專利名稱：硅片拋光盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)用新型是關(guān)于對電子材料例如硅片拋光盤的改進(jìn)，尤其涉及一種能排出多余粘 結(jié)蠟、粘結(jié)厚度薄而厚度均平整的拋光盤。
背景技術(shù)：
硅片拋光工序硅片固定大都采用涂蠟粘片法，通過熔蠟?zāi)陶辰Y(jié)將需拋光硅片固 定在拋光盤表面。隨著對拋光硅片質(zhì)量要求提高，對拋光硅片平整度要求越來越高例如要 求小于4-8 μ m?？陀^上硅片粘結(jié)要求同拋光盤完全接觸，由于硅片直徑較大例如Φ 100mm， 而熔蠟的流動性又較差，導(dǎo)致硅片底部多余的熔蠟無法排除，硅片與拋光盤之間存在一層 較厚且蠟厚度不均勻的粘結(jié)蠟，使得拋光硅片在拋光盤上不平整，拋出硅片平整度只能保 持在8-15 μ m。因此現(xiàn)有拋光盤涂蠟粘片已不能滿足高平整度要求，由此也使得所做芯片電 壓一致性變差。中國專利CN87202507硅片無蠟拋光墊，采用由七層樹脂材料組成復(fù)合結(jié)構(gòu)拋光 墊，硅片通過水粘貼及孔負(fù)壓吸附固定，達(dá)到無蠟拋光。不僅拋光墊制作復(fù)雜，使得拋光盤 成本較高，而且樹脂材料為有壓縮性柔性材料，雖然對各層厚度提出限制為μ m級，但拋光 時受壓仍會產(chǎn)生微量變形，因此其平整度仍然相對較低，報導(dǎo)總厚度變化達(dá)6 μ m。上述不足仍有值得改進(jìn)的地方。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型目的在于克服上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能夠自動排出多余粘結(jié)熔 蠟，確保粘結(jié)硅片高平整的硅片拋光盤。實(shí)用新型目的實(shí)現(xiàn)，主要改進(jìn)是在固定硅片的拋光盤至少粘片部位開設(shè)排蠟通 孔，使粘結(jié)硅片多余的熔蠟通過排蠟孔排出，以此提高粘結(jié)硅片的平整度，從而克服現(xiàn)有技 術(shù)的不足，實(shí)現(xiàn)實(shí)用新型目的。具體說，實(shí)用新型硅片拋光盤，包括固定硅片的拋光盤，其特 征在于拋光盤至少粘貼硅片部位厚度方向有多個孔徑不大于2mm的排蠟通孔。實(shí)用新型所說排蠟通孔，主要作用是供流動性差的粘結(jié)熔蠟排出，從而提高粘貼 硅片的平整度，降低因粘結(jié)熔蠟流動性差造成的不平整。其通孔截面形狀無特別限定，但從 簡便加工角度，通常采用圓孔?？讖讲淮笥?mm，主要是從避免或減少拋光硅片表面因孔徑 過大易造成硅片出現(xiàn)凹坑影響平整度角度考慮，為試驗(yàn)所得，孔徑過大則薄的拋光片容易 在排蠟通孔處出現(xiàn)凹坑，孔徑更好為Imm左右，既能通暢排蠟，又避免了硅片出現(xiàn)凹坑，使 硅片有高的平整度。實(shí)用新型所說Imm左右，是一個相對概念，并非指精確值，它包括在孔 加工過程中不可避免的誤差，并且由排蠟孔的原理，其精度并不會對本專利技術(shù)方案產(chǎn)生 實(shí)質(zhì)影響。此外，排蠟孔更好為軸向(拋光盤厚度方向)呈上小下大的喇叭形孔，更有利于排 蠟通暢，而又不會影響粘結(jié)硅片的平整度。對于喇叭形孔，所說孔徑是指粘結(jié)面孔徑。拋光盤有通孔區(qū)域，一種較好是背面呈內(nèi)凹，其內(nèi)凹既可用于存放排出蠟，同時也使得排蠟孔長度變小，也方便了排蠟。實(shí)用新型硅片拋光盤，相對于現(xiàn)有技術(shù)，由于在拋光盤至少粘片部位開設(shè)有排蠟 通孔，使得在蠟熔融粘片時，多余的蠟得以通過通孔排出，拋光盤底層蠟不會太厚，同時自 流也導(dǎo)致粘結(jié)蠟層均勻平整，從而保證了固定粘片的高度平整，因此極大提高了研磨拋光 硅片的平整度，不平整度可以做到不大于4-8 μ m，滿足了對拋光硅片高平整度要求，由此也 提高了所做芯片的電壓一致性，簡便解決了因蠟流動性差及蠟層厚度不均勻?qū)е碌墓杵?平整的問題。以下結(jié)合一個示例性實(shí)施例，示例性說明及幫助進(jìn)一步理解實(shí)用新型實(shí)質(zhì)，但實(shí) 施例具體細(xì)節(jié)僅是為了說明實(shí)用新型，并不代表實(shí)用新型構(gòu)思下全部技術(shù)方案，因此不應(yīng) 理解為對實(shí)用新型總的技術(shù)方案限定，一些在技術(shù)人員看來，不偏離實(shí)用新型構(gòu)思的非實(shí) 質(zhì)性增加和/或改動，例如以具有相同或相似技術(shù)效果的技術(shù)特征簡單改變或替換，均屬 實(shí)用新型保護(hù)范圍。

圖1為一種粘結(jié)硅片拋光用硅片拋光盤俯視圖。圖2為圖1剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例參見附圖，在現(xiàn)有通常使用的圓形拋光盤1，粘貼硅片位置、接近硅片尺 寸區(qū)域加工有眾多均勻分布、表面孔直徑為Imm左右的上小下大喇叭形(拋光盤厚度)通 孔2，通孔區(qū)域背面有凹坑3。粘片同現(xiàn)有技術(shù)，先將拋光盤放于熱板上加熱至蠟熔化溫度 以上，再將蠟均勻涂于拋光盤表面。然后將需研磨拋光硅片放在涂蠟位置，將拋光盤放在壓 片機(jī)上，對硅片施加一定壓力使多余的蠟通過硅片底部的排蠟孔排至拋光盤背面凹槽內(nèi)， 冷卻后將拋光盤拿出清洗表面多余的蠟。對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，在本專利構(gòu)思及具體實(shí)施例啟示下，能夠從本專利公 開內(nèi)容及常識直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的一些變形，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將意識到也可采用其他 方法，或現(xiàn)有技術(shù)中常用公知技術(shù)的替代，以及特征間的相互不同組合，例如拋光盤自身形 狀的改變，拋光盤全面積開孔，等等的非實(shí)質(zhì)性改動，同樣可以被應(yīng)用，都能實(shí)現(xiàn)本專利描 述功能和效果，不再一一舉例展開細(xì)說，均屬于本專利保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.硅片拋光盤，包括固定硅片的拋光盤，其特征在于拋光盤至少粘貼硅片部位厚度方 向有多個孔徑不大于2mm的排蠟通孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述硅片拋光盤，其特征在于排蠟孔孔徑在Imm左右。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述硅片拋光盤，其特征在于排蠟孔軸向呈上小下大喇叭形孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述硅片拋光盤，其特征在于拋光盤通孔區(qū)域背面有內(nèi)凹。
專利摘要本實(shí)用新型是對電子材料例如硅片拋光盤的改進(jìn)，其特征是拋光盤至少粘貼硅片部位厚度方向有多個孔徑不大于2mm的排蠟孔。使得在蠟熔融粘片時，多余的蠟得以通過通孔排出，拋光盤底層蠟不會太厚，自流導(dǎo)致粘結(jié)蠟層均勻平整，從而保證了固定粘片的高度平整，極大提高了研磨拋光硅片的平整度，不平整度可以做到不大于4-8μm，滿足了現(xiàn)代對拋光硅片高平整度要求，由此提高了所做芯片的電壓一致性，簡便解決了因蠟層厚度不易均勻?qū)е碌墓杵黄秸膯栴}。
文檔編號B24D13/14GK201881282SQ20102055446
公開日2011年6月29日 申請日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月24日
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