專利名稱：可以修整拋光晶片平整度的拋光頭的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型設(shè)計(jì)了一種可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，用于晶片拋光或平整 度修整。
背景技術(shù)：
晶片在拋光加工過程中，使用有彈性的拋光墊，在一定的壓力下配合拋光藥液進(jìn) 行化學(xué)機(jī)械拋光，由于彈性的原因使得晶片從邊緣到中心承受的壓力逐步減小，經(jīng)過拋光 后，晶片整體形狀會變成中心鼓起，向邊緣逐步塌陷的“面包”狀，靠近邊緣的地方塌陷或更 嚴(yán)重，產(chǎn)生“塌邊”現(xiàn)象，即邊緣比其他地方有明顯的塌陷，對整個(gè)晶片的平整度有比較大的 影響。產(chǎn)生這種幾何缺陷以后，通過通常的機(jī)械化學(xué)拋光方法很難解決，重新進(jìn)行機(jī)械研 磨，由于成品晶片厚度有一定限制，又不允許，拋光累計(jì)時(shí)間稍長便會導(dǎo)致晶片因?yàn)槠秸?原因而發(fā)生不合格，由于單片晶片的價(jià)值很高，所以進(jìn)行晶片平整度修整就有必要了。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，提供一種可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其可通過 調(diào)節(jié)氣體壓力或者換用不同的彈性材料用以適應(yīng)不同尺寸和不同材料的晶片平整度修整。本實(shí)用新型一種可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在于，包括一晶片固定盤；一上拋光盤，該上拋光盤的斷面為倒T形，該上拋光盤位于晶片固定盤的上方；一氣囊，該氣囊固定在上拋光盤的底面，該氣囊可以充氣；一拋光墊，該拋光墊固定在氣囊的底面。其中氣囊為一球狀氣囊，在同晶片接觸時(shí)產(chǎn)生的壓力從氣囊中心到邊緣壓力逐步 減小。其中晶片固定盤為圓盤狀。其中上拋光盤與晶片固定盤相對應(yīng)，亦為圓盤狀。其中氣囊在非充氣狀態(tài)時(shí)為平面，緊貼上拋光盤的下表面。本實(shí)用新型的有益效果是其可通過調(diào)節(jié)氣體壓力或者換用不同的彈性材料用以 適應(yīng)不同尺寸和不同材料的晶片平整度修整。

為進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的具體技術(shù)內(nèi)容，以下結(jié)合實(shí)施例及附圖詳細(xì)說明如 后，其中圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；其中上拋光盤1 上面固定氣囊，未充氣時(shí)氣囊 同其下表面貼緊、氣囊2、拋光墊3、加工晶片4、晶片固定盤5 ；圖2是圖1中氣囊2充氣狀態(tài)示意圖；圖3是本實(shí)用新型對晶片進(jìn)行拋光的示意圖。
具體實(shí)施方式
請參閱圖1所示，本實(shí)用新型一種可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在 于，包括一晶片固定盤5，該晶片固定盤5為圓盤狀；一上拋光盤1，該上拋光盤1的斷面為倒T形，該上拋光盤1與晶片固定盤5相對 應(yīng)，亦為圓盤狀；一氣囊2，該氣囊2固定在上拋光盤1的底面，該氣囊可以充氣，其中氣囊2為一球 狀氣囊，在同晶片接觸時(shí)產(chǎn)生的壓力從氣囊中心到邊緣壓力逐步減小，該氣囊2在非充氣 狀態(tài)時(shí)為平面，緊貼上拋光盤1的下表面；一拋光墊3，該拋光墊3固定在氣囊2的底面；欲將晶片拋光時(shí)，將氣囊2充氣，將晶片固定在晶片固定盤5上面，控制上拋光盤 1的轉(zhuǎn)動及上拋光盤1的上下位移，由拋光墊3對晶片拋光。其中氣囊2為一球狀氣囊，在同晶片接觸時(shí)產(chǎn)生的壓力從氣囊中心到邊緣壓力逐 步減小。本實(shí)用新型的可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，見圖1，該裝置采用一個(gè)帶有通 氣孔的圓形鐵盤1，上面貼上一層有彈性的氣囊2，氣囊2下面貼有拋光墊3，充氣后該氣囊 膨脹，形成一個(gè)球截面(見圖2)，上面貼上拋光墊配合拋光液進(jìn)行對晶片進(jìn)行拋光修正平 整度；由于氣囊2中心鼓起，同晶片4接觸施壓時(shí)，壓力從晶片中心到邊緣，由大逐步變小， 晶片的去除量也就相應(yīng)的從中心到邊緣逐步變小，這種過程正好彌補(bǔ)同正常拋光的方法帶 來的塌邊缺陷，可應(yīng)用到晶片的平整度修整中。調(diào)節(jié)氣體壓力或者換用不同的彈性材料用 以適應(yīng)不同尺寸和不同材料的晶片平整度修整。請參閱圖3，使用晶片固定盤5固定四英寸晶片4，采用直徑97mm的拋光盤1，中心 留有通氣孔。平面氣囊2從外面包著拋光盤，壓縮空氣通過中心孔通入氣囊中，調(diào)解氣體壓 力是氣囊鼓起大概2-3毫米左右，通入拋光液，降下拋光頭，拋光墊3同晶片接觸，兩者基本 重合，拋光墊3同晶片接觸直徑大約98-99毫米，最外圈1毫米左右的晶片部分在修整過程 中不作任何處理。施加壓力使拋光頭同晶片緊密接觸，然后拋光頭帶動氣囊和拋光墊開始 自轉(zhuǎn)，根據(jù)需要修整晶片的具體參數(shù)確定加工壓力和時(shí)間，加工時(shí)一般選擇對晶片背面，經(jīng) 過幾分鐘的修整，去除了晶片中心鼓起的材料部分，晶片的平整度一般可以由7個(gè)微米恢 復(fù)到2-3微米以內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在于，包括一晶片固定盤；一上拋光盤，該上拋光盤的斷面為倒T形，該上拋光盤位于晶片固定盤的上方； 一氣囊，該氣囊固定在上拋光盤的底面； 一拋光墊，該拋光墊固定在氣囊的底面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在于，其中氣囊 為一球狀氣囊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在于，其中晶片 固定盤為圓盤狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在于，其中上拋 光盤與晶片固定盤相對應(yīng)，亦為圓盤狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在于，其中氣囊 在非充氣狀態(tài)時(shí)為平面，緊貼上拋光盤的下表面。
專利摘要一種可以修整拋光晶片平整度的拋光頭，其特征在于，包括一晶片固定盤；一上拋光盤，該上拋光盤的斷面為倒T形，該上拋光盤位于晶片固定盤的上方；一氣囊，該氣囊固定在上拋光盤的底面，該氣囊可以充氣；一拋光墊，該拋光墊固定在氣囊的底面；欲將晶片拋光時(shí)，將氣囊充氣，將晶片固定在晶片固定盤上面，控制上拋光盤的轉(zhuǎn)動及上拋光盤的上下位移，由拋光墊對晶片拋光。
文檔編號B24D13/00GK201776703SQ20102017169
公開日2011年3月30日 申請日期2010年4月21日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月21日
發(fā)明者卜俊峰, 惠峰, 朱蓉輝, 趙冀, 鄭紅軍 申請人:云南中科鑫圓晶體材料有限公司