專(zhuān)利名稱(chēng)：模型基板的使用方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置中的模型基板的使用方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體裝置的制造工序中，有時(shí)對(duì)基板例如晶片利用CVD (Chemical Vapor Deposition)及PVD (Physical Vapor Deposition)進(jìn)行成膜處理，這些處理例如在共用的 輸送室內(nèi)使用具備多個(gè)成膜處理模塊的系統(tǒng)即半導(dǎo)體制造裝置進(jìn)行。但是，在該半導(dǎo)體制造裝置中，為了對(duì)作為制品的晶片(稱(chēng)為制品晶片)進(jìn)行穩(wěn)定 的成膜處理，有時(shí)首先將試驗(yàn)用晶片即模型晶片輸送到成模模塊，對(duì)該模型晶片進(jìn)行成膜 處理。其后，將成批的該制品晶片輸送到上述成模模塊對(duì)該制品晶片進(jìn)行成膜處理。這樣， 通過(guò)進(jìn)行模型晶片的運(yùn)用，可在對(duì)制品晶片執(zhí)行處理之前使構(gòu)成模塊的處理容器內(nèi)的氛圍 穩(wěn)定。這樣，在對(duì)制品晶片進(jìn)行處理之前，即使在開(kāi)發(fā)階段進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)也使用模型晶片， 通過(guò)對(duì)該模型晶片進(jìn)行成膜處理而解析膜質(zhì)及膜厚的面內(nèi)分布，來(lái)進(jìn)行成模模塊的各參數(shù) 的最佳值的決定及硬件的改善等。通過(guò)對(duì)模型晶片重復(fù)進(jìn)行成膜處理，在其表面層疊膜。但是，當(dāng)層疊膜時(shí)，因該膜 的結(jié)晶性等的影響而對(duì)模型晶片施加應(yīng)力，造成模型晶片的翹曲。雖然以周緣部比中央部 高的方式發(fā)生的翹曲或者以中央部比周緣部高的方式發(fā)生的翹曲取決于成膜的膜的種類(lèi)， 但是，同一種膜的累積膜厚越大，則對(duì)模型晶片在同一方向施加的應(yīng)力越大，翹曲量越大。這樣，當(dāng)模型晶片的翹曲量變大時(shí)，變成在各模塊中在吸附保持晶片的例如靜電 卡盤(pán)上不能均勻地吸附模型晶片的整個(gè)面。于是，在進(jìn)行CVD的成模模塊中成膜氣體蔓延 到模型晶片的背面，而在進(jìn)行PVD的成膜模塊中蔓延有從靶(々一 Υ 卜)供給的原子。這 樣，當(dāng)模型晶片的背面蔓延有成膜氣體、原子時(shí)，由于對(duì)其背面進(jìn)行成膜，因而產(chǎn)生顆粒，或 者造成靜電卡盤(pán)的溫度不穩(wěn)定。其結(jié)果是，對(duì)制品晶片的處理產(chǎn)生影響或者有可能不能進(jìn) 行正常實(shí)驗(yàn)。另外，當(dāng)翹曲的程度變大時(shí)，有時(shí)還在吸附時(shí)施加過(guò)大的力而造成模型晶片的 破損。為了抑制在這樣的靜電卡盤(pán)上的吸附不良，通常對(duì)模型晶片設(shè)定使用次數(shù)限制 值，對(duì)使用次數(shù)達(dá)到該限制值的予以廢棄。該使用次數(shù)限制值通過(guò)測(cè)定將規(guī)定的膜連續(xù)層 疊于模型晶片時(shí)的翹曲量(曲率)的預(yù)先實(shí)驗(yàn)結(jié)果而決定的固定值。但是，當(dāng)層疊與在該 預(yù)先實(shí)驗(yàn)中成膜的膜不同的種類(lèi)的膜、不同膜厚的膜，或者層疊多種類(lèi)型的膜時(shí)，在模型晶 片的使用次數(shù)達(dá)到其限制值時(shí)翹曲量反而變小，實(shí)際上可以進(jìn)行更多次數(shù)的膜的成膜，但 卻將該模型晶片廢棄。根據(jù)這樣的情況，具備成膜模塊的系統(tǒng)需求可抑制模型晶片的翹曲 量的運(yùn)用方法。另外，專(zhuān)利文獻(xiàn)1記載了在裝置啟動(dòng)后為了使該裝置的處理穩(wěn)定，使用模 型晶片進(jìn)行處理，或者出于對(duì)在制品晶片上成膜的膜進(jìn)行試驗(yàn)的目的而對(duì)模型晶片進(jìn)行成 膜，但是沒(méi)有記載上述問(wèn)題及其解決方法。專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平9-143674 (段落0008、0013、0039)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的問(wèn)題而設(shè)立的，其目的在于提供一種在可抑制模型基板的翹 曲的基板處理中的模型基板的使用方法。本發(fā)明提供一種模型基板的使用方法，在將對(duì)基板進(jìn)行成膜處理的多個(gè)工藝室與 基板輸送室連接的基板處理裝置中使用，其特征在于，包含從模型基板收納部取出模型基板，經(jīng)由所述基板輸送室將其輸入到工藝室內(nèi)，進(jìn) 行成膜處理的工序；對(duì)收納于所述模型基板收納部的多個(gè)模型基板每一個(gè)，基于在工藝室進(jìn)行的工藝 制法通過(guò)計(jì)算機(jī)制作成含有成膜的膜的種類(lèi)和膜厚的成膜履歷的工序；利用按照膜的種類(lèi)使膜厚和成膜引起的基板的曲率變化對(duì)應(yīng)的曲率數(shù)據(jù)，基于該 曲率數(shù)據(jù)和模型基板的所述成膜履歷，通過(guò)計(jì)算機(jī)求出該模型基板的曲率的工序；和基于在所述工序求出的模型基板的曲率、曲率數(shù)據(jù)、包含在所述工藝室預(yù)定的成 膜處理的膜的種類(lèi)及膜厚的工藝規(guī)程，制作該模型基板向工藝室的輸送規(guī)程以抑制該模型 基板的翹曲的工序。另外，本發(fā)明另一方面提供一種模型基板的使用方法，在將對(duì)基板進(jìn)行成膜處理 的多個(gè)工藝室與基板輸送室連接的基板處理裝置中使用，其特征在于，包含從模型基板收納部取出模型基板，經(jīng)由所述基板輸送室將其輸入到工藝室內(nèi)，進(jìn) 行成膜處理的工序；將收納于所述模型基板收納部的多個(gè)模型基板輸入到用于調(diào)整該模型基板的朝 向的調(diào)整室內(nèi)，通過(guò)翹曲檢測(cè)器對(duì)所述多個(gè)模型基板的每一個(gè)求出曲率的工序；和基于在上述工序求出的模型基板的曲率、包含在所述工藝室預(yù)定的成膜處理的膜 的種類(lèi)的工藝規(guī)程，制作該模型基板向工藝室的輸送規(guī)程以抑制該模型基板的翹曲的工 序。該情況下，也可以基于含有在各模型基板上成膜的膜的種類(lèi)和膜厚的成膜履歷、按照膜 的種類(lèi)使膜厚和由成膜引起的基板的曲率變化相對(duì)應(yīng)的曲率數(shù)據(jù)，通過(guò)計(jì)算機(jī)求出曲率， 來(lái)代替將收納于所述基板收納部的多個(gè)模型基板輸入到調(diào)整室，通過(guò)翹曲檢測(cè)器對(duì)所述多 個(gè)模型基板分別求出曲率。另外，所述工藝規(guī)程也可以含有預(yù)定的成膜處理的膜的膜厚。模型基板的輸送規(guī)程例如由操作員制作，該情況下，曲率數(shù)據(jù)例如顯示于計(jì)算機(jī) 的顯示部。模型基板的輸送規(guī)程也可以由計(jì)算機(jī)利用程序制作。根據(jù)本發(fā)明，基于模型基板的曲率、按照膜的種類(lèi)使膜厚和由于成膜引起的基板 的曲率變化相對(duì)應(yīng)的曲率數(shù)據(jù)、含有在上述工藝室預(yù)定的成膜處理的膜的種類(lèi)及膜厚的工 藝規(guī)程，制作出該模型基板向工藝室的輸送規(guī)程。因此，可抑制該模型基板的翹曲。另外， 根據(jù)另一發(fā)明，可基于模型基板的曲率、含有在上述工藝室預(yù)定的成膜處理的膜的種類(lèi)的 工藝規(guī)程，制作出模型基板向工藝室的輸送規(guī)程。因此，可抑制該模型基板的翹曲。這樣， 通過(guò)抑制翹曲，可防止發(fā)生模型基板不能被吸附于靜電卡盤(pán)等載置臺(tái)的缺陷。


圖1是在本發(fā)明中所使用的基板處理裝置即半導(dǎo)體制造裝置的平面圖；圖2是表示因Cu膜及Ti膜的膜厚的變化而引起的晶片的曲率的實(shí)驗(yàn)結(jié)果的圖 表；
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圖3是表示晶片由于Cu膜及Ti膜而變化的情況的說(shuō)明圖；圖4是設(shè)于上述半導(dǎo)體制造裝置的成膜模塊的縱切剖面圖；圖5是設(shè)于上述半導(dǎo)體制造裝置的控制部的構(gòu)成圖；圖6是表示向上述顯示部的設(shè)定區(qū)域的輸入例的說(shuō)明圖；圖7是表示晶片的翹曲量變化的情況的工序圖；圖8是表示設(shè)于上述半導(dǎo)體制造裝置的測(cè)定翹曲量的模塊的縱切剖面圖；圖9是測(cè)定上述翹曲量的模塊的橫切平面圖；圖10是表示設(shè)于上述半導(dǎo)體制造裝置的其它控制部的構(gòu)成圖；圖11是表示對(duì)晶片的成膜次數(shù)和晶片的半徑的變化的關(guān)系的圖表。符號(hào)說(shuō)明C 載體W:晶片1 半導(dǎo)體制造裝置11 第一輸送室12、13:加載閉鎖室14 第二輸送室16 第一輸送機(jī)構(gòu)17 第二輸送機(jī)構(gòu)2 調(diào)整室3、5:成膜模塊6 控制部60 制法設(shè)定部63 第一存儲(chǔ)器64 程序67 輸送模式設(shè)定部68 第二存儲(chǔ)器71 顯示部8 控制部81、82:存儲(chǔ)器
具體實(shí)施例方式第一實(shí)施方式下面，說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施方式的基板處理裝置中的模型基板的使用方法，首先，參照 圖1說(shuō)明用于該方法的基板處理裝置即半導(dǎo)體制造裝置1的構(gòu)成。半導(dǎo)體制造裝置1具備 構(gòu)成進(jìn)行晶片W的加載、卸載的加載器模塊的第一輸送室11、加載閉鎖室12、13、真空輸送 室模塊即第二輸送室14。在第一輸送室11的正面設(shè)有收納例如25個(gè)晶片W的載體C的載 置臺(tái)15。在此所說(shuō)的晶片W只要不特別記載，是指在背景技術(shù)項(xiàng)所說(shuō)明的模型晶片(模型 基板)。在載體C上上下層疊排列有晶片W。輸入到半導(dǎo)體制造裝置1的晶片W是未使用 的新品，設(shè)在該輸入時(shí)晶片W未發(fā)生翹曲。
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在第一輸送室11的正面壁設(shè)置有連接上述載體C且設(shè)有與載體C的蓋一起開(kāi)閉 的閘門(mén)GT。而且，與第二輸送室14氣密連接有對(duì)晶片W進(jìn)行Cu(銅)的成膜的Cu成膜模 塊3及對(duì)晶片W進(jìn)行Ti (鈦)的成膜的Ti成膜模塊5。在此，說(shuō)明本第一實(shí)施方式中的半導(dǎo)體制造裝置1的處理的概要。圖2的圖表中 的曲線為通過(guò)實(shí)驗(yàn)得到的數(shù)據(jù)，表示在多個(gè)晶片W分別成膜不同的膜厚的Cu時(shí)的各晶片W 的曲率變化(翹曲量的變化)及在多個(gè)晶片W上分別成膜不同的膜厚的Ti時(shí)的各晶片W 的曲率變化。如該圖表上的數(shù)據(jù)所示，在成膜Cu時(shí)、成膜Ti時(shí)晶片W相互反向翹曲。在成 膜Cu時(shí)，以圖3(a)所示的方式向下(晶片W的中央部相對(duì)于周緣部位于下方)翹曲，在成 膜Ti時(shí)，以圖3(b)所示的方式向上(晶片W的中央部相對(duì)于周緣部位于上方)翹曲。另 外，如根據(jù)該圖2的圖表表明，各膜累積膜厚越大則晶片W的曲率變化越大。由于該曲率變 化與施加于晶片W的應(yīng)力相對(duì)應(yīng)，因而各膜的累積膜厚越大則施加于晶片W的應(yīng)力越大。因此，在未成膜的晶片W為平面(未翹曲的狀態(tài))的情況下，如果將施加曲率變化 +a的膜厚的Cu膜和施加曲率變化_a的膜厚的Ti膜層疊于晶片W，則由雙方的膜引起的曲 率變化就成為(+a) + (_a) =0，Cu膜、Ti膜分別施加于晶片W的應(yīng)力彼此抵消，如圖3 (c) 所示，晶片W成為平面。利用該原理，在該半導(dǎo)體制造裝置1中，如后所述，基于晶片W的曲 率，由操作員執(zhí)行設(shè)定為使晶片W形成為平面的輸送路徑的模式。另外，所謂晶片W的曲率 是指將從表示于圖3(a)的晶片W的中心部看到的周緣部的高度設(shè)為L(zhǎng)i、將表示于圖3(c) 的平面時(shí)的晶片W的直徑設(shè)為L(zhǎng)2時(shí)通過(guò)L1/L2求得的值。返回到圖1，繼續(xù)說(shuō)明半導(dǎo)體制造裝置1。在第一輸送室11的側(cè)面設(shè)有調(diào)整室2。 調(diào)整室2如后述具備使晶片W繞鉛直軸旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，其具有以形成于晶片W的周 緣的槽口朝著規(guī)定的方向的方式調(diào)整該晶片W的朝向的功能。而且，將朝向被調(diào)整后的晶 片W交接到設(shè)于第一輸送室11的第一輸送機(jī)構(gòu)16的預(yù)定的位置，進(jìn)行偏心的調(diào)整。在加載 閉鎖室12、13設(shè)有未圖示的真空泵和漏泄閥，以可切換大氣氛圍和真空氛圍的方式構(gòu)成。 即，由于第一輸送室11及第二輸送室14的氛圍分別保持在大氣氛圍及真空氛圍，因而加載 閉鎖室12、13用于在各個(gè)輸送室間輸送晶片W時(shí)調(diào)整氛圍。另外，圖中G為將加載閉鎖室 12、13和第一輸送室11或者第二輸送室14之間、或者將第二輸送室14和上述Cu成膜模塊 3或者Ti成膜模塊5之間隔開(kāi)的閘閥(隔離閥)。在第一輸送室11及第二輸送室14分別設(shè)有第一輸送機(jī)構(gòu)16及第二輸送機(jī)構(gòu)17。 第一輸送機(jī)構(gòu)16為用于在載體C和加載閉鎖室12、13之間及第一輸送室11和調(diào)整室2之 間進(jìn)行晶片W的交接的多關(guān)節(jié)輸送臂。第二輸送機(jī)構(gòu)17為用于在加載閉鎖室12、13和Cu 成膜模塊3及Ti成膜模塊5之間進(jìn)行晶片W的交接的多關(guān)節(jié)輸送臂。接著，說(shuō)明Cu成膜模塊3。該Cu成膜模塊3為通過(guò)CVD形成Cu膜的模塊，具備處 理容器30。在處理容器30內(nèi)設(shè)有用于水平載置晶片W的載置臺(tái)31，該載置臺(tái)31的表面作 為對(duì)晶片W進(jìn)行靜電吸附保持的靜電卡盤(pán)而構(gòu)成。在載置臺(tái)31內(nèi)設(shè)有形成晶片W的調(diào)溫 裝置的加熱器31a。另外，在載置臺(tái)31上還設(shè)有通過(guò)升降機(jī)構(gòu)33升降自如的三個(gè)升降銷(xiāo) 32 (出于方便只圖示了兩個(gè))，經(jīng)由該升降銷(xiāo)32在上述第二輸送機(jī)構(gòu)17和載置臺(tái)31之間 進(jìn)行晶片W的交接。在處理容器30的底部連接有排氣管34的一端側(cè)，在該排氣管34的另一端側(cè)經(jīng)由 壓力控制閥35連接有真空泵36。壓力控制閥35控制排氣管34的排氣傳導(dǎo)，控制處理容器
630內(nèi)的壓力。另外，在處理容器30的側(cè)壁形成有通過(guò)閘閥進(jìn)行開(kāi)閉的輸送口 37。另外，在處理容器30的頂部以與載置臺(tái)31對(duì)置的方式設(shè)有氣體噴頭41。氣體噴 頭41具備氣室42和供氣孔43，供給到氣室42的氣體從供氣孔43供給到處理容器30內(nèi)。 而且，在氣室42經(jīng)由供氣孔43連接有包含閥門(mén)、質(zhì)量流控制器及成膜氣體的供給源等的成 膜氣體供給機(jī)構(gòu)44。在成膜處理時(shí)，將處理容器30內(nèi)排氣到規(guī)定的壓力，在對(duì)載置于載置臺(tái)31的晶片 W進(jìn)行了加熱的狀態(tài)下，從成膜氣體供給裝置44將規(guī)定的成膜氣體供給到該晶片W，對(duì)晶片 W成膜Cu。對(duì)于Ti成膜模塊5，除了供給到晶片W的成膜氣體的種類(lèi)不同之外，其它構(gòu)成都 與Cu成膜模塊3相同。然后，參照表示其構(gòu)成的圖5說(shuō)明控制部6。控制部6例如由計(jì)算機(jī)構(gòu)成，具備總 線61、CPTO2、第一存儲(chǔ)器63及程序64。在上述程序104中以從控制部6向半導(dǎo)體制造裝 置1的各部輸送控制信號(hào)，并執(zhí)行后述的各處理工序的方式編入命令(各步驟)。另外，例 如在第一存儲(chǔ)器63還具備寫(xiě)入處理溫度、處理時(shí)間、各氣體的供給量或者電力值等處理參 數(shù)的值的區(qū)域，CPU執(zhí)行程序64的各命令時(shí)讀出這些處理參數(shù)，將與其參數(shù)值相對(duì)應(yīng)的控 制信號(hào)送向該半導(dǎo)體制造裝置1的各部。該程序64 (也包含處理參數(shù)的輸入操作、顯示有 關(guān)的程序)例如存儲(chǔ)于軟盤(pán)、光盤(pán)、硬盤(pán)、M0(光磁盤(pán))、存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)介質(zhì)中并安裝于控制 部6的程序存儲(chǔ)部65。圖5中，60為制法設(shè)定部，其包含存儲(chǔ)有對(duì)晶片W執(zhí)行的成膜工藝 的制法(壓力、溫度等工藝條件的時(shí)間系列組)的存儲(chǔ)器、選擇成膜制法的畫(huà)面。另外，66為晶片W的曲率數(shù)據(jù)，為使成膜制法的ID、用該制法進(jìn)行處理時(shí)由各成膜 模塊進(jìn)行成膜的膜的膜厚、晶片W的曲率變化相互對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)。另外，該曲率數(shù)據(jù)存儲(chǔ)于 存儲(chǔ)器，但是為方便起見(jiàn)在曲率數(shù)據(jù)上添加了符號(hào)66。與各制法對(duì)應(yīng)的膜厚及曲率變化的 關(guān)系基于圖2說(shuō)明的實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)規(guī)定，從圖2的圖表的曲線看，是形成于晶片W的各膜的 膜厚和曲率變化相互成比例，將該關(guān)系定義。例如，在成膜的Cu的膜厚為1.5μπι、3.0μπι、 4. 5μπι時(shí)晶片W的曲率變化為+0. 002ΠΓ1、+0. Ο ΜπΓ1、+0. 006m"1,在成膜的Ti的膜厚為 1. 8 μ m、3. 7 μ m、5. 5 μ m 時(shí)晶片 W 的曲率變化為-0. 002ΠΓ1、-0. OCMnT1、-0. 006ΠΓ1。圖5中67為晶片W的輸送模式設(shè)定部，用于選擇正常輸送模式和翹曲修正模式的 任一個(gè)。所謂正常輸送模式是指將保持于載體C的保持架的晶片W例如從上依次取出，并 以按該順序進(jìn)行成膜處理的方式進(jìn)行輸送的模式。例如在兩個(gè)成膜模塊中，如果在成膜模 塊3、成膜模塊5之間交互進(jìn)行成膜處理，則是將晶片Wl輸入到成膜模塊3，將下一個(gè)晶片 W2輸入到成膜模塊5，將再下一個(gè)晶片W3輸入到成膜模塊3的輸送模式。另外，所謂翹曲修 正模式是指通過(guò)正常輸送模式將晶片W輸入到成膜模塊執(zhí)行處理，在規(guī)定的時(shí)刻根據(jù)由程 序64求出的晶片W的翹曲量(曲率)由操作員設(shè)定輸送路徑的模式。具體而言，該輸送模 式設(shè)定部67具備選擇輸送模式的顯示畫(huà)面、鍵盤(pán)及鼠標(biāo)、用于執(zhí)行正常輸送模式的程序、 執(zhí)行翹曲修正模式的程序。翹曲修正模式的設(shè)定例如由操作員一邊看著畫(huà)面一邊基于對(duì)各 個(gè)晶片W的每一個(gè)設(shè)定成膜模塊的輸入順序的畫(huà)面來(lái)執(zhí)行。另外，在總線61上連接有第二存儲(chǔ)器68。在第二存儲(chǔ)器68中相互對(duì)應(yīng)地存儲(chǔ)有 晶片W的ID (識(shí)別編號(hào))、成膜于晶片W的Cu累積膜厚、成膜于晶片W的Ti累積膜厚、晶片 W的曲率。該晶片W的ID為，當(dāng)載體C輸入到半導(dǎo)體制造裝置1時(shí)，程序64針對(duì)各載體C 根據(jù)在該載體C內(nèi)的晶片W的排列順序進(jìn)行分配的編號(hào)。另外，各晶片W從載體C輸送后返回到同一載體C的同一位置，不至于使分配的ID和晶片W的對(duì)應(yīng)出現(xiàn)偏差。而且，如上 述，由于晶片W在輸入半導(dǎo)體制造裝置1時(shí)為平面，因而存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的晶片W的 曲率為與Cu的累積膜厚對(duì)應(yīng)的曲率變化和與Ti的累積膜厚對(duì)應(yīng)的曲率變化的合計(jì)值。每 次對(duì)晶片W進(jìn)行成膜處理時(shí)，程序64都對(duì)存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的Cu的累積膜厚或者Ti 的累積膜厚及晶片W的曲率的值進(jìn)行更新。71為由液晶板等構(gòu)成的顯示部，顯示有上述的曲率數(shù)據(jù)66等。另外，在圖5中，將 顯示部71和輸送模式設(shè)定部67分開(kāi)表示，而在輸送模式設(shè)定部中含有顯示部71的畫(huà)面的 一部分。在顯示部71上顯示有存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的各膜的累積膜厚和晶片W的曲率。然后，說(shuō)明在裝置制造商使用半導(dǎo)體制造裝置1進(jìn)行裝置性能的檢測(cè)及改良的作 業(yè)情況，說(shuō)明含有模型晶片的使用方法的裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)。首先，將存儲(chǔ)有多個(gè)晶片W的載體C 輸送到半導(dǎo)體制造裝置1，載置于載置臺(tái)15，與第一輸送室11連接，接著，程序64對(duì)載體C 內(nèi)的各晶片W分配ID，這些晶片W的Cu累積膜厚、Ti累積膜厚及晶片W的曲率在第二存儲(chǔ) 器68中分別存儲(chǔ)為零。另一方面，操作員通過(guò)輸送模式設(shè)定部67將晶片W的輸送模式設(shè)為正常輸送模 式，并且設(shè)定在各成膜模塊3、5中的成膜處理的制法。該制法的設(shè)定通過(guò)選擇畫(huà)面中顯示 的制法的ID來(lái)進(jìn)行。作為輸送模式，通過(guò)設(shè)定正常輸送模式而將晶片W按在載體C內(nèi)的排 列順序從載體C搬出，例如以上述方式在成膜模塊3、5交互輸送，在輸送地的成膜模塊接受 處理之后，返回到載體C。當(dāng)例如將載體C內(nèi)的最后的晶片W搬出后，接著按順序從最初從 該載體C搬出的晶片W重復(fù)搬出。設(shè)定上述輸送模式及制法之后，當(dāng)操作員通過(guò)輸送模式設(shè)定部67進(jìn)行規(guī)定的處 理時(shí)，將閘門(mén)GT及載體C的蓋同時(shí)打開(kāi)，通過(guò)第一輸送機(jī)構(gòu)16將載體C內(nèi)的晶片W按其排 列順序搬入第一輸送室11。然后，將晶片W輸送到調(diào)整室2，在進(jìn)行完其方向及偏心的調(diào)整 之后，打開(kāi)閘閥G將其輸送到保持在大氣氛圍的加載閉鎖室12。關(guān)閉閘閥G，調(diào)整該加載閉 鎖室12的壓力，當(dāng)室內(nèi)成為真空氛圍時(shí)，打開(kāi)閘閥G，通過(guò)第二輸送機(jī)構(gòu)17將其搬入第二輸 送室14。接著，第二輸送機(jī)構(gòu)17將晶片W交互輸送到成膜模塊3、5。被輸送到Cu成膜模 塊3的晶片W按設(shè)定的制法接受成膜處理，按與其制法對(duì)應(yīng)的膜厚對(duì)Cu膜進(jìn)行成膜，引起 與其膜厚相對(duì)應(yīng)的曲率變化。而且，程序64將存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的Cu的累積膜厚及晶 片W的曲率的數(shù)值從0更新為與上述制法對(duì)應(yīng)的值。另外，被輸送到Ti成膜模塊5的晶片W按設(shè)定的制法接受成膜處理，按與其制法 對(duì)應(yīng)的膜厚對(duì)Ti膜進(jìn)行成膜，而且按與其膜厚相對(duì)應(yīng)的量使晶片W的曲率變化。程序64 將存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的Ti累積膜厚的數(shù)值及晶片W的曲率的數(shù)值從0更新為所執(zhí)行的 制法相對(duì)應(yīng)的值。這樣，當(dāng)對(duì)晶片W進(jìn)行處理而將第二存儲(chǔ)器68的數(shù)據(jù)更新時(shí)，顯示部71 的與其對(duì)應(yīng)的顯示也發(fā)生變化。在各成膜模塊的成膜處理后，晶片W通過(guò)第二輸送機(jī)構(gòu)17從該Ti成膜模塊5被 取出，在將其輸送到加載閉鎖室13之后，通過(guò)第一輸送機(jī)構(gòu)16返回到載體C。返回到載體 C的晶片W以上述的方式通過(guò)同樣的路徑被反復(fù)輸送接受處理。而且，每次晶片W在Cu成 膜模塊3接受處理時(shí)，都使與分別設(shè)定的制法相對(duì)應(yīng)的膜厚的值及曲率變化的值與存儲(chǔ)于 第二存儲(chǔ)器68的上述晶片W的Cu累積膜厚的值及晶片W的曲率的值分別相加，更新這些
8Cu累積膜厚的值及晶片W的曲率的值。另外，每次上述晶片W在Ti成膜模塊5接受處理時(shí)，都使與分別設(shè)定的制法相對(duì) 應(yīng)的膜厚的值及曲率變化的值分別與存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的Ti累積膜厚的值及晶片W的 曲率的值相加，更新這些Ti累積膜厚的值及晶片W的曲率的值。而且，根據(jù)第二存儲(chǔ)器68 的數(shù)據(jù)的更新，顯示部71的與其對(duì)應(yīng)的顯示也發(fā)生變化。當(dāng)操作員按任意的時(shí)機(jī)通過(guò)輸送模式設(shè)定部67執(zhí)行規(guī)定的操作時(shí)，停止來(lái)自載 體C的晶片W的輸送，從載體C輸送到半導(dǎo)體制造裝置1的晶片W返回到載體C，停止正常 輸送模式。其后，操作員一邊觀察顯示部71—邊對(duì)曲率大的晶片W通過(guò)輸送模式設(shè)定部67 以進(jìn)行翹曲修正模式的輸送的方式進(jìn)行設(shè)定。而且，與執(zhí)行正常輸送模式時(shí)一樣，通過(guò)選擇 顯示于畫(huà)面的制法的ID而設(shè)定各成膜模塊3、5中的成膜制法，并基于顯示于顯示部71的 曲率數(shù)據(jù)68所示的由該成膜制法引起的晶片W的曲率變化和上述曲率，決定向各成膜模塊 的搬入順序。具體而言，以使因該設(shè)定的成膜制法引起的曲率變化和晶片W的曲率的合計(jì) 為0或者大致為0的方式設(shè)定該搬入順序。圖6是表示設(shè)定了其成膜制法及搬入路徑后的狀態(tài)的顯示板71所顯示的一 例。對(duì)表示于圖6的晶片Al，以下述方式進(jìn)行設(shè)定，即，以正常輸送模式完成后的曲率 為-0. OllnT1、在Cu成膜模塊3曲率變化為+0. 04—1的制法No. 2進(jìn)行三次成膜處理之后，以 在Ti成膜模塊5中曲率變化為-0. OOlnT1的制法No. Cl進(jìn)行成膜處理。由此，晶片Al翹曲 修正后的曲率成為-0. 011+0. 004+0. 004+0. 004-0. 001 = 0. ΟΟΟπΓ1。另外，對(duì)表示于圖6的晶片Α2，以下述方式進(jìn)行設(shè)定，即，以正常輸送模式完成后 的曲率為+0. 005ΠΓ1、在Ti成膜模塊5中曲率變化為-0. 006-1的制法No. C4進(jìn)行成膜處理之 后，以在Cu成膜模塊3中曲率變化為+0. OOlnT1的制法No. 4進(jìn)行成膜處理。由此，晶片Α2 翹曲修正后的曲率成為+0.005-0. 006+0. 001 = 0. OOOm^10另外，對(duì)表示于圖6的晶片A3， 以下述方式設(shè)定，以正常輸送模式完成后的曲率為+0. 013m—1、在Ti成膜模塊5中曲率變化 為-0. 006-1的制法No. C4進(jìn)行兩次成膜處理之后，以曲率變化為-0. OOlnT1的制法No. Cl進(jìn) 行成膜處理。由此，晶片A3翹曲修正后的曲率成為+0. 013-0. 006-0. 001 = 0. ΟΟΟπΓ1。如上所述，設(shè)定了制法及輸送路徑之后，當(dāng)操作員通過(guò)輸送模式設(shè)定部67執(zhí)行規(guī) 定的操作時(shí)，只是對(duì)設(shè)定為執(zhí)行翹曲修正并通過(guò)該翹曲修正模式進(jìn)行輸送的晶片W，按在載 體C內(nèi)的排列順序從載體C搬出，通過(guò)與執(zhí)行正常輸送模式時(shí)同樣的路徑輸送到第二輸送 室14。而且，對(duì)這樣輸送到第二輸送室14的晶片W，按設(shè)定的順序輸送到成膜模塊，按與設(shè) 定的制法相對(duì)應(yīng)的膜厚進(jìn)行Cu膜或者Ti膜的成膜。在執(zhí)行該翹曲修正時(shí)也和執(zhí)行正常輸 送模式時(shí)同樣，每次成膜處理時(shí)將存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的Cu及Ti的累積膜厚及曲率變化 更新，使顯示部71的顯示隨其更新而發(fā)生變化。具體而言，參照?qǐng)D7說(shuō)明表示于圖6的晶片Al接受處理且其曲率發(fā)生變化的情 況。在圖7中將執(zhí)行翹曲修正模式前成膜的膜設(shè)為基底膜77表示，將通過(guò)翹曲修正模式成 膜的Cu膜、Ti膜設(shè)為78、79來(lái)表示。晶片Al根據(jù)上述設(shè)定的輸送路徑并通過(guò)在此設(shè)定的 制法No. 2接受三次成膜處理，其曲率如圖7(a)的狀態(tài) 圖7(b)所示發(fā)生變化。示于圖 7(b)的晶片 Al 的曲率為-0. 011+0. 004+0. 004+0. 004 = +0. ΟΟΙπΓ1。其后，按照所設(shè)定的輸送路徑輸送到Ti成膜模塊5，通過(guò)該Ti成膜模塊5中設(shè)定 的上述的No. Cl的制法接受成膜處理，成膜Ti膜79。當(dāng)對(duì)該Ti膜79進(jìn)行成膜時(shí)，此前層
9疊的Ti膜對(duì)晶片W施加的應(yīng)力、此前層疊的Cu膜對(duì)晶片Al施加的應(yīng)力相互彼此抵消，如 圖7 (c)所示使晶片Al成為平面。當(dāng)這樣設(shè)定的處理結(jié)束后，各晶片W通過(guò)與執(zhí)行正常輸送模式時(shí)同樣的路徑使晶 片W返回到載體C。然后，操作員通過(guò)輸送模式設(shè)定部67重新啟動(dòng)正常輸送模式。根據(jù)上述的實(shí)施方式，可以防止發(fā)生翹曲量變大的晶片W不能被靜電卡盤(pán)均勻地 吸附的缺陷，消除這些成膜模塊3、5的環(huán)境不穩(wěn)定的缺陷及產(chǎn)生顆粒的缺陷。另外，由于可 增加晶片W的重復(fù)使用次數(shù)，因而可節(jié)約晶片W的使用個(gè)數(shù)。因此，可實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制造裝置 1的運(yùn)用成本的削減。(第一實(shí)施方式的變形例)在上述第一實(shí)施方式中，對(duì)各晶片W管理Cu、Ti的累積膜厚，通過(guò)計(jì)算算出執(zhí)行翹 曲修正前的晶片W的曲率。而且，作為第一實(shí)施方式的變形例，也可以如上述那樣在進(jìn)行了 將晶片W自動(dòng)在成膜模塊3、5之間交互輸送那樣的正常輸送模式之后，通過(guò)翹曲檢測(cè)器測(cè) 定晶片W的曲率，基于該測(cè)定結(jié)果由操作員如上進(jìn)行設(shè)定晶片W的成膜處理的制法及輸送 路徑而進(jìn)行處理的翹曲修正模式。該晶片W的曲率的測(cè)定例如在調(diào)整室2進(jìn)行。下面，分別參照其縱切剖面圖、橫切平面圖即圖8、圖9來(lái)說(shuō)明上述那樣以可測(cè)定 曲率的方式構(gòu)成的調(diào)整室2。該調(diào)整室2具備用于載置晶片W的載置臺(tái)21，上述載置臺(tái)21 通過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)22繞鉛直軸可旋轉(zhuǎn)。另外，在載置于載置臺(tái)21上的晶片W的周緣部附 近沿晶片W的周方向設(shè)有三基的光學(xué)傳感器23。光學(xué)傳感器23由設(shè)于晶片W的周緣部上 的發(fā)光部23a和設(shè)于其下方的受光部23b構(gòu)成，發(fā)光部23a向受光部23b照射光。而且，受 光部23b將表示入射的光的光量的信號(hào)輸出到控制部6。另外，在調(diào)整室2內(nèi)設(shè)有沿水平方向延伸的導(dǎo)軌24、和沿該導(dǎo)軌移動(dòng)的移動(dòng)部25。 在移動(dòng)部25設(shè)有以與導(dǎo)軌24正交的方式延伸的臂26，臂26的前端設(shè)有光學(xué)傳感器27。光 學(xué)傳感器23、27構(gòu)成翹曲檢測(cè)器。移動(dòng)部25在臂26的伸長(zhǎng)方向經(jīng)由該臂26使光學(xué)傳感 器27進(jìn)行移動(dòng)。光學(xué)傳感器27具備向下方的晶片W照射光的發(fā)光部、和對(duì)被晶片W反射 的光進(jìn)行受光的受光部。以與第一實(shí)施方式的差異點(diǎn)為中心說(shuō)明該第一實(shí)施方式的變形例的處理過(guò)程。例 如，當(dāng)操作員與第一實(shí)施方式同樣地在實(shí)施正常輸送模式中執(zhí)行規(guī)定的操作時(shí)，停止來(lái)自 載體C的晶片W的輸送。而且，從該載體C輸送到半導(dǎo)體制造裝置1的晶片W在上述的第 一輸送室11 —調(diào)整室2 —第一輸送室11 —加載閉鎖室12 —第二輸送室14 —成膜模塊3、 5 —加載閉鎖室13 —第一輸送室11的輸送路徑的中途，朝向下游側(cè)進(jìn)行輸送而暫時(shí)返回 到載體C，停止正常輸送模式。而且，返回到載體C的晶片W在載體C內(nèi)例如從上按順序取 出，經(jīng)由第一輸送室11被輸送到調(diào)整室2。控制部6當(dāng)在載置臺(tái)21上載置有晶片W時(shí)，通 過(guò)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)22使晶片旋轉(zhuǎn)約一周，在該期間，基于入射到受光部23b的光量的變化，計(jì) 算出晶片W的半徑和中心位置。而且，根據(jù)該計(jì)算出的半徑和例如存儲(chǔ)于控制部6的第一 存儲(chǔ)器63的晶片W原來(lái)的半徑，計(jì)算出晶片W的曲率的絕對(duì)值。另外，控制部6使光學(xué)傳 感器27位于晶片W的中心上，從其發(fā)光部照射光?？刂撇?基于光學(xué)傳感器27的受光部 所受光的光，檢測(cè)光學(xué)傳感器27和晶片W的中心部的距離。然后，控制部6基于檢測(cè)到的晶片W的半徑使光學(xué)傳感器27位于晶片W的周緣部 上，從其發(fā)光部照射光。控制部6基于光學(xué)傳感器27的受光部所受光的光，檢測(cè)光學(xué)傳感
10器27和晶片W的周緣部的距離。而且，控制部6基于從光學(xué)傳感器27到晶片W的中心部、 周緣部的各自的距離檢測(cè)晶片W翹曲的方向，根據(jù)該翹曲的方向和上述曲率的絕對(duì)值決定 晶片W的曲率。決定了該曲率后，晶片W從調(diào)整室2經(jīng)由第一輸送室11返回到載體C。曲 率與上述的實(shí)施方式同樣在顯示部71對(duì)每個(gè)晶片W進(jìn)行顯示，操作員基于此來(lái)執(zhí)行在各成 膜模塊中的制法的設(shè)定及翹曲修正模式的輸送路徑的設(shè)定。(第二實(shí)施方式)但是，在上述的第一實(shí)施方式中，在執(zhí)行翹曲修正模式時(shí)，由操作員設(shè)定成膜模塊 的制法，再基于該制法由該操作員對(duì)各晶片W以使曲率成為0的方式設(shè)定輸送路徑，但是， 也可以由程序自動(dòng)設(shè)定輸送路徑。下面說(shuō)明在每次執(zhí)行第一實(shí)施方式中進(jìn)行了說(shuō)明的成膜 時(shí)，基于曲率數(shù)據(jù)66運(yùn)算晶片W的曲率，對(duì)第二存儲(chǔ)器68的數(shù)據(jù)進(jìn)行更新的半導(dǎo)體制造裝 置1中，以該方式由程序自動(dòng)設(shè)定輸送路徑之例。在該例中，作為與上述的裝置的差異點(diǎn)， 是在控制部6的第二存儲(chǔ)器68中分別存儲(chǔ)有作為決定晶片W的輸送地的基準(zhǔn)的曲率的第 一閾值、第二閾值，第一閾值比第二閾值大。第一閾值及第二閾值為自由設(shè)定的參數(shù)，可在 裝置開(kāi)始啟動(dòng)時(shí)或者按各個(gè)裝置進(jìn)行設(shè)定。在此，分別設(shè)第一閾值為0. ΟΟΙΟπΓ1、第二閾值為0. 0002ΠΓ1。首先，操作員在以上述 的方式例如通過(guò)將晶片W交互且自動(dòng)地輸送的正常輸送模式進(jìn)行晶片W的輸送之后，進(jìn)行 該正常輸送模式的停止處理，分別設(shè)定在成膜模塊3、5中進(jìn)行的制法。而且，當(dāng)操作員開(kāi)始 執(zhí)行翹曲修正模式的處理時(shí)，載體C內(nèi)的晶片W與執(zhí)行正常輸送模式時(shí)同樣從配置于上方 的晶片開(kāi)始按順序經(jīng)由上述的路徑輸送到第二輸送室14。而且，程序64在將晶片W輸送到 第二輸送室14之前，進(jìn)行如下的判定，S卩，存儲(chǔ)于第二存儲(chǔ)器68的該晶片W的曲率是否超 過(guò)0. ΟΟΙΟπΓ1 (第一閾值)、是否為比0. 0002m—1 (第二閾值)大0. 0010m—1以下的范圍、是否 為 0. 0002m"1 以下。在判定為晶片W的曲率超過(guò)0. ΟΟΙΟπΓ1的情況下，程序64將曲率超過(guò)第一閾值這 一數(shù)據(jù)(設(shè)為第一屬性數(shù)據(jù))與其晶片W的ID相對(duì)應(yīng)地寫(xiě)入第二存儲(chǔ)器68。而且，程序 64將晶片輸送到Ti成膜模塊5使該晶片W接受成膜處理。由此，該晶片W向上述判定時(shí)的 翹曲方向的反向翹曲。即，以曲率接近0或者朝向一側(cè)的方式翹曲。在判定為晶片W的曲率處于比0. 0002m-1大0. ΟΟΙΟπΓ1以下的范圍的情況下，程序 64將曲率處于這樣的范圍內(nèi)這一數(shù)據(jù)(設(shè)為第二屬性數(shù)據(jù))與其晶片W的ID相對(duì)應(yīng)地寫(xiě) 入第二存儲(chǔ)器68。而且，程序64將晶片W輸送到Cu成膜模塊3而使該晶片W接受成膜處 理。由此，該晶片W向上述判定時(shí)的翹曲方向的同向翹曲。即，曲率以在+側(cè)變大的方式翹 曲ο在判定為晶片W的曲率為0. 0002m-1以下的情況下，程序64將曲率為第二閾值以 下這一數(shù)據(jù)(設(shè)為第三屬性數(shù)據(jù))與其晶片W的ID相對(duì)應(yīng)地寫(xiě)入第二存儲(chǔ)器68。而且，程 序64將晶片W輸送到Cu成膜模塊3執(zhí)行成膜處理，以使該晶片W的曲率朝向+側(cè)或者以 在+側(cè)變大的方式翹曲。在各成膜模塊3、5處理后，晶片W經(jīng)由上述的路徑從各成膜模塊3、5返回到載體 C。返回到載體C之后，反復(fù)將晶片W從載體C經(jīng)由上述的路徑向第二輸送室14輸送。而 且，對(duì)帶有第一屬性數(shù)據(jù)的晶片W，由程序64判定晶片W的曲率是否為0. 0002m-1以下，在 為0. 0002m-1以下的情況下，將其屬性數(shù)據(jù)改寫(xiě)為第三屬性數(shù)據(jù)，同時(shí)將晶片W輸送到Cu成
11膜模塊3，并在此執(zhí)行成膜處理。在不是0.0002ΠΓ1以下的情況下，程序64不執(zhí)行屬性數(shù)據(jù) 的改寫(xiě)而是將晶片W輸送到Ti成膜模塊5執(zhí)行成膜處理。而且，對(duì)在朝向第二輸送室14的晶片W上帶有第二屬性數(shù)據(jù)的晶片，程序64判定 晶片W的曲率是否為0. OOlOm-1以上。而且，在判定為是0. OOlOm-1以上的情況下，將其屬性 數(shù)據(jù)改寫(xiě)為第一屬性數(shù)據(jù)，將晶片W輸送到Ti成膜模塊5。而且，在該Ti成膜模塊5執(zhí)行 成膜處理。另外，在判定為不是0. ΟΟΙΟπΓ1以上的情況下，程序64不進(jìn)行屬性數(shù)據(jù)的改寫(xiě)而 是將晶片W輸送到Cu成膜模塊3。而且，在該Cu成膜模塊3對(duì)上述晶片W進(jìn)行成膜處理。另外，對(duì)在朝向第二輸送室14的晶片W上帶有第三屬性數(shù)據(jù)的晶片，程序64判定 晶片W的曲率是否為0. 0002m-1以上，在判定為是0. 0002m-1以上的情況下，將其屬性數(shù)據(jù)改 寫(xiě)為第二屬性數(shù)據(jù)，并將晶片W輸送到Cu成膜模塊3，并以此進(jìn)行成膜處理。判定為不是 0. 0002m-1以上的情況下，程序64不進(jìn)行屬性數(shù)據(jù)的改寫(xiě)而是將晶片W輸送到Cu成膜模塊 3，并在此對(duì)上述晶片W進(jìn)行成膜處理。使在各成膜模塊3、5進(jìn)行完處理的晶片W經(jīng)由上述的路徑返回到載體C。反復(fù)向 第二輸送室14輸送，在根據(jù)屬性數(shù)據(jù)和曲率分配到成膜模塊3、5接受處理之后，返回到載 體C。這樣反復(fù)進(jìn)行輸送及成膜處理之后，當(dāng)操作員進(jìn)行輸送停止處理時(shí)，停止各晶片W的 輸送，各晶片W返回到載體C，消除儲(chǔ)存于各晶片W存儲(chǔ)的屬性數(shù)據(jù)。在該第二實(shí)施方式中， 也可得到與第一實(shí)施方式同樣的效果。在上述例中，在晶片W的曲率比第二閾值即0. 0002m-1低的情況下，反復(fù)對(duì)Cu膜進(jìn) 行成膜直至晶片W的曲率超過(guò)第一閾值即0. ΟΟΙΟπΓ1，另外，在晶片W的曲率比第一閾值即 0. ΟΟΙΟπΓ1高的情況下，反復(fù)對(duì)Ti膜進(jìn)行成膜直至晶片W的曲率達(dá)到第二閾值即0. 0002m-1 以下，而通過(guò)第一閾值、第二閾值的設(shè)定可以以每一次晶片W都向反方向翹曲的方式控制 輸送及成膜處理，進(jìn)而可總是進(jìn)行向翹曲小的晶片W的成膜處理。另外，判定為曲率是 0. 0002m-1以下(第二閾值)的情況的輸送路徑不限于上述例而是任意的，例如，在晶片W的 曲率為正的情況下也可以向Ti成膜模塊5輸送，在晶片W的曲率為負(fù)的情況下也可以向Cu 成膜模塊3輸送。另外，在調(diào)整室2測(cè)定晶片的曲率的第一實(shí)施方式的變形例中，也可以如 上所述由程序進(jìn)行輸送控制。(第三實(shí)施方式)然后，以與第一實(shí)施方式及第二實(shí)施方式的差異點(diǎn)為中心說(shuō)明第三實(shí)施方式。在 該第三實(shí)施方式中，作為半導(dǎo)體制造裝置1，如在第一實(shí)施方式中的說(shuō)明在調(diào)整室2測(cè)定晶 片W的曲率。在該第三實(shí)施方式中，不利用規(guī)定了膜厚和曲率變化的曲率數(shù)據(jù)66進(jìn)行輸送 控制。操作員預(yù)先設(shè)定在成膜模塊3、5進(jìn)行的制法。而且，當(dāng)操作員開(kāi)始進(jìn)行處理時(shí)，將 晶片W按在載體C內(nèi)的排列順序經(jīng)由上述的路徑輸送到調(diào)整室2，測(cè)定其曲率。根據(jù)測(cè)定的 結(jié)果，若曲率為_(kāi)，則由程序64將晶片W經(jīng)由上述的路徑輸送到Cu成膜模塊3，若曲率為0 或者為+，則由程序64將晶片W經(jīng)由上述的路徑輸送到Ti成膜模塊5。而且，在各成膜模塊 3、5分成膜Cu膜、Ti膜，使晶片W向上述曲率測(cè)定時(shí)翹曲方向的反向翹曲。成膜處理后，晶 片W經(jīng)由上述的路徑返回到載體C。對(duì)返回到載體C的晶片W，按重復(fù)向調(diào)整室2的輸送、 曲率的測(cè)定、基于測(cè)定結(jié)果的向成膜模塊3或者5的輸送、在輸送地的成膜模塊的成膜處理 及向載體C的輸送處理的順序接受處理。當(dāng)操作員執(zhí)行處理的停止時(shí)，停止晶片W的輸送
12及成膜處理。由于在該第三實(shí)施方式中也可抑制晶片向同一方向的過(guò)度翹曲，因而可得到與第 一及第二實(shí)施方式同樣的效果。另外，該第三實(shí)施方式基于晶片W的曲率的測(cè)定值自動(dòng)執(zhí) 行該晶片W向成膜模塊3、5的分配(輸送規(guī)程)，可延長(zhǎng)晶片W的使用壽命，但是作為其方 法不限于上述例。例如將閾值設(shè)定為曲率的值，在晶片W的曲率例如超過(guò)+側(cè)的閾值的情 況下(該情況為+側(cè)的曲率變大的情況)，也可以對(duì)該晶片W繼續(xù)例如預(yù)先設(shè)定的次數(shù)，將 該晶片W按例如預(yù)先設(shè)定的次數(shù)搬入進(jìn)行晶片W的曲率朝向一側(cè)的處理的Ti成膜模塊5。而且，另外，在進(jìn)行晶片W向成膜模塊3、5的分配的情況下，也可以不利用在各成 膜模塊進(jìn)行的膜厚信息。另外，在這樣求晶片W的曲率并基于該結(jié)果決定輸送規(guī)程的情況 下，作為求曲率的方法也可以以如第一實(shí)施方式中所述的由計(jì)算機(jī)基于該晶片W的成膜履 歷推定曲率，代替使用翹曲檢測(cè)器。在該情況下，例如在從載體C取出晶片W時(shí)由計(jì)算機(jī)求 出該晶片W的曲率，基于該值決定應(yīng)使用的成膜模塊。但是，在各實(shí)施方式中，晶片W通過(guò)載體C被輸送到半導(dǎo)體制造裝置1，但是，也可 以例如在第一輸送室11設(shè)有保持多個(gè)晶片W的保持架(保持部)，以從該保持架取出晶片 W代替從載體C取出晶片W。(第四實(shí)施方式)接著，以與第一實(shí)施方式的差異點(diǎn)為中心說(shuō)明第四實(shí)施方式。在該第四實(shí)施方式 中，在正常輸送模式中，載體C的晶片W在被輸送到成膜模塊3、5之前，測(cè)量其曲率及曲率 的變化量。而且，對(duì)于這些曲率及曲率的變化量超過(guò)設(shè)定于控制部8的閾值的晶片，終止向 成膜模塊3、5的輸送。另外，在該第四實(shí)施方式中不執(zhí)行翹曲修正模式。在該第四實(shí)施方式中，調(diào)整室2的構(gòu)成與第一實(shí)施方式的變形例相同。圖10表示 控制部8在該第四實(shí)施方式中的構(gòu)成。控制部8具備存儲(chǔ)器81，在存儲(chǔ)器81內(nèi)相互對(duì)應(yīng)地 存儲(chǔ)有晶片的ID、對(duì)各晶片W每次測(cè)量的最新的曲率(翹曲量)、上次測(cè)定的曲率、這些曲 率的差分即曲率的變化值。另外，控制部8還具備存儲(chǔ)器82，在存儲(chǔ)器82內(nèi)存儲(chǔ)有曲率的 閾值、和曲率變化量的閾值。然后，說(shuō)明該第四實(shí)施方式中的處理工序。首先，操作員與第一實(shí)施方式的設(shè)定正 常模式時(shí)同樣地設(shè)定成膜模塊3、5的制法。另外，在此，例如與第一實(shí)施方式同樣地將晶片 W交互輸送到成膜模塊3、5。首先，將載體C輸送到半導(dǎo)體制造裝置1，其后，按照在載體C內(nèi)的排列順序與第一 實(shí)施方式同樣依次將晶片W輸送到調(diào)整室2。以此，如上述地由控制部8測(cè)定曲率，將其值 作為最新的曲率存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器81 (步驟Tl)。然后，將晶片W輸送到成膜模塊3或者5接受 成膜處理，之后，返回到載體C (步驟T2)。其后，將晶片W再次從載體C輸送到調(diào)整室2，并 測(cè)定地曲率。當(dāng)測(cè)定了曲率時(shí)，控制部8將該晶片W的存儲(chǔ)于存儲(chǔ)器81的最新的曲率作為 上次測(cè)定的曲率進(jìn)行更新，將本次測(cè)定的曲率作為最新的曲率進(jìn)行更新(步驟T3)?？刂撇?從最新的曲率中減去上次測(cè)定的曲率，將其計(jì)算值作為曲率的變化量存 儲(chǔ)于存儲(chǔ)器81 (步驟T4)。接著，控制部8判定最新的曲率、曲率的變化量是否分別超過(guò)存 儲(chǔ)于存儲(chǔ)器82的閾值(步驟T5)。在步驟T5當(dāng)判定為曲率及曲率的變化量中的任一個(gè)都 未超過(guò)閾值的情況下，執(zhí)行步驟T 了以后的步驟，并重復(fù)執(zhí)行成膜處理。而且，在步驟T5，當(dāng) 判斷為曲率或者曲率的變化量超過(guò)閾值的情況下，不是將晶片W輸送到成膜模塊3、5而是
13使其返回到載體C (步驟T6)。而且，控制部8在顯示部71顯示這樣判定的晶片W的ID和 曲率或者曲率的變化量中哪一個(gè)超過(guò)閾值。而且，這樣返回到載體C的晶片W即使輸送該 晶片W的次序到來(lái)也不從載體C輸送。這樣，在第四實(shí)施方式中，在曲率或者曲率的變化量超過(guò)閾值之前可再次使用晶 片W。由此，可與第一實(shí)施方式同樣，防止發(fā)生曲率變大的晶片W不能被靜電卡盤(pán)均勻吸附 的缺陷。另外，在第四實(shí)施方式中，由于除曲率之外還對(duì)曲率的變化量進(jìn)行管理，因而基于 此可有利于對(duì)晶片W的劣化、損傷狀況進(jìn)行監(jiān)視。在上述的各實(shí)施方式中將成膜模塊設(shè)為執(zhí)行CVD的模塊，但是，也可設(shè)為執(zhí)行PVD 的模塊。(參考試驗(yàn))對(duì)由Si (硅)構(gòu)成的模型晶片1 3，通過(guò)進(jìn)行PVD的成膜模塊形成Ti膜。在該 成膜模塊中，以通過(guò)一次成膜處理按IOnm的膜厚進(jìn)行成膜的方式設(shè)定制法。而且，對(duì)晶片 1 3分別各重復(fù)進(jìn)行100次成膜處理，每次進(jìn)行成膜處理時(shí)，都測(cè)定其晶片W的半徑。在 該試驗(yàn)中，將同一晶片連續(xù)100次輸送到成膜模塊執(zhí)行處理，之后，將下一個(gè)晶片輸送到成 膜模塊。圖11表示該試驗(yàn)的結(jié)果，圖表的縱軸表示晶片的半徑，橫軸表示在上述成膜模塊 的處理次數(shù)。如該圖所示，晶片1 3的半徑與處理次數(shù)即膜厚成比例地變化。因此，如用 圖2所說(shuō)明，表明Ti的膜厚和晶片的曲率變化存在相關(guān)性。
1權(quán)利要求
1.一種模型基板的使用方法，在將對(duì)基板進(jìn)行成膜處理的多個(gè)工藝室與基板輸送室連 接的基板處理裝置中使用，其特征在于，包含從模型基板收納部取出模型基板，經(jīng)由所述基板輸送室將其輸入到工藝室內(nèi)，進(jìn)行成 膜處理的工序；對(duì)收納于所述模型基板收納部的多個(gè)模型基板的每一個(gè)，基于在工藝室進(jìn)行的工藝制 法通過(guò)計(jì)算機(jī)制作成含有成膜的膜的種類(lèi)和膜厚的成膜履歷的工序；利用按照膜的種類(lèi)使膜厚與成膜引起的基板的曲率變化相對(duì)應(yīng)的曲率數(shù)據(jù)，基于該曲 率數(shù)據(jù)和模型基板的所述成膜履歷，通過(guò)計(jì)算機(jī)求出該模型基板的曲率的工序；和基于在上述工序求出的模型基板的曲率、曲率數(shù)據(jù)、包含在所述工藝室所預(yù)定的成膜 處理的膜的種類(lèi)及膜厚的工藝規(guī)程，制作該模型基板向工藝室的輸送規(guī)程以抑制該模型基 板的翹曲的工序。
2.—種模型基板的使用方法，在將對(duì)基板進(jìn)行成膜處理的多個(gè)工藝室與基板輸送室連 接的基板處理裝置中使用，其特征在于，包含從模型基板收納部取出模型基板，經(jīng)由所述基板輸送室將其輸入到工藝室內(nèi)，進(jìn)行成 膜處理的工序；將收納于所述模型基板收納部的多個(gè)模型基板輸入到用于調(diào)整該模型基板的朝向的 調(diào)整室內(nèi)，通過(guò)翹曲檢測(cè)器對(duì)所述多個(gè)模型基板的每一個(gè)求出曲率的工序；和基于在上述工序求出的模型基板的曲率、包含在所述工藝室所預(yù)定的成膜處理的膜的 種類(lèi)的工藝規(guī)程，制作該模型基板向工藝室的輸送規(guī)程以抑制該模型基板的翹曲的工序。
3.如權(quán)利要求2所述的模型基板的使用方法，其特征在于，基于含有在各模型基板上 成膜的膜的種類(lèi)和膜厚的成膜履歷、按照膜的種類(lèi)使膜厚與由成膜引起的基板的曲率變化 相對(duì)應(yīng)的曲率數(shù)據(jù)，通過(guò)計(jì)算機(jī)求出曲率，來(lái)代替將收納于所述基板收納部的多個(gè)模型基 板輸入到調(diào)整室，通過(guò)翹曲檢測(cè)器對(duì)所述多個(gè)模型基板分別求出曲率。
4.如權(quán)利要求2或者3所述的模型基板的使用方法，其特征在于，所述工藝規(guī)程含有預(yù) 定的成膜處理的膜的膜厚。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的模型基板的使用方法，其特征在于，所述模型基板 的輸送規(guī)程由操作員制作。
6.如權(quán)利要求5所述的模型基板的使用方法，其特征在于，曲率數(shù)據(jù)顯示于計(jì)算機(jī)的 顯示部。
7.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的模型基板的使用方法，其特征在于，模型基板的輸 送規(guī)程由計(jì)算機(jī)利用程序制作。
全文摘要
本發(fā)明提供一種在可抑制模型基板的翹曲的基板處理裝置中的模型基板的使用方法。其包括下述工序?qū)κ占{于模型基板收納部的多個(gè)模型基板的每一個(gè)，基于在工藝室進(jìn)行的工藝制法，通過(guò)計(jì)算機(jī)制作含有成膜的膜的種類(lèi)和膜厚的成膜履歷的工序；利用按照膜的種類(lèi)使膜厚和由于成膜引起的基板的曲率變化相對(duì)應(yīng)的曲率數(shù)據(jù)，基于該曲率數(shù)據(jù)和模型基板的上述成膜履歷通過(guò)計(jì)算機(jī)求出該模型基板的曲率的工序；和基于含有所求出的模型基板的曲率、曲率數(shù)據(jù)、包含成膜處理的膜的種類(lèi)及膜厚的工藝規(guī)程，制作向工藝室的輸送規(guī)程以抑制模型基板的翹曲的工序。
文檔編號(hào)C23C14/56GK102002681SQ20101027381
公開(kāi)日2011年4月6日 申請(qǐng)日期2010年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月28日
發(fā)明者宮下哲也, 白坂賢治 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社