溶液的H3AlO(C4H9)20步驟2為使用前體溶液對基底進行涂布的過程。可使用旋涂法、浸涂法、噴涂法、噴墨印刷法、輥涂法、滴鑄法以及刮刀涂法中的一種方法用鋁前體溶液涂布基底。然而,用鋁前體溶液涂布基底的方法不限于此。完成涂層之后,在室溫下使基底變干。步驟2還可以在氬氛圍下進行以防止鋁被氧化。步驟3為在80°C至150°C的低溫下對經(jīng)涂布的基底進行熱處理的過程。將在步驟2中涂布并干燥的基底放置在能夠進行熱處理的器件例如熱板上,并在80°C至150°C的溫度下進行加熱??删徛岣呒訜釡囟冗M行熱處理。尤其是,當加熱溫度高于120°C并且所使用的熱處理器件之前進行過加熱時,需要特別注意的是鋁電極層的一部分碳化變黑。為了防止鋁被氧化,步驟3中的熱處理可以在氬氛圍下進行。在以低溫進行的熱處理期間,進行如下化學反應式2。<化學反應式2> 4A1H3 — 4A1 (s) +6 (g)例如,當使用二丁基醚作為溶劑時,通過逐漸進行加熱,從干燥的H3AlO(C4H9)2層除去O(C4H9)2,在該過程中氫同時從AlH3離開,由此留下鋁層。在該情形下,當在其上形成有H3AlO(C4H9)2層的基底放置在之前進行過加熱的熱板上時,H3AlO(C4H9)2層在形成鋁層之前蒸發(fā)或者能夠由于有機溶劑的部分被碳化而形成不均勻的電極。為了形成鋁層,在其上形成有H3AlO(C4H9)2層的基底可以處于室溫下的熱板上,并以80°C至150°C的溫度進行加熱。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方案,提供了一種用于使用溶液過程制造鋁電極的方法,該方法包括制造鋁前體溶液(步驟A);使用鋁前體溶液對由無機材料和不與前體材料反應的有機材料之一形成的基底進行涂布(步驟B);以801至150°C的溫度對由無機材料和有機材料之一形成的、待涂布的基底進行加熱(步驟C);以及將在步驟B中涂布的基底放置在在步驟C中進行過加熱的由有機材料和無機材料之一形成的基底上,并以80°C至150°C的低溫進行熱處理,并且除去由無機材料和不與前體材料反應的有機材料之一形成的基底(步驟D)。以下,將詳細地描述本實施方案的步驟。步驟A以與步驟I相同的方式進行。步驟B為使用鋁前體溶液對由無機材料和不與前體材料反應的有機材料之一形成的基底進行涂布的過程。當其上形成有電極的表面由有機材料形成時,尤其是由與用于制造前體溶液的溶劑反應的材料形成時,該基底可以與前體溶液反應并在基底上引起缺陷。因此,重要的是防止前體溶液與待在其上形成電極的基底之間直接接觸。因此,需要使用由無機材料和不與前體溶液反應的有機材料之一形成的基底。同樣地,步驟B可以在氬氛圍下進行以防止鋁被氧化。
步驟B中的涂層可以通過使用旋涂法、浸涂法、噴涂法、噴墨印刷法、輥涂法、滴鑄法以及刮刀涂法中的一種來涂布在步驟A中制造的鋁前體溶液來進行。然而,用鋁前體溶液涂布基底的方法不限于此。完成涂層后,在室溫下干燥基底。步驟C為以80°C至150°C的溫度對由無機材料和有機材料之一形成的、待涂布的基底進行加熱的過程。將待在其表面上形成電極的基底放置在熱處理器件例如熱板上,并以80°C至150°C的溫度進行加熱同時保持基底的表面向上。步驟C可以在氬氛圍下進行以防止鋁被氧化。步驟D為將在步驟B中涂布的基底放置在在步驟C中進行過加熱的由有機材料和無機材料之一形成的基底上,并以80°C至150°C的低溫進行熱處理,并且除去由無機材料和不與前體材料反應的有機材料之一形成的基底的過程。當涂有前體溶液并干燥后的基底的表面與在步驟C中加熱的待涂布的由有機材料和無機材料之一形成的基底的表面接觸時,在熱分解的同時除去了溶劑,并且氫如化學反應式2所示從AlH3分離,由此在由有機材料形成的基底上形成了 Al層。由于從與由有機材料形成的表面接觸的前體溶液涂層形成鋁粉,因此鋁電極層在由有機材料和無機材料之一形成的基底上形成,與在由無機材料和不與前體材料反應的有機材料之一形成的涂有前體溶液并干燥后的基底相對。步驟D也可以在氬氛圍下進行以防止鋁被氧化。并且,步驟C和步驟D可以解決當在步驟3中加熱涂有鋁前體溶液的基底以形成鋁電極時可能發(fā)生的困難,還可以解決由于當在之前進行過加熱的熱處理器件上以高于120°C的溫度對基底進行熱處理時涂層被蒸發(fā)以及形成涂層的有機溶劑被碳化所引起的形成均勻電極的困難。另外,根據(jù)本發(fā)明的再一個實施方案,提供了一種使用溶液過程制造鋁電極的方法,該方法包括制造鋁前體溶液(步驟a);將涂有鋁前體溶液的纖維介質(zhì)放置在第一基底上(步驟b);以801至150°C的溫度對用于形成電極的第二基底進行加熱(步驟c);以及將第一基底放置在加熱過的基底上,并以80°C至150°C的低溫進行熱處理,并且除去第一基底和涂有前體溶液的纖維介質(zhì)(步驟d)。步驟a以與步驟I相同的方式進行。步驟b為將涂有鋁前體溶液的纖維介質(zhì)放置在第一基底上的過程。例如,纖維介質(zhì)可以為紙。由于不同于基底,纖維介質(zhì)可以吸收大量的鋁前體溶液,因此能夠依賴于所吸收的鋁前體溶液的量來形成鋁電極的厚度。此外,由于相同材料的吸收量相等,因此可以形成具有均勻厚度的鋁電極。將鋁前體溶液放置在第一基底上并在室溫下干燥。步驟b也可在氬氛圍下進行以防止鋁被氧化。步驟c為以80°C至150°C的溫度對用于形成電極的第二基底進行加熱的過程。將待在其表面上形成電極的基底放置在熱處理器件例如熱板上,并以80°C至150°C的溫度進行加熱同時保持基底的表面向上。步驟c也可在氬氛圍下進行以防止鋁被氧化。步驟d為將第一基底放置在加熱過的基底上,并以80°C至150°C的低溫進行熱處理,并且將第一基底和涂有前體溶液的纖維介質(zhì)除去。當附著有涂有前體溶液的纖維介質(zhì)的第一基底與待涂布的第二基底的表面接觸時,溶劑被熱分解并被除去,并且如化學反應式2所示,氫從AlH3分離,從而在第二基底上形成Al層。由于鋁粉從與第二基底接觸的前體溶液涂層形成,因此Al層形成在第二基底而不是第一基底上。步驟d也可在氬氛圍下進行以防止鋁被氧化。
另外,根據(jù)本發(fā)明的一個實施方案,提供了一種使用利用溶液過程制造鋁電極的方法所制造的鋁電極。鋁電極可以使用通過在短時間內(nèi)以最多150°C的溫度進行的低溫烘焙過程來熱處理的溶液過程制造,由此解決了由于普通高溫烘焙過程所發(fā)生的電極的熱損傷。同樣地,能夠防止原料的過量損耗并能夠在大氣壓下形成電極,由此減少了用于制造和維護的費用。同樣地,能夠制造具有從小尺寸到大尺寸的各種尺寸的鋁電極。此外,與需要低功函電極的普通有機太陽能電池和OLED陰極相比,鋁電極具有相同或更高的特性。[本發(fā)明的實施方案]以下,將描述本發(fā)明的示例性實施方案。然而,以下實施方案僅是本發(fā)明的示例,并且本發(fā)明不受限于這些示例性實施方案。<實施方案1>在玻璃基底⑴上制造鋁電極步驟I.制造鋁前體溶液為了使氯化鋁與氫化鋰鋁的摩爾比為I 3,將O. 133g氯化鋁(AlCl3)和O. 114g氫化鋰鋁(LiAlH4)放入具有回流冷凝器和三個入口端的燒瓶中,并使用IOOml的二丁基醚作為溶劑,在氬氛圍下以80°C的溫度進行加熱同時攪拌一小時?;衔風iCUAlH3以及LiCl被過濾除去,由此制造出AlH3溶解在溶劑中的鋁前體溶液OAlH3 (C4H9) 2。步驟2.用前體溶液對基底進行涂布通過將非晶玻璃基底浸入到在步驟I中制造的鋁前體溶液中并干燥來使非晶玻璃基底涂有鋁前體溶液。步驟3.以低溫講行熱處理將在步驟2中涂布并干燥的基底放置在室溫下的熱板上并加熱至140°C,由此制造出鋁電極。<實施方案2>在玻璃基底(II)上制造鋁電極步驟I.制造鋁前體溶液通過進行與實施方案I的步驟I相同的步驟制造鋁前體溶液。步驟2.使用鋁前體溶液對基底進行涂布
通過進行與實施方案I的步驟2相同的步驟,在玻璃基底上形成鋁前體溶液層。步驟3.加熱由無機材料形成的基底將待形成電極的玻璃基底放置在熱板上并加熱至140°C。步驟4.在由無機材料形成的基底上形成鋁電極將步驟2的涂有鋁前體溶液的基底表面朝下放置在步驟3的進行過加熱的頂部待被涂布的玻璃基底上,在140°C的溫度下加熱一分鐘,由此在玻璃基底上制造出鋁電極。<實施方案3>在由有機材料形成的基底上制造鋁電極步驟I.制造鋁前體溶液
通過進行與實施方案I的步驟I相同的步驟制造鋁前體溶液。步驟2.使用鋁前體溶液對基底進行涂布通過將玻璃基底浸入鋁前體溶液中然后干燥來使玻璃基底涂有鋁前體溶液。步驟3.加熱由有機材料形成的基底將其上待形成電極的聚乙烯基底放置在熱板上并以140°C的溫度進行加熱。步驟4.在由有機材料形成的基底上形成鋁電極將步驟2的涂有鋁前體溶液的基底表面朝下放置在步驟3的加熱過的頂部待涂布的聚乙烯基底上,并在140°C的溫度下加熱一分鐘,由此在聚乙烯基底上制造出鋁電極。<實施方案4>制造厚鋁電極步驟I.制造鋁前體溶液通過進行與實施方案I的步驟I相同的步驟來制造鋁前體溶液。步驟2.使用鋁前體溶液對紙張講行涂布將涂有在步驟I中制造的鋁前體溶液的紙張放置在由玻璃形成的第一基底上,并干燥。步驟3.加熱基底將其上待形成電極的第二玻璃基底放置在熱板上并以140°C的溫度進行加熱。步驟4.在玻璃基底上形成鋁電極將附著有在步驟2中涂有鋁前體溶液并干燥的紙張的第一玻璃基底放置在在步驟3中加熱過的第二玻璃基底上,并在140°C的溫度下加熱三分鐘,由此制造出具有263nm厚度的鋁電極。<實驗例1>對制造的電極的目視觀察為了檢查外部特性,通過肉眼觀察在實施方案I、實施方案2和實施方案3中制造的鋁電極,并在圖4中示出了結(jié)果。參照圖4,在實施方案I和實施方案2中鋁電極制造在非晶玻璃基底上,在實施方案3中鋁電極制造在聚乙烯基底上,其結(jié)果為能夠看出鋁膜被均勻地涂布并且所涂的金屬層具有如反射板一樣的非常高的反射率。此外,在聚乙烯基底上制造的鋁電極膜沒有缺陷例如分離,鋁電極膜具有像聚乙烯基底一樣的柔韌性。<實驗例2>XRD分析為了研究鋁的可結(jié)晶性,對于在實施方案I、實施方案2和實施方案3中制造的鋁電極進行X射線衍射(XRD)分析,并且圖5中示出了其結(jié)果。參照圖5,可知制造的電極的XRD圖案等同于根據(jù)粉末衍射標準聯(lián)合委員會(JSPDS)卡片Al (04-0407)的面心立方(FCC)結(jié)構(gòu)。因此,可知包含在使用根據(jù)本發(fā)明的實施方案的方法所制造的鋁前體溶液中的AlH3能非常有效地形成鋁層。<實驗例3>SEM照片分析為了檢查形成在實施方案I、實施方案2和實施方案3中制造的鋁電極上的鋁層的微結(jié)構(gòu)和厚度,使用掃描電子顯微鏡(SEM)并且其結(jié)果在圖6中示出。參照圖6,在具有緊密結(jié)構(gòu)的鋁層的表面上很少形成氣孔。同樣地,觀察電極的橫截面的結(jié)果,可知形成在A (實施方案I)和B (實施方案2)中的玻璃基底以及C (實施方案3)中的聚乙烯基底上的電極的厚度分別為117nm、102nm以及70nm。而且,參照實施方案I至3的SEM照片,可以看出制造的鋁電極為具有緊密結(jié)構(gòu)的薄膜形狀。由于需要電極的密度來提高電極的電特性,上述的結(jié)果使得能夠估計出根據(jù)本發(fā)明制造的鋁電極具有極好的電特性。

<實驗例4>測量電阻率為了檢查依賴于電極位置的電阻率,使用4點探針法來測量在實施方案I、實施方案2和實施方案3中制造的鋁電極的電阻率,其結(jié)果示出于圖7中。參照圖7,以圖表示出了測量電阻率的相應位置以及該相應位置的電阻率。在實施方案I、實施方案2和實施方案3中制造的鋁電極在五個位置處的平均電阻率值分別為12. 52 μ Ω · cm,8. 49 μ Ω · cm以及15. 53 μ Ω · cm,這些值都相對較低。取決于各個電極的位置的標準偏差為O. 46μ Ω · cm、I. 74 μ Ω · cm以及O. 65 μ Ω · cm,這表示這些電極的電特性非常好并且一致。
權(quán)利要求
1.一種使用溶液過程制造鋁電極的方法,所述方法包括 制造鋁前體溶液(步驟I); 使用所述鋁前體溶液涂布基底(步驟2);和 在80°C至150°C的溫度下對所述經(jīng)涂布的基底進行熱處理(步驟3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其中通過以I: 3的摩爾比將AlCl3與LiAlH4混合來實施步驟I。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其中在所述步驟I中使用的溶劑具有至多150°C的沸點。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中將AlCl3與LiAlH4放入所述溶劑中至過飽和。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法,其中所述步驟2中的涂布通過選自旋涂法、浸涂法、噴涂法、噴墨印刷法、輥涂法、滴鑄法以及刮刀涂法中的一種來進行。
6.一種使用溶液過程制造鋁電極的方法,所述方法包括 制造鋁前體溶液(步驟A); 使用所述鋁前體溶液對由無機材料形成的基底和由不與所述鋁前體溶液反應的有機材料形成的基底中的一種進行涂布(步驟B); 在80°C至150°C的溫度下對由有機材料和無機材料之一形成的、其上待形成鋁薄膜電極的基底進行加熱(步驟C);和 將在步驟B中涂布的所述基底放置在在步驟C中加熱過的所述由有機材料和無機材料之一形成的基底上,并在80°C至150°C的低溫下進行熱處理,并除去所述由無機材料和不與前體材料反應的有機材料之一形成的基底(步驟D)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法,其中所述步驟B中的涂布通過選自旋涂法、浸涂法、噴涂法、噴墨印刷法、輥涂法、滴鑄法以及刮刀涂法中的一種來進行。
8.一種使用溶液過程制造鋁電極的方法,所述方法包括 制造鋁前體溶液(步驟a); 將涂布有所述鋁前體溶液的纖維介質(zhì)放置在第一基底上(步驟b); 在80°C至150°C的溫度下對用于形成電極的第二基底進行加熱(步驟c);和將所述第一基底放置在所述加熱過的基底上,并在80°C至150°C的低溫下進行熱處理,并除去所述第一基底和涂有所述鋁前體溶液的所述纖維介質(zhì)(步驟d)。
9.使用根據(jù)權(quán)利要求1、6和8中任一項所述的方法制造的鋁電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使用溶液過程制造鋁電極的方法以及由此制造的鋁電極。所述制造方法包括以下步驟制造用于溶液過程的、在形成鋁之前使用AlH3作為基本材料的鋁前體溶液;通過溶液過程在基底上涂覆鋁前體溶液并使鋁前體溶液干燥;以及通過在最高為150℃的溫度下進行的低溫烘焙過程來形成低功函數(shù)的鋁電極。根據(jù)本發(fā)明的用于制造鋁電極的方法改善了由于高溫烘焙過程引起的電極的熱損傷,防止了原料的過度損耗,并且能夠以相對低的成本和通過在大氣壓下的簡單工藝來制造具有從小到大變化的面積的各種尺寸的鋁電極。
文檔編號C23C28/00GK102822386SQ201080066013
公開日2012年12月12日 申請日期2010年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月11日
發(fā)明者李惠文, 李東垣, 尹中烈 申請人:韓國機械研究院
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