一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及到單晶硅片的拋光生產(chǎn)領(lǐng)域，具體的說是一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在拋光硅片表面顆粒檢測設(shè)備CR-80和CR-81中，硅片支撐裝置非常重要，它是顆粒檢測設(shè)備的激光光路中至關(guān)重要的一環(huán)，整體高度和水平度細(xì)微的變化，就可能造成拋光硅片表面顆粒檢測精度直線下降。而硅片加工工廠生產(chǎn)的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)以4英寸、5英寸、6英寸三種尺寸為主，這就要求檢測設(shè)備要兼容這三個(gè)尺寸。經(jīng)過研究分析表明，只要設(shè)計(jì)出合適的硅片支撐裝置，滿足設(shè)備內(nèi)的激光光路要求，就可以達(dá)成三個(gè)尺寸兼容的目的。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為解決現(xiàn)有的檢測設(shè)備無法兼容三個(gè)尺寸的硅片進(jìn)行檢測的問題，本實(shí)用新型提供了一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，該支撐裝置通過負(fù)壓吸取固定拋光硅片，從而實(shí)現(xiàn)了三種尺寸硅片的兼容。
[0004]本實(shí)用新型為解決上述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案為:一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，包括一基座，該基座通過螺栓固定在運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的橫梁上，以使其隨運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)；在基座的中心位置設(shè)置有與產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路連接的負(fù)壓接口，圍繞負(fù)壓接口均勻設(shè)置有呈矩形分布的四個(gè)沉孔，且每個(gè)沉孔的開口端上密封均設(shè)置有套管墊片，四個(gè)套管墊片的中部開設(shè)有微氣孔，所述負(fù)壓接口通過基座內(nèi)部的真空通道與四個(gè)套管墊片上的微氣孔連通，從而產(chǎn)生負(fù)壓將硅片吸附固定在四個(gè)套管墊片上。
[0005]所述基座上的負(fù)壓接口通過快速接頭與產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路連通。
[0006]所述基座采用鋁合金制成，其表面經(jīng)過發(fā)黑處理，以避免對(duì)光線的反射。
[0007]所述負(fù)壓接口為直徑4mm的內(nèi)絲孔，產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路通過一快速接頭與其連接。
[0008]所述負(fù)壓接口設(shè)置在基座的背面，圍繞其呈矩形均勻分布的四個(gè)沉孔位于基座的正面。
[0009]本實(shí)用新型中，套管墊片采用PVDF或四氟材料制成。
[0010]有益效果:本實(shí)用新型通過在基座內(nèi)部設(shè)置真空通道和套管墊片，當(dāng)機(jī)械手將硅片放到四個(gè)套管墊片上方時(shí)，負(fù)壓通過真空通路將硅片吸住，從而完成對(duì)三種硅片的兼容固定支撐；此真空應(yīng)控制在-5inhg以下，以避免真空使硅片表面變形而造成測量誤差?；捎脙?yōu)質(zhì)鋁合金材質(zhì)，重量輕，易加工。表面進(jìn)行氧化發(fā)黑處理，最大限度避免本裝置對(duì)光線的反射，減少對(duì)光路的影響。
【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖2為圖1A-A處剖視圖；
[0013]圖3為圖1B-B處剖視圖；
[0014]圖4為圖1C-C處剖視圖；
[0015]附圖標(biāo)記:1、基座，2、套管墊片，3、負(fù)壓接口，4、真空通道。
【具體實(shí)施方式】
[0016]如圖所示，一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，包括一基座1，該基座I通過螺栓固定在運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的橫梁上，以使其隨運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)；在基座I的中心位置設(shè)置有與產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路連接的負(fù)壓接口 3，圍繞負(fù)壓接口 3均勻設(shè)置有呈矩形分布的四個(gè)沉孔，且每個(gè)沉孔的開口端上密封均設(shè)置有套管墊片2，四個(gè)套管墊片2的中部開設(shè)有微氣孔，所述負(fù)壓接口 3通過基座I內(nèi)部的真空通道4與四個(gè)套管墊片2上的微氣孔連通，從而產(chǎn)生負(fù)壓將硅片吸附固定在四個(gè)套管墊片2上。
[0017]以上為本實(shí)用新型的基本實(shí)施方式，可在以上基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和限定:
[0018]如，所述基座I上的負(fù)壓接口 3通過快速接頭與產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路連通；
[0019]又如，所述基座I采用鋁合金制成，其表面經(jīng)過發(fā)黑處理，以避免對(duì)光線的反射；套管墊片采用PVDF或四氟材料制成；
[0020]再如，所述負(fù)壓接口 3為直徑4_的內(nèi)絲孔，產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路通過一快速接頭與其連接；
[0021]最后，所述負(fù)壓接口 3設(shè)置在基座I的背面，圍繞其呈矩形均勻分布的四個(gè)沉孔位于基座I的正面。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，其特征在于:包括一基座(1)，該基座(I)通過螺栓固定在運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)的橫梁上，以使其隨運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)；在基座(I)的中心位置設(shè)置有與產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路連接的負(fù)壓接口(3)，圍繞負(fù)壓接口(3)均勻設(shè)置有呈矩形分布的四個(gè)沉孔，且每個(gè)沉孔的開口端上密封均設(shè)置有套管墊片(2)，四個(gè)套管墊片(2)的中部開設(shè)有微氣孔，所述負(fù)壓接口(3)通過基座(I)內(nèi)部的真空通道(4)與四個(gè)套管墊片(2)上的微氣孔連通，從而產(chǎn)生負(fù)壓將硅片吸附固定在四個(gè)套管墊片(2)上。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，其特征在于:所述基座(I)上的負(fù)壓接口(3)通過快速接頭與產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路連通。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，其特征在于:所述基座(I)采用鋁合金制成，其表面經(jīng)過發(fā)黑處理，以避免對(duì)光線的反射。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，其特征在于:所述負(fù)壓接口(3)為直徑4_的內(nèi)絲孔，產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路通過一快速接頭與其連接。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，其特征在于:所述負(fù)壓接口(3)設(shè)置在基座(I)的背面，圍繞其呈矩形均勻分布的四個(gè)沉孔位于基座(I)的正面。
【專利摘要】一種用于拋光硅片表面顆粒檢測的硅片支撐裝置，在基座的中心位置設(shè)置有與產(chǎn)生負(fù)壓的真空管路連接的負(fù)壓接口，圍繞負(fù)壓接口均勻設(shè)置有呈矩形分布的四個(gè)沉孔，且每個(gè)沉孔的開口端上密封均設(shè)置有套管墊片，四個(gè)套管墊片的中部開設(shè)有微氣孔，負(fù)壓接口通過基座內(nèi)部的真空通道與四個(gè)套管墊片上的微氣孔連通，從而產(chǎn)生負(fù)壓將硅片吸附固定在四個(gè)套管墊片上，完成對(duì)三種硅片的兼容固定支撐；此真空應(yīng)控制在-5inhg以下，以避免真空使硅片表面變形而造成測量誤差?；捎脙?yōu)質(zhì)鋁合金材質(zhì)，重量輕，易加工。表面進(jìn)行氧化發(fā)黑處理，最大限度避免本裝置對(duì)光線的反射，減少對(duì)光路的影響。
【IPC分類】B25B11/00
【公開號(hào)】CN204819262
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201520609219
【發(fā)明人】宋松偉, 范強(qiáng), 馬龍峰, 高戰(zhàn)鋒, 苗亞龍
【申請(qǐng)人】麥斯克電子材料有限公司
【公開日】2015年12月2日
【申請(qǐng)日】2015年8月14日