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處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法

文檔序號(hào):3292932閱讀:721來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法。
背景技術(shù)
目前國(guó)內(nèi)生產(chǎn)的單晶太陽(yáng)能電池,主要使用的是傳統(tǒng)的絲網(wǎng)印刷技術(shù)。該技術(shù)需要經(jīng) 過(guò)燒結(jié)才能最終得到電池。在電池片燒結(jié)的過(guò)程中,燒結(jié)溫度的不穩(wěn)定性,會(huì)導(dǎo)致得到的電 池片串聯(lián)電阻偏大。此外,印刷過(guò)程中斷柵、柵線厚薄不均,擴(kuò)散過(guò)程中擴(kuò)散方阻的不穩(wěn)定 性、不均勻性,也會(huì)導(dǎo)致生產(chǎn)出的電池片串聯(lián)電阻偏大,從而導(dǎo)致電池片的填充因子下降、 轉(zhuǎn)換效率降低。據(jù)統(tǒng)計(jì),串聯(lián)電阻偏大的單晶電池片,占到總產(chǎn)量的1_2%,如果擴(kuò)散或燒結(jié) 工藝控制的不好,這個(gè)比例會(huì)更大。對(duì)于串聯(lián)電阻大、轉(zhuǎn)換效率低的太陽(yáng)能電池片,傳統(tǒng)的 做法是將其作降級(jí)甚至廢片處理,造成很大的經(jīng)濟(jì)損失。一般情況下,電池片的串聯(lián)電阻由三個(gè)方面組成柵線電阻、接觸電阻和薄層電 阻。薄層電阻主要是由擴(kuò)散方阻大小以及印刷柵線的疏密決定,而擴(kuò)散的方阻和柵線的疏 密程度一般是固定不變的。所以對(duì)于實(shí)際生產(chǎn)來(lái)說(shuō),降低串聯(lián)電阻的切入點(diǎn)應(yīng)該是柵線電 阻和接觸電阻。目前鍍銀技術(shù)可分為氰化鍍銀和無(wú)氰鍍銀技術(shù)。氰化鍍銀技術(shù)具有鍍液穩(wěn)定、電 流效率高、有很好的分散力和覆蓋力、鍍層結(jié)晶細(xì)致有光澤等優(yōu)點(diǎn)。迄今為止,國(guó)內(nèi)外鍍銀 工業(yè)仍以氰化鍍銀為主流,但由于氰化鍍銀液具有劇毒性,嚴(yán)重危害生產(chǎn)者的身體健康,鍍 液后處理成本高,會(huì)污染環(huán)境,應(yīng)用受到極大限制。隨著人們環(huán)保意識(shí)的不斷提高,國(guó)家立 法的不斷完善,氰化鍍銀將會(huì)被逐漸淘汰。無(wú)氰鍍銀技術(shù),鍍液穩(wěn)定可靠,鍍層質(zhì)量高,而且 不影響產(chǎn)品的美觀。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高晶硅太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率,增大電池片輸出功 率的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法。本發(fā)明的技術(shù)解決方案是
一種處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是依次包括下列步驟
(1)對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行預(yù)清洗;
(2)對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行鍍銀處理;
(3 )對(duì)鍍銀后的晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗,并干燥處理。晶硅太陽(yáng)能電池片為單晶太陽(yáng)能電池片或多晶太陽(yáng)能電池片。所述單晶太陽(yáng)能電池片或多晶太陽(yáng)能電池片的串聯(lián)電阻大于0. 9Ω Ym2。所述預(yù)清洗是用去離子水對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗。對(duì)鍍銀后的晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗,并干燥處理,是用去離子水對(duì)晶硅太陽(yáng) 能電池片進(jìn)行清洗,然后再在80°C下烘干。所述鍍銀處理為光誘導(dǎo)鍍銀或電鍍銀或化學(xué)鍍銀。鍍銀所用的鍍液是無(wú)氰鍍液。
光誘導(dǎo)電鍍的工作溫度為20-40°C,PH值范圍為9-11,電流密度控制在0. 1-2. 0 A/dm2,電鍍速率為0. 1-10 μ m/min,鍍層厚度為0. 1-10 μ m。本發(fā)明通過(guò)對(duì)低轉(zhuǎn)換效率晶硅電池片進(jìn)行鍍銀處理,控制鍍銀層的厚度,降低電 池片的串聯(lián)電阻,從而改善其填充因子,提高轉(zhuǎn)換效率,增大電池片輸出功率。下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
具體實(shí)施例方式一種處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,依次包括下列步驟
(1)用去離子水對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行預(yù)清洗;
(2)對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行鍍銀處理;
(3)對(duì)鍍銀后的晶硅太陽(yáng)能電池是用去離子水進(jìn)行清洗,然后再在80°C下烘干。晶硅太陽(yáng)能電池片為單晶太陽(yáng)能電池片或多晶太陽(yáng)能電池片。所述單晶太陽(yáng)能電池片或多晶太陽(yáng)能電池片的串聯(lián)電阻大于0. 9 Ω Ym2。所述鍍銀處理為光誘導(dǎo)鍍銀(或電鍍銀或化學(xué)鍍銀)。鍍銀是一種無(wú)氰鍍銀,即鍍液中不含有氰化物。光誘導(dǎo)電鍍的工作溫度為20-40°C,PH值范圍為9-11,電流密度控制在0. 1-2. 0 A/dm2,電鍍速率為0. 1-10 μ m/min,鍍層厚度為0. 1-10 μ m。
權(quán)利要求
1.一種處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是依次包括下列步驟(1)對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行預(yù)清洗;(2)對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行鍍銀處理;(3 )對(duì)鍍銀后的晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗,并干燥處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是晶硅太陽(yáng)能電池 片為單晶太陽(yáng)能電池片或多晶太陽(yáng)能電池片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是所述單晶太 陽(yáng)能電池片或多晶太陽(yáng)能電池片的串聯(lián)電阻大于0. 9 Ω νπι2。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是所述預(yù)清洗 是用去離子水對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是對(duì)鍍銀后的 晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗,并干燥處理,是用去離子水對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗,然 后再在80°C下烘干。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是所述鍍銀處 理為光誘導(dǎo)鍍銀或電鍍銀或化學(xué)鍍銀。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是鍍銀所用的鍍液是無(wú)氰鍍液。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,其特征是光誘導(dǎo)電鍍的工 作溫度為20-40°C, PH值范圍為9-11,電流密度控制在0. 1-2. 0 A/dm2,電鍍速率為0. 1-10 μ m/min,鍍層厚度為 0. 1-10 μ m。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種處理低轉(zhuǎn)換效率電池片的方法,包括對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行預(yù)清洗、對(duì)晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行鍍銀處理、對(duì)鍍銀后的晶硅太陽(yáng)能電池片進(jìn)行清洗并干燥處理。本發(fā)明通過(guò)對(duì)低轉(zhuǎn)換效率晶硅電池片進(jìn)行鍍銀處理,控制鍍銀層的厚度,降低電池片的串聯(lián)電阻,從而改善其填充因子,提高轉(zhuǎn)換效率,增大電池片輸出功率。
文檔編號(hào)C23C18/14GK102064238SQ20101056757
公開(kāi)日2011年5月18日 申請(qǐng)日期2010年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月1日
發(fā)明者何晨旭, 王景宵, 陳文浚, 馬躍 申請(qǐng)人:江蘇林洋新能源有限公司
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